Electronic states of (InGa)(AsSb)/GaAs/GaP quantum dots
对（InGa）（AsSb）/GaAs/GaP量子点的电子结构进行了详细的理论研究。该系统是独特的，因为它同时表现出直接和间接跃迁在实空间和动量空间，并在量子信息技术的应用是有吸引力的，显示出优势相比，广泛研究的（In，Ga）As/GaAs点。我们从${\bf k}\neq 0$和${\bf k}= 0$导带和${\bf k}= 0$价带的限制势的检查，通过${\bf k}$ -间接跃迁的${\bf k}\cdot{\bf p}$计算公式，直到$Γ$ -跃迁的激子结构。在整个过程中，我们比较点的GaP和GaAs衬底上获得的结果，使我们能够直接比较（In，Ga）As/GaAs量子点系统。我们还讨论了量子门的实现。
2019-09-11 cond-mat.mes-hall
Hole transport in p-type GaAs quantum dots and point contacts
p型GaAs系统的强自旋-轨道相互作用特性使其有望实现自旋电子学器件。在这里，我们报告在p型，C掺杂GaAs异质结构的扫描探针氧化光刻制造的纳米结构的输运测量。我们观察到量子点接触中的电导量子化，以及具有不同几何形状的两个量子点中的明显库仑共振。从库仑金刚石测量中提取的两个点的充电能量与点的光刻尺寸一致。在库仑金刚石测量中没有激发态表明量子点处于多能级输运状态。
2007-11-04 cond-mat.mes-hall
Strong interlayer charge transfer due to exciton condensation in an electrically-isolated GaAs quantum well bilayer
我们介绍了一种电隔离的浮动双层GaAs量子阱（QW）的设计，其中应用一个大的门控电压可控和高度可重复地诱导电荷，保持捕获在双层去除门控电压后。在较小的栅极电压下，双层通过厚的绝缘屏障与外部电极完全电隔离。这种设计允许完全控制两个耦合的2D电子系统的总密度和微分密度。浮动双层设计提供了一个独特的方法来研究系统无法通过简单的传输测量。它还提供了测量层之间的电荷转移的能力，即使当2D系统的面内折射率发散时。我们测量的电容和层间隧道光谱的量子阱双层与独立控制的顶部和底部层的电子密度。我们的测量显示强烈增强层间隧道电流在总填充因子为1，一个强烈的层间相关的双层系统的激子凝聚的签名。由于各个层的密度完全可调，浮动双层QW系统提供了一个通用的平台，以访问以前无法获得的电子双层系统中的量子相位信息。
2021-03-11 cond-mat.mes-hall
Tuning the electrically evaluated electron Lande g factor in GaAs quantum dots and quantum wells of different well widths
本文研究了不同阱宽GaAs量子阱结构量子点中电子的Lande g因子。我们首先通过电子自旋共振的电阻检测来确定量子阱的朗德电子g因子，并将其与通过磁输运分析确定的增强电子g因子进行比较。接下来，我们使用这些量子阱形成横向限定的量子点，并从量子点内的共隧穿和近藤效应的分析中提取电子g因子。我们的结论是，朗德电子g因子的量子点主要是由电子g因子的量子阱表明，阱宽是一个理想的设计参数的g因子工程量子点。
2014-12-19 cond-mat.mes-hall
Single-photon emission from the natural quantum dots in the InAs/GaAs wetting layer
对InAs/GaAs浸润层中形成的量子点进行了时间分辨的显微光致发光研究。这些点是由于在润湿层中的In组成的波动。它们显示出具有低空间密度的光谱尖锐的发光线。我们确定中性激子和双激子以及trions相关的线。激子发射反聚束（二阶相关值g^2（0）=0.16）和双激子-激子发射级联证明了量子点的非经典发射，并证实了它们作为单光子源的潜力。
2011-07-20 cond-mat.mes-hall
Dynamic nuclear polarization in InGaAs/GaAs and GaAs/AlGaAs quantum dots under non-resonant ultra-low power optical excitation
实验研究了InGaAs/GaAs和GaAs/AlGaAs两种中性半导体量子点的动态核自旋极化与非共振光激发功率的关系。我们表明，最近在InP/GaInP量子点中报道的通过光学禁戒（“暗”）激子态的二级复合的核自旋泵浦机制[Phys.Rev.B83，125318（2011）]与本工作中考虑的材料系统相关。在InGaAs/GaAs点中，这种核自旋极化机制特别明显，导致在光激发功率比使基态激子饱和所需的功率小~1000倍时实现的Overhauser位移高达~80微eV。在界面GaAs/AlGaAs点中在低功率光泵浦下观察到的Overhauser位移通常较小（高达~40微eV）。此外，在GaAs/AlGaAs中，我们观察到点到点的变化，甚至符号反转的Overhauser位移，这是由于暗-亮激子混合起源于电子-空穴交换相互作用的对称性降低的点。在超低功率光抽运下的核自旋极化度与共振光抽运或高功率圆偏振光的隙上抽运等技术所获得的结果相当。通过“暗"激子的二阶复合的动态核极化可能成为单量子点应用中的有用工具，其中需要操纵核自旋环境或电子自旋。
