Magnetostrictive Neel ordering of the spin-5/2 ladder compound BaMn2O3: distortion-induced lifting of geometrical frustration
本文用热力学和衍射技术研究了BaMn $_2$ O $_3$的晶体结构和磁性。BaMn $_2$ O $_3$是$S = 5/2$自旋阶梯的实现，因为磁性相互作用沿着形成阶梯的腿和横档的180个$^\circ$ Mn-O-Mn键占主导地位。的磁化率的温度依赖性表现出良好定义的最大值为所有方向证明低维磁字符在BaMn $_2$ O $_3$。然而，磁化率和粉末中子衍射数据表明，BaMn $_2$ O $_3$在184 K时表现出向反铁磁有序的转变，尽管在正交高温相中最近邻的梯间耦合完全受挫。这种挫败感被伴随着磁性转变的非常强烈的单斜畸变所解除。
2010-10-07 cond-mat.str-el
From Hunds insulator to Fermi liquid: Optical spectroscopy study of K doping in BaMn$_2$As$_2$
我们提出的光传输测量，揭示了0.86 eV的电荷间隙在本地矩反铁磁绝缘体BaMn $_2$作为$_2$，一个数量级大于以前报道的。密度泛函理论加上动力学平均场论（DFT+DMFT）计算正确地再现这个电荷间隙时，只有考虑到一个强大的洪德耦合。因此，BaMn $_2$ As $_2$是作为Mott-Hund绝缘体的更广泛种类的Mn磷属元素化物化合物的成员。我们还提出了金属2% K掺杂的BaMn $_2$作为$_2$，我们用来提取在不同温度下的光学电导率的光学反射率。光学电导率$σ_1$（$ω$）表现出金属响应，这是很好地描述了一个简单的德鲁德项。$σ$（$ω$ $\rightarrow$ 0，T）和$ρ$（T）都表现出费米液体温度依赖性。从这些测量，我们认为，一个更强的相关洪德的金属版本的铁pnictide超导体的母体化合物尚未实现通过掺杂这一类的洪德的绝缘体。
2015-09-22 cond-mat.str-el
CsMn$_4$As$_3$: A layered tetragonal transition-metal pnictide compound with antiferromagnetic ground state
本文报道了一种新的层状四元化合物CsMn $_4$ As $_3$（结构：KCu $_4$ S $_3$ -型，空间群：$P4/mmm$，No.123和$Z = 2$）的合成和性质.该材料是一种小带隙半导体，并表现出与Mn自旋相关的反铁磁基态。该化合物在150（5）K处表现出明显的磁矩倾斜事件，倾斜角为$\approx 0.3^{\circ}$。虽然，这种新化合物的磁特性的一些特征在性质上类似于相关的BaMn $_2$作为$_2$，但这两种材料的基本Mn亚晶格是完全不同的。虽然BaMn $_2$作为$_2$中的Mn正方晶格层沿着$c$方向以层间距离$d_{\rm L\,Ba} = 6.7341(4)$ Ang等间距分布，Mn亚晶格在CsMn $_4$ As $_3$中形成双层，其中层间距离在双层$d_{\rm L\,Cs} = 3.1661(6)$ Ang内。和两个相邻双层之间的距离$d_{\rm B} = 7.290(6)$ Ang.与BaMn $_2$ As $_2$和其他相关的122种化合物（包括众所周知的铁砷化物超导体母体化合物BaFe $_2$ As $_2$）相比，Mn亚晶格中的这种差异必然会显着改变J1-J2-Jc模型中$J_{1}$、$J_{2}$和$J_{c}$交换相互作用之间的能量平衡。由于其过渡金属亚晶格的新颖性，这种与铁基超导体相关的四方晶系材料家族的新成员…
2019-04-09 cond-mat.str-el
A comparative study of the electronic and magnetic properties of BaFe_2As_2 and BaMn_2As_2 using the Gutzwiller approximation
为了阐明过渡金属离子在磷属元素化物材料中所起的作用，我们比较了BaFe_{2} As_{2}和BaMn_{2} As_{2}的电子和磁性。为此，我们采用LDA+Gutzwiller方法来分析这两个系统的质量重整化和有序磁矩的大小。我们研究了一个模型，包含所有五个过渡金属3d轨道连同Ba-5d和As-4p状态（ddp模型），并比较这些结果与向下折叠模型，由Fe/Mn d-状态（d模型）。电子关联处理使用多带Gutzwiller近似。用LDA+Gutzwiller方法结合电子密度自洽对顺磁相进行了研究。在顺磁相中的关联Mn 3d轨道的重整化因子一般小于BaFe_{2} As_{2}，这表明BaMn_{2} As_{2}比BaFe_{2} As_{2}具有更强的电子关联效应.与d-模型相比，ddp模型的结果向J侧耦合的Hund规则的系统偏移表明，主要As 4p电子对Fe/Mn 3d电子的屏蔽效应是明显的。对于实验磁矩小的BaFe_{2} As_{2}模型，随着J的增加，从顺磁态到反铁磁基态的跃迁逐渐增加;而对于实验磁矩大的BaMn_{2} As_{2}模型，随着J的增加，从顺磁态到反铁磁基态的跃迁则急剧增加.这两个系统之间的关键区别是d级占领。BaMn_{2} As_{2}，每个Mn原子大约有5个d-电子，对于相同的电子相关值，比BaFe_{2} As_{2}更接近到Mott绝缘态的跃迁…
2011-09-13 cond-mat.str-el
Metal-insulator transition in antiferromagnetic $Ba_{1-x}K_xMn_2As_2$ $(0\le x\le0.4)$ single crystals studied by $^{55}$Mn and $^{75}$As NMR
