Deep-blue light emitting diode based on defect variations of a 2D hybrid organic-inorganic low dimensional perovskite semiconductor
2D杂化有机-无机半导体（HOIS）是低成本的自组装半导体，由于其固有的稳定激子，即使在室温下也被证明对于新型光电子器件至关重要。2D HOIS相对于3D类似物是化学稳定的，但其固有的各向异性使其在器件（包括电致发光（EL）器件）中的实现复杂化。我们报告的合成，表征，阴极发光和EL的一个新的二维HOIS，（4-氟苯乙胺-H）2 PbBr 4，和它的缺陷变化（DVs）。后者，与原始材料相比，允许第一次通过在导电阳极基板上涂覆DV并使用Ga/In液滴阴极来简单制造原型蓝色EL器件。DV的优化可以导致改进的发光器件（LED），并且这里的工作预计将为利用HOIS DV提供激励，因为这些DV与工业规模合成兼容。与其薄膜容易提供EL的原始碘类似物相反，在仔细沉积后，只有DV或与MoS 2纳米尺寸片晶的混合物提供EL。这些表现出破坏微米级2D HOIS片晶的平面非导电性质的缺陷，通常平行于基板排列，从而提供电流流动的机制。最后，与使用未改性的胺相比，由于胺尾部之间的排斥，氟改性的胺的选择增强了DV作为LED材料的功能性，从而导致弱结合的稳定的装饰的2D无机片材。
2018-03-02 cond-mat.mtrl-sci
Electronic states and optical properties of GaAs/AlAs and GaAs/vacuum superlattices by the linear combination of bulk bands method
应用Wang，Franceschetti和Zunger [Phys.Rev.Lett.78，2819（1997）]最近提出的体能带线性组合方法，计算了（GaAs）$_n$ /（AlAs）$_n$和（GaAs）$_n$ /（真空）$_n$（001）超晶格（n = 4 ~ 20）的能带和光学常数.经验赝势用于计算体能带。量子限制的临界点能量的诱导位移进行了计算，并发现更大的GaAs/真空系统。吸收光谱中的$E_1$峰发生蓝移并分裂成两个峰，这是由于超晶格周期的减小;而对于大周期的GaAs/AlAs超晶格，发现$E_2$跃迁是分裂的。计算了GaAs/AlAs超晶格的能带对线性双折射的贡献，并与Sirenko等人[Phys.Rev.B60，8253（1999）]的实验结果进行了比较。的频率依赖的部分再现观察到的增加，减少超晶格周期，而计算的零频率双折射不占实验结果和点的重要性，局部场效应。
2001-03-16 cond-mat.mtrl-sci
Blue (In,Ga)N Light-Emitting Diodes with Buried n+-p+ Tunnel Junctions by Plasma-Assisted Molecular Beam Epitaxy
采用等离子体辅助分子束外延技术，在单晶Ga极性n+-GAN衬底上生长了由n+-p+ GAN隧道结、（In，Ga）N多量子阱和n+-GAN顶层组成的蓝光发光二极管（LED）。在p+-GAN上过度生长的（In，Ga）N MQW有源区在很宽的组合物范围内显示出化学突变和尖锐的界面，并被认为具有高的结构和光学性能，如X射线衍射和空间分辨阴极发光测量所证实的。经处理的LED显示出清晰的整流行为，具有低接触和掩埋隧道结电阻率。凭借具有低电阻的顶部n+-GAN层，在该器件结构中在低电流下观察到LED中的优异电流扩展。一些新的设备的可能性基于这种独特的设计进行了讨论。
2018-12-19 cond-mat.mtrl-sci physics.app-ph
Synergistical Electroluminescent Manipulation for Efficient Blue Perovskite Light-Emitting Diodes Through Interfacial Nucleation Seeding
具有蓝光发射的金属卤化物钙钛矿发光二极管（PeLED）的低效率阻碍了其在大面积全色显示和固态照明方面的潜在应用。对整个电致发光过程的精细控制对于克服蓝色PeLED的效率限制是必不可少的。在这里，我们展示了一种高效的器件架构，以协同减少电子-光子转换过程中的能量损失，并提高器件中捕获光的提取。提出了一种界面成核引晶方案来控制高发射钙钛矿纳米晶体的结晶过程，并抑制由于界面氢键相互作用引起的陷阱介导的非辐射复合损失。这种操作导致在486 nm处发射的蓝色PeLED的12.8%的创纪录的外部量子效率（EQE），以及改进的光谱稳定性和操作寿命。此外，在组合内部外耦合结构而没有光谱失真后，最大EQE达到16.8%，当在器件顶部使用基于透镜的结构时，EQE可以进一步提高到27.5%。我们期望我们的工作提供了一个有效的方法，其在高性能PeLED的应用。
