Thermodynamics of the metal-insulator transition in the extended Hubbard model
与哈伯德模型相比，扩展的哈伯德模型考虑了非局域相互作用，缺乏对金属-绝缘体相变热力学性质的系统研究。利用变分原理，我们进行了这样一个系统的研究，并描述了非局域相互作用屏幕本地相关费米液体和绝缘体不同。热力学揭示了非局域相互作用至少部分地导致了真实材料中的一阶金属-绝缘体相变。
2019-05-29 cond-mat.str-el
Doping induced metal-insulator transition in two-dimensional Hubbard, $t-U$, and extended Hubbard, $t-U-W$, models
我们的数值计算表明，掺杂诱导的金属-绝缘体过渡的性质在二维哈伯德模型是从根本上改变了列入一项，$W$，这取决于一个平方的单粒子最近邻跳跃。通过计算绝缘状态下的局域化长度$ξ_l$可得到该结果。在$W$的有限值下，我们发现结果与$ξ_l \sim | μ- μ_c|^{- 1/2} $一致，其中$μ_c$是临界化学势。相比之下，$ξ_l \sim | μ- μ_c|^{-1/4}$为哈伯德模型。在有限的$W$值下，数值结果表明，掺杂反铁磁莫特绝缘体导致$d_{x^2 - y ^2}$超导体。
1997-11-18 cond-mat.str-el
A simple metal-insulator criterion for the doped Mott-Hubbard materials
我们推导出一个简单的金属-绝缘体准则的解析形式的掺杂Mott-Hubbard材料。它的读数与晶胞的基态的轨道和自旋性质密切相关。在顺磁相的可用的标准读数（金属或绝缘体）点的绝缘体状态的掺杂材料与禁止的第一个去除电子状态的可能性。从物理意义上讲，该结果与巡游电子系统中的Wilson判据相似。讨论了该判据在高温铜酸盐中的应用。
2014-11-19 cond-mat.str-el
Orbital-selective thermalization plateau in the mass imbalanced Hubbard model
利用含时非平衡动力学平均场论，结合弱耦合非平衡场连续时间量子Monte Carlo方法，研究了质量不平衡单带哈伯德模型在库仑相互作用从非相互作用极限到有限正值猝灭后的热化行为.相比之下，当我们模型中的库仑相互作用在平衡条件下增加时，自旋向上和自旋向下的电子（质量不平衡）的准粒子重量同时接近零，表明不存在轨道选择性莫特跃迁。我们的非平衡研究表明，存在一个时间窗口，在那里发生轨道选择性动力学相变。动力学相变的特征是能量（动力学和库仑相互作用）的弛豫行为和自旋分辨动量相关的占领。为了与可能的实验联系起来，我们计算了自旋分辨的两次光学电导率，这证实了轨道选择性热化平台。我们发现轨道选择性动力学相变的时间窗口随着质量不平衡的增加而增加。
2017-10-25 cond-mat.str-el
Mott-Hubbard Scenario for the Metal-Insulator Transition in the Two Dimensional Electron Gas
通过比较金属-绝缘体转变（MIT）附近的面内磁场的响应，我们发现，在Si MOSFET中观察到的MIT可以用非微扰Mott-Hubbard方案来描述。通过重新绘制实验数据，揭示并证实了独立可测量之间的相互关系。从实验数据中提取了一个在MIT处消失的普遍的临界能标，并求出了临界指数。
2006-08-01 cond-mat.str-el
Mott-Hubbard Insulator in Infinite Dimensions
计算了Bethe晶格上哈伯德模型的Mott-Hubbard绝缘相在无限配位数极限下的单粒子态密度.我们采用加藤-高桥微扰理论在强耦合极限附近导出格林函数。我们表明，格林函数的较低的哈伯德带可以表示在裸空穴跳跃运营商的多项式。我们检查我们的技术对Falicov-Kimball模型的精确解，并给出明确的结果，包括二阶逆哈伯德相互作用。我们的结果提供了一个严格的测试分析和数值研究的Mott-Hubbard绝缘体和Mott-Hubbard过渡内的动态平均场论。我们发现，Hubbard-III近似是不令人满意的超越最低阶，但本地矩的方法提供了一个很好的描述Mott-Hubbard绝缘体在强耦合。
2001-10-16 cond-mat.str-el
The Mott metal-insulator transition in the 1D Hubbard model in an external magnetic field
