Ultrahigh mobility and giant magnetoresistance in the Dirac semimetal Cd$_3$As$_2$
狄拉克半金属和外尔半金属是石墨烯的3D类似物，其中晶体对称性保护节点免受间隙形成[1-3]。Na $_3$ Bi和Cd $_3$ As $_2$被预测为狄拉克半金属[4，5]，最近通过光电发射证实了这一点[6-8]。在磁场$\bf H$中，狄拉克半金属的几种新的输运性质已经被提出[2，9 -11]。在这里，我们报告了一个有趣的性质，在镉$_3$作为$_2$是不可预测的，即一个显着的保护机制，强烈抑制反向散射在零$\bf H$。在单晶中，保护导致非常高的迁移率，其在低于4 K时超过$>10^7$ cm $^2$ /Vs。反向散射的抑制导致传输寿命比量子寿命长10 $^4\times$。$\bf H$解除了这种保护，导致了一个不寻常的巨大的$\bf H$ -线性磁阻，违反了科勒规则。我们讨论了这可能与$\bf H$引起的费米面变化有关。
2014-11-24 cond-mat.str-el
Fermi surface topology and negative longitudinal magnetoresistance observed in centrosymmetric NbAs2 semimetal
本文报道了NbAs_2单晶的横向和纵向磁输运性质。由于电子-空穴补偿，非饱和的大横向磁电阻在1.8 K、9 T时可达8000，迁移率约为1 ~ 2 m^2V^-1 S ^-1。我们提出了一个彻底的研究角度依赖Shubnikov-de Haas（SdH）量子振荡的NbAs 2。确定了三种不同的振荡频率。第一性原理计算揭示了四种类型的费米口袋：电子α口袋，空穴β口袋，空穴γ口袋和小电子δ口袋。虽然α、β和δ的角度依赖性与SdH数据一致，但尚不清楚为什么SdH中缺少γ口袋。观察到负纵向磁电阻，这可能与这种材料中的新拓扑状态有关，尽管有必要进行系统的研究以确定其起源。
2016-03-14 cond-mat.str-el
Chiral anomaly in the Weyl semimetal TaRhTe$_4$
本文研究了第二类Weyl半金属TaRhTe$_4$的纵向磁阻，发现仅当磁场平行于电场时出现负磁阻，证实了手性反常并排除了其他效应，且该现象可持续至室温。
2025-04-28 cond-mat.str-el
Spin-lattice relaxation phenomena in the magnetic state of a suggested Weyl semimetal CeAlGe
本文报道了多晶磁性半金属CeAlGe的直流磁化率、交流磁化率及相关技术、电阻率、横向和纵向磁电阻以及热容的研究结果。该化合物在5.2 K（T1）附近经历反铁磁型有序。在施加外部磁场的情况下，磁矩的平行排列是有利的，高于0.5特斯拉。在低场和温度下，交流磁化率的频率和交流场幅度响应表明存在自旋-晶格弛豫现象。对自旋-晶格相互作用的观察表明存在Rashba-Dresselhaus自旋-轨道相互作用，这种相互作用与反转和时间反演对称性破缺有关。此外，存在的负的和不对称的纵向磁电阻表明由于Rashba-Dresselhaus自旋轨道相互作用，这是进一步研究的热容的磁电阻的异常速度的贡献。
2020-06-01 cond-mat.str-el
Extremely large magnetoresistance in topologically trivial semimetal $α$-WP$_2$
最近在许多非磁性材料中发现了极大的磁电阻（XMR），但由于这些材料的复杂电子结构，其潜在机制仍然知之甚少。在这里，我们报告的$α$相WP $_2$，拓扑平凡的半金属单斜晶体结构（C2/m），这与最近发现的强大的II型外尔半金属相$β$ -WP $_2$的调查。我们发现$α$ $_2$表现出几乎所有的XMR材料的特性：MR的近二次场依赖性，在低温下由平台引起的场诱导电阻率的上升，这可以通过补偿效应来理解，以及由我们的霍尔效应测量证实的载流子的高迁移率。不同磁场下的归一化MR值在$α$ $_2$中具有相同的温度依赖性，Kohler标度律可以在较宽的温度范围内描述MR数据，各向异性参数$γ$值随温度的变化不明显。当电场在$\textit{ac}$平面内旋转时，电阻极图呈花生状，这可以从费米面的各向异性来理解。这些结果表明，场致能隙和温度诱导的Lifshitz转变都不是$α$ $_2$半金属电阻率上升的原因。我们的研究结果确立了$α$ -WP $_2$作为探索XMR现象的新参考材料。
2018-04-11 cond-mat.str-el
Magnetoresistance and Kondo effect in the nodal-line semimetal VAs$_2$
我们进行了电子能带结构和费米面的计算，以及测量的纵向电阻率$ρ_{xx}(T,H)$，霍尔电阻率$ρ_{xy}(T,H)$，和磁化率作为温度和各种磁场的函数的VA $_2$与单斜晶体结构。能带结构计算表明，当忽略自旋轨道耦合时，VAs $_2$是一种半金属结构。在$H$ = 0时测得的$ρ_{xx}(T)$在11 K附近出现最小值，这表明在VAs $_2$单晶中存在额外的磁性杂质（VPDMATHABMR，$S$ = 1/2），这一点可通过$ρ_{xx}(T)$数据的拟合和磁化率测量得到证实。结果表明，在10 K和9 T下，VAs $_2$具有高达649%的正磁电阻（MR），其近二次场依赖性和$ρ_{xx}(T)$的场诱导上弯行为，尽管与其他拓扑非平凡/平凡半金属相比，由于存在额外的散射，MR并不那么大.所观察到的属性归因于一个完美的电荷载流子补偿，这是证明了两个计算依赖于费米表面和霍尔电阻率测量。这些结果表明，含V（$3d^3 4s^2$）元素的化合物可以作为研究磁性杂质对拓扑性质影响的平台。
2020-12-22 cond-mat.str-el
Large magnetoresistance and weak-antilocalization in the nodal-line semimetal VP2
Zhejiang University（浙江大学）；Hangzhou Normal University（杭州师范大学）；China Jiliang University（中国计量大学）；Nanjing University（南京大学）
研究了VP2的磁阻和弱反局域化特性，揭示其为II型nodal-line半金属，磁阻线性增长，受电子结构影响，存在Kondo效应和弱反局域化行为。
