Four-wave mixing in coupled semiconductor quantum dots
本文从理论上分析了非均匀加宽耦合量子点中的四波混频。对于双激子跃迁，光谱中出现了明显的点间耦合特征。讨论了实验观测的可能性。
2002-07-25 cond-mat.mes-hall
Coherent defect-assisted multiphonon intraband carrier relaxation in semiconductor quantum dots
提出了半导体量子点中多声子带内载流子弛豫的一种新的缺陷辅助机制，其中载流子是在初始态、终态和缺陷态的相干叠加中发现的。结果表明，这一机制是能够解释所观察到的趋势的PbSe和CdSe胶体量子点的带内弛豫速率的温度依赖性。
2007-05-18 cond-mat.mes-hall
The Origin of Stokes Shift in Semiconductor Quantum Dots
通过计算半导体量子点中激子态的能量，研究了半导体量子点中斯托克斯位移的产生机制。我们考虑了所有可能对点中总电子能量的贡献，即点与周围介质的介电失配、有限势垒高度的影响以及电子-空穴交换相互作用。计算了斯托克斯位移随量子点半径的变化，并与两种不同半导体基量子点的实验数据进行了比较。这些结果为作为量子点中Stokes位移机制的激子态的交换劈裂提供了证据
2005-03-25 cond-mat.mes-hall
Intrinsic spin dynamics in semiconductor quantum dots
我们在多带包络函数近似下研究了半导体量子点的特征自旋动力学。通过数值求解一个$8\times8$ $k\cdot p$哈密顿量，我们处理基于不同的III-V族半导体材料的系统，它表明，即使在没有施加磁场，这些系统显示出内在的自旋动力学带内和带间跃迁导致的特征自旋频率范围从太赫兹到光学频率。
2005-09-22 cond-mat.mes-hall
Spin-orbit coupling effects on quantum transport in lateral semiconductor dots
本文分析了自旋轨道耦合和塞曼分裂之间的相互作用对横向半导体量子点中弱局域化和普遍电导涨落的影响：列出了相应随机矩阵理论的所有可能的对称类，并描述了通过扫描磁场和改变量子点参数可实现的它们之间的交叉。我们还建议实验测量自旋-轨道耦合常数。
2001-07-18 cond-mat.mes-hall
Quantum-information processing in semiconductor quantum dots
我们提出了一种在半导体量子点中进行量子信息处理的全光学实现方案，其中电子空穴激发（激子）作为计算自由度（量子比特）。强点限制导致激子态的强重整化，其类似于量子信息处理的基于NMR的实现，可以用于执行有条件和无条件量子位操作。
2001-04-09 cond-mat.mes-hall
Computer-automated tuning of semiconductor double quantum dots into the single-electron regime
我们报道了GaAs异质结构中栅定义半导体双量子点的计算机自动调谐。我们通过在四个量子点的线性阵列内创建三个双量子点来对算法进行基准测试。该算法为所有栅极设置正确的栅极电压，以将双量子点调谐到单电子状态。该算法只需要（1）门设计的先验知识和（2）由所有量子点共享的单个门$T$的夹断值。这项工作大大简化了用户调谐多个量子点设备所需的工作。
2016-03-07 cond-mat.mes-hall
Electronic spin precession in semiconductor quantum dots with spin-orbit coupling
半导体量子点中的电子自旋旋进受到自旋轨道耦合的强烈影响。我们提出了一个在低磁场下的电子自旋共振理论，该理论预测了对点占据、磁场和自旋轨道耦合强度的强烈依赖性。库仑相互作用的影响也被考虑在一个数值方法。
2002-08-22 cond-mat.mes-hall
The Theory of Light Scattering by Semiconductor Quantum Dots. Semiclassical Method Using Retarded Potentials
提出了半导体量子点的弹性光散射理论。采用半经典方法，应用延迟势避免了电场和磁场的边界条件问题。得到了量子点远距离指向矢量的精确结果，以及单色光和脉冲光散射的微分截面公式。
2007-03-02 cond-mat.mes-hall
Exciton spin relaxation in single semiconductor quantum dots