研究了在外加磁场中一维哈伯德模型在Mott金属-绝缘体相变过程中的低能行为。特别是，我们计算任意哈伯德排斥和磁化数值和在某些限制情况下，分析的莫特过渡的临界点处的修饰电荷矩阵的元素。结合非微扰有效场论方法，揭示了时间反演对称性破缺对Mott跃迁的影响。
2008-01-08 cond-mat.str-el
Critical properties of the band-insulator-to-Mott-insulator transition in the strong-coupling limit of the ionic Hubbard model
本文利用密度矩阵重整化群和有限尺寸标度，在离子哈伯德模型的基础上处理强耦合有效模型，研究了一维材料中中性到离子的绝缘体-绝缘体相变.有效的模型，制定在自旋一表示，包含一个单一的参数。我们进行了广泛的有限尺寸标度分析的相关差距和兼容性，以表征两个零温度转变。我们发现，从离子带绝缘相过渡到中间自发二聚相是伊辛，从二聚相到莫特绝缘相的过渡是Kosterlitz无，与基于场论的预测一致。
2009-02-06 cond-mat.str-el
Optical signature for distinguishing between Mott-Hubbard, intermediate and charge-transfer insulators
确定过渡金属化合物中带隙的性质仍然具有挑战性。我们提出了第一性原理研究的电子和光学性质的CoO使用混合功能赝势。我们表明，光学吸收光谱可以提供一个明确的指纹，以区分莫特-哈伯德，中间和电荷转移绝缘体。这种区别反映在峰值卫星的定性差异，由于独特的相互作用之间的$d$ - $d$和$p$ - $d$激发，从而允许识别从实验数据单独，不像现有的方法，需要额外的理论解释。我们的结论是，CoO是一个中间体，而不是一个莫特-哈伯德绝缘体，因为最初认为。
2022-12-15 cond-mat.str-el
Ultrafast charge recombination in photoexcited Mott-Hubbard insulator
我们提出了一个计算的基础上的未掺杂的铜氧化物相关的二维模型的激发的holon-doublon对的复合率表明，快的过程，在Pump-probe实验中观察到的Mott-Hubbard绝缘体在皮秒范围内，甚至可以定量地解释与多磁振子发射。前提条件是存在的Mott-Hubbard束缚激子的s型。我们发现，它的衰减是指数依赖于Mott-Hubbard间隙和磁振子的能量，与一个小的前因子，可以追溯到强关联，从而大激子-磁振子耦合。
2012-11-14 cond-mat.str-el
Direct observation of fragile Mott insulators on plaquette Hubbard lattices
利用扩展的胞腔动力学平均场论（CDMFT）和精确对角化杂质求解器，研究了半填充哈伯德模型在1/5耗尽和棋盘格两种格子上的基态相图和非磁性金属-绝缘体跃迁.我们确定三种不同的绝缘体的相图：二聚体绝缘体，反铁磁绝缘体，和plaquette绝缘体。我们证明了格形绝缘体是一种新的脆性莫特绝缘体（FMI），它具有$C_{4v}$晶体点群的非平凡的一维不可约表示，并且不能与任何具有时间反演对称性的能带绝缘体电连接.此外，我们还研究了从金属到FMI的非磁量子相变，发现这种Mott金属-绝缘体相变的特征是由于相互作用效应引起的非相互作用带的分裂。
2014-12-23 cond-mat.str-el
Effect of Particle-Hole Asymmetry on the Mott-Hubbard Metal-Insulator Transition
Mott-Hubbard金属-绝缘体相变是关联电子系统中最重要的问题之一。在过去的十年中，人们用动力学平均场论研究了哈伯德模型中粒子-空穴对称形式的跃迁，并发现电子自能在跃迁处形成一个极点。我们研究了Falicov-Kimball模型中的粒子-空穴非对称金属-绝缘体跃迁，发现当非相互作用态密度具有有限带宽时，许多特征发生了变化。由于一般来说，粒子-空穴对称性在真实材料中被破坏，我们的结果对理解真实材料中的金属-绝缘体转变有影响。
2004-02-05 cond-mat.str-el
Metal-insulator transition and charge ordering in the extended Hubbard model at one-quarter filling
利用精确对角化方法研究了正方形格子上四分之一填充扩展哈伯德模型的零温性质。我们发现，增加的比例的位间库仑排斥，$V$，带宽驱动系统从一个金属的电荷有序绝缘体。随着$V$的增加，光学电导率谱的演变与观察到的具有θ和β“晶体结构的几个层状分子晶体的光学电导率进行比较。
2002-02-13 cond-mat.str-el