2026-04-29 cond-mat.str-el
Unsaturated both large positive and negative magnetoresistance in Weyl Semimetal TaP
在成功地生长出TaP单晶后，在2- 300 K温度范围内，测量了其在高达9 T的磁场下的纵向电阻率（rhxx）和霍尔电阻率（rhyx）。结果表明，在2K时，其磁阻率达到328000%，在300 K时，其磁阻率达到176%，在8 T时，两者均未出现饱和。我们证实，钽确实是一个低载流子浓度，空穴-电子补偿半金属，空穴μ h =371000 cm ~ 2 V ~（-1）s ~（-1）的高迁移率，并发现磁场诱导的金属-绝缘体转变发生在室温下。值得注意的是，当磁场（H）平行于电场（E）施加时，观察到由于手性异常引起的负MR，并且在9 T下达到-3000%，也没有任何饱和特征，这与其他Weyl半金属（WSM）不同。对叠加在MR上的Shubnikov-de Haas（SdH）振荡的分析表明，在TaP中实现了一个非平凡的Berry相位，其偏移量为0.3958，这是载流子包围Weyl节点的特征。这些结果表明，TaP不仅在揭示WSM态的基础物理方面，而且在一些新的应用方面都是一个有希望的候选者。
2015-07-19 cond-mat.str-el
Negative Magnetoresistance in Dirac Semimetal Cd3As2
在平行磁场和电场配置的拓扑半金属中，作为非平凡拓扑性质的结果，预期有大的负磁阻。负磁电阻被认为是证明手征异常，一个长期寻求的高能物理效应，在固态系统。最近的实验表明，Cd 3As 2是一种Dirac拓扑半金属，在正交磁场和电场组态下具有最高的迁移率和正线性磁电阻。然而，在平行的磁场和电场配置的负磁阻仍然没有揭开。在这里，我们报告的观察到的负磁阻在Cd 3As 2微带中的平行磁场和电场配置高达66%，在50 K，甚至在室温下可见。所观察到的负磁阻对磁场和电场之间的角度敏感，对温度具有鲁棒性，并且依赖于载流子密度。我们发现，Cd 3As 2样品的载流子密度服从阿耳忒修斯定律，从300 K时的3.0 × 10^17 cm^-3下降到50 K以下的2.2 × 10^16 cm^-3。低的载流子密度导致大的负磁电阻值。因此，我们将观察到的负磁阻的手征异常。此外，在垂直磁场和电场的配置也观察到一个积极的非饱和线性磁阻高达1670%，在14 T和2 K。这项工作表明了拓扑半金属在磁性器件中的潜在应用。
2015-07-23 cond-mat.mes-hall cond-mat.str-el
Orbital effect and weak localization physics in the longitudinal magnetoresistance of the Weyl semimetals NbP, NbAs, TaP and TaAs
外尔半金属如TaAs族（TaAs、TaP、NbAs、NbP）在能带结构中的特殊带交叉点（称为外尔节点）处具有类似于长期以来一直在寻找的外尔费米子的准粒子激发。当费米能级足够接近外尔点时，由于手征反常，它们将表现出负的纵向磁电阻效应。然而，电流喷射效应，即电流不均匀性所造成的强，场致导电性各向异性的半金属，有一个类似的实验签名，因此阻碍了确定的本征LMR的TaAs家族至今。这项工作调查的所有四个成员的这个家庭沿结晶$a$和$c$方向的纵向磁阻。我们的样品与文献中先前研究的样品具有相似的质量，并且具有相似的化学势，如匹配的量子振荡（QO）频率所示。注意确保所有测量中的均匀电流。相对于以前的研究，这是没有做到的，我们发现一个积极的LMR，饱和在字段以上4 T的钽，铌和铌酸$B||c$。使用费米面几何结构的能带结构计算已被实验证实，我们表明，这是预期的行为从一个经典的纯轨道效应，独立的距离外尔节点的费米能量。TaAs家族的化合物是第一个显示出这样一个简单的LMR没有明显的散射各向异性的影响。在配置的轨道效应是小的，即$B||a$在NbAs和NbP，我们发现一个非单调的LMR包括负LMR的区域。我们讨论了一个弱的antilocalisation的情况下，作为替代的解释比这些结果的手征异常，因为它可以充分考虑到整体的场依赖性。
2019-11-12 cond-mat.str-el
Review of experiments on the chiral anomaly in Dirac-Weyl semimetals
本文综述了Dirac/Weyl半金属中手征反常的最新实验结果。在简要介绍之后，我们跟踪导致预测具有受保护的3D体狄拉克节点的材料的步骤。手征反常是在平行电场和磁场中外尔费米子手征朗道能级之间的电荷泵浦。描述了相关的手征磁效应和手征零声。电流喷射效应，目前的主要并发症的纵向磁电阻的实验，仔细分析。我们描述了一个最近的测试，能够区分这些半经典文物的内在量子效应。在实验方面，我们对Dirac/Weyl半金属Na_3Bi、GdPtBi、ZrTe_5和TaAs的纵向磁电阻实验进行了评述。综述了研究手征反常的其他方法，包括非局域输运、热电势、热导率和光泵浦探测响应等实验。在补编中，我们提供了一个简短的讨论的手征异常在更广泛的背景下，高能物理和相对论量子场论，以及异常的主演角色在量子物理和微分几何的关系。
2020-10-16 cond-mat.str-el hep-th
Anisotropic magnetoresistance in spin-orbit semimetal SrIrO3
SrIrO 3是Ruddlesden-Popper虹彩酸盐的三维成员，是一种顺磁性半金属，其特征在于自旋轨道耦合和库仑排斥之间的微妙相互作用。本文研究了SrIrO_3薄膜的各向异性磁电阻（AMR），它与自旋轨道耦合密切相关，并探讨了电子输运、磁有序和轨道态之间的相关性。我们发现，低温负磁电阻是各向异性的磁场方向，其角度依赖性揭示了一个四重对称组件以上的临界磁场的外观。我们发现，这AMR组件是磁晶起源，并归因于所观察到的转变场诱导的SrIrO 3的磁状态。
2020-01-24 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Magnetoresistance in Magnetic Weyl semimetal Mn$_{3}$ZnC
School of Physical Sciences, Indian Institute of Technology Mandi（印度技术学院曼迪分校物理科学学院）；Center for Quantum Science and Technologies, Indian Institute of Technology Mandi（印度技术学院曼迪分校量子科学与技术中心）