用~（55）Mn和~（75）As核磁共振（NMR）研究了反铁磁BaMn_2As_2和Ba_（1-x）K_xMn_2As_2单晶的磁结构和金属-绝缘体转变。在母体原子力显微镜绝缘体BaMn_2As_2（Neel温度TN = 625 K）中，我们观察到了55 Mn零场NMR（ZFNMR）谱，并从TN以下的55 Mn谱和75 As-NMR谱的场依赖性证实了G型原子力显微镜结构。在x > 0.01的空穴掺杂晶体中，观察到类似的55 Mn ZFNMR谱，并且AFM状态被揭示为直到x = 0.4都是稳健的，其中有序矩几乎与x无关。掺杂样品中两个核的核自旋-晶格弛豫速率（1/T1）遵循Korringa关系T1 T = const.，表示金属状态。这证实了AFM有序局域Mn自旋和导电载流子从微观的角度来看共存。从两个核的（T1 T）^（-1/2）的x依赖性，我们得出结论，这种跃迁是由于从金属侧接近跃迁时空穴浓度消失引起的。
2013-10-21 cond-mat.str-el
Spin wave approach to the two-magnon Raman scattering in an J1x-J1y-J2-Jc antiferromagnetic Heisenberg model
在自旋波理论的框架下，研究了四方晶格上J1 x-J1 y-J2-Jc海森堡模型的（pi，pi）和（pi，0）有序反铁磁相的双磁振子非共振喇曼散射.讨论了各种调谐因子对双磁振子拉曼光谱的影响。我们发现，在（pi，pi）Neel有序相中，磁阻挫J_2/J_1和层间交换耦合J_c对B_1g和A_1g ′通道的光谱都有显著的影响。此外，我们发现在（π，0）反铁磁相的双磁振子峰分裂。我们进一步讨论了我们的研究结果的BaMnBi 2和铁磷属元素化物系统的影响。
2015-10-12 cond-mat.str-el
A slave-fermion gauge-theory approach of the t-J model: Doping-induced complex magnetic structure and Z$_{2}$ spin-gapped anomalous metal in an antiferromagnetic doped Mott insulator
基于t-J模型的从费米子方法，我们重新研究了掺杂反铁磁莫特绝缘体，其中反铁磁自旋涨落和掺杂空穴分别用玻色子和费米子子描述.早期的研究已经表明，掺杂反铁磁莫特绝缘体的有效场论由电荷动力学的非相对论费米子（holon）U（1）规范理论和自旋动力学的相对论玻色子（自旋子）U（1）规范理论给出，因此允许玻色子自旋子从反铁磁状态间隙的异常金属相，类似于t-J模型的从玻色子方法中的U（1）自旋液相。我们认为，在这种方法中涌现的U（1）规范结构是基于一个简化的图片反铁磁关联。考虑到掺杂空穴的动力学行为会破坏共线反铁磁自旋组态，我们证明了掺杂空穴增强了铁磁自旋关联，并导致了复杂的磁结构。这种复杂自旋织构的存在将U（1）规范结构降低到Z $_{2}$，因此对于低温下的自旋能隙非费米液态金属，由于不存在无能隙U（1）规范涨落，因此有效场论结果不同。
2008-11-17 cond-mat.str-el
Thermal conductivity of Mg-doped CuGeO_3 at very low temperatures: Heat conduction by antiferromagnetic magnons
在0.28K以下的极低温度下测量了纯CuGeO_3单晶和掺Mg的CuGeO_3单晶的热导率κ。掺杂样品在最低温度下比纯样品携带更大的热量。这是因为在掺杂样品中出现了反铁磁振子，并负责额外的热导率，而纯样品的κ代表在如此低的温度下的声子电导率。磁振子的最大能量估计远低于自旋佩尔斯带隙能量。这一结果首次给出了κ在极低温度下探测自旋带隙系统中无序诱导反铁磁相的磁振子输运的例子。
2000-04-21 cond-mat.str-el
Charge Density Distributions in Doped Antiferromagnetic Insulators
在Faddeev-Niemi模型的软变体框架下，我们研究了平面反铁磁绝缘体欠掺杂态下电荷密度纳米级组态的形式。它示出，有这样的掺杂水平和温度范围内，在封闭的准一维结构的形式的电荷密度分布是更优选的。
2003-02-13 cond-mat.str-el
Theory for Slightly Doped Antiferromagnetic Mott Insulators
从具有反铁磁序的二维Mott绝缘态出发，提出了一种描述轻微掺杂空穴或电子的莫特绝缘体低能态的试探波函数.随着状态的行为像带电准粒子与定义良好的动量，观察到一个刚性带。这些状态的配对相关性比以前研究的少得多。小费米补丁获得的高Tc铜氧化物掺杂轻空穴或电子与最近的实验是一致的。讨论了非相干态和自旋袋态。使用这些波函数，精确计算得到的一些结果被再现。
2002-10-03 cond-mat.str-el
Spin-gapped incoherent metal with preformed pairing in the doped antiferromagnetic Mott insulator
我们研究了反铁磁莫特绝缘体如何通过空穴掺杂演化为d波BCS超导体。在强耦合方法中考虑自旋涨落，我们发现了一个自旋能隙的非相干金属作为反铁磁莫特绝缘体和d波超导体之间的中间相。这种非费米液态金属在自旋分解规范理论中被认为是红外稳定的固定点，类似于从玻色子规范理论中的自旋液体绝缘体。我们考虑了反常金属相的单粒子能谱和动态自旋极化率，并讨论了其物理意义。
2007-08-13 cond-mat.str-el
Fermi surface reconstruction in hole-doped t-J models without long-range antiferromagnetic order