2020-12-06 cond-mat.mtrl-sci physics.app-ph physics.optics
Optical properties of structurally-relaxed Si/SiO$_2$ superlattices: the role of bonding at interfaces
我们构建了Si/SiO $_2$超晶格的微观结构弛豫原子模型。详细研究了界面Si原子的结构畸变和氧化态特征。建立了界面Si氧化物在提高带隙和产生无色散能带中所起的作用。低氧化物原子被示出产生约1.60 μ m厚的突变界面层。在费米黄金法则水平的能带结构和光学吸收计算被用来证明，增加限制导致（a）直接带隙（b）在光谱中的蓝移，和（c）在阈值能量区域的吸收强度的增强。这种行为的某些方面不仅出现在与超晶格轴相关的对称方向上，而且出现在正交平面方向上。我们的结论是，与Si/Ge相比，Si/SiO $_2$超晶格显示出明显的光学增强和光谱向许多光电应用有用的区域的偏移。
2002-01-25 cond-mat.mtrl-sci
Anomalous Hall effect from inter-superlattice scattering in a noncollinear antiferromagnet
本文发现非共线反铁磁体Cr$_{1/4}$TaS$_2$中不同超晶格畴间的散射在Néel温度以下引发反常霍尔效应，揭示了通过微观磁交换相互作用图案化工程化宏观输运响应的新机制。
2024-11-15 cond-mat.mtrl-sci
A Comprehensive Model of the Degradation of Organic Light-Emitting Diodes and Application for Efficient Stable Blue Phosphorescent Devices with Reduced Influence of Polarons
我们提出了一个综合的模型来分析，定量和预测有机发光二极管（OLED）的退化过程，考虑到所有可能的退化机制，即，极化子，激子，激子-极化子相互作用，激子-激子相互作用，以及新提出的杂质效应。在降解过程中的效率损失作为淬灭剂密度的函数，密度和生成机制，其中提取使用的电压上升模型。将该模型应用于稳定的蓝色磷光OLED（PhOLED），结果表明该模型能很好地描述电压升高和外量子效率（EQE）损失，发光层（EML）中的猝灭剂主要由掺杂极化子产生.通过质谱法确认了淬灭剂的形成。通过控制发射极掺杂比降低了EML中每个掺杂剂分子的极化子密度，导致在初始亮度为500 cd/m2时的最高报告LT 50为431小时，CIEy<0.25，高外量子效率（EQE）> 18%。
2019-12-11 cond-mat.mtrl-sci physics.app-ph
Blue Organic Light-Emitting Diodes with External Quantum Efficiencies over 20% Based on Europium(II) Emitters
Technische Universität Dresden（德累斯顿工业大学）；beeOLED GmbH（beeOLED有限公司）
通过刚性氮杂冠醚配体设计，实现近统一光致发光量子产率的纯蓝光铕(II)配合物，并应用于真空蒸镀OLED，获得20.7%的外量子效率。
2026-06-26 cond-mat.mtrl-sci physics.app-ph
Spectrally-resolved hyperfine interactions between polaron and nuclear spins in organic light emitting diodes: Magneto-EL studies
我们利用光谱分辨磁致发光（EL）测量来研究有机发光器件中极化子和核自旋之间的超精细相互作用的能量依赖性。使用分层设备的基础上Bphen/MTDATA -一个著名的激基复合物发射体-我们表明，由于小的应用磁场的顺序为100 mT的EL发射强度$I$的增加是显着大于在高能量的EL光谱的蓝色端（dI/I ~11%）比在低能量的红色端（~4%）。同时，磁致发光曲线的宽度单调增加，从蓝色到红色，揭示了极化子和核之间的超精细耦合的增加，并直接提供洞察的能量依赖的空间范围和极化子的本地化。
