Current-Voltage Characteristics of Borophene and Borophane Sheets
基于硼原子单层膜的实验和理论研究，采用密度泛函理论结合非平衡格林函数方法，计算了硼原子单层膜2Pmmn、8 Pmmn和8 Pmmm的电流-电压特性.考虑了单胞中含有两个和八个原子的硼氢化物片，详细分析了它们的能带结构、电子密度和结构各向异性。结果表明，8 Pmmn和8 Pmmm结构的各向异性比2Pmmn小。此外，虽然8 Pmmn在能带结构中显示出狄拉克锥，但它的电流低于其他两个。我们还考虑了一个完全氢化的硼氢化物，Borophane，并发现氢化过程中降低了结构的各向异性和电流显着。我们的研究结果表明，硼氢化物片的电流-电压特性可以用来检测样品的种类和生长方向，因为它强烈依赖于电子输运的方向，各向异性和硼氢化物的晶胞细节。
2017-06-08 cond-mat.mtrl-sci physics.chem-ph
Stability and Strength of Atomically Thin Borophene from First Principles Calculations
最近，通过两个平行实验[Mannix \textit{et al., Science}，2015，\textbf{350}，1513] [Feng \textit{et al., Nature Chemistry}，2016，\textbf{advance online publication} ]，在单晶Ag衬底上成功生长了一种新的二维（2D）材料硼化物（2D硼片）。已经提出了三种主要结构（$β_{12}$、$χ_3$和条纹硼氢化物）。然而，这三种结构的稳定性仍然存在争议。利用第一性原理计算，我们研究了$β_{12}$、$χ_3$和条纹硼氢化物的动力学、热力学和力学稳定性。独立式$β_{12}$和$χ_3$硼化物在动力学、机械学和力学上是稳定的，而条纹硼化物由于沿$a$方向的高刚度而在动力学和机械学上是不稳定的。条纹硼化物在$a$方向上的高刚度和高不稳定性的来源都可以归因于强的定向键合。这项工作提供了一个基准检查不同结构的硼氢化物的相对稳定性。
2016-08-20 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci physics.comp-ph
Electronic, optical, and thermodynamic properties of borophene from first-principle calculations
二维硼片（boron sheet）是近年来在单晶Ag衬底上成功生长的一种新型二维材料。本文通过第一性原理计算研究了硼化物的电子结构和成键特性。硼化物的能带结构显示出高度各向异性的金属行为。所获得的硼化物的光学性质也表现出很强的各向异性。硼化物的高光学透明度和高导电性的组合使其成为未来设计用于光致发光的透明导体的有希望的候选者。最后，基于声子性质研究了体系的热力学性质。
2016-04-03 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
The structure of porous 2D boron crystals
在这项工作中，我们预见了一类新的结构的borophenes与较小的二维原子密度比那些探索到目前为止的二维硼晶体。与通常研究的具有六方孔的结构（其中每个原子的最近邻原子的数目从$3$变化到$6$）相比，多孔硼烯中的硼原子倾向于$5$ -配位。高金属性是硼苯的通常特征，然而，我们也发现了一种半金属硼苯，它在晶胞膨胀时变成半导体。该结构的晶格常数的$10\%$增加产生$0.3\,\textnormal{eV}$的能隙。这将2D硼晶体的可能应用扩展到半导体工业。
2021-09-17 cond-mat.mtrl-sci
Thermodynamic stability of Borophene, $\mathrm{B_2O_3}$ and other $\mathrm{B_{1-x}O_x}$ sheets
硼的二维同素异形体--硼氢化物的发现，引起了人们对它的结构、化学和物理性质的许多疑问。硼对氧具有很高的化学亲和力，但人们对硼的氧化行为知之甚少。在这里，我们使用第一性原理计算研究的相图的独立的，二维的$\mathrm{B_{1-x}O_x}$的组合物范围从$x=0$到$x=0.6$，这对应于borohydrate和$\mathrm{B_2O_3}$片，分别。我们的研究结果表明，没有稳定的化合物，除了硼氢化物和$\mathrm{B_2O_3}$片存在。中间体组合物是硼氢化物和$\mathrm{B_2O_3}$的非均相混合物。其他假设的晶体，如$\mathrm{B_2O}$是不稳定的，其中一些被发现进行自发结晶成硼氢化物和$\mathrm{B_2O_3}$。它还表明，氧化硼内的薄片是有害的形成$\mathrm{B_2O_3}$的边缘。所有的研究结果可以合理化的氧的偏好的双重协调，这是不相容的更高的平面内的配位数优选的硼。这些结果与最近的实验结果吻合得很好，并为理解硼化物和其他二维材料的氧化过程铺平了道路。
2019-11-07 cond-mat.mtrl-sci
Depositing boron on Cu(111): Borophene or boride?