我们计算了正方形晶格上空穴掺杂、扩展t-J模型中电子的费米面，其中不存在长程反铁磁有序，也没有对称性被破坏。使用“自旋-掺杂”形式主义的里贝罗和温，我们表明，短程反铁磁相关导致重建的费米表面成孔口袋不一定集中在反铁磁布里渊区边界。由费米面包围的布里渊区面积与远离半填充的掺杂剂的密度成比例，这与计算总电子密度的传统Luttinger定理相反。这种状态实现了一个“Fractionalized费米液体”（FL*），这已被提出作为一个可能的基态的欠掺杂铜氧化物，我们注意到最近的实验连接。我们还讨论了从FL ~* 态到具有长程反铁磁序的费米液态的量子相变。
2012-02-17 cond-mat.str-el
Orbital Ordering Induced Antiferromagnetic Spin Fluctuations in the Ferromagnetic State of 50 % Hole-doped Manganites: Pr{1/2}Sr{1/2}MnO3 and Nd{1/2}Sr{1/2}MnO3
报道了空穴掺杂50%的锰氧化物Pr{1/2}Sr{1/2} MnO 3和Nd{1/2}Sr{1/2} MnO 3的自旋动力学的非弹性中子散射结果。在顺磁相，这些系统表现出脊型漫散射，表明二维铁磁（FM）的相关性。随着温度的降低，系统进入FM状态，但同时它们发展出A型反铁磁自旋涨落。FM态的自旋波色散是强各向异性的。这些行为可以一致地解释从潜在的轨道排序的观点。
1998-08-26 cond-mat.str-el
Magnetic properties of lightly doped antiferromagnetic YBa$_{2}$Cu$_{3}$O$_{y}$
本工作解决YBa $_{2}$ Cu $_{3}$ O $_{y}$在掺杂低于x=6%，其中该化合物是共线反铁磁体。在该区域中，YBa $_{2}$ Cu $_{3}$ O $_{y}$是在零温度下具有有限电阻率的正常导体。零温时的交错磁化强度为0.6μ B，这是自旋量子涨落所允许的最大值。交错磁化几乎与掺杂无关。另一方面，Neel温度从x=0时的T_N=420K迅速衰减到x = 0.06时的几乎为零。本文解释了这些显着的性能，并表明，从物理的轻掺杂莫特绝缘体与小孔口袋的属性结果。核四极共振数据进行了讨论。这些数据揭示了x <6%时反铁磁有序稳定性的机制。
2011-05-11 cond-mat.str-el
NiS - An unusual self-doped, nearly compensated antiferromagnetic metal
NiS在低温下具有许多不寻常的性质，表现出一阶跃迁的教科书例子，在过去的几十年里，人们对其基态的描述相互矛盾。我们计算这些物理性质的第一原理方法的基础上的密度泛函理论，并最终建立，所有的实验数据可以理解的一个相当不寻常的基态的NiS，最好的描述为自掺杂，近补偿，反铁磁金属，解决了古老的争议。我们追踪这种新的基态的起源的具体细节的晶体结构，能带色散和一个相当大的库仑相互作用强度，仍然是亚临界驱动系统的绝缘状态。我们还展示了如何特定的反铁磁结构是一个后果，较少讨论的90度和小于90度的超交换相互作用内置于这样的晶体结构。
2013-11-28 cond-mat.str-el
Crossover from impurity-induced ordered phase to uniform antiferromagnetic phase under hydrostatic pressure in the doped spin-gap system TlCu$_{1-x}$Mg$_x$Cl$_3$
用磁化强度测量方法研究了TlCuPDMATHABMM MgPDMATHABMN Cl $_3$在静水压下的磁相变.母体化合物TlCuCl $_3$是一个耦合的自旋二聚体系统，在$P_{\rm c} = 0.42$ kbar压力下，由于能隙的收缩，它经历了从带隙基态到反铁磁态的压力诱导量子相变.在常压下，本掺杂体系在$T_{\rm N}=2.5$ K下表现出杂质诱导的磁有序。随着压力的增加，$T_{\rm N}$增加。这是因为未成对自旋之间的有效交换相互作用$J_{\rm eff}$通过间隙的收缩而增强。随着压力的进一步增加，由于完整的二聚体中的三重态能隙的闭合，本系统经历了向均匀的反铁磁相的相变。在$P \simeq 1.3$ kbar时，杂质诱导的有序相转变为均匀的反铁磁相。
2006-07-19 cond-mat.str-el
Antiferromagnetic states and phase separation in doped AA-stacked graphene bilayers
我们研究了AA-堆叠石墨烯双层膜的电子性质。在单粒子近似下，这样的系统有一个电子带和一个空穴带穿过费米能级。如果双层是未掺杂的，这些带的费米面重合。这种能带结构相对于一组自发对称性破坏是不稳定的。特别是，强烈的库仑排斥稳定反铁磁秩序。在小掺杂和低温下，均相是不稳定的，并且经历相分离成未掺杂的反铁磁绝缘体和金属。金属相可以是反铁磁（公度或不公度）或顺磁，这取决于系统参数。我们推导出系统在掺杂温度平面上的相图，发现在一定条件下，从顺磁到反铁磁相的转变可能表现出再进入。当存在无序时，相分离可以表现为掺杂驱动的绝缘体-金属相变。
2013-05-02 cond-mat.str-el
Stability of the doped antiferromagnetic state of the t-t'-Hubbard model
次近邻跳跃项t'通过强烈抑制带内粒子-空穴过程，使掺杂哈伯德模型的AF态相对于序参量的横向扰动稳定.对于固定符号的t '，发现这种稳定化对于电子和空穴掺杂是显著不同的，这定性地解释了在电子掺杂（Nd_{2-x} Ce_{x} CuO_{4}）和空穴掺杂（La_{2-x} Sr_{x} CuO_{4}）的铜酸盐中观察到的AF状态的鲁棒性程度的差异。对于t'项的两个符号，得到了t'-U相图，显示了掺杂反铁磁体的稳定性和不稳定性的不同区域。掺杂显示出抑制由于竞争相互作用J '引起的t'-诱导的挫折。对金属AF态横向自旋涨落的研究表明，磁振子衰变为粒子-空穴激发态，产生了一个有趣的低能磁振子阻尼结果：\sim ω。