2014-09-12 cond-mat.mtrl-sci
Understanding different efficiency droop behaviors in InGaN-based near-UV, blue and green light-emitting diodes through differential carrier lifetime measurements
GaN基发光二极管（LED）在高注入下的效率下降效应强烈地依赖于波长，这仍然没有得到很好的理解。本文通过对商业化的近紫外、蓝光和绿光LED的差分载流子寿命测量，将其不同的效率下降行为归因于不同的载流子寿命，这些载流子寿命随着波长的增加而延长。载流子寿命与InGaN量子阱中铟组分之间的这种关系被认为是由于极化诱导的量子限制斯塔克效应。长的载流子寿命不仅增加了载流子泄漏的概率，而且导致量子阱中的高载流子浓度。换句话说，在相同的电流密度下，近紫外LED的有源区载流子浓度最低，而绿光LED的有源区载流子浓度最高。如果考虑到效率下降取决于载流子浓度，不同波长的LED的行为没有表现出任何异常。该模型还解释了低温下效率下降严重的原因。在此基础上，讨论了克服效率下降的可能途径。降低载流子寿命似乎是解决这一问题的根本途径。
2016-11-23 cond-mat.mtrl-sci physics.optics
Blue-Light-Emitting Color Centers in High-Quality Hexagonal Boron Nitride
宽带隙半导体中的光发射体具有极大的基本兴趣，并且具有作为光学可寻址量子比特的潜力。在这里，我们描述了一个新的色心的发现，在高品质的六方氮化硼（h-BN）与尖锐的发射线在435 nm。发射器通过电子束照射被激活和去激活，并且具有与弱耦合到晶格振动的原子色心一致的光谱和时间特性。发射体明显不存在于市售的h-BN中，并且仅存在于使用高压、高温Ba-B-N熔剂/溶剂生长的超高质量h-BN中，这表明这些发射体来源于这种独特合成路线特有的杂质或相关缺陷。我们的研究结果意味着光发射被激活和钝化的杂质缺陷复合物的电荷状态的电子束操纵。
2019-09-06 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
Comparative Analysis of Current Component in InGaN-based Blue and AlGaInP-based Red Light-emitting Diode
本文旨在了解AlGaInP和InGaN LED器件的IQE和I-V曲线的表观特性。在分析中，我们利用IQE的信息将电流分为辐射电流和非辐射电流两部分。利用理想因子、S参数和适用于LED器件的修正肖克利二极管方程对各电流分量进行了细致的分析。通过分析发现，两种样品的各电流分量的特性基本相似，但辐射电流引起的电位降的物理来源和双注入电流引起的非辐射电流的量不同。与AlGaInP LED相比，InGaN LED具有更高程度的由有源区中的低复合率引发的电子溢出，从而导致效率下降和更高的工作电压。为了补救这一点，辐射复合率和/或有效体积应该进一步增加。
2017-05-24 cond-mat.mtrl-sci physics.app-ph
Microscopic origin of light emission in Al_yGa_{1-y}N/GaN superlattice: Band profile and active site
我们对AlGaN/GAN超晶格进行了第一性原理计算，阐明了发光的微观起源，揭示了量子阱中局域极化的影响.能带轮廓和电子、空穴的分布表明，在阱中存在一个主要的活性位，负责主要的带边发光。该位置出现在局部极化变为零的位置处。计算的光谱表明，电荷注入后，活性位带隙的展宽导致了发射波长的蓝移。
2009-07-22 cond-mat.mtrl-sci physics.comp-ph physics.optics
The Transfer Matrix Method and The Theory of Finite Periodic Systems. From Heterostructures to Superlattices