研究了非对称单量子点中激子自旋的弛豫（纵向弛豫时间$T_{1}$），这是由于短程交换作用和声学声子形变的相互作用引起的。计算的弛豫速率强烈依赖于点的大小，磁场和温度。对于典型的量子点和低于100 K的温度，零磁场弛豫时间是长的激子寿命相比，但他们强烈减少高磁场。本文详细讨论了基于（In，Ga）As和（Cd，Zn）Se半导体化合物的量子点。
2003-04-23 cond-mat.mes-hall
Formation of Strain-Induced Quantum Dots in Gated Semiconductor Nanostructures
弹性应变改变半导体中的导带的能量，这将影响通过半导体纳米结构的输运。我们表明，在半导体纳米结构中，来自金属栅极的典型应变足够大，可以产生应变诱导量子点（QD）。我们模拟了一个常用的量子点器件架构，体硅上的金属栅极，并显示应变诱导量子点的形成。应变诱导量子点可以通过用多晶硅栅极代替金属栅极来消除。因此，应变对于QD装置操作可与静电一样重要。
2014-09-11 cond-mat.mes-hall
Massive creation of entangled exciton states in semiconductor quantum dots
强激光脉冲在非均匀加宽的量子点介质中传播，大量产生纠缠激子态。脉冲通过后，所有的单激子状态保持未填充（自诱导透明），而双激子相干（激子纠缠）是通过双光子跃迁产生的。我们提出了几个实验技术，观察这种意想不到的行为。
2002-11-05 cond-mat.mes-hall
Optical near-field mapping of excitons and biexcitons in naturally occurring semiconductor quantum dots
我们计算了半导体量子点中的激子和双激子的近场光谱自然发生在GaAs基量子阱中的界面波动，使用的响应函数的空间调制的电-磁场的非局部描述。最低的，远场禁止激子态的相对强度进行预测，地面双激子状态的空间扩展被发现与最近发表的实验。
2004-03-19 cond-mat.mes-hall
Polarons in semiconductor quantum-dots and their role in the quantum kinetics of carrier relaxation
虽然含时微扰理论表明在半导体量子点中载流子-声子散射效率低，但我们证明了载流子-声子相互作用的量子动力学描述预测了快速载流子捕获和弛豫。所考虑的过程在自由载流子能量方面不满足能量守恒，因为局域量子点态的极性耦合强烈地改变了这一图像。
2005-01-20 cond-mat.mes-hall
Optical absorption in semiconductor quantum dots: Nonlocal effects
考虑光场与半导体极化率之间的非局域耦合，研究了电场中单个球形半导体量子点的光吸收。这些非局域效应导致小尺寸和场相关的位移和激子共振的加宽，这可能是在未来的高精度实验的兴趣。
2001-11-09 cond-mat.mes-hall
Majorana excitons in a Kitaev chain of semiconductor quantum dots in a nanowire
本文提出Majorana激子理论，研究光激发电子-空穴对与纳米线量子点Kitaev链中Majorana费米子的相互作用，并通过解析与精确对角化方法在吸收光谱中证实Majorana零模的存在。
2023-06-30 cond-mat.mes-hall
Analytical approach for type-II semiconductor spherical core-shell quantum dots heterostructures with wide band gaps
采用有效质量近似下的单带模型，研究了II型半导体球形核壳量子点的能量结构和振子强度。采用弹性连续体方法模拟了核壳异质结构的异质外延应变。该模型被应用到ZnTe/ZnSe核壳，一个宽的带隙II型异质结。模拟的吸收光谱与现有的实验结果相当一致。
2013-01-21 cond-mat.mes-hall
Photoinduced current in molecular conduction junctions with semiconductor contacts
我们提出了一种新的方法，通过分子结，它绕过了几个障碍，实验实现光学操纵的纳米电子学在以前的文献中指出的运输的相干控制。该方法是基于应用本征半导体接触和低于半导体带隙的光频率。它依赖于一个简单而通用的概念，即通过电磁场驱动分子桥的偶极对分子能级进行可控的光子复制。我们预测了诱导隧穿的相干破坏效应，扩展了隧穿相干破坏的某些效应。我们的研究结果说明了半导体接触的光电流相干控制的潜力。