2001-12-24 cond-mat.str-el
Third-order strong-coupling impurity solver for real-frequency DMFT: Accurate spectral functions for antiferromagnetic and photo-doped states
University of Fribourg（弗里堡大学）；DGIST（大邱科学技术院）
本文提出了一种实频三阶强关联杂质求解器，用于高精度计算铁磁性和光掺杂态的谱函数，为DMFT研究提供新的方法工具。
2025-11-11 cond-mat.str-el
Magnetic polarons in doped 1D antiferromagnetic chain
研究了一维反铁磁链中掺杂非磁性施主杂质的磁性极化子（铁子）的结构。假设传导电子被杂质束缚。这样的链可以被描述为一组在反铁磁背景下的铁子。我们发现，两种类型的铁可以存在于系统中。链的基态对应于杂质附近电子局域长度量级的铁子。第二类费子在链中产生更广泛的自旋扭曲。它们在系统参数的有限域内是稳定的，并且可以被视为高于基态的激励。处于激发态的铁电子只能成对出现。激发态的能量随杂质密度的增加而降低。这可以被解释为一个有吸引力的相互作用之间的Ferrons的表现。
2003-09-15 cond-mat.str-el
Stability of the Antiferromagnetic State in the Electron Doped Iridates
铱酸盐如Sr $_2$ IrO $_4$由于在大的自旋轨道耦合驱动下形成Mott绝缘态而引起相当大的兴趣。然而，与长冈定理的预期相反，即单个掺杂空穴或电子在大U极限下破坏半填充哈伯德模型的反铁磁性（AFM）状态，反铁磁性在掺杂的铱酸盐中对于超过半填充的大掺杂剂浓度持续存在。利用正方晶格上的第三近邻（$t_1$，$t_2$，$t_3$，$U$）哈伯德模型对J $_{\rm eff}$ = 1/2态的紧束缚描述，研究了在强耦合极限下AFM态形成自旋螺旋态的稳定性.第三近邻相互作用$t_3$对于描述电子掺杂体系的费米面是非常重要的。在参数空间中的相图获得的AFM状态的稳定区域。我们的研究结果定性地解释了在电子掺杂的铱酸盐（如Sr $_{2-x}$ La $_x$ IrO $_4$），在许多实验中观察到的AFM状态的鲁棒性，其中AFM状态继续是稳定的，直到一个关键的掺杂剂浓度。
2018-04-17 cond-mat.str-el
Disorder effects on hot spots in electron-doped cuprates
在二维反铁磁波动导致在所谓的热点与电子掺杂的铜氧化物的赝能隙的光谱重量的减少。在二维哈伯德模型中，当自旋相关长度超过热德布罗意波长时，即满足Vilk判据时，这些热点就会出现。使用两粒子自洽的方法，在这里，我们表明，这个标准可能会违反附近的反铁磁量子临界点时，足够的无序添加到模型。静态无序减少非弹性散射，与Matthiessen规则相矛盾，导致量子临界点位置的偏移和热点出现条件的修改。这为研究电子掺杂铜氧化物中无序、反铁磁涨落和超导性之间的相互作用开辟了道路。
2022-06-26 cond-mat.str-el
Electronic state of a doped Mott-Hubbard insulator at finite temperatures studied using the dynamical mean-field theory
利用动态平均场论研究了掺杂Mott-Hubbard绝缘体的电子态。作为掺杂的函数的有限温度谱函数的演变显示在反铁磁和顺磁相的光谱权重的大的重新分布。特别是，金属反铁磁态的低频Slater分裂准粒子峰与Hubbard带共存。在高温顺磁金属相中，在减少掺杂时，系统具有通过"坏金属“状态的交叉，其特征在于准粒子峰远离费米能的异常位移。我们发现，{ \it电荷}的反铁磁金属的压缩性显着增强后，接近二阶Néel线。
2006-04-06 cond-mat.str-el
ARPES Spectral Function in Lightly Doped and Antiferromagnetically Ordered YBa2Cu3O{6+y}
当掺杂量低于6%时，YBa_2Cu_3O {6+y}为共线反铁磁体。不考虑掺杂，零温交错磁化强度约为0.6μ B.这是局域自旋的量子涨落所允许的磁化强度的最大值。在这种低掺杂状态下，化合物是在零温度下具有有限电阻率的正常导体。这些实验观测为理论执行电子光谱函数的受控计算创造了独特的机会。在目前的工作中，我们进行此计算的扩展t-J模型的框架内。正如人们所预期的那样，费米表面由中心位于（π/2，π/2）的小孔口袋组成。电子谱函数具有很强的各向异性，最大强度位于袋的内部，而在袋的外部具有很小的强度。我们还发现反铁磁关联作用于双层膜的键-反键劈裂，破坏了它，双层膜的费米面劈裂几乎为零。
2011-08-19 cond-mat.str-el
Toroid Current States in Doped Antiferromagnetic Insulators
本文已被撤回，由于第一作者的要求，从作者名单中排除他的名字，并充分激励反铁磁绝缘体的所用模型的应用。
2005-04-27 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Field induced first order antiferromagnetic to ferromagnetic transition in Al-doped CeFe$_2$: a calorimetric investigation