2013-06-03 cond-mat.mes-hall
Nucleus-mediated spin-flip transitions in GaAs quantum dots
GaAs量子点中的自旋翻转速率可能相当慢，因此打开了操纵量子点中自旋态的可能性。我们在这里提出的非弹性自旋翻转率介导的超精细相互作用与核的估计。在一般的假设下，核介导的速率与相应的非自旋翻转跃迁的声子弛豫速率成正比。在单重态-三重态激发态交叉附近，该速率可以被加速。小比例系数与量子点中的原子核数目成反比。我们将我们的结果与已知的$GaAs$量子点自旋翻转机制进行了比较。
2001-04-09 cond-mat.mes-hall
Type-II InAs/GaAsSb/GaAs quantum dots as artificial quantum dot molecules
本研究理论分析两种不同盖层结构的II型GaAsSb盖层InAs量子点，发现其空穴态类似量子点分子态，测得双空穴劈裂能，并提出增强磁场调谐劈裂能范围的方法。
2016-12-12 cond-mat.mes-hall
GaAs/GaP quantum dots: Ensemble of direct and indirect heterostructures with room temperature optical emission
我们描述了镶嵌在GaP（001）中的自组装GaAs量子点系综的光发射和载流子动力学。量子点的形成是由GaAs和GaP之间的3.6%的晶格失配在超过1.2单层的GaAs的沉积后，在Stranski-Krastanow模式驱动。所述量子点具有6至7.6x101t3/cm-2的面密度和多峰尺寸分布。发光光谱在1.7和2.1eV范围内有两个峰。与具有较小量子点的样品相比，具有较大量子点的样品具有红色发射并且显示较少的热猝灭。大量子点在室温下发光。我们将高能量发射归因于薄量子阱或小应变量子点中的间接载流子复合，而低能量红光发射归因于弛豫量子点中的直接电子-空穴复合。
2015-12-08 cond-mat.mes-hall
Optical Study of GaAs quantum dots embedded into AlGaAs nanowires
我们报告的光致发光特性的GaAs量子点嵌入到AlGaAs纳米线。时间积分和时间分辨的光致发光测量从阵列和单个量子点/纳米线的报告。的直径尺寸分布的影响是证明在光谱数据与存在的各种结晶相的AlGaAs纳米线。
2011-04-17 cond-mat.mes-hall
Electronic structure of InAs quantum dots with GaAsSb strain reducing layer: Localization of holes and its effect on the optical properties
用k.p理论研究了GaAs（1-y）Sb（y）应变减小层覆盖的InAs量子点的电子结构。我们解释了以前的实验观察的光致发光发射的红移与增加y和它的蓝移与增加激发功率。对于y>0.19，II型点形成为具有位于接近点基底的GaAsSb中的孔;在点的相对侧的两个部分形成分子状状态，这是压电场的结果。我们还提出了一个实验，可以用来识别孔定位使用垂直电场。
2012-09-27 cond-mat.mes-hall
Isotropic and Anisotropic g-factor Corrections in GaAs Quantum Dots
我们实验确定各向同性和各向异性g因子修正横向GaAs单电子量子点。我们通过测量空量子点在不同强度和方向的面内磁场作用下各个自旋态的隧穿率来提取塞曼分裂。我们量化的塞曼能量，并找到一个线性依赖的磁场强度，使我们能够提取的g因子。测量的g-因子被理解为自旋-轨道相互作用引起的各向同性和各向异性校正的GaAs体g-因子。因为这意味着自旋分裂依赖于磁场方向，这些发现是有意义的自旋量子位在GaAs量子点。
2020-10-21 cond-mat.mes-hall
Anomalous quantum confined Stark effects in stacked InAs/GaAs self-assembled quantum dots
垂直堆叠和耦合的InAs/GaAs自组装量子点（SAD）的带间跃迁能量与电场之间存在强烈的非抛物线关系，这在单一SAD结构和其他类型的量子结构中是没有的.基于八带应变相关的${\bf k}\cdot{\bf p}$哈密顿量的研究表明，这种反常的量子限制斯塔克效应是由三维应变场分布引起的，这种应变场分布对堆叠SAD结构中的空穴态有很大的影响.