Metal-insulator transition in the Hubbard model: a simple description including the Kondo effect
本文用多电子表象中的单粒子格林函数来研究半满哈伯德模型中的电子谱结构。一个简单的分析推广的单网站Hubbard-III近似，其中考虑到费米激发（近藤条款）。金属-绝缘体转变的问题进行了研究。讨论了费米能级上包括“近藤”峰在内的三峰态密度结构的出现。与大d计算进行了比较。
2001-06-21 cond-mat.str-el
Metal-Insulator Transition in a Generalized Hubbard Model with Correlated Hopping at Half-Filling
本文研究了半填充零温下具有关联跃迁的广义哈伯德模型中的金属-绝缘体相变。计算了电子系统的单粒子格林函数和能谱。得到了能隙宽度和极性态（空穴或双光子）浓度的表达式。找到了金属态和绝缘态的条件。
1998-11-16 cond-mat.str-el
Superfluid to Mott-insulator transition in Bose-Hubbard models
利用最近提出的变分波函数研究了一维、二维和三维立方晶格中玻色-哈伯德模型的超流-绝缘体相变。在一维，变分的结果符合预期的Berezinskiii-Kosterlitz-无干扰的相互作用驱动的莫特转变的情况。在二维和三维，我们发现的证据表明，在整个过渡，大部分的光谱重量集中在高能量，暗示预形成的莫特-哈伯德边带。这一结果与Stoferle等人的实验数据相一致[Phys.Rev.Lett. 92，130403（2004）]。
2007-05-18 cond-mat.str-el
Doping-dependent metal-insulator transition in a disordered Hubbard model
利用行列式量子蒙特卡罗方法研究了正方晶格上排斥哈伯德模型中无序和掺杂对金属-绝缘体相变的影响。首先，为了使我们的结果可靠，我们计算了各种参数，如温度，无序，现场相互作用和晶格尺寸的符号问题。我们发现，在跳跃元素的随机性的存在下，金属-绝缘体的转变发生，在不同的填充物的临界无序强度不同。我们还证明了掺杂是金属-绝缘体转变背后的驱动力。
2022-01-12 cond-mat.str-el
Optical conductivity of one-dimensional doped Hubbard-Mott insulator
利用sine-Gordon模型研究了强关联电子系统在金属-绝缘体相变附近的光学响应。在半经典量子化的情况下，光谱权重分布在Drude峰和呼吸子引起的吸收线之间。我们计算了Drude重量，光学间隙，和呼吸吸收的线形。
2002-08-16 cond-mat.str-el
Interaction-driven Band-insulator--to--Metal transition in bilayer ionic Hubbard model
在离子哈伯德模型（IHM）中，对于中等相互作用的$U$，已经报道了相互作用驱动的绝缘体-金属相变，而其金属相在相图中只占据一个狭窄的区域。为了探索金属制度的扩大，我们扩展了离子哈伯德模型的两个耦合层和研究层间杂化$V$和两种类型的层内交错电位$Δ$的相互作用：一个具有相同的（同相）和其他层之间的$π$ -相移（反相）电位。我们的行列式量子蒙特卡罗（DQMC）模拟在最低的可访问的温度表明，Mott和带绝缘体之间的相互作用驱动的金属相扩展的$Δ-V$相图的双层IHM只有同相离子电位，而反相电位总是诱导的电荷密度顺序的绝缘体。这意味着离子哈伯德模型可能从这里的双层的情况下进一步扩展到现实的三维模型。
2016-04-12 cond-mat.str-el
Spin-$0$ Mott insulator to metal to spin-$1$ Mott insulator transition in the single-orbital Hubbard model on the decorated honeycomb lattice
利用旋转不变的从玻色子研究了装饰蜂窝晶格上单轨道哈伯德模型在三分之二填充时强电子关联和三角形内自旋交换的相互作用.我们发现当自旋- $1$莫特绝缘体、金属和自旋- $0$莫特绝缘体之间的自旋交换是反铁磁的时，自旋交换是调谐的.莫特绝缘体产生于有效的三角形内多轨道相互作用，并与孤立三角形的基态电连接。反铁磁自旋交换，如确定的古德诺-Kanamori规则，可以发生在配位聚合物从动力学交换通过配体。我们的特点的磁性在该政权的自旋三重态占主导地位。对于小的$U$，自旋$1$ Slater绝缘体在三角形之间出现反铁磁序。自旋$1$莫特绝缘体中的磁性由蜂窝晶格上的自旋$1$海森堡模型描述，其基态为Néel有序.