长周期系统和超晶格，加上额外的周期性，对能谱和波函数有新的影响。大多数方法都是对无限大系统的理论进行调整，这对于大而不是小数目的单元格$n$是可以接受的。在过去的30年中，发展了一种完全基于传递矩阵的理论，其中$n$的有限性是一个必要条件。有限周期系统（TFPS）理论也适用于任意数量的传播模式和任意的势分布（或折射率）。我们回顾这一理论，传输矩阵的定义，对称性，群表示，和散射振幅的关系。我们总结了多通道矩阵多项式的推导过程（在单传播模极限下可简化为切比雪夫多项式），谐振态的解析公式，能量本征值，本征函数，宇称对称性和离散色散关系，对于具有不同限制特性的超晶格。后显示的不一致性和局限性的混合方法，结合传输矩阵方法与Floquet定理，我们回顾了一些应用程序的TFPS多通道负电阻，弹道晶体管，通道耦合，自旋电子学，超光速和光学反物质效应。我们回顾了两个高分辨率的实验，使用超晶格：光子带隙中的隧穿时间和蓝色发光二极管的光学响应，并显示出非常准确的理论预测。
2021-11-20 cond-mat.mtrl-sci quant-ph
Improved optical transitions theory for superlattices and periodic systems; new selection rules
利用有限周期系统理论中得到的超晶格本征值$E_{μ,ν}^{c,v}$和本征函数$φ_{μν}^{c,v}(z) $，其中$μ$表示子带，$ν$表示子带内能级，我们计算了超晶格和周期系统中的光跃迁。基于本征函数宇称对称性，研究在以前的文件中，新的对称性选择规则（SSR）的推导和光致发光和红外光谱的不同类型的SL的计算。在Nakamura等人之前无法解释的蓝色发光器件中聚集在组中的窄峰现在已经完全理解。在我们在论文中讨论的各种性质和差异中，我们注意到许多实验上观察到但理论上禁止的跃迁现在是完全可能的。由于SSR所允许的矩阵元素的数量通常太大，我们致力于本文的第二部分表明，可以获得相同的频谱时，除了SSR，其他领导顺序的选择规则密切相关的子带内对称性的介绍。这些规则将矩阵评估的数量从$\sim n^2$ $n_cn_v/2$减少到$\sim n$ $n_cn_v/2$，即，取决于SL，从大约1000到100。我们还评论的第三个规则，拿起的表面和边缘状态的贡献，并表明，它进一步减少了过渡到$N_s\leq n_cn_v$的数量。利用这些规则，主峰是保守的，并且它们的数量实际上与实际光谱的数量相匹配。与实验结果的良好协议。
2016-09-15 cond-mat.mtrl-sci
Optical properties and exciton transfer between N-heterocyclic carbene iridium (III) complexes for blue light-emitting diode applications from first principles
本文从第一性原理研究NHC铱(III)配合物的光学性质与激子转移，揭示其激发伴随约0.7 eV重组能和振子强度损失，并分析了Förster与Dexter机制及带电配合物中可能导致激子-极化子猝灭的高速率跃迁。
2024-02-23 cond-mat.mtrl-sci physics.chem-ph physics.comp-ph
Probing Plasmonic Oscillations in 2D Moiré Nanocrystal Superlattices by Low-Loss EELS
University of Pennsylvania（宾夕法尼亚大学）；University of Washington（华盛顿大学）；SuperSTEM, SciTech Daresbury Science and Innovation Campus（超级扫描透射电子显微镜，科学技术达尔斯伯里科学与创新园区）；University of Leeds（利兹大学）
通过低损耗EELS研究二维莫尔纳米晶体超晶格中的等离子体振荡，揭示其与光学光谱的差异，强调EELS在理解纳米结构对集体电子性质影响中的作用。
2026-02-11 cond-mat.mtrl-sci
Eu-doped CsSrCl$_3$ Large Nanocrystal Clusters with Self-Reduction Effect and Near-Unity Quantum Yield
本研究针对卤化铕钙钛矿蓝色发光材料量子产率低、稳定性差的问题，提出一步法合成具有自还原效应的Eu²⁺掺杂CsSrCl₃大纳米晶团簇，经表面钝化后PLQY达约97%，为无铅蓝发光钙钛矿纳米晶最高值，外延ZnS壳层可显著提升稳定性，为无毒发光材料研究提供新方向。
2025-05-21 cond-mat.mtrl-sci