2001-07-03 cond-mat.mes-hall
Exciton-LO-phonon dynamics in InAs/GaAs quantum dots: Effects of zone-edge phonon damping
从理论上研究了InAs/GaAs量子点中激子-LO-声子系统在超快光激发后的动力学行为。分析了非简谐声子阻尼的影响及其与声子色散的相互作用。在吸收谱和时间演化中突出了带边衰减过程的特征，为声子非谐效应的实验研究提供了一种可能的途径。
2005-07-04 cond-mat.mes-hall
Valence band offset, strain and shape effects on confined states in self-assembled InAs/InP and InAs/GaAs quantum dots
本文系统地研究了InAs/InP和InAs/GaAs自组装量子点的单粒子和多体性质随量子点周围基质价带偏移的变化。我使用原子论，经验紧束缚的方法，并执行数值计算要求为50万原子纳米系统。我证明了量子点中的整体限制是两个关键因素的非平凡的相互作用：应变效应和价带偏移。结果表明，应变效应既决定了透镜型InAs/GaAs量子点的特殊空穴态结构，又决定了通常认为的“低应变”透镜型InAs/InP量子点的“壳”状空穴态结构。我还证明了应变导致了盘型（，，铟冲洗”）InAs/GaAs和InAs/InP量子点的空穴态的单带状行为。我展示了应变和价带偏移如何影响量子点的多体性质：激子精细结构，有效纠缠光子对产生的重要因素，以及双激子和带电激子的结合能
2013-08-29 cond-mat.mes-hall
Resonant excitation and anti-Stokes luminescence of GaAs single quantum dots
研究了生长在GaAs（411）A表面上的单个GaAs/AlGaAs量子点的显微光致发光（$μ$ -PL）和激发（$μ$ -PLE）谱。我们在$μ$ -PL和$μ$ -PLE光谱中都观察到了尖锐的共振线，对应于点的离散能级。当样品在其中一条共振线上激发时，不仅在Stokes侧出现共振发光线，而且在反Stokes侧也出现共振发光线。我们讨论了可能的起源的反斯托克斯发光。
2001-09-02 cond-mat.mes-hall
Dephasing Time of Two-Dimensional Holes in GaAs Open Quantum Dots
我们报告的磁输运测量的二维孔在开放的量子点，图案作为一个单一的点或点的阵列，在GaAs量子阱。对于低于500 mK的温度$T$，我们观察到的相干传输，即电导波动和弱反本地化的签名。从这些效应中，使用随机矩阵理论提取空穴退相时间$τ_ϕ$。虽然$τ_ϕ$显示出$T$依赖性，其位于$T^{-1}$和$T^{-2}$之间，类似于针对电子所报道的，但发现其值大约小一个数量级。
2006-09-26 cond-mat.mes-hall
Measurement of the spin temperature of optically cooled nuclei and GaAs hyperfine constants in GaAs/AlGaAs quantum dots
电子和核自旋的深度冷却相当于实现接近100%的偏振度，并且是固态量子信息技术中的关键要求。虽然金刚石和SiC中的单个核自旋的极化达到99%或更高，但量子点中的核的极化被限制在60-65%。理论模型将这种限制归因于相干“暗”核自旋态的形成，但缺乏实验验证，特别是由于偏振度测量的准确性差。在这里，我们测量GaAs/AlGaAs量子点的核极化与高精度使用一种新的方法，使操纵核自旋状态的射频脉冲。观察到高达80%的偏振-迄今为止量子点光学冷却的最高报道。该值仍然不受核相干效应的限制。相反，我们发现，光学冷却的核很好地描述在一个经典的自旋温度框架。我们的研究结果为量子点电子自旋量子比特的进一步发展开辟了一条道路，其中介观核自旋系综的深度冷却用于实现长量子比特相干性。此外，GaAs超精细材料常数在这里首次实验测量。
2017-01-10 cond-mat.mes-hall
Fine structure of excitons in InAs quantum dots on GaAs(110) planar layers and nanowire facets
本文研究了以Bi为表面活性剂在GaAs（110）衬底上分子束外延生长的InAs量子点的光学性质。量子点是在平面GaAs（110）衬底以及GaAs纳米线的{110}侧壁面上合成的。在10 K时，限制在这些量子点中的中性激子产生1.1和1.4 eV之间的光致发光线。磁光致发光光谱表明，对于发射1.3和1.4 eV之间的小量子点，在（110）平面内和垂直于（110）平面的电子-空穴相干长度分别为5和2 nm的量级。量子点的光致发光是线性偏振的，并且观察到结合和反结合双激子，我们将这两个发现与（110）平面中的应变相关联。这种应变导致压电场和重空穴态与轻空穴态之间的强混合，并且提供了调谐激子光致发光的线性偏振度以及双激子的结合能的符号的可能性。
2017-04-27 cond-mat.mes-hall