2021-08-05 cond-mat.str-el
Hund's coupling and the metal-insulator transition in the two-band Hubbard model
在动力学平均场论的两带哈伯德模型中研究了Mott-Hubbard金属-绝缘体相变。为此，我们采用Wilson数值重整化群的一个适当的扩展来求解有效双带单杂质Anderson模型。这种方法是非微扰的，特别是，允许考虑到充分交换的一部分，两个轨道之间的洪德规则耦合。我们详细讨论了各种库仑相互作用对热力学和动力学性质的影响，对于杂质和晶格模型。Hund规则耦合的交换部分对两带哈伯德模型的物理性质和Mott跃迁的性质起着重要的作用。
2005-02-25 cond-mat.str-el
Gutzwiller approximation for paramagnetic ionic Hubbard model: Analytic expression for band-Mott insulator transition
International Research Centre MagTop, Institute of Physics, Polish Academy of Sciences（波兰科学院物理研究所磁拓扑国际研究中心）
本文通过Gutzwiller近似推导出离子Hubbard模型中带-莫特绝缘体相变的解析表达式，并揭示金属相源于非相干Hubbard带物理而非费米液体行为。
2025-12-10 cond-mat.str-el
Two-stage metal-insulator transition in the 2D Hubbard model: momentum selectivity in the 8-site dynamical cluster approximation
本文用八动量胞的动力学集团近似研究了二维正方晶格哈伯德模型顺磁相的金属-绝缘体相变。我们发现，相互作用驱动和掺杂驱动的过渡是多阶段和动量部门特定的，费米液态金属和完全带隙绝缘体相分离的中间相，其中布里渊区的一些区域是有间隙的，而其他人则维持无间隙准粒子。我们认为，这是一个逐渐缩小的弧或口袋的粗粒度版本。一个明显的粒子-空穴不对称性被发现。
2009-03-17 cond-mat.str-el
Transition from band insulator to Mott insulator and formation of local moment in half-filled ionic SU($N$) Hubbard model
研究了交错离子势下半填充SU（$N$）哈伯德模型中局域磁矩的形成.随着Hubbard $U$的增加，当$U$高于临界值$U_c$时，电荷波动被抑制并最终冻结，这分别标志着A亚晶格上具有整数$m$费米子和B亚晶格上具有$(N-m)$费米子的定义良好的局部矩的发展。在变分Gutzwiller近似和重整化平均场理论下，我们得到了顺磁基态的$U_c$的解析解。对于大的$N$，发现对于固定的$m/N$，$U_c$线性地依赖于$N$，但是对于固定的$m$，次线性地依赖于$N$。局域磁矩的形成伴随着从带绝缘体到莫特绝缘体的特殊相变，其中离子势和准粒子重量同时重整化为零。在Mott相内，低能物理由SU（$N$）海森堡模型共轭表示描述，这是文献中广泛研究的。
2022-12-13 cond-mat.str-el
Metal-insulator transition in the disordered Hubbard model of the Lieb lattice
利用行列式量子Monte Carlo方法，研究了Lieb晶格相互作用无序哈伯德模型中的金属-绝缘体相变，该系统的特征是中心位于费米能级的平带.通过选择合适的电子密度，保证了弱相互作用的符号问题，提高了结果的可靠性。研究发现，无序和原位库仑排斥作用产生有趣的效应，诱导金属-绝缘体转变，这是不可能的半填充的情况下。在热力学极限下，费米能级处的态密度仍然是有限的，这表明该系统是安德森绝缘体而不是莫特绝缘体。此外，这种掺杂系统是顺磁性的，不像半填充系统是亚铁磁性的。
2022-06-08 cond-mat.str-el
Mott and Band Insulator Transitions in the Binary Alloy Hubbard Model
我们使用行列式量子蒙特卡罗模拟和精确对角化，探讨绝缘行为的哈伯德模型与随机定位的本地网站能量的双峰分布。从温度依赖性的压缩性和导电性，我们表明，有间隙的，不可压缩的莫特绝缘相存在远离半填充时，当地网站的能量的方差是足够大的。这个莫特相周围的可压缩区域是金属的，只有当密度的网站与相应的能量超过逾渗阈值，但安德森绝缘体，否则。
2006-07-19 cond-mat.str-el
Generalization of the iterative perturbation theory and metal-insulator transition in multi-orbital Hubbard bands