本研究针对磁性外尔半金属Mn₃ZnC，探究其磁电阻特性，明确了铁磁与亚铁磁态的磁电阻行为差异，发现其极低场铁磁态的正磁电阻具有罕见性。
2026-08-05 cond-mat.str-el
Extremely large magnetoresistance and compensated Fermi surfaces in the antiferromagnetic semimetal YbAs
一些稀土铌酸盐具有拓扑非平凡的能带结构，同时具有磁性和强的电子关联。为了研究是否反铁磁（AFM）半金属镱砷（$T\rm_N$ = 0.5 K）表现出这样的情况下，我们已经生长出高品质的单晶使用的磁通方法，其特征在于使用比热，磁输运和角度分辨光电子能谱（ARPES）测量，连同密度泛函理论（DFT）计算的磁性和电子结构。ARPES和DFT计算都没有发现YbAs能带反转的证据，表明其电子结构在拓扑上是平凡的。从低温磁输运测量，我们映射的场-温度相图，在那里我们发现在低温下的AFM相不同的场稳定相的存在。一个非常大的磁电阻（XMR）的YbAs和对应的LuAs，也观察到，这可以始终占电子空穴补偿的存在。此外，Shubnikov-de Haas效应振荡的角度依赖性研究揭示了YbAs和LuAs之间非常相似的费米表面，具有低至至少0.5 K的轻有效质量，表明Yb- $4f$电子被很好地局域化，并且对费米表面没有贡献。然而，本地化的$4f$电子对YbAs的磁输运的影响可以从与LuAs的XMR相比的不同的温度依赖性中辨别出来，我们将其归因于出现在$T\rm_N$之上的短程自旋相关的影响。
2020-02-20 cond-mat.str-el
Extremely large magnetoresistance induced by hidden three-dimensional Dirac bands in nonmagnetic semimetal InBi
在半金属铟铋中发现了极大的正磁阻效应。使用几个单晶具有不同的剩余电阻率比（RRRs），我们发现，XMR强烈依赖于RRR（样品质量）。假设这些单晶中的有效质量m* 和载流子浓度没有变化，这种依赖性可以用半经典双载流子模型来解释。包括自旋轨道相互作用（SOI）的第一性原理计算揭示了InBi在M和R点具有补偿载流子平衡和SOI诱导的“隐藏”三维（3D）狄拉克带。由于小的m* 和大的载流子迁移率将被实现，这些隐藏的3D狄拉克带应该在InBi中的XMR中发挥重要作用。我们建议，这一功能可以作为一种新的策略，用于创建XMR半金属。
2018-12-11 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Magnetoresistance and Scaling Laws in Type-II Weyl Semimetal WP_2
具有极大磁阻的拓扑材料表现出电阻率导通行为的预测特征。当施加高于阈值的外部磁场时，电阻率的温度依赖性从金属特性改变为半导体特性时，会发生这种情况。在这里，我们研究的磁输运性质的II型外尔半金属WP 2。我们发现，半经典理论的磁阻是一致的，我们的数据，而不需要调用拓扑表面状态。我们的研究结果在这项工作中提供了一个替代的基础，以了解在拓扑材料的磁电阻的温度依赖性。
2021-08-31 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci cond-mat.other
Angle-dependent magnetoresistance as a sensitive probe of the charge density wave in quasi-one-dimensional semimetal Ta$_2$NiSe$_7$
外磁场中电荷密度波的行为受轨道效应和泡利（塞曼）效应的共同影响。准一维（Q1 D）系统的特点是Q1 D费米表面，可以区分这些影响，这反过来又可以提供敏感的探针底层的电子状态。本文研究了具有Q1 D链状结构的过渡金属硫族化合物Ta 2NiSe 7中无公度CDW的场依赖性。角相关磁电阻（MR）被发现是非常敏感的磁场和链方向之间的相对取向。在沿b轴（链方向）固定施加电流的情况下，仅对于ac平面中的旋转磁场，依赖于角度的MR显示出低于T_CDW的对称性的显著变化。相比之下，对于其他构型（ab和bc平面中的H），对称轴保持不变。轨道效应符合晶格对称性，而泡利效应（μB B / v F）可以解释这种对称性的变化，只要费米速度v F是显著各向异性的，并且磁场中嵌套矢量发生变化，这一点得到了第一性原理计算的证实.我们的结果表明，角度相关MR是CDW的敏感输运探针，对于一般低维系统的研究很有用。
2018-10-23 cond-mat.str-el
Hydrodynamic theory of thermoelectric transport and negative magnetoresistance in Weyl semimetals
本文提出了弱无序Weyl半金属中的热电输运理论，其中电子-电子散射时间比电子-杂质散射时间快。我们的流体动力学理论由相对论流体在每个外尔节点，耦合在一起的微扰小谷间散射，和远程库仑相互作用。我们的理论的电导率矩阵是Onsager倒数和半正定的。除了通常的轴向异常，我们占一个独特的，轴向重力异常的影响，预计将存在于外尔半金属。负热磁电阻是一个尖锐的，实验上可以获得的这种轴向重力异常的签名，甚至超过了流体动力学的限制。
2016-08-30 cond-mat.mes-hall cond-mat.str-el hep-th
Experimental and theoretical study of the correlated compound YbCdSn: Evidence for large magnetoresistance and mass enhancement
拓扑半金属的特殊性质来自于它的非平凡能带结构。强电子关联对拓扑态的影响在实际材料中仍然没有得到很大程度的研究。在这里，我们报告的YbCdSn单晶的磁输运性质。我们通过磁化率和比热找到了电子关联的两个基本实验证据。该化合物中的电子关联导致中间价态并增强了载流子的有效质量。这种关联态表现出大的非饱和磁电阻、低载流子密度、磁场诱导的类金属-半导体交叉以及低温下电阻率的平台。该化合物在低磁场下也表现出尖点状的磁导率，表明存在弱的反定域效应。通过对Yb $^{2+}$态能带结构的计算，预测了YbCdSn是一种拓扑结构的半金属。