Interlayer decoupling in twisted bilayers of $β$-phosphorus and arsenic: a computational study
利用\textit{ab initio}计算方法，研究了蓝磷（$β$）和灰砷烯（$β$）叠栅超晶格的磁性和能带结构工程.在两个双层膜中，价带和导带边缘附近的电子态具有显著的$p_z$特征。因此，与最稳定的AA-堆叠相比，扭转层显著降低了层间轨道重叠，导致结合能降低（高达$\sim33\%$）和层间距离增加（高达$\sim10\%$）。这种层间解耦也导致扭曲双层的带隙的显著增加（高达$\sim$ 25-50\%），价带边缘变得相对平坦，状态密度中具有van-Hove奇异性。因此，空穴掺杂诱导Stoner不稳定性，导致铁磁基态，其在莫尔超晶格中比AA堆叠的$β$ -P和$β$ -As的铁磁基态更稳健。
2019-05-15 cond-mat.mtrl-sci
The role of triplet states in the emission mechanism of polymer light-emitting diodes
已知基于聚芴（PF）的发光二极管（LED）的蓝色发射由于低能量绿色发射而退化，这迄今为止归因于氧化缺陷。通过研究乙基-己基取代的PF LED在氧气存在下和在惰性气氛中的电致发光，并通过在聚合物中使用痕量的顺磁性杂质（PM），我们表明，三重态在低能量发射机制中起着重要作用。我们的含时多体研究表明，在PM存在下，电子-空穴复合过程中存在一个大的三重态形成截面，以及从激发单重态到三重态的系间跃迁.
2009-03-01 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.soft
Suppressed Defect Emission and Enhanced Blue Luminescence of Zn-Doped CuBr Quantum Dots synthesized in Room-Temperature Synthesis
University of Calicut（喀拉拉大学）；Indian Institute of Technology (Indian School of Mines)（印度理工学院（印度矿业学院））
本研究通过室温环保合成制备Zn掺杂CuBr量子点，抑制缺陷发射并增强蓝色发光，实现96.4%色纯度，为高效无毒蓝光材料提供可扩展策略。
2026-09-24 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
Localization landscape theory of disorder in semiconductors. III. Application to carrier transport and recombination in light emitting diodes
在经典的半导体输运漂移-扩散模型中引入了一种新的方法，通过局域化景观理论来解释量子无序效应。在无序系统中，量子限制和量子隧穿极大地改变了影响异质结垂直输运的能垒。此外，它们导致通过多个2D量子阱的无序能量的2D景观中的最小能量的路径的重复传输。该模型解决了载流子动力学与量子效应自洽，并提供了一个计算更快的求解器相比，薛定谔方程的分辨率。该理论还提供了一个很好的近似的状态密度的无序系统在整个范围内的能量需要考虑在室温下的运输。通过对具有组成材料波动的全氮化物基发光二极管（LED）结构的3-D模拟建模的电流-电压特性与高质量蓝光LED的实验行为密切匹配。该模型还允许精细的量子效应的载流子输运通过这种复杂的异质结构的分析。最后给出了不同量子阱中载流子布居和复合的详细情况。
2017-04-18 cond-mat.mtrl-sci
Unraveling the degradation mechanism in FIrpic based Blue OLEDs: II. Trap and detect molecules at the interfaces
有机发光二极管（OLED）在现代生活中的影响是通过其在全彩色，节能，平板显示器和智能屏幕中的广泛应用来证明的;在固态照明领域也有光明的前景。环化铱配合物是OLED中最常用的磷光发光体，这是由于它们广泛可调的电致物理性质和它们的通用合成。发蓝光的OLED遭受阻碍其长期稳定性的固有不稳定性问题。在计算研究的支持下，在这项工作中，我们研究了天蓝色发射体FIrpic在非原位和原位降解实验结合互补，相互独立，实验包括化学复分解反应，在液相和固态，热和光谱研究和LC-MS调查。我们开发了一种简单的方案来评估铱络合物中的降解途径，发现FIrpic通过失去吡啶甲酸酯辅助配体而降解。所得的铱片段随后作为BPhen衍生物1被有效地“原位”捕获。当适当设计的基于FIrpic的OLED被操作和老化时，发现该过程被很好地反映。在本文中，我们（i）描述了如何能够有效地研究OLED材料与一个小的一组容易获得的实验和（ii）证据的中心作用的捕获实验中的主机矩阵。