将动力学平均场论的迭代微扰理论推广到多轨道Hubbard带中任意电子占据的情形。我们给出了简单立方晶格中双简并Eg带的数值结果。光谱显示了不同电子占据的电子电离和亲和力水平。对于足够大的库仑积分，在整数填充的电子和系统成为绝缘体的光谱中打开一个间隙。该方案易于与LSDA电子结构理论相结合。
2002-11-08 cond-mat.str-el
One-Particle Spectral Properties of Mott-Hubbard Insulators
本文用一个精确的描述所有散射级下的holon - spinon相互作用的Landau液体泛函，研究了可积多组分多粒子问题的关联函数，该关联函数同时具有线性和非线性能带.我们考虑的具体情况下，占主导地位的非线性带项是二次和应用我们的研究结果的一维哈伯德模型关联函数的评价超出共形场论。
1999-04-14 cond-mat.str-el
Mass imbalance in the ionic Hubbard model: a DRMG study
利用密度矩阵重整化群方法研究了一维质量不平衡的离子哈伯德模型。该模型表现出带绝缘体相和反铁磁相，两者都具有有限的自旋间隙。我们发现这种量子相变是连续的，不同于以前的平均场论结果。冯·诺依曼块熵在临界点处最大，这是我们用来建立相图的事实。
2021-09-17 cond-mat.str-el quant-ph
Phase diagram of the frustrated Hubbard model
单能带哈伯德模型的顺磁相的莫特-哈伯德金属-绝缘体转变长期以来一直被用来描述像V $_2$ O $_3$这样的真实材料中的类似特征。在这里，我们表明，这种转变是隐藏在一个相当强大的反铁磁绝缘体，即使在存在比较强的磁挫折。这一结果提出了一个问题的相关性的莫特-哈伯德金属-绝缘体转变的通用相图的单带哈伯德模型。
2003-08-11 cond-mat.str-el
Metal-Insulator transitions in the periodic Anderson model
我们用动力学平均场论求解了Mott-Hubbard区域中的周期Anderson模型。在莫特绝缘体的电子掺杂时，发生金属-绝缘体转变，其在性质上类似于单带哈伯德模型的金属-绝缘体转变，即在有限温度下具有发散的有效质量和一阶特征。令人惊讶的是，在空穴掺杂时，金属-绝缘体转变不是一阶的，并且不显示发散质量。因此，单带哈伯德模型的过渡方案是不通用的周期性安德森模型，即使在莫特-哈伯德制度。
2008-09-20 cond-mat.str-el
Thermodynamics of the metal-insulator transition in the extended Hubbard model from determinantal quantum Monte Carlo
利用有限温度的量子蒙特卡罗模拟，研究了半满正方形格子上Slater体系中扩展的哈伯德模型在中间耦合下的热力学性质.我们考虑最近邻相互作用和长程库仑相互作用的情况下，耦合强度的存在下，非本地的相互作用仍然允许我们进行无符号问题的量子蒙特卡罗模拟。特别是，我们评估了最近提出的方案变分计算的一阶金属-绝缘体过渡在这种相互作用制度。
2022-10-18 cond-mat.str-el
Strong-coupling approach to the Mott--Hubbard insulator on a Bethe lattice in Dynamical Mean-Field Theory
本文计算了Bethe晶格上的半满哈伯德模型的Hubbard带，该模型具有无限配位数，在逆Hubbard相互作用下，该模型的配位数达到并包括三阶.本文应用Kato-Takahashi微扰理论，解析地求解了多链几何中单杂质Anderson模型的动力学平均场论的自洽方程。次级Hubbard子带的权重是四阶的，因此双链几何对于我们的研究是足够的。即使在Mott-Hubbard跃迁附近，我们对Mott-Hubbard能隙的计算结果也与动力学密度矩阵重整化群（DDMRG）的计算结果吻合得很好.下哈伯德带的态密度也同意非常好的DDMRG数据，除了在上带边的共振贡献，不能在低阶微扰理论再现。
2010-09-21 cond-mat.str-el
Metal-insulator transition in quarter-filled Hubbard model on triangular lattice and its implication for the physics of $Na_{0.5}CoO_{2}$
在平均场水平上研究了三角晶格上四分之一填充哈伯德模型的金属-绝缘体相变。我们发现，准一维金属态的共线磁序与绝缘态的非共面磁序密切竞争的跳跃积分$t$的两个符号。在强关联区（$U/|t|\gg1$），发现系统的金属-绝缘体相变是分两步进行的。具有共线磁序的准一维金属态被发现在顺磁金属相和非共面绝缘相之间的中间温度区域是稳定的。这些结果可能的相关性，在$Na_{0.5}CoO_{2}$的金属-绝缘体转变的物理进行了讨论。