研究了Ce（Fe $_{0.094}$ Al $_{0.04}$）$_2$多晶样品在固定温度下的场致热容变化，以确定场致一级相变的起源。在4.5K和3.5K下的热容在不同的场循环中表现出滞后，原始曲线停留在包络曲线之外。这类似于在该系统中观察到的磁化和磁阻行为，其中磁滞的量和零场不可逆性的大小分别归因于过冷/过热的程度，以及在场减少循环中从铁磁到反铁磁状态的反向转变的动力学停滞的程度。然而，相反的磁化和磁阻，在热容量这两个功能都随着温度的降低而降低，这意味着结构贡献的重要性。
2005-08-30 cond-mat.str-el
Two-impurity Kondo effect in potassium doped single-layer p-sexiphenyl films
我们发现，在金基底上自组装的钾（K）掺杂的单层对六苯基（PSP）薄膜相是研究双杂质Kondo模型的良好平台。在与其他分子分离良好的掺K PSP分子上，我们发现了一个近藤共振峰，其近藤温度约为30 K。当附近存在另一个K掺杂的PSP分子时，Kondo共振峰分裂，并且分裂随着分子间距离的减小而逐渐增加，没有相变的迹象。我们的数据表明，如何近藤单线态逐渐演变成反铁磁单线态，由于近藤屏蔽和反铁磁RKKY耦合之间的竞争，在双杂质近藤模型中描述。有趣的是，反铁磁单线态在温度升高时很快被破坏，并在远低于近藤温度的情况下转变回近藤单线态。我们的实验结果为双杂质近藤模型的相关理论和计算提供了全面的描述和定量的约束。
2021-09-06 cond-mat.str-el
Magnetic quantum oscillations in doped antiferromagnetic insulators
在任意方向的外磁场中，对二维反铁磁绝缘体中电子（空穴）的能谱进行了量子化。发现了de Haas-van Alphen（dHvA）或Shubnikov-de Haas（SdH）磁振荡振幅与磁化方向的面内方位角和面外方向的极角的特殊关系，该关系可作为掺杂Mott-Hubbard、自旋密度波（SDW）和常规带结构绝缘体中反铁磁序的灵敏探针.
2008-03-17 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
A Hubbard exciton fluid in a photo-doped antiferromagnetic Mott insulator
本文利用超快太赫兹电导率在光掺杂反铁磁莫特绝缘体Sr₂IrO₄中首次实验观测到哈伯德激子流体的瞬态形成，发现其寿命约1皮秒且与莫特能隙呈指数标度关系，揭示了与磁振子模式的强耦合。
2025-05-08 cond-mat.str-el
Theory of the Lightly Doped Mott Insulator
本文提出了适用于大U/t、远离半填充的小掺杂和短程反铁磁自旋关联的哈伯德模型的理论。尽管没有任何对称性破缺，费米面还是以（π/2，π/2）为中心的椭圆形空穴袋的形式，其体积与空穴浓度成比例。短程反铁磁关联使得最近邻跳跃几乎无效，因此只有第二或第三最近邻跳跃对色散关系有明显的贡献。
2010-05-22 cond-mat.str-el
Interplay between magnetic and superconducting fluctuations in the doped 2d Hubbard model
利用动力学顶点近似和Parquet近似研究了正方形晶格上的哈伯德模型。这些方法使我们能够无偏地描述粒子-空穴通道中的自旋涨落和库珀子通道中的超导涨落的相互干扰。对于小的掺杂，我们发现占主导地位的可伸缩的反铁磁自旋和d波超导波动;对于较大的掺杂不相称的反铁磁自旋波动是伴随着三重态s波超导波动。
2022-02-17 cond-mat.str-el
Onset of metallic ferromagnetism in a doped spin-orbital chain
从掺杂锰氧化物的自旋轨道模型出发，在一维模型中研究了有限温度下铁磁序与反铁磁序之间的竞争。在半填充的磁性和轨道顺序相互支持，并依赖于一个小的反铁磁超交换之间的t_{2g}自旋和交替的Jahn-Teller电位。在有限掺杂下，向金属铁磁相的过渡被Jahn-Teller势部分抑制，该势可能使电子局域化。
2005-01-12 cond-mat.str-el
Stripe disorder and dynamics in the hole-doped antiferromagnetic insulator La5/3Sr1/3CoO4
我们报告的La 5/3Sr 1/3CoO 4，最近被证明有沙漏磁激发光谱的材料的条纹相的动力学的调查。磁化率，μ子自旋弛豫和核磁共振测量的组合强烈表明，物理是由电荷和自旋条纹的受抑磁自由度在高温下是强烈动态的，并冻结在一个玻璃态的方式，随着温度降低的无序配置。我们的研究结果广泛证实了最近的理论预测，但表明，电荷淬火仍然不完全低于电荷有序温度，并揭示，详细的方式，其中磁自由度被冻结。
2014-01-16 cond-mat.str-el
Global phase diagram of a doped Kitaev-Heisenberg model
用SU（2）从玻色子平均场方法研究了掺杂Kitaev-Heisenberg模型的全局相图。如You { \it et al.}所报道的，在Kitaev极限附近，打破时间反演对称性的p波超导态是稳定的。[Phys. Rev. B { \bf 86}，085145（2012）]，而不管Kitaev相互作用的符号。通过进一步掺杂，当Kitaev相互作用是反铁磁时，出现d波超导态，而当Kitaev相互作用是铁磁时，出现另一个p波超导态。这种p波超导态并没有打破Hyart { \it et al.}报道的时间反演对称性。[Phys. Rev. B { \bf 85}，140510（2012）]，并且当反铁磁Kitaev相互作用和铁磁Heisenberg相互作用竞争时也出现这样的超导状态。这项工作，因此，演示了明确的区别之间的反铁磁Kitaev模型和铁磁Kitaev模型时，载流子掺杂，而这些模型是等效的，在未掺杂的限制，以及如何新的超导态时，Kitaev相互作用和海森堡相互作用的竞争出现。