采用硼沉积法在Cu（111）衬底上成功制备了大面积单晶表面结构，这对未来的应用具有重要意义。然而，所提出的硼化物结构与扫描隧道显微镜（STM）的结果并不匹配，而所提出的硼化铜与传统知识不一致，传统知识认为有序的富铜硼化物通常不存在，因为电负性差异很小，原子尺寸差异很大。为了澄清这一争议并阐明意外的铜硼化物的形成机制，我们进行了系统的STM，X射线光电子能谱学和角分辨光电子能谱研究，证实了在真空下硼沉积后在Cu（111）上合成的是二维铜硼化物而不是硼化物。基于缺陷表面模型的第一性原理计算进一步表明，硼原子倾向于在台阶边缘或缺陷附近与铜原子反应，从而形成硼化铜的中间结构，最终通过大规模的表面重构形成稳定的Cu-B单层膜.
2022-11-20 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci physics.app-ph
Energy decomposition analysis of neutral and negatively charged borophenes
用第一性原理计算研究了静电荷对硼苯--二维硼晶体的影响。过量的负电荷对2D结构的稳定性的影响进行检查，使用一个非常简单的分析分解的结合能的一个给定的硼层的贡献来自具有不同的配位数的硼原子。这种分析对于理解原子的局部邻域如何影响单层结构的整体稳定性是重要的。对$α$ -片及其相关结构族进行分解。从这个分析中，我们发现了每个原子具有非常小或非常高电荷的2D硼晶体的偏好。具有中间电荷的结构在能量上是不利的。我们还发现，在结合能方面，对于实验中看到的$γ$ -片层和$δ$ -片层结构，我们发现了一个明显的偏好，这几乎与所考虑的结构的负电荷过量无关。另一方面，我们已经表明，一个模型的基础上，完全最近邻相互作用，虽然有指导意义，是太简单，准确地预测结合能。
2017-08-04 cond-mat.mtrl-sci
Mesoscale Model for Predicting Hydrogen Damage in Face Centre Cubic Crystals
采用基于晶体塑性的有限元方法研究了FCC单晶在氢化和非氢化环境中不同应力状态和晶体取向对加载方向的影响。模拟已经进行了各种应力三轴性，洛德参数，晶体取向和氢浓度。观察到晶体取向对氢对塑性形变和空隙生长的影响具有不同的效果。在陷阱中的氢分布在变形过程的各个阶段也被发现的晶体取向的影响。从分析中，归一化空隙率和等效应变之间的解析关系已被推导出来。
2021-07-12 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
Cat's cradle-like Dirac semimetals in layer groups with multiple screw axes: Application to 2D Borophene and Borophane
近年来，晶体保序拓扑半金属，特别是非对称保序拓扑半金属引起了人们广泛的兴趣。我们列出了可能的双螺旋拓扑半金属，并在没有自旋轨道耦合的情况下，在所有具有多个螺旋轴的层组中推导出它们的k.p哈密顿量。我们发现了一种新颖的猫摇篮状拓扑半金属相，它看起来像多个沙漏状能带结构交错在一起。此外，我们提出了单层硼氢化物和borophane与PMMN层组作为第一类材料来实现这种新的半金属相。揭示了二维硼基材料中费米能级上的一对倾斜各向异性狄拉克锥，并给出了低能有效模型。此外，类似于三维Weyl半金属，这些猫摇篮状Dirac半金属的拓扑性质也可以通过量子化Berry相的计算和连接两个Dirac点的平坦费米弧边缘态的证明得到验证.我们的发现，borophane和borophane是猫的摇篮状狄拉克半金属是非常感兴趣的实验和可能的应用在未来。
2018-09-25 cond-mat.mtrl-sci
Thermally stimulated H emission and diffusion in hydrogenated amorphous silicon
本文报道了氢化非晶硅中氢动力学的第一性原理从头算密度泛函计算。主机硅原子的热运动驱动H扩散，我们证明了直接模拟和简单的模型解释。Si-Si键中心和Si环中心是局部能量极小值。我们还描述了一种新的机制，打破Si-H键释放自由原子H进入网络：波动键中心脱离（FBCD）辅助扩散。在a-Si：H中的H动力学由晶体中不存在的非晶相固有的结构波动主导。
2007-06-16 cond-mat.mtrl-sci