2010-01-05 cond-mat.str-el
Mott metal-insulator transition in the Hubbard model
研究了单格点近似下和单格点近似下的哈伯德模型的基态。在SSA中，基态在临界点n=1和U/W=+infty处是典型的莫特绝缘体，其中n是每个晶胞的电子密度，W是电子的带宽，U是原位排斥，并且除了临界点之外是正常的费米液体。在SSA之外，正常费米液体对非正常费米液体状态是不稳定的，除了U=0的平凡情况，例如二维和更高维度中的磁性或超导状态。为了解释实际观察到的金属-绝缘体相变，除了哈伯德模型外，还应考虑电子-声子相互作用、多带或多轨道效应以及无序效应中的一种或几种效应。
2007-01-05 cond-mat.str-el
Absence of hysteresis at the Mott-Hubbard metal-insulator transition in infinite dimensions
用量子蒙特卡罗模拟研究了无限维哈伯德模型中Mott-Hubbard金属-绝缘体相变的性质，温度T=W/140（W=带宽）。与以前的工作相比，计算精度显着提高，我们表明，滞后低于T_{IPT} \simeq 0.022 W，在早期的研究中报道，消失。因此，过渡被发现是连续的，而不是不连续的至少T=0.325 T_{IPT}。我们还研究了态密度在整个跃迁过程中的变化，这说明费米液体在能隙打开之前就已经分解了。
1999-02-19 cond-mat.str-el
Finite Temperature Effects in One-dimensional Mott-Hubbard Insulator: Angle-Resolved Photoemission Study of Na_{0.96}V_{2}O_{5}
我们对一维Mott-Hubbard绝缘体Na_{0.96} V_{2} O_{5}进行了角分辨光电子能谱研究，发现V3 d低Hubbard带的谱与温度有很强的依赖关系.本文用精确对角化方法计算了有限温度下一维t-J模型的单粒子谱函数，并与实验结果进行了比较。实验和理论得到了很好的一致性。强的有限温度效应被讨论的自旋带的“费米面”的存在。
1999-01-22 cond-mat.str-el
Higher harmonics in Mott-Hubbard insulators as sensors
Helmholtz-Zentrum Dresden-Rossendorf（德累斯顿罗森多夫亥姆霍兹中心）；Technische Universität Dresden（德累斯顿工业大学）
本研究通过强关联时间依赖微扰理论，揭示了Mott-Hubbard绝缘体在振荡电场下的高阶谐波特性，展示了其作为相关材料探针和驱动场传感器的应用潜力。
2026-03-05 cond-mat.str-el
Single-Particle Dynamics in the Vicinity of the Mott-Hubbard Metal-to-Insulator Transition
研究了由电子间强排斥作用引起的金属-绝缘体相变的单粒子动力学。系统采用半满哈伯德模型描述，模型采用高分辨动态密度矩阵重整化的动态平均场论处理。我们提供的理论光谱的动量分辨率，便于比较光电子能谱学。
2008-02-18 cond-mat.str-el
Breakdown of the Luttinger sum rule within the Mott-Hubbard insulator
在一维相互作用费米子的原型紧束缚模型中研究了Luttinger求和规则的有效性，t-V模型包括次近邻跳跃t'，以打破粒子-空穴对称性。对半充满时有限系统结果的标度分析表明，在V >> t时，大能隙区的求和规则明显失效，而Mott-Hubbard能隙消失时求和规则似乎恢复。
2008-10-10 cond-mat.str-el
Metal-insulator transition in the two-orbital Hubbard model at fractional band fillings: Self-energy functional approach
本文研究了无限维二轨道哈伯德模型在任意能带填充下的性质。利用自能泛函方法，讨论了具有相同和不同带宽的系统中金属态的稳定性。结果发现，莫特绝缘相实现在相称的带填充。此外，它是澄清的轨道选择莫特相位与一个轨道本地化和其他巡回的稳定，即使在分数频带填充系统中具有不同的带宽。
2007-06-27 cond-mat.str-el
Nature of the Peierls- to Mott-insulator transition in 1D