Electron temperature in electrically isolated Si double quantum dots
基于电荷的量子计算可以通过对无铅量子系统中单个电子的可靠控制来实现。在掺磷硅中实现的电隔离双量子点（DQD）中的单电荷跃迁可以通过电容耦合单电子隧穿器件来检测。通过对探测器电导的时间分辨测量，我们研究了量子点在温度下的占位统计。我们观察到一个显着减少的DQD中的有效电子温度相比，在检测器的引线的温度。这套系统有望使孤立的DQD成为长相干量子计算的合适平台。
2012-02-22 cond-mat.mes-hall
Theory of electrons, holes and excitons in GaAs polytype quantum dots
单带和多带（Burt-Foreman）k.p哈密顿GaAs晶体相量子点的发展和使用正在进行的实验活动，如量子限制，自发极化，价带混合和激子库仑相互作用的作用进行评估。自发极化被发现是一个占主导地位的条款。再加上网点厚度的控制[Vainorious Nano Lett. 15，2652（2015）]，其实现宽激子波长和寿命可调谐性。对于小直径点预测了几种新的现象[Loitsch等人，Adv. Mater. 27，2195（2015）]，包括非重空穴基态、强空穴自旋混合物和II型到I型激子跃迁，其可用于提高GaAs多型体的吸收强度并降低其辐射寿命。
2015-12-11 cond-mat.mes-hall
Fermi edge singularities in transport through lateral GaAs quantum dots
我们测量隧道电流通过静电定义的量子点在GaAs/AlGaAs异质结连接到两个引线。对于某些隧道势垒配置和高样品偏置，我们发现一个明显的共振与费米边缘奇点。当量子点的电化学电势与较少耦合到量子点的铅的费米能级对准时，出现这种多体散射效应。通过改变相对隧穿势垒强度，我们能够调整局域电子与费米海的相互作用。
2017-02-03 cond-mat.mes-hall
Electric-field Manipulation of the Lande' g Tensor of Holes in In0.5Ga0.5As/GaAs Self-assembled Quantum Dots
采用多带实空间量子函数理论计算了电场对In 0.5Ga 0.5As/GaAs自组装量子点自旋旋进的影响. Lande' g张量对电场的依赖性应该允许高频g张量调制共振，以及直接的、非共振的电场控制空穴自旋。由于空穴g张量分量对电场具有很强的二次依赖性，在空穴的g张量调制共振中也发现了亚谐共振。
2010-11-23 cond-mat.mes-hall
High-temperature droplet epitaxy of symmetric GaAs/AlGaAs quantum dots
我们介绍了一种高温液滴外延过程，基于对GaAs（111）A表面上纳米级液滴Ga的砷化动力学的控制。使用高温进行液滴外延量子点的自组装解决了与液滴外延制造过程中引入的材料缺陷相关的主要问题，这些问题限制了其用于量子光子学应用的单个和纠缠光子源。我们确定了参数空间中的区域，该区域允许量子点以所需的发射波长和高度对称的形状自组装，同时保持高的光学质量。在液滴砷化过程中的生长参数的作用进行了讨论和建模。
2019-08-07 cond-mat.mes-hall
Electrically-Driven Reverse Overhauser Pumping of Nuclear Spins in Quantum Dots
我们提出了一种新的机制极化核自旋量子点，基于周期性调制的超精细耦合的电子自旋共振频率的电驱动。动态核极化的结果从共振激发，而不是超精细弛豫介导的热浴，因此是不受奥弗豪泽一样的细致平衡约束。这使得偏振方向与奥佛豪泽效应所预期的方向相反。电驱动和浴辅助机制的竞争可以在小于点中的电子限制半径的尺度上引起空间调制和极化的符号反转。讨论了GaAs量子点中观察到的反向欧沃豪泽极化的关系。
2007-10-04 cond-mat.mes-hall
Spectral broadening in self-assembled GaAs quantum dots with narrow size distribution
对发射体系综的光谱展宽的控制，主要归因于尺寸和形状色散以及均匀展宽机制，对于量子点的几种应用是至关重要的。我们提出了一种方便的自组装方法来提供无应变GaAs量子点的尺寸分布低于15%，由于在Ga液滴的初步形成过程中的生长参数的控制。这导致在14 K下的19 meV的系综光致发光线宽。窄的发射带和促进点-点耦合的润湿层的情况下，使我们能够去卷积的声子展宽的贡献在合奏光致发光和研究它在很宽的温度范围内。
2019-03-24 cond-mat.mes-hall
Impact of heavy hole-light hole coupling on optical selection rules in GaAs quantum dots
我们报道了液滴外延生长的GaAs量子点中强的重空穴-光混合。利用中性和带电激子发射作为监测，我们观察到在这种无应变系统中量子点对称性降低的直接后果。通过拟合的极性图的发射与简单的解析表达式从k $\cdot$ p理论，我们能够提取的混合所产生的重轻空穴耦合由于几何不对称的量子点。