2020-12-16 cond-mat.str-el
Robustness of anomaly-related magnetoresistance in doped Weyl semimetals
具有费米能Weyl费米子的Weyl半金属是一种拓扑材料，是相对论费米子的凝聚态实现。然而，有几个关键的差异，如费米能量的移动，这可能会阻碍预期的有趣的物理。手征反常是与外尔费米子相关的一种典型的非平凡现象，它决定了具有相反手征性的外尔费米子之间的费米子转移，表现为负磁阻效应。在这里，我们证明了磁电阻是强大的对偏离理想的外尔哈密顿量，如移动费米能量和非线性色散。我们研究了一个能量色散包含两个Weyl节点的模型，发现即使费米能级远离节点，甚至在两个节点的鞍点以上，磁电阻仍然存在。令人惊讶的是，即使在节点对湮灭之后，磁阻仍然存在。
2018-08-28 cond-mat.mes-hall cond-mat.str-el nucl-th
Non-saturating large magnetoresistance in semimetals
被称为{ \emph{topological semimetals} }（TSM）的快速扩展的量子材料类别显示出独特的输运性质，包括电阻率对所施加的磁场的显著依赖性，这出于科学和技术原因而引起极大兴趣。然而，能够识别或辨别主导机制并与现有理论联系起来的实验特征是稀缺的。在这里，我们提出了磁化率（$χ$），霍尔角的正切（$\tanθ_H$）以及四种不同的具有高迁移率的非磁性半金属（NbP、TaP、NbSb $_2$和TaSb $_2$）中的磁阻，所有这些都表现出非饱和的大MR。我们发现，磷化物和锑酸盐中的$χ(T)$和$\tanθ_H$值用作对来自不同来源的MR进行分类的经验标准：NbP和TaP是具有线性色散的未补偿半金属，其中由于引导中心运动而产生非饱和磁阻，而NbSb $_2$和TaSb $_2$是{ \it补偿}半金属，具有来自两个二次带的几乎完美的电荷补偿的磁阻。我们的研究结果说明了如何结合磁输运和磁化率测量可用于分类越来越普遍的非饱和大磁电阻在TSM。
2018-09-05 cond-mat.dis-nn cond-mat.mes-hall cond-mat.str-el
Anisotropic Nonsaturating Magnetoresistance Observed in HoMn$_6$Ge$_6$: A Kagome Dirac Semimetal
本研究针对kagome狄拉克半金属HoMn$_6$Ge$_6$开展磁输运与能带结构研究，揭示了其磁电阻正负转变、各向异性非饱和磁电阻等特性及微观起源，补充了反常霍尔效应与载流子转变的实验发现。
2024-04-18 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Large magnetoresistance in LaBi: origin of field-induced resistivity upturn and plateau in compensated semimetals
非磁性极磁电阻（XMR）材料的发现引起了人们极大的兴趣，因为XMR现象挑战了我们对磁场如何改变半金属中电子输运的理解。在XMR材料中，LaSb表现出XMR和场致奇异行为，但似乎缺乏这些性质的要素。在这里，我们研究的磁输运性质和电子结构的LaBi，同构的LaSb。LaBi和LaSb一样具有大的磁电阻，这是由于电子和空穴具有相当高的迁移率而几乎得到补偿。更重要的是，我们的分析表明，XMR以及场致电阻率的上升和平台观察到的LaSb和LaBi可以很好地解释了两个带模型的补偿情况。我们提出的临界条件，导致这些场诱导性能。这将有助于理解XMR现象和探索新的XMR材料。
2016-08-06 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Nonsaturating magnetoresistance and nontrivial band topology of type-II Weyl semimetal NbIrTe4
Weyl半金属以其体相节点和表面费米弧态为特征，在低能耗电子材料方面具有潜在的应用前景，近年来引起了人们的广泛关注。在这份报告中，在高达35 T的高磁场和低至0.4 K的低温下测量了理论预测的Weyl半金属NbIrTe 4的热力学和输运性质。值得注意的是，NbIrTe 4表现出非饱和横向磁阻，它遵循幂律依赖于B。低场霍尔测量结果表明，空穴类载流子占主导地位的T $>$ 80 K的传输，而电子迁移率的显着增强与降低T的结果在一个不可忽略的贡献，从电子类载流子，这是负责在低T下观察到的非线性霍尔电阻率。高B下霍尔电阻率的Shubnikov-de Haas振荡给出了载流子的轻有效质量和与Weyl费米子相关的非平凡Berry相。进一步的第一性原理计算证实了在布里渊区中存在16个位于kz = 0、$\pm$ 0.02和$\pm$ 0.2平面上的外尔点。
2019-05-07 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Negative Magnetoresistance in Topological Semimetals of Transition-Metal Dipnictides with Nontrivial Z2 Indices
外磁场$B$与外电场$E$共线时，由Adler-Bell-Jackiw反常引起的负磁电阻（NMR）被认为是Weyl半金属最显著的量子特征.本文报道了中心对称过渡金属双镍族化合物MPn $_{2}$（M=Nb和Ta; Pn=As和Sb）的普适NMR谱，其中Weyl费米子的存在可以被明确地排除。利用温度依赖的磁电阻，霍尔和热电系数的能斯特和塞贝克效应，我们确定的出现的NMR现象在MPn $_{2}$是符合的Lifshitz转变，对应于形成独特的电子-空穴-电子（$e$ - $h$ - $e$）口袋沿$I-L-I'$方向。第一性原理计算表明，沿$I-L-I'$线，过渡金属的$d_{xy}$和$d_{x^{2}-y^{2}}$轨道形成带交叉的倾斜节环，远低于费米能级。强的自旋-轨道耦合使所有交叉点都能隙，并产生特征性的$e$-$h$ - $e$结构，使MPn $_{2}$成为$\mathbb{Z}_2$指数为[0;（111）]的拓扑半金属。通过排除体相态的弱局域化贡献，我们得出结论：MPn $_{2}$中的普适NMR可能具有拓扑表面态的奇异起源，这种奇异起源与非平凡表面上相反的自旋-动量锁定成对出现.