2012-09-26 cond-mat.mes-hall
Charge State Hysteresis in Semiconductor Quantum Dots
半导体量子点提供了真实原子的二维类比，并显示出实现可扩展量子计算机的前景。在这里，我们研究了硅金属氧化物半导体双量子点隧道耦合到一个单一的电子库的电荷配置。通过在少电子区操作系统，稳定性图显示了滞后隧穿事件，其取决于点电荷占据的历史。我们提出了一个模型，该模型解释了所观察到的滞后行为，通过扩展已建立的描述耦合到两个水库的双点运输。我们证明，这种类型的设备像一个单电子存储器锁存器。
2014-07-07 cond-mat.mes-hall
Relativistic stable processes in quasi-ballistic heat conduction in thin film semiconductors
在这篇文章中，我们展示了如何相对论α稳定过程可以用来解释半导体中的准弹道热传导。这是一种能较好地拟合超快激光加热合金实验结果的方法。它还提供了一个连接到丰富的文献费曼-卡茨形式主义和随机过程，过渡到一个稳定的列维过程在短时间和长度尺度的布朗运动在更大的尺度。在早期的论文中，这种转变被启发式截断Lévy分布捕获。严格的Feynman-Kac的方法是用来获得尖锐的界限的过渡核。未来的方向进行了简要讨论。
2019-07-29 cond-mat.mes-hall
Quantum control of polaron states in semiconductor quantum dots
本文在独立玻色子模型和最优控制的框架下研究了光激发半导体量子点中声子辅助的退相。通过对量子点态和声子耦合的真实描述，我们证明了这种退相对相干光学响应有着巨大的影响。我们采用最优控制理论来寻找控制策略，允许打击退相干，并表明，适当的剪裁激光脉冲允许一个完整的控制的光激发，尽管声子退相。
2007-01-15 cond-mat.mes-hall
Plasmon-enhanced second harmonic generation in semiconductor quantum dots close to metal nanoparticles
我们报道了非中心对称半导体CdS量子点与孤立的银纳米颗粒紧密接触时，其光学二次谐波信号的增强。强度增强约为1000。我们还表明，当入射激光频率$ω$朝向银等离子体激元在$2ω$的光谱位置调谐时，增强增加，证明银纳米颗粒修改非线性发射。
2012-02-14 cond-mat.mes-hall
Fine structure and optical pumping of spins in individual semiconductor quantum dots
本文综述了半导体量子点的自旋性质及其对光谱的影响。光致发光和其他类型的光谱学被用于以高光谱和空间分辨率探测单个量子点中的中性和带电激子。光谱精细结构和极化揭示了量子点自旋如何相互作用以及与环境的相互作用。利用光学选择规则的选择性和自旋弛豫，实现了对基态电子和核自旋的光学自旋泵浦。通过这种机制，光可以用来处理自旋，用作信息的载体。
2008-09-10 cond-mat.mes-hall
Kondo physics in tunable semiconductor nanowire quantum dots
我们在强耦合半导体纳米线量子点中观察到了近藤效应。这些器件由砷化铟纳米线制成，通过分子束外延生长，并与钛导线接触。器件的透明性可以通过改变栅电极上的电势来调节，并且为了增加透明度，主导输运的效应从库仑阻塞变化到具有近藤物理出现在中间区域的普适电导涨落。
2006-08-22 cond-mat.mes-hall
Semiconductor quantum dots in high magnetic fields: The composite-fermion view
本文回顾和推广了强磁场中半导体量子点的复合费米子理论。复合费米子的平均场模型不能满足高角动量下的定性物理。大量的数值计算表明，微观CF理论，其中包括复合费米子之间的相互作用，提供了一个很好的定性和定量的量子点基态的最大角动量的研究，并允许系统的改进，包括复合费米子朗道能级（称为$Λ$水平）之间的混合。
2006-11-13 cond-mat.mes-hall
Ferromagnetism in diluted magnetic semiconductor quantum dot arrays embedded in semiconductors
为了研究半导体中的稀磁半导体（DMS）量子点阵列的铁磁性，提出了一种考虑局域自旋与量子点中受限空穴交换耦合的Anderson型模型哈密顿量. DMS量子点中的量子限制空穴与半导体价带中的巡游空穴之间的杂化作用使得量子点之间发生空穴转移，从而诱导局域自旋的长程铁磁有序。此外，它使DMS量子点和半导体中的载流子自旋极化。利用Weiss平均场近似和自洽自旋波近似计算了局域自旋的自发磁化强度和空穴的自旋极化。