2010-06-02 cond-mat.mes-hall
Carrier Dynamics in Submonolayer InGaAs/GaAs Quantum Dots
利用显微光致发光（MPL）、选择性激发光致发光（SEPL）和时间分辨光致发光（TRPL）研究了亚单层InGaAs/GaAs量子点（QDs）的载流子动力学。MPL和SEPL显示出局域态和离域态的共存，以及不同的局域声子模。TRPL结果表明，具有较高发射能量的量子点具有较短的复合寿命和较长的捕获时间。这表明最小的SML量子点是由完全垂直相关的2D InAs岛形成的，具有最高的In含量和最低的发射能量，而稍微偏离完全垂直相关性会产生较大的量子点，具有较低的In含量和较高的发射能量。
2006-02-08 cond-mat.mes-hall
Electrically tunable three-dimensional g-factor anisotropy in single InAs self-assembled quantum dots
研究了单个无帽InAs自组装量子点的Lande g因子及其电学调制的三维各向异性。的g-因子的评价从测量的非弹性共隧穿通过塞曼子状态在量子点的各种磁场方向。我们发现，g因子的值和各向异性依赖于量子点势的三维限制各向异性所产生的轨道状态的类型。此外，g因子及其各向异性通过调制限制电位的侧栅进行电调谐。
2013-03-01 cond-mat.mes-hall
Fabrication of undoped AlGaAs/GaAs electron quantum dots
我们制作了一个基于AlGaAs/GaAs异质结构的量子点单电子晶体管，没有任何调制掺杂。从电子学角度来看，我们的器件非常稳定，具有清晰的库仑阻塞振荡，并且当器件被设置为库仑阻塞峰值的中点并保持在恒定的栅极偏置时，电导漂移最小。偏置光谱测量显示典型的库仑“钻石”没有任何显着的电荷波动噪声。我们还观察到激发态输运在我们的设备。
2011-06-29 cond-mat.mes-hall
Effect of second order piezoelectricity on excitonic structure of stress-tuned InGaAs/GaAs quantum dots
研究了非线性压电效应和In分布对集成在压电驱动器上的应力可调InGaAs/GaAs量子点的激子能量、电子-空穴电偶极矩和精细结构分裂的影响。特别是，我们详细调查的贡献的各种元素的扩展的电极化在外部引起的弹性应变后两个重要的量子点属性。基于一阶和二阶压电效应的比较，我们提供了一个简单的关系来估计所施加的各向异性应力对量子点偶极矩的影响，量子点显着晶格失配的主机晶体。
2018-10-10 cond-mat.mes-hall
Electron and nuclear spin properties of the nanohole-filled GaAs/AlGaAs quantum dots
通过原位液滴蚀刻和纳米孔填充生长的GaAs/AlGaAs量子点提供了偏振纠缠和自旋光子界面所需的强电荷限制、光学效率和空间对称性的组合。在这里，我们研究这样的点的自旋特性。我们发现几乎为零的电子$g$ -因子（$g_e<0.05$），提供了一个电驱动的自旋控制方案的路线。核自旋环境的光学操纵证明与核自旋极化达到$60\%$实现。NMR光谱揭示了两种类型的量子点的结构，并产生了小幅度的残余应变$ε_b<0.02\%$，这仍然导致超过1000 s的长核自旋寿命。核自旋环境的稳定性对于量子信息处理中的应用是有利的。
2015-07-23 cond-mat.mes-hall
Stimulated Raman spin coherence and spin-flip induced hole burning in charged GaAs quantum dots
相干非简并差分透射光谱中的高分辨率光谱烧孔（SHB）揭示了带负电荷量子点系综中的自旋-三振子动力学。在Voigt几何中，受激拉曼自旋相干在三子光谱空穴的顶部产生斯托克斯和反斯托克斯边带。在零失谐处的一个非常窄的尖峰的突出特征来自自旋布居脉动动力学。这些SHB功能确认相干电子自旋动力学在带电点，和线宽揭示自旋光谱扩散过程。
2008-03-12 cond-mat.mes-hall
High-field magneto-excitons in unstrained GaAs/AlGaAs quantum dots
从理论和实验上研究了无应变GaAs/AlGaAs量子点中激子态的磁场依赖性。研究了在不同取向的磁场中基态和激发态的抗磁位移。在理论研究中，我们在单带有效质量近似下进行了计算，包括能带非抛物性、全实验三维点形和电子-空穴库仑相互作用。这些计算结果进行了比较与实验结果的地面和激发态的字段高达50特斯拉。理论与实验结果吻合较好。
2006-05-09 cond-mat.mes-hall
Electrically Tunable Valley-Based Qubits in Moiré Quantum Dots
Julius-Maximilians-Universität Würzburg（维尔茨堡大学）；Nicolaus Copernicus University（哥白尼大学）