为了阐明从Peierls带绝缘体到关联Mott-Hubbard绝缘体的跃迁物理过程，我们利用准精确数值方法分析了一维半填充Holstein-哈伯德模型的基态和光谱性质.在绝热极限下，该跃迁与离子哈伯德模型的能带到莫特绝缘体的跃迁有关。取决于电子-声子耦合和哈伯德相互作用的强度的过渡是一阶或不断演变的中间阶段与有限的自旋，电荷，和光学激发间隙。
2002-11-11 cond-mat.str-el
Critical Behaviour near the Mott Metal-Insulator Transition in a Two-band Hubbard Model
利用线性化动力学平均场论研究了无限维两带哈伯德模型中的Mott金属-绝缘体相变。从空穴到电子掺杂的变化的化学势的不连续性被解析地计算为在$d$ -轨道处的现场库仑相互作用$U$和在$d$ -和$p$ -轨道之间的电荷转移能量$Δ$的函数。准粒子重量的临界行为也得到解析作为$U$和$Δ$的函数。解析结果与精确对角化方法的数值结果吻合较好。
2001-07-10 cond-mat.str-el
Mott-Hubbard insulators for systems with orbital degeneracy
我们研究了在大库仑相互作用U的极限下，电子跳跃如何减小Mott-Hubbard带隙，并作为轨道简并度N的函数。结果支持这样的结论，即跳跃贡献大致随着\sqrt{N} W而增长，其中W是单粒子带宽，但是在某些模型中，对于足够大的N，发现到\sim NW行为的交叉。
1997-01-21 cond-mat.str-el
Metal-insulator transition in the hybridized two-orbital Hubbard model revisited
本文研究了在最近邻轨道杂化和晶场分裂的情况下正方晶格上的双轨道哈伯德模型。我们采用基于密度矩阵重整化群的高可靠性数值方法求解动力学平均场论自洽杂质问题。我们发现，当至少有一个带是金属带时，轨道混合总是导致在两个轨道的费米能级处的有限局域密度态。当一个带被掺杂，而化学势位于另一个带的Hubbard带之间时，该轨道上的相干准粒子峰与Hubbard相互作用$U$呈指数关系。
2017-12-13 cond-mat.str-el
Hubbard Fermi surface in the doped paramagnetic insulator
本文采用有限温度量子蒙特卡罗模拟方法，对二维哈伯德模型的掺杂顺磁绝缘体的电子结构进行了研究。在整个过程中，我们使用中等高温T= 0.33 t，其中自旋相关长度已经下降到< 1.5晶格间距，并研究了能带结构与空穴掺杂的演变。掺杂的效果可以最好地描述为化学势刚性移动到较低的哈伯德带，伴随着一些光谱权重的转移。对于<20%的空穴掺杂，违反了Luttinger定理，并且从“准粒子带”的费米能级交叉推断出的费米表面体积显示出与Hubbard I和相关近似所预测的相似的拓扑结构和掺杂依赖性。
1999-02-01 cond-mat.str-el
Mott metal-insulator transition in the Doped Hubbard-Holstein model
基于目前对在许多钙钛矿氧化物中观察到的远离半填充的莫特绝缘体的理解的兴趣，我们使用Hatree-Fock平均场论研究了掺杂Hubbard-Holstein模型中的莫特金属-绝缘体转变（MIT）。Hubbard-Holstein模型是包含库仑和电子-晶格相互作用的最简单模型，它们是钙钛矿氧化物物理学中的重要成分。相反，半填充的哈伯德模型，它总是在一个单一的阶段（金属或绝缘），我们的研究结果表明，远离半填充，金属和绝缘区域的混合相发生。随着掺杂剂浓度的增加，金属部分的体积逐渐增大，直到其超过逾渗阈值，从而导致电导。这发生在临界掺杂剂浓度$δ_c$以上，该浓度取决于电子-晶格相互作用的强度，可以是单位的显著分数。这意味着即使对于大量掺杂，材料也可以是绝缘的，与掺杂空穴将破坏半填充哈伯德模型的绝缘行为的预期相反。我们的理论提供了一个框架的密度驱动的金属-绝缘体的转变在许多复杂的氧化物中观察到的理解。
2017-05-26 cond-mat.str-el
Electronic state of a doped Mott-Hubbard insulator at finite temperatures studied using the dynamical mean-field theory
利用动态平均场论研究了掺杂Mott-Hubbard绝缘体的电子态。作为掺杂的函数的有限温度谱函数的演变显示在反铁磁和顺磁相的光谱权重的大的重新分布。特别是，金属反铁磁态的低频Slater分裂准粒子峰与Hubbard带共存。在高温顺磁金属相中，在减少掺杂时，系统具有通过"坏金属“状态的交叉，其特征在于准粒子峰远离费米能的异常位移。我们发现，{ \it电荷}的反铁磁金属的压缩性显着增强后，接近二阶Néel线。
2006-04-06 cond-mat.str-el
Finite-frequency optical absorption in 1D conductors and Mott-Hubbard insulators