2002-10-29 cond-mat.mes-hall
Long-range radiative interaction between semiconductor quantum dots
为了描述半导体量子点之间的辐射相互作用机制，我们发展了Maxwell-Schroedinger形式。我们求解了电磁场与极化场通过线性非局域极化率耦合的量子点系综的麦克斯韦方程组，计算了系统的极化激元共振。由辐射和表面光子模式介导的辐射耦合导致集体模式的出现，集体模式的寿命与非相互作用点的寿命相比更长或更短。耦合的大小和集体模能量取决于失谐量和相互的量子点距离。这种耦合机制的空间范围是波长的量级。因此，当考虑将量子点作为用于量子信息处理的集成系统的构建块时，应该考虑这种耦合。
2004-11-03 cond-mat.mes-hall
Elastic Light Scattering by Semiconductor Quantum Dots
从理论上研究了低维半导体目标的弹性光散射。计算了量子点中激子的共振光散射微分截面。如果光波长大大超过量子点的尺寸，散射光的偏振和角分布不依赖于量子点的形式，尺寸和潜在的配置。在这种情况下，总光散射截面的大小不取决于量子点尺寸。如果激子辐射展宽超过非辐射展宽，则共振总光散射截面约为光波长的平方。计算了辐射增宽。
2006-05-26 cond-mat.mes-hall
Role of Coulomb correlations in the optical spectra of semiconductor quantum dots
基于直接对角化方法，我们对半导体量子点光谱中的少粒子效应给出了一致的理论描述。我们表明，由于电子和空穴之间的强库仑相互作用，每个配置的限制少粒子系统导致其特征签名的光谱。我们讨论了定量预测和比较与实验的吸收和发光。
2000-05-16 cond-mat.mes-hall
Parametric amplification of magnetoplasmons in semiconductor quantum dots
我们发现，磁等离子体激元集体模式在准二维半导体量子点可以参数放大周期性调制的磁场垂直于纳米结构。这两种磁等离子体激元模式同时被激发和放大，导致系统中玻色子激发的数量呈指数增长。我们进一步证明，阻尼机制以及非谐性的限制的量子点导致饱和的参量放大。这项工作构成了第一步参数放大的集体模式在多体费米子系统超越一维。
2011-10-03 cond-mat.mes-hall
Fidelity of optically induced single-spin rotations in semiconductor quantum dots in the presence of nuclear spins
我们研究了核自旋对半导体量子点中单电子自旋光致旋转的影响。我们考虑了电子自旋态之间的拉曼型光学跃迁，并考虑了Overhauser场的附加效应。我们用微扰理论在奥弗豪泽场中解析地计算了核自旋存在下绕特征轴转动的平均量子数，直到二阶。此外，我们计算的保真度使用数值平均的核场分布，包括任意阶的超精细相互作用。
2013-07-23 cond-mat.mes-hall
Nonequilibrium nuclear-electron spin dynamics in semiconductor quantum dots
我们研究了带电量子点中的自旋动力学，在这种情况下，驻留电子仅耦合到大约200个核自旋，并且由Overhauser场引起的电子自旋分裂不超过显着的光谱展宽。一个动态的核极化的形成，以及随后的衰减的偶极-偶极相互作用是直接解决的时间。由于不受固有非线性的限制，即使在高温下也能实现几乎完全的核极化。这些数据表明了核极化的非平衡模式，明显不同于体半导体的自旋温度概念
2007-06-19 cond-mat.mes-hall
Kondo-assisted switching between three conduction states in capacitively coupled quantum dots
我们提出了一个纳米尺度的器件，由一个双量子点组成，具有很强的点内和点间库仑排斥。在这种设计中，电流只能流过下面的点，但是由上面的点的门控占用触发。在低温下，我们的计算预测双点通过一个狭窄的近藤制度，导致高度敏感的开关特性之间的三个明确定义的状态：绝缘，正常传导和谐振传导。
2021-01-07 cond-mat.mes-hall cond-mat.str-el
Floquet engineering of excitons in semiconductor quantum dots