针对可扩展电控量子比特的挑战，本文提出以栅极定义的莫尔量子点为平台，利用莫尔工程解决谷物理矛盾，实现基于谷的量子比特的电可控操作。
2026-08-19 cond-mat.mes-hall
Exciton dynamics in GaAs/(Al,Ga)As core-shell nanowires with shell quantum dots
利用连续波和时间分辨光致发光光谱和光致发光激发光谱研究了GaAs/（Al，Ga）As核壳纳米线中激子的动力学行为。纳米线壳层中Al的强烈偏析导致了富Ga夹杂物的形成。在10 K下，观察到与这些壳量子点相关的强发光。壳层量子点中激子的平均辐射寿命为1.7ns。我们发现激子可以隧穿到邻近的壳层量子点和非辐射点缺陷。我们调查的动态变化的载流子在壳随着温度的升高，特别强调的载体从壳的纳米线的核心转移。最后，我们讨论了载体本地化的基础研究和光电应用的基础上的核-壳III-As纳米线的（Al，Ga）As壳的影响。
2016-08-04 cond-mat.mes-hall
Electrically controlled quantum gates for two-spin qubits in two double quantum dots
从理论上研究了双量子点中交换耦合的单重态-三重态自旋量子比特。使用电荷密度算符来描述双点轨道状态，我们计算了量子位之间的库仑耦合，并确定了单量子位和双量子位操作的最佳偏置点，以及方便的空闲位置。由于波动的电荷环境，相同的直观公式被用于导出这些量子位的失相速率，从而为当前实验能力范围内的量子计算架构提供主要考虑因素。
2011-07-14 cond-mat.mes-hall
Charge tuning in [111] grown GaAs droplet quantum dots
我们在GaAs（111）A衬底上用液滴外延法生长了无应变GaAs/AlGaAs量子点（QDs），研究了量子点的电荷调谐。偏置电压的施加允许QD从$-3|e|$到$+2|e|$的受控充电。在T=4K的显微光致发光实验中记录了量子点发射能量和激子精细结构的变化。我们发现除了类s-壳层基态外，还存在激发价态和导电态。我们记录了第二系列的发射线约25 meV以上的带电激子发射来自激发带电激子。对于这些激发带间跃迁的负的大幅度抗磁位移是揭示在纵向磁场。
2014-07-24 cond-mat.mes-hall
Effect of detuning on the phonon induced dephasing of optically driven InGaAs/GaAs quantum dots
最近，纵向声学声子已被确定为拉比旋转测量单个InAs/GaAs量子点的基态激子的强度阻尼的主要来源。本文报道了在失谐激光脉冲作用下的强度阻尼Rabi转动实验，其结果对利用失谐激光脉冲对激子和自旋进行相干光控制具有指导意义。
2011-06-01 cond-mat.mes-hall
Reconstruction of nuclear quadrupole interaction in (In,Ga)As/GaAs quantum dots observed by transmission electron microscopy
通过高分辨率透射电子显微镜对退火的（In，Ga）As/GaAs量子点进行了微观研究。从显微图像中提取了（In，Ga）As合金的Cauchy-Green应变张量分量分布和化学成分。图像处理允许在各个原子柱处重建应变诱导的电场梯度，从而提取核四极相互作用的幅度和不对称参数。核磁共振吸收光谱分析的电场梯度和静态磁场的平行和横向相互取向。
2015-08-31 cond-mat.mes-hall
Independent dynamic acousto-mechanical and electrostatic control of individual quantum dots in a LiNbO$_{3}$-GaAs hybrid
我们演示了单量子点发射线的调谐由射频表面声波的动态声场和静态电场的联合作用。这两个调谐参数都是在LiNbO $_{3}$ -GaAs混合器件中全电设置的。在强压电LiNbO $_{3}$上直接激发声表面波，并在其上外延转移了含有单层量子点的GaAs基p-i-n光电二极管。我们演示了动态光谱调谐带宽超过3毫电子伏的单量子点发射线由于变形势耦合。动态频谱振荡的中心能量可以通过设置施加到二极管的偏置电压来独立编程。
2014-12-16 cond-mat.mes-hall
Hyperfine-mediated transitions between a Zeeman split doublet in GaAs quantum dots: The role of the internal field
研究了GaAs量子点中最低轨道能级塞曼分裂自旋态之间的超精细介导跃迁速率。我们把超精细哈密顿量分成两部分，一部分是轨道态的对角部分，另一部分是不同轨道的混合部分。对角线部分产生有效（内部）磁场，除了外部磁场之外，该磁场还确定塞曼分裂。量子点中的自旋翻转跃迁是由伴随着声子发射的轨道混合部分引起的。我们评估的速率为不同的制度，所施加的磁场和温度。当外加磁场足够低时，我们得到的速率大于自旋轨道相关速率。