2016-03-13 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Intertwined magnetoresistance and Hall multifunctionality in a non-coplanar magnetic Weyl semimetal DyB4
University of Tennessee, Knoxville（田纳西大学诺克斯维尔分校）；Oak Ridge National Laboratory（橡树岭国家实验室）
本研究确定DyB4为兼具线性色散能带与非共面磁性的磁性外尔半金属，其磁输运兼具四种罕见特性，为多功能磁性拓扑材料提供了新平台。
2026-07-31 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Consecutive topological phase transitions and colossal magnetoresistance in a magnetic topological semimetal
磁对称性和电子能带拓扑的结合为实现拓扑非平凡的准粒子提供了一条有前途的途径，并且磁结构的操纵可以实现拓扑相之间的切换，具有实现功能物理性质的潜力。在这里，我们报告的电阻率测量EuCd $_2$作为$_2$的压力下，这表明一个有趣的绝缘圆顶之间的压力$p_{\rm c1}\sim1.0$ ~GPa和$p_{\rm c2}\sim2.0$ ~GPa，位于两个制度与金属运输。绝缘态可以被一个小磁场完全抑制，导致一个巨大的负磁电阻的数量级为$10^5$，通过一个适度的磁场$\sim0.2$ ~T。第一性原理计算表明，压力下的电阻率的戏剧性的演变是由于连续的过渡EuCd $_2$作为$_2$从一个磁性的拓扑绝缘体，一个平凡的绝缘体，然后到Weyl半金属，与后者产生的压力引起的变化的磁基态。类似地，巨磁电阻是由磁场引起的磁矩极化引起的，将EuCd $_2$ As $_2$从普通的绝缘体转变为外尔半金属。这些发现强调了弱磁交换耦合和自旋各向异性是发现具有所需功能的可调磁性拓扑材料的成分。
2022-02-17 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Exchange Splitting Mechanism of Negative Magnetoresistance in Layered Antiferromagnetic Semimetals
本文提出一种不依赖拓扑、缺陷或散射的新机制，通过交换劈裂解释层状反铁磁半金属中的负磁电阻，理论结果与实验定性一致。
2024-05-28 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Quantum Oscillations and Magnetoresistance in Type-II Weyl Semimetals - Effect of a Field Induced Charge Density Wave
最近的实验表明，在强磁场作用下，第二类Weyl半金属如WTe $_2$、MoTe $_2$、Mo $_x$ W $_{1-x}$ Te $_2$和WP $_2$具有显著的输运性质，包括极大的磁电阻和不寻常的温度依赖性。在这里，我们调查磁输运通过Kubo公式在一个极小模型的II型Weyl半金属考虑到电荷密度波（CDW）过渡的影响，这可能会出现，即使在弱耦合在一个强磁场的存在下，因为特殊的朗道级色散的II型Weyl系统。与实验测量一致，我们发现一个非常大的磁阻接近$B^2$缩放在粒子空穴补偿，而在极端的量子极限有一个过渡到一个定性的新的缩放约$B^{0.75}$。我们还研究了Shubnikov-de Haas效应，发现在CDW转变温度以下，电阻率量子振荡的幅度大大增强，这伴随着不寻常的非单调（非Lifshitz-Kosevich）温度依赖性。
2018-04-06 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Hall effect in the extremely large magnetoresistance semimetal WTe$_2$
系统地测量了超大磁电阻半金属WTe $_2$的霍尔效应。通过仔细拟合霍尔电阻率的两个带模型，电子和空穴型载流子的载流子密度和迁移率的温度依赖性进行了测定。在低于$\sim$ 160 K时，我们观察到空穴密度的突然增加，这可能与先前的光电子能谱研究所报道的温度诱导的Lifshitz转变有关.此外，在低于50 ° K时，电子密度发生更显著的降低，从而在低温下产生相当的电子和空穴密度。我们的观测表明，在50~K以下，电子结构可能发生变化，这可能是电子-空穴"补偿“的直接驱动力，也可能是极大的磁电阻效应。数值模拟表明，这种材料不太可能是一个完美的补偿系统。
2015-11-06 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Extremely large magnetoresistance in the "ordinary" metal ReO3
在许多拓扑非平凡和平凡半金属中观测到的极大磁电阻效应引起了人们对其物理机制的广泛关注。本文通过结合能带结构和费米面（FS）计算、霍尔电阻率和deHaas-Van Alphen（dHvA）振荡测量，研究了ReO $_3$的磁电阻各向异性。我们发现ReO $_3$具有几乎所有的XMR半金属的特性：MR的近二次场依赖性，场诱导电阻率上升，随后在低温下达到平台，高载流子迁移率。结果发现，对于沿\emph{c}轴施加的磁场\emph{H}，MR表现出不饱和的\emph{H} $^{1.75}$依赖性，这被认为是由霍尔电阻率测量支持的完全载流子补偿引起的。当\emph{H}沿15 $^\circ$方向（相对于\emph{c}轴）作用时，在10~K和9~T下，观察到MR高达9.43~ $\times$ ~ $10^3$ $\%$的不饱和\emph{H} $^{1.90}$依赖性，这是由沿$k_{x}$方向延伸的电子开轨道的存在所解释的.通常在半金属中观察到的XMR的两种机制也发生在简单的金属ReO $_3$中，由于其独特的FS（两个封闭的电子口袋和一个开放的电子口袋），再次表明FS拓扑结构的细节是材料中观察到的XMR的关键因素。
2021-04-08 cond-mat.str-el
Intrinsic Negative Magnetoresistance in Layered AFM Semimetals: the Case of EuSn$_2$As$_2$
本研究通过综合实验与理论方法，揭示了层状反铁磁半金属 EuSn$_2$As$_2$ 中负各向同性磁电阻的起源，提出交换劈裂与波函数限制机制，并用多实验数据验证。
2024-11-06 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Highly anisotropic interlayer magnetoresistance in ZrSiS nodal-line Dirac semimetal