在周期性驱动量子系统的Floquet理论中，我们证明了高频电磁场可以作为控制半导体量子点（QD）激子性质的有效工具。它示出，特别是，该领域都降低了激子结合能和动态稳定的激子，增加其辐射寿命。所发展的理论可以作为超快方法的基础，通过高频场调谐基于量子点的光子发射器的光谱特性。
2022-04-13 cond-mat.mes-hall
Indirect coupling between spins in semiconductor quantum dots
从理论上研究了两个量子点中自旋之间的光诱导间接交换相互作用。我们提出了一个微观制定的本地化自旋和巡回运营商之间的相互作用，包括相关的影响，使用一组正则变换。相关效应被认为是可比的直接交换的幅度。我们给出了现实的量子点几何形状的定量结果，并找到了一维系统的最大耦合。
2004-12-04 cond-mat.mes-hall
Few-photons model of the optical emission of semiconductor quantum dots
Jaynes-Cummings模型为辐射场中的单电子二能级系统提供了一个完善的理论框架。对于半导体发光体，例如由许多粒子相互作用主导的量子点，类似的精确可解模型是未知的。我们访问这些系统的广义集群扩展，光子概率集群扩展：一个可靠的方法，在许多身体电子系统的光子动力学。作为第一个应用程序，我们讨论真空拉比flopping和表明，它们的振幅决定了电子的数量在量子点。
2009-07-10 cond-mat.mes-hall
Vector Pulsing Solitons in Semiconductor Quantum Dots
研究了半导体量子点系综中自诱导透明光矢量脉冲孤子的理论。结果表明，量子点激子基态跃迁偶极矩的分布和相位调制显著改变了脉冲参数。本文给出了在载波频率范围内，两分量矢量脉冲光孤子在圆偏振态下的波形。结果表明，在这种特殊情况下，矢量脉冲孤子可以归结为标量呼吸子解，这些非线性波具有不同的形状。利用目前实验上可以达到的实际参数，得到了光矢量脉冲孤子的解析表达式。
2014-08-19 cond-mat.mes-hall
Spin-flip transitions between Zeeman sublevels in semiconductor quantum dots
我们研究了GaAs电子量子点中塞曼子能级间的自旋翻转跃迁。几种不同的机制，起源于自旋轨道耦合被证明是负责这样的过程。结果表明，局域在量子点中的电子的自旋晶格弛豫比自由电子的自旋晶格弛豫要小得多。由于其他几种机制的自旋翻转率无关的自旋轨道相互作用的估计。
2001-07-02 cond-mat.mes-hall
Non-adiabatic electron charge pumping in coupled semiconductor quantum dots
讨论了在三个耦合量子点的体系中实现非绝热电子抽运的可能性。我们发现，由于非绝热非平衡过程，中间量子点的能级位置发生周期性变化，导致平均隧穿电流出现非零。相同的原理可以用于制造基于非稳态非平衡电流的一类新的半导体电子器件。作为一个例子，我们提出了一个纳米量子发射器与非稳态反能级占领实现电子泵。
2011-12-26 cond-mat.mes-hall
Random-matrix theory of thermal conduction in superconducting quantum dots
计算了无序Andreev量子点系综中Bogoliubov准粒子在费米能级上传输本征值T_n的概率分布。四个Altland-Zirnbauer对称类（由时间反演和自旋旋转对称性的存在与否决定）产生四个散射矩阵的圆形系综。我们确定了每个系综的P（{T_n}），用两个对称性指数β和γ来表征。对于单个d重简并传输通道，我们由此获得热导g的分布P（g）~ g^{-1+β/2}（1-g）^{γ/2}（单位为d π^2 k_B^2 T_0/6 h，低温T_0）。我们展示了如何使用拓扑绝缘体或超导体来达到这种单通道极限，而不会遇到费米子加倍的问题。
2016-09-13 cond-mat.mes-hall
Theory of exciton fine structure in semiconductor quantum dots: quantum dot anisotropy and lateral electric field
介绍了半导体量子点中激子精细结构的理论及其与量子点各向异性和外横向电场的关系。在k*p有效质量近似下，导出了包含长程电子-空穴交换作用的有效激子哈密顿量。交换矩阵元素的哈密顿量明确表示在电子和空穴的包络函数。负责的矩阵元素的“明亮”激子分裂的识别和分析。分析了具有准二维各向异性谐振子（2DLAHO）限制势的模型量子点的激子精细结构随形状各向异性、尺寸和外加横向电场的变化.