Strain-tunable Dirac semimetal phase transition and emergent superconductivity in a borophane
本研究基于第一性原理计算，发现新型硼烷$β_{12}$-$\ m {B_5H_3}$不仅具备应变可调的狄拉克半金属相变特性，还展现出临界温度可达42 K的优异超导性，为研究二维狄拉克半金属量子相变与超导相互作用提供了理想平台。
2024-09-27 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci physics.comp-ph
Ground state configuration of hydrogenated Biphenylene sheet: structure, stabilities, electronic and mechanical properties from first-principles calculations
基于第一性原理计算，氢化联苯片（Science，372，852，2021）的基态构型（Cmma-CH）从由RG 2代码（Phys.Rev.B.，97，014104，2018）。Cmma-CH在其晶胞中含有四个苯分子，并且由于其Cmma对称性，它们都是不等价的。Cmma-CH中的氢原子与每个苯环中的碳原子以船状（boat-1：DDUDDU）上/下序列和相邻苯环中的反向boat-1（UUDUUD）序列键合。它在能量上比先前提出的氢化石墨烯的同素异形体（椅子、三轮车、螺旋桨、船-1、船-2和扭曲船）更不稳定，但其来自氢化联苯片的形成能显著低于用于将石墨烯氢化成石墨烷的那些。我们的研究结果证实，Cmma-CH是机械和动力学稳定的二维烃相，这是有望通过氢化合成的联苯片实验实现。HSE 06基能带结构表明Cmma-CH是一种间接带隙绝缘体，带隙为4.645 eV。
2021-07-03 cond-mat.mtrl-sci
Diffusion and desorption of SiH3 on hydrogenated H:Si(100)-(2x1) from first principles
用密度泛函理论研究了硅自由基在氢化Si（100）-（2 × 1）表面上的扩散途径。该工艺对于通过等离子体增强化学气相沉积生长晶体硅是有意义的。迁移机制的初步搜索已经进行了使用metadaptics模拟。局部极小值和过渡态已被进一步细化使用轻推弹性带方法。已经发现从看似合理的吸附位点扩散的屏障低至0.2 eV，但陷阱状态也被发现，导致更稳定的配置，逃逸屏障为0.7 eV。弱束缚物理吸附态之间的扩散也是可能的，具有非常低的激活势垒（<50 meV）。然而，解吸机制（无论是SiH 3或SiH 4）从物理吸附或更强的约束吸附配置原来具有类似的扩散障碍的活化能。基于从头算活化能的动力学蒙特卡罗模拟表明，在300-1000 K的温度范围内，甲硅烷基自由基在脱附之前最多扩散几个晶格间距。
2008-03-28 cond-mat.mtrl-sci
Hydrogenation, dehydrogenation of $α$-tetragonal boron and its transition to $δ$-orthorhombic boron
硼块体晶体具有特殊的结构复杂性和不寻常的相关物理现象。最近关于氢化$α$ -四氢化物和新的$δ$ -正交硼B $_{52}$相的报道提出了许多基本问题.用密度泛函理论计算表明，氢化$α$ -四氢硼至少有两种稳定的化学计量组成，B $_{51}$ H $_{7}$和B $_{51}$ H $_{3}$ .使用热力学建模来定性地再现Ekimov等人[J. Mater. Res. 31，2773（2016）]，其对应于从B $_{51}$ H $_{7}$到B $_{51}$ H $_{3}$到纯B $_{52}$的连续转变。如此获得的$δ$ -正交硼是有序的低温相，而$α$ -四硼是B $_{52}$的无序的高温相。这两个相通过有序-无序转变连接，这与间隙硼原子的迁移有关。在强结合的共价晶体中，原子迁移通常受到抑制。结果表明，硼原子的迁移可能是由退火时的氢原子的迁移协助。这些结果与上述实验非常一致，它们代表了对硼和氢化硼晶体的理解的重要一步。它们进一步开辟了一条新的途径，通过利用挥发性的外来原子来控制或去除共价键合晶体的固有缺陷。
2019-03-06 cond-mat.mtrl-sci