利用选择规则、Bethe变换和守恒律的对称性，研究了一维哈伯德模型的电导率随频率的变化。对于密度的系统是金属的吸收光谱有两个贡献，德鲁德峰在$ω= 0$分开的赝隙从一个广泛的吸收带，其下边缘的特点是由一个非经典的临界指数。我们的发现为金属有机链状化合物的“远红外之谜”和其他光学性质提供了新的线索。
2000-05-05 cond-mat.str-el
Exact Diagonalization Study of 2D Hubbard Model on Honeycomb Lattice: Semi-metal-Insulator Transition
本文用二维哈伯德模型和精确对角化动力学平均场论理论研究了蜂窝晶格中的零温相变。在低能量下，色散关系是动量的线性函数。在弱相互作用的限制下，体系处于半金属相。通过增加现场相互作用的半金属到绝缘体的过渡发生在顺磁相。双占有率的计算表明这种相变是二级的。相应的相变点和临界现场相互作用的确定使用重整化费米速度因子。
2014-09-29 cond-mat.str-el
Band-Insulator-Metal-Mott-Insulator transition in the half--filled $t-t^{\prime}$ ionic-Hubbard chain
利用连续极限玻色化方法研究了具有交错离子势$Δ$的半满$t-t^{\prime}$排斥Hubbard模型的基态相图.我们发现，随着增加的现场排斥$U$，取决于下一个最近的跳跃幅度$t^{\prime}$的值，该模型显示了三个不同版本的基态相图。对于$t^{\prime} < t^{\prime}_{\ast}$，基态相图由以下三个绝缘相组成：$U<U_{c}$处的带绝缘体、$U_{c} < U < U_{s}$处的铁电绝缘体和$U > U_{c}$处的相关（Mott）绝缘体。对于$t^{\prime} > t^{\prime}_{c}$，从$U<U_{c}$处的自旋带隙金属相到$U > U_{c}$处的铁电绝缘体只有一个转变。最后，对于下一个最近的跳跃幅度$t^{\prime}_{\ast} < t^{\prime} < t^{\prime}_{c}$的中间值，我们发现，随着增加的现场排斥，在$U_{c1}$的模型经历了二阶的带绝缘体到金属态的无公度型过渡，并在较大的$U_{c2}$有一个Kosterlitz无公度型过渡从金属到铁电绝缘体。
2006-11-15 cond-mat.str-el
Haldane insulator protected by reflection symmetry in the doped Hubbard model on the three-legged ladder
我们证明了在三足哈伯德阶梯在三分之二填充绝缘相的存在。在这一阶段，特征线是固定的，因为单位晶胞内的物理有利于形成三重态。所得到的力矩导致在Haldom相中的基态，Haldom相是物质的对称性保护的拓扑状态。在这个纯费米子模型中，反射是保护，但时间反演和二面角对称性不是，与自旋模型相反。
2016-12-16 cond-mat.str-el
Temperature-Induced Metal-Insulator Transition in a Narrow-Band Model with Non-Equivalent Hubbard Subbands at Half-Filling
在以前的论文中（图1）。of Phys.Stud.2，362（1998）; cond-mat/9811213）研究了在半填充和零温度下具有关联跳跃的广义哈伯德模型中的金属-绝缘体转变。本文对该模型中的金属-绝缘体相变作了进一步的研究，特别是温度诱导的金属-绝缘体相变。能隙与双电子占据浓度的关系导致能隙宽度随温度的升高而增大。因此，随着温度的升高，窄带系统可以经历从金属态到绝缘态的转变。对于一定的原子内库仑排斥$U$和$w_0$（$w_0$是半带宽），我们找到了窄带材料从金属态到绝缘态转变时的温度值。结果表明，在给定的$U/w_0$下，具有非等效Hubbard子带的模型中的金属-绝缘体相变可以在比哈伯德模型更低的温度下发生.这证明了考虑关联跳跃对于考虑金属-绝缘体相变问题的重要性。
1998-11-19 cond-mat.str-el
Numerical study of a superconductor-insulator transition in a half-filled Hubbard chain with distant transfers
数值研究了具有次近邻跳跃（t '）和最近邻跳跃（t）的一维哈伯德模型在半填充时的基态.一个量子Monte Carlo结果显示了一个缓慢衰减的配对相关的一个相当大的相互作用强度$(U \leq 2t)$，而该系统被证明成为绝缘的更大的$U>U_C\sim 3t$从直接评估的电荷间隙与密度矩阵重整化群方法。这一结果与Fabrizio最近提出的弱耦合理论相一致，该理论提出了在有限的U.
1997-02-25 cond-mat.str-el