2002-02-14 cond-mat.mes-hall
Highly indistinguishable single photons from incoherently and coherently excited GaAs quantum dots
半导体量子点正朝着光子量子技术的苛刻要求汇聚。在不同的系统中，尺寸超过自由激子玻尔半径的量子点由于其高振子强度而具有吸引力。虽然这个属性已经收到了很多关注的上下文中的腔量子电动力学，鲜为人知的是这样的点连续发射的单光子的不可压缩性的程度和适当的激发方案，以实现高不可压缩性。一个突出的例子是通过局部液滴蚀刻获得的GaAs量子点，其最近优于其他系统作为纠缠光子对的触发源。在这些点上，我们比较了不同的单光子激发机制，我们发现（i）一个“声子瓶颈”和通过激发态的常规激发和（ii）光子不可逆性差90%以上的严格共振和非相干声学和光学声子辅助激发。在这些激发方案中，光学声子辅助激发能够实现直接的激光抑制，而不会对源亮度以及高光子不可逆性造成损害。
2019-02-04 cond-mat.mes-hall
Strong electrically tunable exciton g-factors in an individual quantum dots due to hole orbital angular momentum quenching
强的电可调激子g-因子中观察到的个人（Ga）InAs自组装量子点和微观起源的效果进行了解释。现实的八带k.p模拟定量地解释了我们的观察，同时再现激子跃迁能量，DC斯塔克位移，抗磁位移和g因子可调性模型点与测量的大小和一个相对较低的In-组成的x（In）~35%附近的点顶点。我们发现，所观察到的g-因子的可调性是由空穴，电子贡献只有微弱。示出的电场引起的扰动的空穴波函数的影响后，g-因子通过轨道角动量淬火，在：Ga的包络函数内的组合物的变化只起很小的作用。我们的研究结果提供了设计规则生长自组装量子点的电自旋操纵通过电g因子调制。
2010-08-31 cond-mat.mes-hall
Zinc-blende and wurtzite GaAs quantum dots in nanowires studied using hydrostatic pressure
本文报道了在单根GaAs/AlGaAs核壳纳米线中自组装的Zn掺杂（ZB）和纤锌矿（WZ）两种晶相GaAs量子点。通过测量光致发光和时间分辨光致发光谱研究了两种量子点在静水压作用下的光跃迁和单光子特性。结果表明，ZB量子点具有直接带隙跃迁、短的复合寿命（~1 ns）和较高的压力系数（75-100 meV/GPa）。相反，由于量子限制效应，WZ量子点经历了直接到赝直接的带隙转变，具有显著的长激子寿命（4.5-74.5 ns）和小的压力系数（28-53 meV/GPa）。这些基本的物理性质进行进一步检查，通过执行国家的最先进的原子赝势计算。
2015-07-23 cond-mat.mes-hall
Size dependent line broadening in the emission spectra of single GaAs quantum dots: Impact of surface charges on spectral diffusion
利用液滴外延，我们系统地控制了自组装GaAs量子点的高度超过一个数量级。单量子点的光致发光谱显示了光谱线宽对量子点高度的强烈依赖性。高约30 nm的高点显示出平均宽度高达约5 meV的宽光谱峰，但高约2 nm的浅点显示出分辨率受限的谱线（<120微eV）。测得的线宽的高度依赖性是在良好的协议与斯塔克系数计算的实验形状变化。我们把波动电场的微观来源归结为真空-半导体界面上表面电荷的随机运动。我们的研究结果为实现锁频光子源提供了指导，锁频光子源将作为长距离量子密钥分发的关键器件。
2015-06-16 cond-mat.mes-hall
Resonance fluorescence from an atomic-quantum-memory compatible single photon source based on GaAs droplet quantum dots
与量子存储器兼容的单光子源是量子网络的重要组成部分。在这篇文章中，我们显示了通过液滴外延生长的隔离GaAs/Al $_{0.25}$ Ga $_{0.75}$ As量子点的光学研究，其发射与Rb-87-D $_2$线（780 nm）共振的单光子。在连续波共振激发条件下，我们观察到明亮，干净，窄带共振荧光发射从这样的液滴量子点。此外，二阶相关测量清楚地表明，单光子发射从这个共振驱动的过渡。类似量子点的光谱分辨共振荧光产生窄至660 MHz（$ 2.7~μeV $）的线宽，其对应于0.482 ns的相干时间。所观察到的线宽是迄今为止报道的最小的应变自由GaAs量子点通过液滴法生长。我们相信，这种单光子源可以在光量子网络中的应用的主要候选人。
2018-06-27 cond-mat.mes-hall
Interplay between emission wavelength and s-p splitting in MOCVD-grown InGaAs/GaAs quantum dots emitting above 1.3 μm