2009-10-22 cond-mat.mes-hall
Photonic thermal conduction by infrared plasmonic resonators in semiconductor nanowires
由于光子的低能量密度和被快速吸收的趋势，光子通常对固体内的热传输没有贡献。我们提出了一个实用的材料系统-红外等离子体共振器嵌入在半导体纳米线-利用近场电磁耦合，实现光子热传输可比的电子和声子的贡献。我们分析表明，光子热导率高达约1 W m-1 K-1的10 nm直径的硅和InAs纳米线含有重复谐振器在500 K。纳米线系统在各向同性环境中的性能优于等离子体粒子，并为光子热传输提供了一条超过声子和电子的途径。
2019-04-17 cond-mat.mes-hall
Single electron control in n-type semiconductor quantum dots using non-Abelian holonomies generated by spin orbit coupling
我们提出利用具有Rashba和Dresselhaus自旋轨道相互作用的n型半导体量子点，通过简并态之间的绝热变换实现单电子操控.量子点中所有的能级都是离散的，并且由于Rashba和/或Dresselhaus自旋轨道耦合项的存在，时间反演导致了双简并.我们发现双简并的存在并不一定会产生有限的非阿贝尔（矩阵）Berry相。我们表明，一个扭曲的二维谐波势可能会产生非阿贝尔Berry相位。非阿贝尔贝瑞相的存在可以通过测量光学偶极跃迁来实验测试。
2006-02-22 cond-mat.mes-hall
Tunable superconducting coupling of quantum dots via Andreev bound states in semiconductor-superconductor nanowires
半导体量子点已被证明是固态量子模拟的有用平台。然而，实现由库珀对介导的量子点之间的超导耦合迄今为止受到有限的可调谐性和强抑制的影响。这限制了应用，例如库珀对分裂和拓扑Kitaev链的量子点模拟。在这项工作中，我们提出了如何通过连接两个量子点的半导体-超导体纳米线中的Andreev束缚态来介导可调谐的有效耦合。我们表明，以这种方式，它是可以单独控制介导的耦合由库珀对和单电子通过改变Andreev束缚态的性质与容易获得的实验参数。此外，耦合抑制的问题被大大缓解。我们还提出了如何实验提取耦合强度从谐振电流在三端结。我们的建议将使未来的实验，迄今为止还没有可能。
2022-12-20 cond-mat.mes-hall
Significance of an external magnetic field on two-phonon processes in gated lateral semiconductor quantum dots
本文概述了栅控横向半导体量子点（QD）上双声子过程的理论和数值计算。在外加磁场的作用下，利用两个横向耦合的量子点构成的异质结构，研究了电子在两个声子作用下的散射速率。形式主义是基于声学声子模式通过未屏蔽的变形势和压电相互作用时，晶格缺乏一个中心的反演对称。用二阶微扰理论计算了速率。散射率与外加磁场、晶格温度和量子点间距密切相关。
2014-05-28 cond-mat.mes-hall
Quantum properties of spherical semiconductor quantum dots
纳米级的量子效应已经在许多受限结构中观察到，特别是在半导体量子点（QD）中。在这项工作中，我们提出了一个理论上的改进，所谓的有效质量近似的有效赝势的引入。这有利地允许在很大程度上进行分析计算，并导致与实验数据更好的一致性。我们已经得到了，作为一个功能的量子点半径，在精确的域的有效性，量子点的基态的能量，其斯塔克和兰姆位移。一个可观察到的兰姆位移是值得注意的预测明智地选择半导体和半径。尽管量子点能谱具有固有的非简并性，我们还是提出了一个基于Casimir效应的Gedanken实验来测试其可观测性。最后，还考虑了电磁腔对半导体量子点的影响，并计算了其Purcell因子。这最后的结果提高了具有在可见光范围内发射的QD激光器的可能性。
2012-02-29 cond-mat.mes-hall
Phonon impact on the coherent control of quantum states in semiconductor quantum dots
本章介绍了声子作用下量子点中电荷的光量子控制的最新理论结果。我们表明，晶格弛豫过程导致的约束载流子态的退相干。的理论方法导致一个统一的，紧凑的描述声子对载流子动力学的影响，微扰的声子耦合，但适用于任意的无扰演化，详细描述。接下来，一些应用：声子阻尼的拉比振荡的量子点和声子引起的错误的单量子比特门的激子量子点量子比特以及半导体量子点自旋量子比特通过STIRAP转移操作。