2019-12-04 cond-mat.mtrl-sci physics.app-ph physics.chem-ph
Mechanoluminescent MOF nanoplates: spatial molecular isolation of light-emitting guests in a sodalite framework structure
机械发光材料在纳米技术中有着广泛的应用前景，如基于光子学的传感器和智能光电子学。然而，机械发光金属有机框架（MOF）材料的实例在文献中相对较少。在本文中，我们提出了一种先前未描述的Guest@M0F系统，其包含二萘嵌苯@ZIF-8纳米片，<->当经受中等水平的机械诱导压力（~ 10 s MPa）时，所述二萘嵌苯@ZIF-8纳米片将经历可逆的442 nm-502 nm光电发射切换。通过高浓度反应（HCR）策略在环境条件下合成纳米片，以产生容纳高度发光的二萘嵌苯客体的结晶ZIF-8框架;后者被限制在ZIF-8的多孔方钠石笼内。值得注意的是，我们表明，在固态条件下，它是空间隔离和纳米分区的发光客人，赋予一个独特的解决方案，如在主客体组装测量的光学性能。我们阐明了如何通过机械改性底层纳米片的纳米级包装来实现可见光发射的可切换的红移或蓝移。理论计算表明，主机方钠石笼的弹性加上分子间的弱相互作用的受限的客人是巩固观察到的独特的机械发光行为。
2017-07-27 cond-mat.mtrl-sci
Core-level spectroscopy of Si/SiO_2 quantum wells: evidence for confined states
本文利用Si-2 p芯能级激发，对限制在非晶SiO_2势垒内的晶态Si薄膜的导电态进行了实验和理论研究。导带底附近的光谱峰与体硅光谱进行了比较。在Si量子阱中，发现导带底和低峰发生了蓝移，而所有高峰保持不变。实验结果得到了Si/SiO_2超晶格第一性原理结构模型计算结果的支持。实验结果表明，所有的导带偏移到一个给定的导带成为限制和蓝移，而那些在更高的能量不受限制，并进行没有移动。这些结果为Si/SiO_2结构的可见光发射特性强烈依赖于电子约束效应提供了明确的证据。
2002-08-27 cond-mat.mtrl-sci
CsPbBr3 Perovskites: Theoretical and Experimental Investigation on Water-Assisted Transition From Nanowire Formation to Degradation
胶体合成方法的最新进展导致对卤化物钙钛矿的研究增加。由于钙钛矿材料的高离子晶体结构，稳定性问题特别是对极性溶剂如水的稳定性问题。在这项研究中，我们调查水驱动的CsPbBr 3的结构演化进行实验和国家的最先进的第一性原理计算。可以看出，虽然光学图像显示在日光下黄色CsPbBr 3结构的逐渐降解，但UV照射揭示晶体的降解分两步进行：从蓝色发光结构过渡到绿色发光结构，然后从绿色发光相过渡到完全降解。我们发现合成的CsPbBr3纳米线在254 nm紫外光源下发出蓝光，在降解之前，首先CsPbBr3纳米线经历水驱动的结构转变，形成大束。还可以看出，这种束的形成提供了更长期的环境稳定性。此外，理论计算揭示了水分子与配体和CsPbBr 3表面的相互作用有多强，并提供了从配体覆盖的纳米线到束形成的过渡的原子级解释。绿光发射束与水的进一步相互作用导致CsPbBr 3的完全降解，并且光致发光信号完全猝灭。此外，拉曼和XRD测量显示，完全降解的区域分解为PbBr 2和CsBr前体。我们相信，这项研究的结果可能会提供进一步的洞察CsPbBr3钙钛矿的水降解机制。
2018-03-02 cond-mat.mtrl-sci physics.app-ph
Nanoscale imaging of reduced forward bias at V-defects in green-emitting nitride LEDs
Ecole Polytechnique（巴黎综合理工学院）；CNRS（法国国家科学研究中心）；IP Paris（巴黎理工学院）；University of California, Santa Barbara（加州大学圣塔芭芭拉分校）
