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arXiv 1801.081992018-01math.APmath-phmath.MP

关于MEMS中吸合电压建模中若干问题的几何估计

On geometric estimates for some problems arising from modeling pull-in voltage in MEMS

Durvudkhan Suragan, Dongming Wei

备注：: revised version with corrected arguments; to replace the previous version

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摘要：

在本文中，我们证明了所有的$p$（微机电系统）问题的吸合电压上的一个光滑的有界区域的$\mathbb R^{d}, d\geq1,$的最小化对称的域和介电常数剖面。证明依赖于一些适当版本的塔伦蒂的比较原则。我们还将我们的方法应用于全空间$\mathbb R^{d}, d\geq3,$上的多维MEMS型问题和二阶一致椭圆型微分算子的Dirichlet边值问题.

英文摘要：

In this paper for all $p>1$ we prove that the pull-in voltage of the $p$-MEMS (micro-electro mechanical systems) problems on a smooth bounded domain of $\mathbb R^{d}, d\geq1,$ is minimized by symmetrizing the domain and the permittivity profile. The proofs rely on some suitable version of Talenti's comparison principle. We also demonstrate our method to the multidimensional MEMS type problems on the whole space $\mathbb R^{d}, d\geq3,$ and the Dirichlet boundary value problems of second order uniformly elliptic differential operators.

机构、总结、中文摘要均由AI分析而来，可能存在错误，请以论文正文为准。

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