2004-04-15 cond-mat.mes-hall
Research progress of electronic properties of self-assembled semiconductor quantum dots
自组装半导体量子点是一种人工设计和生长的新型功能材料，具有量子尺寸效应、量子干涉效应、表面效应、量子隧道-库仑阻塞效应和非线性光学效应。该材料具有晶体缺陷少、制备工艺相对简单等优点，在未来的纳米电子器件研究中具有重要的应用价值。本文按垂直输运、横向输运和电荷存储的顺序，简要介绍了该材料的电子性质的最新进展，并分析了存在的问题和发展前景。
2007-12-06 cond-mat.mes-hall
Fluctuation of Conductance Peak Spacings in Large Semiconductor Quantum Dots
在一个基于多个电子岛之间存在随机电感和电容耦合的静电模型下，研究了大尺寸二维半导体量子点中库仑阻塞峰间距的涨落.每个岛可以容纳量子轨道上的电子，其能量也取决于外部磁场。与其中间距分布接近高斯的单岛量子点相比，这里的分布在小间距值处具有峰值。波动主要是由于收费影响。该模型可以解释偶联或甚至三个紧密间隔的库仑阻塞峰的偶尔发生，以及峰位置随所施加的磁场的定性行为。
1999-01-26 cond-mat.mes-hall
Beer's law in semiconductor quantum dots
研究了相干线性光波在半导体量子点系综中的传播。结果表明，量子点跃迁偶极矩的分布显著地改变了量子点系综的偏振态和Beer吸收长度。给出了这些量的显式解析表达式。
2010-03-02 cond-mat.mes-hall physics.optics
Role of spin-orbit coupling in the far infrared absorption of lateral semiconductor dots
我们研究了二维半导体点的自旋-垂直耦合对远红外吸收的影响。通过改变Dresselhaus项的强度，在非相互作用模型中预测了通过改变点宽度、Kohn峰的独特分裂以及额外的低能模式在实验中可行的机制。每个模式都有一个空间分布的电荷，垂直和面内自旋密度，以一种特殊的方式与外部场的频率和极化相关。我们研究了这些功能对电子-电子相互作用的鲁棒性，以及相互作用引起的额外特性的外观。
2002-04-11 cond-mat.mes-hall
Optical Phonon Lasing in Semiconductor Double Quantum Dots
提出了半导体衬底中双量子点的光学声子激射。我们发现，DQD是弱耦合到只有两个LO声子模式，作为一个自然腔。发生激光泵浦的DQD通过电子隧穿速率远高于声子的衰减率，而声子发射的反聚束观察到在相反的制度缓慢隧穿。这两种效应消失了一个有效的热化诱导的弗兰克-康登效应在DQD制造的碳纳米管与强的电子-声子耦合。
2012-12-20 cond-mat.mes-hall
Shot noise of coupled semiconductor quantum dots
研究了两个静电耦合的半导体量子点态的低频散粒噪声特性。一个主方程的方法被用来分析的偏置电压的依赖性的Fano因子作为一个时间相关性的测量所造成的泡利的不相容原理和库仑相互作用的隧道电流。特别是，库仑相互作用的散粒噪声行为的影响进行了详细讨论，并预测未来的实验将给出。此外，我们提出了负微分电导的机制，并研究了相关的超泊松散粒噪声。
2003-03-03 cond-mat.mes-hall
Imaging Electrical Conduction through InAs Nanowires
我们展示了如何扫描探针显微镜（SPM）可以用来成像电子流通过InAs纳米线，阐明纳米线器件的物理在当地的规模。一个带电的SPM尖端被用作可移动的栅极。纳米线电导与尖端位置的图像在空间上映射在液体He温度下的InAs纳米线的电导。在没有尖端存在的情况下，电导与背栅电压的曲线图显示了库仑阻塞峰的复杂图案。纳米线电导的图像识别了沿着纳米线定位的多个量子点-每个点被对应于库仑阻塞峰的一系列同心环包围。图像定位点并提供有关其大小的信息。单个量子点周围的环相互干扰，就像串联的多个量子点的库仑阻塞峰一样。通过这种方式，SPM针尖可以通过调整单个点的电荷状态来探测复杂的多点系统。纳米线由金属催化剂颗粒生长，直径约为80 nm，长度为2 - 3 μ m。
2006-10-18 cond-mat.mes-hall