研究绿色发光氮化物LED中V缺陷处正向偏压降低，用扫描隧道发光显微镜尖端作局部空穴注入器，以纳米级分辨率绘制V缺陷周围光电特性，证实电荷注入机制，观察到正向偏压降低及电致发光蓝移。
2026-07-09 cond-mat.mtrl-sci physics.app-ph
Theory and optimisation of radiative recombination in broken-gap InAs/GaSb superlattices
本文通过8带k·p理论计算InAs/GaSb超晶格电子结构，揭示载流子部分离域和微带形成对辐射复合系数B的调控机制，并在3.5–7 μm波长范围内高通量优化室温B系数，为中红外发光器件设计提供指导。
2023-10-27 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
Vertical cavity surface emitting laser action of an all monolithic ZnO-based microcavity
报道了一种全单片ZnO基垂直腔面发射激光器（VCSEL）在光泵浦下的室温激光行为。VCSEL结构由8个ZnO/Zn（0.92）Mg（0.08）O量子阱嵌入外延生长的Zn（0.92）Mg（0.08）O/Zn（0.65）Mg（0.35）O分布布拉格反射器（DBR）中的2λ微腔组成。作为一个先决条件，设计和生长的高反射率的DBR基于ZnO和（Zn，Mg）O的光学器件工作在紫外和蓝绿色光谱范围进行了讨论。
2011-01-10 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci physics.optics
New approach to study light-emission of periodic structures. Unveiling novel surface-states effects
提出了一种精确计算周期结构光学响应的方法。利用超晶格本征函数和能量本征值、本征函数宇称对称性、子带对称性和分离表面能能级，我们报道了新的光跃迁选择规则和显式的光响应计算。观察到的过渡，被认为是禁止的，成为允许和有趣的光谱效应出现的指纹内的子带和表面状态。Nakamura等人在高分辨率蓝色激光光谱中观察到的无法解释的基团和孤立的窄峰，现在得到了充分的解释和忠实的再现
2016-12-28 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
Effects of dislocation filtering layers on optical properties of third telecom window emitting InAs/InGaAlAs quantum dots grown on silicon substrates
本文研究了在硅衬底上直接生长的1.5微米发光InAs/InGaAlAs量子点结构，通过引入应变超晶格等不同位错缺陷过滤层缓解晶格失配，并结合光谱技术与理论计算评估其光学质量，确定了最优过滤层组合及其在宽调谐器件等领域的应用潜力。
2024-03-20 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci physics.app-ph
Electrochemically-stable ligands bridge photoluminescence-electroluminescence gap of quantum dots
胶体量子点是一种很有前途的电致发光器件。虽然已经合成了具有高效和稳定的光致发光的量子点，但在QLED中继承其优异的发光仍然具有挑战性。这通常归因于器件中的不平衡电荷注入和/或界面激子淬灭，而不是缺乏合适的QD材料。这里，QLED中的一般但先前被忽视的退化通道，即，表面配体与注入的载流子的操作电化学反应，是在系统研究了核/壳量子点和配体的各种组合之后确定的。将电化学惰性配体应用于高度光致发光的量子点，以弥合其光致发光-电致发光的间隙。这种材料设计原理通常用于提高QLED的电致发光效率和寿命，导致红色发光QLED（在1000 cd m-2下T95 > 3800小时）和蓝色发光QLED（在100 cd m-2下T50 > 10，000小时）的创纪录长的工作寿命。我们的研究为量子点在光电和电子器件中的应用提供了重要的指导。
2019-10-21 cond-mat.mtrl-sci physics.app-ph