Chemically induced graphene to diamond transition: a DFT study
石墨烯转化为金刚石是一种无压制备金刚石薄膜的新方法。本文采用系统的第一性原理计算，研究了在无压条件下，插入15种金属原子，表面氢化双层石墨烯（SHBG）向表面氢化单层金刚石（SHSLD）的转变机理。与不含金属原子的构型相比，SHBG在单一金属原子的作用下，在热力学上可以自发地转变为SHSLD，在Hf原子的作用下，其形成能甚至可以从0.82 eV下降到-5.79 eV。结果表明，金属原子的外层电子轨道和原子半径是影响转换的两个重要因素。为了发生相变，金属原子需要具有足够的空d轨道，并且金属原子的半径在0.136-0.159 nm的范围内。进一步分析发现，SHBG中碳原子的p轨道和金属原子的d轨道会发生强杂化，从而促进转化。这一结果对氢化石墨烯无压制备金刚石的实验研究具有重要意义。
2022-05-09 cond-mat.mtrl-sci physics.comp-ph
Hydrogenated Amorphous Silicon Carbide: A Low-loss Deposited Dielectric for Microwave to Submillimeter Wave Superconducting Circuits
低损耗的沉积超导体将有利于超导器件，如集成超导谱仪，超导量子比特和动力学电感参量放大器。与平面结构相比，微带等多层结构更紧凑，消除了高频下的辐射损耗。多层结构最容易用沉积的介电层制造，其通常表现出比晶体介电层更高的介电损耗。用NbTiN/a-SiC：H/NbTiN微带谐振器超导芯片测量了氢化非晶碳化硅（a-SiC：H）的亚开尔文、低功率微波和毫米波介电损耗。我们通过等离子体增强化学气相沉积在400°C的衬底温度下沉积a-SiC：H。a-SiC：H在270至385 GHz的范围内具有范围从$0.80 \pm 0.01 \times 10^{-4}$至$1.43 \pm 0.04 \times 10^{-4}$的mm-亚mm损耗角正切。微波损耗角正切为$3.2 \pm 0.2 \times 10^{-5}$。这些是最低的低功率亚开尔文损耗角正切，已报告的微带谐振器在毫米-亚毫米和微波频率。我们观察到损耗角正切随频率增加。a-SiC：H膜没有气泡并且具有低应力：在200 nm厚度下的$-$ 20 MPa压缩至在1000 nm厚度下的60 MPa拉伸。
2021-10-07 astro-ph.IM cond-mat.mtrl-sci
Novel Two-Dimensional Silicon Dioxide with in-plane Negative Poisson's Ratio
二氧化硅或硅石，通常以各种块状结晶和无定形形式存在，最近发现具有二维结构。在这项工作中，我们使用从头计算和进化算法，揭示了三个新的二维二氧化硅结构，其热，动力学和机械稳定性与许多典型的块体二氧化硅进行了比较。特别是，我们发现，所有这三个2D二氧化硅具有较大的面内负泊松比，其中最大的一个是penta-graphene的两倍和borophenes的三倍。负泊松比的产生是由于晶格对称性和硅氧四面体对称性的相互作用。平板二氧化硅也是一种绝缘的2D材料，在报道的2D结构中具有最高的电子带隙（> 7 eV）。这些具有面内负泊松比和最宽带隙的奇异二维二氧化硅有望在纳米力学和纳米电子学中具有巨大的潜在应用。
2018-01-25 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
Fluorination Effects on the Structural Stability and Electronic Properties of sp3 Type Silicon Nanotubes
采用密度泛函理论研究了氟化sp3硅纳米管及其相应的硅纳米线沿不同晶向的结构和电子性质以及相对稳定性。发现结构稳定性随氟表面覆盖率线性增加，并且对于超过25%的覆盖率，预测管状结构比它们的线状对应物更稳定。完全氟化的系统的带隙低于其完全氢化的对应物的带隙，对于具有相对低的硅摩尔分数的系统，带隙最多为0.79 eV。随着硅摩尔分数的增加，这些差异似乎减小。对于混合氢化和氢化表面装饰方案，带隙通常位于完全氢化和完全氟化系统的值之间。此外，硅纳米管的带隙值被发现是更敏感的氟表面覆盖比硅纳米线。这些结果表明，表面功能化可用于控制窄的准一维硅纳米结构的稳定性，并开辟了化学剪裁其电子性质的道路。