2013-02-25 cond-mat.str-el
Bond disorder and breakdown of ballistic heat transport in the spin-1/2 antiferromagnetic Heisenberg chain as seen in Ca-doped SrCuO2
研究了S=1/2反铁磁海森堡链材料Sr_{1-x} Ca_xCuO_2中弱键无序对自旋热输运的影响.我们观察到磁热导率kappa_mag的剧烈抑制，即使在微小的无序水平（即，钙掺杂水平），在形成鲜明对比，以前的研究结果为kappa_mag的S=1/2的二维正方形晶格和两个腿的自旋梯系统，在那里类似的键无序没有影响kappa_mag。因此，我们的研究结果支持的特殊作用的可积性的S=1/2 AFM海森堡链模型，并建议键无序有效地破坏弹道性质的热输运。我们进一步表明，kappa_mag的抑制被捕获的有效的自旋-杂质散射长度，表现出相同的掺杂依赖性的自旋-自旋相关的长距离指数衰减长度确定的密度矩阵重整化群计算。
2011-12-13 cond-mat.str-el
Electron doped layered nickelates: spanning the phase diagram of the cuprates
Pr $_4$ Ni $_3$ O $_8$是空穴掺杂层状铜酸盐的过掺杂类似物。在这里，我们通过从头计算表明，Ce掺杂的Pr $_4$ Ni $_3$ O $_8$（Pr $_3$ CeNi $_3$ O $_8$）具有相同的电子结构的反铁磁绝缘相的母体铜酸盐。我们发现，大量的铈掺杂应该是稳定的，其他4+阳离子将产生类似的反铁磁绝缘状态，认为这种配置是强大的层状镍酸盐的足够低的化合价。在不同的$d$填充的铜酸盐的类比表明，接近1/8的中间Ce掺杂浓度应该是一个合适的地方，在这些低价Ni氧化物中寻找超导电性。
2017-05-03 cond-mat.str-el
From antiferromagnetic insulator to correlated metal in pressurized and doped LaMnPO
超导技术的广泛采用需要发现具有增强性能的新材料，特别是更高的超导转变温度T $_{c}$。在铜酸盐和重费米子、有机导体和内嵌掺杂富勒烯等多种材料中意外发现了高T $_{c}$超导性，这表明最高T $_{c}$发生在压力或掺杂将反铁磁绝缘体中的定域和带矩电子转变为巡游和弱磁性金属时。铁基超导体中没有这种离域转变可能会限制它们的T $_{c}$ s，但在它们的同构Mn类似物中甚至可能有更大的T $_{c}$ s，它们是反铁磁绝缘体，如铜酸盐。通常认为，需要过大的压力来抑制这些Mn基化合物中的强洪德规则耦合，使绝缘间隙塌陷并实现超导性。事实上，没有Mn基化合物是已知的超导体。这里提出的电子结构计算和X射线衍射测量挑战这些长期持有的信念，发现只需要适度的压力转换LaMnPO，同构的超导主机LaFeAsO，从一个绝缘的四元结构与一个大的Mn时刻到一个无间隙的正交结构与一个小的Mn时刻。在LaMnPO中接近这种电子离域跃迁导致高度相互作用的金属态，这是超导性的常见滋生地。
2011-10-26 cond-mat.str-el
Atomic-scale fragmentation and collapse of antiferromagnetic order in a doped Mott insulator
由于Mott态被扰动时固有的相分离，解开具有电荷间隙的绝缘态与反铁磁（AF）莫特绝缘体中的磁序之间的关系仍然是困难的。在原子长度尺度上测量磁性和电子特性将提供至关重要的见解，但这尚未在实验上实现。在这里，我们使用光谱成像自旋极化扫描隧道显微镜（SP-STM）可视化周期性的自旋分辨调制起源于AF秩序在相对论性莫特绝缘体Sr2IrO4，并研究这些作为掺杂的函数。我们发现，近绝缘体到金属的转变（IMT），长程AF秩序融化成一个破碎的状态与短程AF相关。最重要的是，我们发现，短距离AF顺序是局部不相关的观测到的光谱间隙的大小。这强烈表明，短距离AF相关性不太可能是不均匀间隙闭合和IMT附近伪间隙区域出现的罪魁祸首。我们的工作建立了SP-STM作为一个强大的工具，揭示原子尺度的磁性信息在复杂的氧化物。
2019-11-18 cond-mat.str-el
Antiferromagnetic order and magnetic polarons in lightly doped Li$_x$CoO$_2$ (x $\sim$ 0.9)
UGC-DAE Consortium for Scientific Research（UGC-DAE 科学研究联盟）；Universität Würzburg（维尔茨堡大学）；TU Wien（维也纳工业大学）
通过宏观磁化、比热、NMR和EPR测量，研究了Li$_x$CoO$_2$ (x~0.9)的磁性，发现部分反铁磁转变（$T_N\sim$10 K）和弱铁磁响应，提出高温下掺杂空穴形成磁极化子导致铁磁团簇，EPR谱随温度变化可用磁极化子扩散解释。
2026-06-09 cond-mat.str-el
Hidden Fermi-liquid charge transport in the antiferromagnetic phase of the electron-doped cuprates
系统地分析了电子掺杂铜氧化物的平面电阻率、霍尔效应和霍尔角余切，揭示了在相图反铁磁部分甚至更深处的费米液体行为。输运散射率呈现二次温度依赖性，并且几乎与掺杂、化合物和载流子类型（电子与空穴）无关，因此具有普遍性。此外，我们的分析表明，在低温和低掺杂的材料比电阻率上升有相同的起源在电子和空穴掺杂的铜酸盐。