我们煽动的角度相关的磁电阻（AMR）的层状双线狄拉克半金属ZrSiS的面内和面外的电流方向。这种材料最近揭示了一种有趣的蝴蝶形平面AMR，但还没有很好地理解。我们的测量极性的平面外AMR显示了一个令人惊讶的不同的响应与明显的尖点状功能。当磁场在$a$ - $b$平面中取向时，尖点状各向异性达到最大值。此外，方位面外电流方向的AMR表现出非常强的四重$a$ - $b$平面各向异性。结合第一性原理计算的费米面与玻尔兹曼的半经典输运理论，我们再现并解释了所有的突出特点的不寻常的行为的面内和面外AMR。我们也能够澄清的起源强非饱和横向磁电阻作为不完善的电荷载流子补偿和开放轨道的影响。最后，结合我们的理论模型和实验数据，我们估算了在1.8 K下，我们的ZrSiS样品中$2.6\times10^{-14}$ ~s的平均弛豫时间和$15$ ~nm的平均自由程。
2019-04-23 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Fermi surface topology and large magnetoresistance in the topological semimetal candidate PrBi
我们报告了详细的磁输运研究单晶的PrBi。在这种材料中的$f$ -电子的存在提出了实现强相关版本的拓扑半金属的前景。PrBi在低于$T \sim 20$ K时表现出磁场诱导的金属绝缘体转变，在低温（$T= 2$ K）时表现出非常大的磁阻（$\approx 4.4 \times 10^4~$）。我们还探讨了费米表面拓扑的de Haas van Alphen（dHvA）和Shubnikov de Haas（SdH）量子振荡测量与密度泛函理论（DFT）计算的能带结构和费米表面。角度依赖的SdH振荡已经进行了探测表面狄拉克费米子的可能签名。我们发现三个频率对应于一个电子（$α$）和两个空穴（$β$和$γ$）口袋在实验中，与DFT计算一致。这些频率的角度依赖性是不一致的二维费米表面，这表明运输为主的散装带。虽然这种材料的输运性质起源于散装带，高流动性和小的有效质量可与该系列中提出的拓扑非平凡的其他化合物相媲美。
2019-03-26 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Dirac topology, anomalous Hall response, and giant magnetoresistance in carrier-compensated altermagnetic semimetal NiS
Bennett University（贝内特大学）
研究通过多种理论方法确定六角形NiS为补偿型3d反铁磁半金属，其拓扑、磁性和晶格动力学相互交织。该材料有大的各向异性本征自旋霍尔电导率等特性，还揭示了其磁性相互作用，为相关化合物多功能量子响应提供设计原则。
2026-07-16 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Positive magnetoresistance and chiral anomaly in exfoliated type-II Weyl semimetal $T_\mathrm{d}$-WTe$_{2}$
层状范德华半金属$T_\mathrm{d}$ -WTe $_{2}$具有非饱和极正磁电阻（MR）和可调手征反常等特性，是典型的拓扑Ⅱ型Weyl半金属体系。在这里，$\sim$ 45 nm厚的机械剥离片的$T_\mathrm{d}$ -WTe $_{2}$研究$via$原子力显微镜，拉曼光谱，低- $T$ /高- $μ_{0}H$磁输运测量和光学反射率。本文报道了费米液态的各向异性对大正横$\mathrm{MR}_\perp$起源的贡献以及Ⅱ型外尔费米子的手征反常特征。发现样品在空气中是稳定的，并且没有观察到氧化或电子性质的退化。建立了横向$\mathrm{MR}_\perp$ $\sim$ 1200和在垂直场$T=5\,\mathrm{K}$作用下的平均载流子迁移率$5000$ 1.cm $^{2}$ V $^{-1}$ s $^{-1}$。该系统遵循费米液体模型为$T\leq50\,\mathrm{K}$和费米表面的各向异性的结论是在所观察到的正MR的起源。的电子行为的各向异性也证实了光学反射率测量。晶轴和所施加的电场和磁场的相对取向被证明引起所观察到的手性异常的面内磁输运。
2021-03-30 cond-mat.mes-hall cond-mat.str-el
Observation of Open-Orbit Fermi Surface Topology in Extremely Large Magnetoresistance Semimetal MoAs$_2$
近年来，随着能带理论和样品生长技术的发展，过渡金属双镍族化合物$TmPn_2$（$Tm$ = Ta，Nb; $Pn$ = P，As，Sb）中的超大磁电阻（XMR）半金属系列得到了扩展，但对它们的电子结构和XMR起源的实验研究仍然缺乏。在这里，使用角分辨光电子能谱结合第一性原理计算和磁输运测量，我们进行了全面的调查钼砷$_2$，这是同构的$TmPn_2$家庭，也具有二次XMR。我们解析出一个清晰的能带结构，与理论预测一致。有趣的是，明确观察到的费米面（FS）由在三维布里渊区中沿[100]和[001]方向延伸的开轨道拓扑结构主导。通过体宇称分析，我们进一步揭示了MoAs $_2$的平凡拓扑性质.基于这些结果，我们研究了其他半金属中提出的XMR机制，并最终将MoAs $_2$中二次XMR的起源归因于具有占主导地位的开轨道拓扑结构的FS上的载流子运动，创新性地理解了半金属中的二次XMR。
2017-11-22 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Extremely Large and Angle-Dependent Magnetoresistance in Kagome Dirac Semimetal RFe$_6$Sn$_6$ (R=Ho, Dy)
研究RFe$_6$Sn$_6$（R=Ho, Dy）的磁性与磁输运，发现高温反铁磁序、低温弱铁磁序及电子–空穴补偿导致的极大各向异性磁阻。
2025-09-02 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Anomalous electronic structure and magnetoresistance in TaAs$_2$
金属在磁场中的电阻可以很好地说明它的基态。一些著名的例子包括整数和分数量子霍尔效应\cite{Klitzing-QHE,Tsui-FQHE}、舒布尼科夫-德哈斯振荡\cite{SdH}和弱定域\cite{Lee-WL} \emph{et al}。在非相互作用金属中，电阻通常在施加磁场\cite{Pippard-MR}时增加。相反，在某些特殊情况下，具有各向异性费米表面的金属\cite{Kikugawa-PdCoO2LMR}或所谓的外尔半金属例如\cite{Nielsen-ABJ,Son-ChirAnom}可能具有负磁阻。在这里，我们表明，半金属TaAs $_2$具有巨大的负磁阻（$-$ 98\%，在3 T的领域，在低温下），与一个未知的机制。密度泛函计算表明，TaAs $_2$是一种新的拓扑半金属[ $\mathbb{Z}_2$不变量（0;111）]，没有Dirac色散.这表明，在非磁性半金属中的负磁阻的存在不能唯一地归因于体狄拉克/外尔费米子的Adler-Bell-Jackiw异常。我们的研究结果还表明，OsGePDMATHABMT型单斜双镍族化合物可能是非常规拓扑半金属的物质基础。
2016-06-07 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Magnetoresistance of compensated semimetals in confined geometries