2013-05-08 cond-mat.mtrl-sci
Band offsets at the crystalline/amorphous silicon interface from first-principles
在现代硅异质结太阳能电池中，晶体硅和氢化非晶硅（a-Si：H）之间的能带偏移是控制电荷输运的关键参数。它们是用于进一步优化太阳能电池的宏观模拟器的重要输入。过去的实验研究，使用X射线光电子能谱学（XPS）和电容-电压测量，产生了相互矛盾的结果上的带偏移。在这里，我们提出了一个计算研究的频带偏移。它是基于原子模型和密度泛函理论（DFT）。的非晶部分的接口是通过相对较长的DFT的第一性原理分子动力学（MD）运行在升高的温度下30个统计独立的样品。为了获得一个真实的导带位置的电子结构的界面计算与混合泛函。我们发现一个轻微的不对称的能带偏移，其中在价带（0.30 eV）的偏移大于在导带（0.17 eV）。我们的结果与最新的XPS测量报告的价带偏移为0.3 eV [M. Liebhaber等人，应用物理信函106，031601（2015）]。
2016-10-13 cond-mat.mtrl-sci
GraphAne: From Synthesis to Applications
原子薄晶体最近已经成为关注的焦点，特别是在石墨烯（碳的单层六方晶体结构）合成之后。在这种新型材料类别中，化学衍生的石墨烯引起了极大的兴趣。研究表明，尽管块状石墨是一种化学惰性材料，但单层石墨烯的表面对单个原子具有相当大的反应性。到目前为止，已经报道了几种石墨烯衍生物的合成，例如氢化石墨烯“graphane”（CH）、氟代石墨烯（CF）和氯代石墨烯（CCl）。此外，使用计算工具预测了溴和碘覆盖的石墨烯的稳定性。在这些衍生物中，石墨烷的易合成、绝缘电子行为和可逆可调的晶体结构使该材料特别适合于未来的超薄器件应用。本文综述了石墨烷的结构、电子、磁性、振动和力学性质。我们还提出了一个详细的概述，致力于计算建模的graphane及其衍生物的研究工作。并对石墨烷的合成技术和应用前景进行了综述。
2015-02-20 cond-mat.mtrl-sci
The effect of hydrogen on the multiscale mechanical behaviour of a La(Fe,Mn,Si)13-based magnetocaloric material
磁热冷却提供了提高制冷设备效率的潜力，从而减少了与冷却过程相关的大量二氧化碳排放。部署该技术的关键问题是磁热材料在加工和操作期间的机械降解，导致有限的使用寿命。采用多晶试样的宏观弯曲试验和单晶试样的原位微柱压缩试验研究了氢化La（Fe，Mn，Si）13基磁热材料的力学性能。量化了氢化对机械性能的影响。通过透射电子显微镜和原子探针断层扫描来揭示晶格中氢原子的排列，有助于理解变形/失效机制。结果表明，该材料的本征强度为~3-6 GPa，并依赖于晶体取向。单晶在压缩载荷下沿特定晶面表现出剪切。氢通过促进穿晶断裂劣化La（Fe，Mn，Si）13的强度。氢对单晶的弱化作用是各向异性的;在平行于{111}晶面的剪切时，氢的弱化作用是显著的，但当剪切面是{001}取向时，氢的弱化作用可以忽略不计。APT分析表明，这与氢原子在{222}面上的紧密排列有关。
2022-02-18 cond-mat.mtrl-sci
Tuning the Work Function of Si(100) Surface by Halogen Absorption: A DFT Study
介绍并讨论了Si（100）表面不同化学末端引起的功函数调谐的第一性原理计算。我们发现，卤素原子（I，Br，Cl和F）的存在下，导致增加的功函数，如果相比，完全氢化的表面。这是一个相当普遍的效果，直接与化学吸附原子的电负性以及界面处的电荷重新分布有关。所有这些结果都与以前的理论工作和实验数据进行了检查，获得的（100）以及其他Si表面取向。基于这种分析，我们认为，由界面化学的变化所引起的电子性质的变化强烈依赖于化学吸附的物种，少得多的表面晶体取向。
2018-09-21 cond-mat.mtrl-sci
Predicting neutron experiments from first principles: A workflow powered by machine learning
本文提出融合密度泛函理论、机器学习势、分子动力学与自相关分析的工作流，用于从第一性原理模拟非弹性中子散射谱，并在三类材料和四台谱仪数据上得到验证。