利用光致发光激发光谱技术对应变工程InGaAs/GaAs单量子点的电子结构进行了实验研究。观察到的共振可以归因于单个量子点的p壳层态。所确定的s-壳层和p-壳层之间的能量差示出了对发射能量的逆依赖性。的实验数据进行了比较与限制状态的计算结果，其中的影响的大小和组成的调查结构内的8带$\mathbf{k}\cdot\mathbf{p}$模型进行了模拟。在此基础上，实验观察主要归因于单个量子点内铟含量的变化，指示工程设计和选择所需量子点的方式，其电子结构最适合于给定的纳米光子应用。
2020-01-17 cond-mat.mes-hall
Wetting layer evolution and its temperature dependence during self assembly of InAs/GaAs quantum dots
利用反射差谱（RDS）研究了InAs/GaAs（001）量子点（QD）系统的润湿层（WL）演化及其温度依赖性，并采用速率方程模型进行了分析。WL厚度在相对较低的生长温度下表现出单调增加，但在较高的温度下先增加，然后减少，这是从热力学的理解意想不到的。通过采用速率方程模型，量子点生长的温度依赖性被指定为不同的WL演变的起源。并对铟的解吸作了简要的讨论。这些结果暗示了量子点自组装的动力学方面。
2012-05-02 cond-mat.mes-hall
Ultra-shallow quantum dots in an undoped GaAs/AlGaAs 2D electron gas
我们报道了在分子束外延生长的未掺杂GaAs/AlGaAs异质结中，在表面以下仅30 nm的非常浅的二维电子气上制备的量子点。由于不存在掺杂剂，相对于具有类似深度的掺杂异质结构，观察到迁移率（在2 E11/cm ^2处）的一个数量级以上的改善。这些未掺杂的晶片可以很容易地被门控与表面金属栅极图案化的电子束光刻，如这里所示，从单级传输通过量子点显示大的充电能量（高达1.75毫电子伏）和激发态能量（高达0.5毫电子伏）。
2013-03-16 cond-mat.mes-hall
Type II InAs/GaAsSb Quantum Dots: Highly Tunable Exciton Geometry and Topology
本文研究了具有II型能带取向的InAs/GaAsSb量子阱结构的p-i-n二极管中电子和空穴波函数几何和拓扑的外部控制。我们发现高度可调激子偶极矩和很大程度上去耦激子复合和电离动力学。我们还预测了一个偏置制度，其中空穴波函数拓扑结构连续变化，从量子点样的量子环作为外部偏压的函数。所有这些性质在先进的电光应用和基本自旋轨道现象的研究中具有巨大的潜力。
2015-11-13 cond-mat.mes-hall
Model of coherent optical spin manipulation through hot trion states in p-doped InAs/GaAs quantum dots
提出了一种新的基于麦克斯韦赝自旋方程的广义群论方法来解释最近观察到的p型掺杂量子点系综在共振圆极化激发到热三价质子态下的激发态发射中增强的圆二色性，本文称为“自旋过滤效应”。该理论与极化时间分辨光致发光实验非常吻合，产生了很大程度上未知的壳层间和壳层内自旋弛豫时间尺度。这种方法允许预测控制自旋动力学的最佳脉冲参数，这将使开发的效果在全光自旋为基础的量子技术。
2013-01-29 cond-mat.mes-hall
GaAs quantum dots under quasi-uniaxial stress: experiment and theory
本文研究了准单轴应力下GaAs/AlGaAs量子点中激子的光学性质，结合实验参数与八带k·p及组态相互作用方法计算激子发射能等性质，定量重现实验结果并验证了计算工具的有效性。
2023-05-10 cond-mat.mes-hall
Temperature dependence and mechanism of electrically detected ESR at the n=1 filling factor of a two-dimensional electron system in GaAs quantum wells
在填充因子为5.7T的AlGaAs/GaAs多量子阱样品中，在0.3- 4.2K温度范围内获得了电探测电子自旋共振（EDESR）信号随温度的变化。在研究的特定样品中，线宽近似与温度无关，而振幅在约2.2 K处呈现最大值，并随着温度的升高或降低而消失。为了解释所观察到的信号幅度的温度依赖性，假设基于加热的模型来计算信号幅度温度依赖性。该模型归因于微波功率的共振吸收的2DES的电子自旋磁化的均匀模式，其中在填充因子的基本自旋激发被认为是自旋波，而短波长的自旋波模式作为一个热沉的吸收能量。由于对周围环境的有限热传导，2DES自旋波系统的温度增加，导致纵向磁导的热激活。所提出的加热模型正确地预测了实验观察到的EDESR振幅的温度依赖性的最大值的位置。它还正确地预测信号应该随着温度的升高或降低而消失。本研究的结果表明，如何实验EDESR的研究，在适当的条件下，提供的数据，可用于区分竞争理论的磁有序和磁激发的2DES在制度的量子霍尔效应。
2002-07-03 cond-mat.mes-hall