2016-10-04 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Antiferromagnetic fluctuations and d-wave superconductivity in electron-doped high-temperature superconductors
我们发现，在弱到中等耦合，反铁磁波动增强d-波配对的相关性，直到接近半填充，反铁磁诱导的赝隙开始抑制超导的趋势。通过与量子蒙特卡罗模拟的详细比较，我们的方法的准确性进行了衡量。负压力依赖的Tc和存在的光电发射热点的电子掺杂铜酸盐超导体中找到他们的自然解释在这种方法。
2003-06-20 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Spin Waves in Canted Phases: An Application to Doped Manganites
在导数展开式中，我们给出了低能和动量自旋波在倾斜相位中的次超前阶的有效拉格朗日量。内自旋群和晶体空间群的对称性破缺模式SU（2）> 1意味着存在一个铁磁自旋波和一个反铁磁自旋波。本文还讨论了自旋波与载流子的相互作用。所有这些加在一起使我们能够写出掺杂锰氧化物的色散关系参数的掺杂依赖性。我们指出，自旋波具有独特的特性，这可能使我们能够在实验上区分掺杂锰氧化物中的倾斜相和相分离区。
2000-12-12 cond-mat.str-el
Electron Spin Resonance of Ni-doped CuGeO$_3$ in the paramagnetic, spin-Peierls and antiferromagnetic states: Comparison with non-magnetic impurities
我们对掺杂的自旋佩尔斯化合物$_{1-y}$和$_{1-x}$（M = Zn，Mg，Ni）（$x, y\leq 0.1$）的单晶进行了电子自旋共振测量。我们的实验的第一部分是在9.5，95和190 GHz的顺磁和自旋Peierls相进行。所有的非磁性杂质（Si，Zn和Mg）被发现几乎不影响单线共振的位置和线宽，尽管由于断链的时刻形成。与Si、Zn和Mg掺杂相反，低浓度的Ni（S = 1）的存在引起ESR线向高场的壮观偏移（对于x=0.002，高达40%），以及大的加宽。这种位移与Ni与Cu的磁化率之比严格成比例：因此，它在自旋-佩尔斯跃迁以下强烈增强。我们解释这种位移和加宽是由于交换场诱导的Ni离子到强交换耦合的Cu自旋。其次，研究了Ni掺杂样品的反铁磁共振现象。用正交各向异性的经典理论很好地解释了共振频率与磁场的关系，并与自旋Peierls相和顺磁相的研究一致，使$g$值显著降低。易轴、次易轴和难轴分别为$a$、$c$和$b$轴。这些结果，这是由Ni $^{2+}$的单离子各向异性为主，与那些在Zn和Si掺杂的CuGeO $_3$的比较进行了讨论。
2001-12-14 cond-mat.str-el
Antiferromagnetic and spin spiral correlations in the doped two-dimensional Hubbard model: gauge symmetry, Ward identities, and dynamical mean-field theory analysis
本研究重新推导了掺杂二维Hubbard模型中自旋刚度的Ward恒等式，考虑规范不变性进行修正，明确空间与时间自旋刚度的不同决定机制，并通过动力学平均场理论数值验证，得到反铁磁及非公度相自旋刚度的掺杂依赖关系。
2024-09-11 cond-mat.str-el
Suppression of Antiferromagnetic Order by Light Hole Doping in La_2Cu_{1-x}Li_xO_4: A ^{139}La NQR Study
用~（139）La核四极共振测量了轻掺杂La_2 Cu_{1-x} Li_xO_4中反铁磁CuO_2面的磁性，揭示了掺杂空穴的性质及其与掺杂剂的相互作用对反铁磁CuO_2面磁性的影响。详细的研究表明，磁性是显着的掺杂杂质的特性不敏感。这表明添加的孔形成了以前未识别的集体结构。
1998-07-13 cond-mat.str-el
Noncoplanar spin canting in lightly-doped ferromagnetic Kondo lattice model on a triangular lattice
在铁磁Kondo晶格模型中，研究了与可动载流子的耦合对120 $^\circ$反铁磁态的影响。使用变分计算的各种自旋排序到一个四个网站的单位晶胞，我们确定的基态相图，重点放在轻掺杂区。我们发现，从带底的电子掺杂立即不稳定的120 $^\circ$共面反铁磁秩序，并诱导一个非共面的三个子晶格有序伴随着一个干预相分离。该非共面相具有伞型自旋构型，具有净磁矩和有限的自旋标量手征。这种自旋倾斜态是在反铁磁超交换相互作用和铁磁双交换相互作用的竞争中产生的。相反，从能带顶部的空穴掺杂保持120 $^\circ$有序状态直到有限的掺杂浓度，并且不导致noncolpanar有序。
2011-02-24 cond-mat.str-el
Electronic States in the Antiferromagnetic Phase of Electron-Doped High-Tc Cuprates
利用数值精确对角化技术研究了t-t '-t''-J模型中电子掺杂铜氧化物反铁磁相的电子态。当AF关联随温度的降低而发展时，电导率出现了类似间隙的行为。同时，由于相同的子晶格跳跃的载流子的相干运动增强。我们认为该相位在动量k=（π，0）和（0，π）附近是一个具有小费米面的AF态.这与空穴掺杂的铜氧化物的行为形成显著对比。