双组分导体--例如，半金属和窄带半导体通常在宽的温度范围内表现出异常强的磁阻。在这种系统中，电荷中性附近的霍尔电压的抑制引起在垂直于电流和磁场的方向上的强准粒子漂移。即使在弱磁场中，这种漂移也会导致电阻的强几何增加。结合玻尔兹曼动力学方程与样品静电，我们开发了一个微观理论的磁输运在二维和三维空间。受限几何条件下的补偿霍尔效应总是伴随着样品边缘附近和大尺度不均匀性处的电子-空穴复合。因此，经典的边缘电流可能会主导电荷补偿附近的电阻。该效应导致在宽的参数范围内的二维线性磁阻。在三维空间中，磁阻在磁场中通常是二次的，线性区域仅限于磁场方向垂直于样品表面的矩形样品。最后，我们讨论了热流和温度不均匀性对磁电阻的影响。
2017-10-02 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci cond-mat.stat-mech
The extremely large magnetoresistance in the Candidate Type-II Weyl semimetal MoTe2
利用角相关磁阻（MR）、霍尔效应（Hall effect）、温度相关磁热电功率（TEP）S（T）测量和第一性原理计算研究了正交相MoTe 2（Td-MoTe 2）的电子性质。对Td-MoTe_2晶体的研究发现：（1）采用εθ=（sin ~ 2 θ+γ-2 cos ~ 2 θ）~（1/2）的标度方法，其中θ为磁场与晶体c轴的夹角，γ为质量各向异性。出乎意料的是，在Td-MoTe 2中观察到γ低至1.9的电子3D特征;（2）在T~150 K和T~60 K附近，可能存在Lifshitz转变和随后的电子结构变化，这一点得到了TEP温度依赖性斜率变化的证据的支持，从霍尔电阻率中提取的载流子密度和从MR测量中获得的γ的起始温度。Td-MoTe 2中极大的MR效应可能源于电子-空穴补偿和电子袋上特殊的轨道织构的结合，电子结构的计算支持了这一点。我们的结果可以提供一个通用的各向异性MR的标度关系，并有助于认识在其他系统，如外尔半金属和狄拉克的MR效应的起源。
2017-06-11 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Nonsaturating magnetoresistance, anomalous Hall effect, and magnetic quantum oscillations in ferromagnetic semimetal PrAlSi
我们报告了一个全面的调查的结构，磁性，运输和热力学性质的单晶PrAlSi，在比较其晶体类似物LaAlSi。PrAlSi在$T_C$ = 17.8 K时表现出铁磁转变，然而，随后在较低温度下发生两次弱的相变。基于直流和交流磁化率的测量，我们提出了$T_C$下面的两个重入磁相是自旋玻璃或铁磁团簇玻璃。当磁性玻璃态被弱场抑制时，出现了几个显著的特征。这些包括线性的，非饱和的磁阻作为一个功能的领域，这是让人想起的拓扑或电荷补偿半金属，和一个大的异常霍尔电导率高达$\sim$ 2000 $Ω^{-1}$ cm $^{-1}$。比热测量表明Pr $^{3+}$多重态的非Kramers双重基态和相对低的晶体电场分裂小于100 K。Shubnikov-de Hass振荡在LaAlSi中不存在，而在PrAlSi中在低于约25 K时清楚地观察到它们，并且主导振荡频率$F$具有不寻常的温度依赖性。它从25 K时的$F$ = 18 T增加到2 K时的$F$ = 33 T，暗示在冷却到有序相时出现费米口袋。这些结果表明，PrAlSi是一个新的系统，其中一个小的费米口袋可能相对论费米子是强耦合到磁性。$f$和导带之间的杂化是否也参与其中仍然是一个有趣的开放问题。
2020-01-15 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Consequences of breaking time reversal symmetry in LaSb: a resistivity plateau and extreme magnetoresistance
时间反演对称性（TRS）保护了拓扑绝缘体（TI）的金属表面模。TI的鲁棒金属表面模式的运输签名是一个平台，逮捕指数发散的绝缘体随着温度的降低。在从Bi2Te2Se到SmB6的所有TI候选物中观察到这种普遍行为。最近，几种拓扑半金属（TSM）已被发现，表现出极端的磁阻（XMR）和TI的普遍电阻率的行为，揭示只有当打破TRS，一个制度，TI理论上不再存在。在这些新材料中，TaAs和NbP因其缺乏反转对称性而被提名为Weyl半金属，Cd 3As 2因其在费米能级处的线性带交叉而被提名为Dirac半金属，WTe 2因其完美的电子-空穴对称性而被提名为共振补偿半金属。在这里，我们介绍了LaSb，一种简单的岩盐结构材料，没有破缺的反转对称性，没有完美的线性带交叉，没有完美的电子空穴对称性。然而，锑化镧描绘了所有的异国情调的领域诱导上述半金属的行为在一个原型的方式。它显示了（a）在15 K时具有平台的通用TI电阻率，由磁场揭示，（b）平台区域中载流子的载流子迁移率，（c）具有非平凡Berry相位的量子振荡，以及（d）在9特斯拉时约为10000000%的XMR，只有WTe 2和NbP可以与之匹敌。由于其戏剧性的简单性，LaSb是理想的模型系统，制定一个理论上的理解打破TRS的TSM的异国情调的后果。
2015-10-23 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Evidence for trivial Berry phase and absence of chiral anomaly in semimetal NbP
我们报告了详细的磁输运研究在NbP单晶。用气相传输法生长出了高质量的晶体。一个非常大的磁阻被证实在低温下，这是非饱和，并在高场线性。解释线性磁阻模型进行了讨论，有人认为，在铌磷这是联系在一起的载流子迁移率波动。没有看到负的纵向磁电阻，不像其他几个外尔铌酸盐，这表明缺乏明确的手征异常在NbP。在低温下观察到与Berry相相关的Unambibibrium Shubnikov-de-Haas振荡。朗道扇形图表明，在NbP晶体对应的费米面极值在30.5特斯拉平凡贝瑞相。
2016-08-23 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Magnetotransport properties of the new-type topological semimetal ZrTe
我们报道了ZrTe单晶的磁电阻、霍尔效应和量子Shubnikov-de Haas振荡的第一个实验结果。ZrTe是一种新的拓扑半金属，具有三重简并交叉点和Weyl费米子态。霍尔效应和量子振荡的分析表明，ZrTe是一个多带系统，具有低载流子密度、高载流子迁移率、小费米面截面积和轻回旋有效质量，这与许多拓扑半金属一样。同时，磁阻和量子振荡频率的角度依赖性进一步表明，ZrTe具有三维费米面，这是相当复杂的。我们的结果为实现不同于狄拉克和外尔费米子的新三分量费米子的奇异量子现象提供了一个新的平台。
2017-07-04 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Extreme Magnetoresistance in Magnetic Rare Earth Monopnictides