2025-04-27 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.soft physics.comp-ph
Properties of discrete breathers in graphane from ab initio simulations
采用密度泛函理论（DFT）对石墨烯（全氢化石墨烯）中的离散呼吸子（DBs）进行了研究。据我们所知，这是第一原理模拟首次证明晶体体内存在DBs。发现DB是一个鲁棒的、高度局域化的振动模式，其中一个氢原子沿着垂直于石墨烷平面的方向以大幅度振荡，而所有相邻原子具有小得多的振动幅度。DB频率随振幅的增大而减小，可以在声子带隙内取任意值，甚至可以进入低频声子带。DB的概念，然后提出了一个解释最近的实验结果的非平凡的动力学的石墨烷在高温下脱氢。
2014-07-26 cond-mat.mtrl-sci nlin.PS
A 2D T-carbon 2-(111) structure with tunable electric and optical properties via chemical decorations: a first-principles investigation
本研究提出沿块体T-carbon(111)晶向切片得到的新型二维2-(111)平面T-carbon，通过第一性原理计算证实表面修饰可提升其结构稳定性，并能在0.17-2.21 eV范围内调控直接带隙及光学移特性。
2024-09-11 cond-mat.mtrl-sci
Electronic structure, phase stability and chemical bonding in Th$_2$Al and Th$_2$AlH$_4$
本文采用第一性原理密度泛函方法对Th $_2$ Al和Th $_2$ AlH $_4$的电子结构、成键性质和基态性质进行了理论研究.据报道，$_2$ AlH $_4$违反了氢-氢分离的“2 π规则”。从我们的总能量以及力最小化计算，我们发现一个最短的H-H分离的1.95 <$与最近的高分辨率粉末中子衍射实验。当Th $_2$ Al基体氢化时，体积膨胀是高度各向异性的，这与具有相同晶体结构的其它材料完全相反。从态密度、晶体轨道哈密顿布居和价电荷密度分析了这些材料的成键性质。我们的计算预测了H原子沿$a$和$c$的不同性质的成键。在Th $_2$ AlH $_4$中，Th和H之间沿$c$形成哑铃形的H-Th-H亚基。由于这种强的共价相互作用，沿着$c$的H原子之间存在非常少量的电子，这使得H原子之间的排斥相互作用较小，这就是违反2 π规则的确切原因。在$ac$和$ab$平面中可以容纳H的间隙区域之间的原子间距离的巨大差异以及Th和H之间的强共价相互作用是Th $_2$ Al氢化时高度各向异性体积膨胀的主要原因。
2001-08-17 cond-mat.mtrl-sci
Towards understanding the special stability of ${\text{SrCo}\text{O}_{2.5}}$ and ${\text{HSrCo}\text{O}_{2.5}}$
可逆氢掺入最近得到证实[N. Lu，$\textit{et al.}$，Nature $\textbf{546}$，124（2017）]在${\text{SrCo}\text{O}_{2.5}}$中，锶钴氧化物（SCO）的棕钙钛矿相（BM），开辟了催化和能源应用的新途径。然而，现有的BM-SCO的理论研究并不充分，尤其是新近报道的氢化SCO（H-SCO）${\text{HSrCo}\text{O}_{2.5}}$的理论研究更是少之又少。在这项工作中，我们演示了如何电子计数模型（ECM）可以用来理解的阶段，特别是在解释的氧空位通道（OVC）的稳定性，并在检查的共价问题。使用密度泛函理论（DFT）方法，我们分析了BM-和H-SCO的晶体，电子和磁性结构。基于我们的结构搜索，我们发现了BM-SCO和H-SCO都具有大带隙（> 1 eV）的稳定相，与电子结构的实验更好地吻合。我们的计算还表明有限的电荷转移从H到O，可以解释的特殊稳定性的H-SCO相和H掺入实验中观察到的可逆性。与最初的研究相反，我们的计算还表明了H-SCO的内在反铁磁性（AFM），表明测量的铁磁性（FM）可能源于空穴掺杂。
2019-02-14 cond-mat.mtrl-sci