2001-10-26 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Sharp magnetization step across the ferromagnetic to antiferromagnetic transition in doped-CeFe$_2$ alloys
当温度低于5 K时，在不同掺杂CeFe $_2$合金中，观察到了非常尖锐的磁化阶跃。在较高的温度范围（T $>$ 5 K），这种转变是相当顺利的性质。与最近在锰氧化物巨磁电阻和磁热材料Gd $_5$ Ge $_4$中观察到的类似行为相比，我们认为这种磁化阶跃是无序影响的一级相变的一个普遍特征。
2005-05-25 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Dimensional crossover and the magnetic transition in electron doped manganites
我们介绍了一个微观模型的电子掺杂锰氧化物，解释了所观察到的过渡机制从$G$型反铁磁（$G$ -AF）的$C$型反铁磁（$C$ -AF）的双交换机制下增加掺杂。该模型揭示了$e_g$轨道自由度所起的关键作用，并解释了所观察到的金属到绝缘体的转变在磁性相变的维度交叉。发现$G$ -AF相的比热和自旋倾斜角与实验结果一致。作为一个令人惊讶的结果的理论，我们发现，自旋倾斜被抑制在$C$ -AF相，与实验一致，由于费米表面拓扑结构。
2011-12-08 cond-mat.str-el
Superconductivuty versus Tunneling in a Doped Antiferromagnetic Ladder
掺杂反铁磁梯的低能电荷激发是由一个生活在同一个梯上的相互作用的无自旋费米子系统来模拟的。一个相对较大的自旋间隙被假定为“冻结”所有的自旋波动。我们发现，形成的梯级孔对符合开放的单粒子间隙沿链的电荷激发和链之间的相干隧穿的情况下。我们还发现，这样的空穴对凝聚成结晶或超导状态的结合能的函数。
1999-03-16 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Diagonal Antiferromagnetic Easy Axis in Lightly Hole Doped Y_{1-x}Ca_xBa_2Cu_3O_6
用Gd ~（3+）电子自旋共振（ESR）研究了轻掺Ca的Gd：Y_{1-x} Ca_xBa_2Cu_3O_6（x~0.008）单晶的反铁磁结构的空穴诱导变化。空穴不本地化的Ca 2+离子高于2.5 K，因为旁边的Ca 2+的电荷分布和自旋磁化率是独立的温度。空穴掺杂晶体和原始晶体都具有与外部磁场相关的反铁磁畴结构。不像未掺杂晶体，其中易磁化轴在所有温度下都沿着[100]，空穴掺杂晶体中的易磁化方向在低温下沿着[110]对角线，并且在10 K和100 K之间逐渐改变为[100]方向。过渡暂时归因于磁各向异性引入的空穴排序。
2003-09-10 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Comment on "Strong dependence of the interlayer coupling on the hole mobility in antiferromagnetic La$_{2-x}$Sr$_x$CuO$_4$ ($x<0.02$)"
使用物理评论B70，220507（2004）中给出的实验数据，我们表明-与本文中讨论的有效耦合不同-掺杂铜酸镧中的净平均反铁磁层间耦合仅微弱地依赖于掺杂或温度。我们认为，有效的耦合是成比例的交错磁化的平方，并没有提供新的信息掺杂样品中的磁秩序的抑制的起源。我们的分析是基于一个修改后的版本的方程描述的自旋翻转过渡，它考虑到交错矩与温度和掺杂的减少。
2005-11-08 cond-mat.str-el
Fermi surface evolution in the antiferromagnetic state for the electron-doped t-t'-t''-J model
利用从玻色子平均场方法研究了反铁磁态下电子掺杂的t-t '-t''-J模型.研究发现，低掺杂时，在$(\pmπ,0)$和$(0,\pmπ)$周围形成费米面（FS）口袋，而随着掺杂浓度的增加，在$(\pm{π\over 2},\pm{π\over 2})$周围形成其他费米面口袋.随着掺杂的FS的演变以及计算的光谱权重与实验结果是一致的。
2004-05-28 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Magnetic field dependence of the antiferromagnetic phase transitions in Co-doped YbRh_2Si_2
本文给出了Yb（Rh_（1-x）Co_x）_2Si_2合金在中等Co含量x=0.18，0.27和0.68时的第一比热数据。结果已经指出了一个复杂的磁相图作为组成的函数。YbRh_2Si_2（T_N^{x=0}=72 mK）的共掺杂由于晶体学晶胞的体积减小而使磁相稳定。磁相变作为C^{4f}（T）/T中的显著异常清晰可见，并且可以通过施加磁场来抑制。从x=0.18到x=0.27，我们观察到从T_N^{0.18}=1.1 K和T_L^{0.18}=0.65 K的两个类平均场（MF）磁跃迁到T_N^{0.27}=1.3 K的一个尖锐的λ型磁跃迁的变化。在磁场下的初步测量并不能证实文献中提出的场致一级相变。当x=0.68时，我们发现在T_N^{0.68}=1.14 K和T_L^{0.68}=1.06 K处有两个跃迁。
2009-08-10 cond-mat.str-el