最近，在拓扑半金属的新材料背景下，已经探索了某些系统的电阻对磁场的急性敏感性，称为极端磁阻（XMR）。以WTe $_{2}$和稀土铌酸盐La（Sb，Bi）为例，这些系统往往是非磁性的、几乎补偿的半金属，并且代表了由本征电子结构驱动的大磁阻的平台。在这里，我们探讨后一个家庭的半金属磁性成员的电子输运，并发现XMR强烈调制的磁秩序。特别地，CeSb在9 T的磁场下表现出超过$1.6 \times 10^{6}$ %的XMR，而磁阻本身在各个磁相上是非单调的，并且在高于磁有序温度$T_{N}$的磁场下显示出从负磁阻到XMR的转变。XMR的幅度大于包括非磁性构件在内的其他稀土铌酸盐，并且对于30 T以上的场遵循非饱和幂律。我们表明，整体响应可以被理解为调制的电导率的Ce轨道状态和中间温度可以通过一个有效的介质模型。轨道淬灭化合物GdBi的比较支持XMR与磁有序和补偿的发病的相关性，并突出了独特的组合，轨道反转和I型磁有序CeSb在确定其大的响应。这些发现提出了一个范例的磁轨道控制XMR和相关的稀土为基础的相关拓扑材料的理解。
2017-04-13 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Extended Kohler$^,$s Rule of Magnetoresistance
拓扑半金属中的一个值得注意的现象是违反Kohler $^,$规则，该规则规定磁阻$MR$服从$MR = f(H/ρ_0$的标度行为，其中$MR = [ρ_H-ρ_0]/ρ_0$和$H$是磁场，$ρ_H$和$ρ_0$分别是在$H$和零场的电阻率。在这里，我们报告的违反起源于热诱导的载流子密度的变化。我们发现外尔半金属TaP的磁电阻遵循扩展的Kohler $^,$规则$MR = f[H/(n_Tρ_0)]$，其中$n_T$描述了载流子密度的温度依赖性.我们发现，$n_T$与费米能级和半金属的色散关系，提供了一个新的途径来揭示电子能带结构的信息。我们提供了一个基本的理解的违反和有效性的科勒$^,$的规则在不同的温度响应的$n_T$。我们将推广的Kohler $^,$规则应用于BaFe $_2$（As $_{1-x}$ P $_x$）$_2$，解决了关于超导体正常态磁电阻的标度行为的长期争论，即$MR$ ~ $tan^2θ_H$，其中$θ_H$是霍尔角.我们进一步验证了扩展的科勒$^,$的规则，并证明其在半导体，InSb，温度依赖的载流子密度可以可靠地确定理论和实验的一般性。
2021-09-16 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Negative magnetoresistance suppressed through topological phase transition in (Cd1-xZnx)3As2 films
新发现的拓扑狄拉克半金属通过控制自旋-轨道耦合以及对称性和维数，拥有各种拓扑相变的可能性。在这里，我们报告了高迁移率（Cd 1-xZnx）3As 2薄膜的磁输运研究，拓扑狄拉克半金属相可以变成一个平凡的绝缘体通过化学取代。通过高场测量与霍尔杆几何形状，归因于手征电荷泵的磁阻组件已从其他外在效应区分。负磁阻效应对Zn掺杂有明显的抑制作用，这反映了由于自旋-轨道耦合的降低而引起的拓扑相变导致能带结构的Berry曲率减小。
2018-06-06 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Chiral anomaly and positive longitudinal magnetoresistance in the type-II Dirac semimetals $\it{A}_x$PdTe$_2$ (\textit{A} = Cu, Ag)
本文研究了Ag插层PdTe$_2$的平面霍尔效应、磁阻和热输运性质，观察到正纵向磁阻，实验结果与手性反常理论模型吻合，证实了Weyl物理主导了PdTe$_2$及其Cu、Ag插层化合物中的平面霍尔效应。
2024-01-11 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Universal negative magnetoresistance in antiferromagnetic metals caused by symmetry breaking of electron wave functions
针对多种反铁磁半金属中观测到的普适负磁阻效应缺乏理论解释的问题，提出基于二元T2对称性破缺的内禀机制，其计算结果与实验数据定性一致。
2025-11-17 cond-mat.mes-hall cond-mat.str-el
Weyl nodal ring states and Landau quantization with very large magnetoresistance in square-net magnet EuGa$_4$
本文通过ARPES、量子振荡测量和DFT计算，首次在方网磁体EuGa₄中实验证实外尔节线环半金属态，并发现其具有超过200,000%的非饱和超大磁阻，为设计高磁阻磁性拓扑材料开辟了新方向。
2022-12-14 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Universal Magnetoresistance Scaling in Layered Pd-based Multiband Metals Beyond Compensated Semimetal Regime
Institute of Science Tokyo（东京科学大学）；National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (AIST)（产业技术综合研究所）
该研究发现洁净多带金属中存在一类新的大磁阻材料，其磁阻遵循单参数标度，揭示了无序、迁移率与对称性的相互作用。
2026-08-10 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Topological Semimetal Transport Modulated by Interstitial Fe in Ba(Fe$_{1-x}$Co$_x$)$_{2+δ}As$_2$ Superconductors
Tsinghua University（清华大学）；Renmin University of China（中国人民大学）；Southern University of Science and Technology（南方科技大学）；Huazhong University of Science and Technology（华中科技大学）；Institute of Physics, Chinese Academy of Sciences（中国科学院物理研究所）；Beijing Academy of Quantum Information Sciences（北京量子信息科学研究院）；Hefei National Laboratory（合肥国家实验室）
研究揭示Ba(Fe$_{1-x}$Co$_x$)$_{2+δ}As$_2$超导体中间隙Fe调控拓扑半金属输运特性，展现高迁移率载流子与正磁电阻，为电子相关性、拓扑性和超导性相互作用研究提供可调平台。
2026-01-22 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
