Epitaxial Graphene Nanoribbons on Bunched Steps of a 6H-SiC(0001) Substrate: Aromatic Ring Pattern and Van Hove Singularities
我们报告了在6 H-SiC（0001）衬底的成束台阶阵列上生长的石墨烯纳米带的扫描隧道显微镜和光谱研究。我们的石墨烯纳米带在台阶上的扫描隧道显微镜图像具有（sqrt（3）x sqrt（3））R30°芳香环图案，其定义了我们的扶手椅纳米带。这与基于密度泛函理论的模拟是一致的。作为一维电子结构的另一个特征，在相应的扫描隧道光谱中，我们发现了发达的，尖锐的范霍夫奇点。
2012-12-18 cond-mat.mes-hall
Van Hove Singularities in disordered multichannel quantum wires and nanotubes
本文提出了无序多通道量子线，特别是多壁碳纳米管的隧穿态密度（TDOS）中的范霍夫奇点（VHS）理论。我们假设附近的门屏蔽了电子-电子相互作用。在非交叉近似的图解微扰理论产生的解析表达式管理的无序引起的加宽和移动的VHS的新的子带被打开。这个问题是不平凡的，因为（最低阶）玻恩近似在接近VHS时崩溃。有趣的是，与散装情况相比，边界TDOS显示出急剧改变的VHS，即使在清洁极限。
2002-10-17 cond-mat.mes-hall
Transport signatures of Van Hove singularities in mesoscopic twisted bilayer graphene
魔角扭曲的双层石墨烯具有接近费米能级的范霍夫奇异性的准平坦低能带。这些奇异性通过放大电子相关效应，在这种材料中观察到的奇异现象（如超导性和磁性）中起着重要作用。在这项工作中，我们研究了对应的四端电导和费米表面拓扑结构的扭曲角，压力和能量的函数在介观，弹道小角度扭曲的双层石墨烯样品。我们建立了一个对应的功能之间的宽结电导和范霍夫奇点的存在下的态密度。此外，我们确定额外的运输功能，如一个大的，压力可调的最小电导，电导峰与非奇异带交叉重合，和异常大的电导振荡作为系统大小的函数。我们的研究结果表明，扭曲双层石墨烯接近魔角是一个独特的系统，同时具有大电导由于准平坦带，强量子非线性由于范霍夫奇异性和高灵敏度的外部参数，这可能是利用在高频器件应用和灵敏的探测器。
2022-12-07 cond-mat.mes-hall
Spin pumping in YIG-Pt structures: the role of the van Hove singularities
本文实验研究了YIG/Pt结构中磁静波的自旋泵浦，发现在自旋波谱态密度的van Hove奇点频率处，电子-磁子散射与自旋电流产生效率显著提升，为自旋波自旋电子器件发展提供重要依据。
2023-11-25 cond-mat.mes-hall
Chern Bands with Higher-Order Van Hove Singularities on Topological Moiré Surface States
本文研究三维拓扑绝缘体表面由塞曼场与莫尔势共同作用下形成的陈能带，发现其中存在高阶范霍夫奇点，并证明这些奇点可通过低温反常霍尔电导率特征进行探测。
2024-02-26 cond-mat.mes-hall
Van Hove scenario of anisotropic transport in a two-dimensional spin-orbit coupled electron gas in an in-plane magnetic field
研究了面内磁场作用下二维自旋轨道耦合电子气中的电子输运。自旋轨道相互作用和磁场的相互作用导致了态密度的范霍夫奇异性和费米轮廓的强各向异性。我们开发了一种方法，允许一个精确地计算这些条件下的非平衡分布函数的框架内的半经典玻尔兹曼方程，而不使用散射时间近似。应用该方法计算了电场诱导的电导张量和自旋极化张量（Aronov-Lyanda-Geller-Edelstein效应）。研究发现，电导率和自旋极化率都具有一个尖锐的奇异性，它是费米能级或磁场的函数，当费米能级通过范霍夫奇异性时，出现这种奇异性.此外，输运各向异性显着变化附近的奇异性。
2019-01-30 cond-mat.mes-hall
Band engineering of phosphorene/graphene van der Waals nanoribbons toward high-efficiency thermoelectric devices
本文研究了由AGNR和APNR堆叠的磷烯/石墨烯范德华纳米带的热电电流，发现外加电场可诱导能带排列和带隙转变，从而大幅增加热致电流并控制其流向，对柔性电子和热电器件应用具有重要意义。
2024-02-12 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
Van Hove Singularity and Lifshitz Transition in Thickness-Controlled Li-Intercalated Graphene
我们展示了一种新的方法来控制费米能级周围的van Hove奇点（VHS）在SiC衬底上的锂插层石墨烯。通过角分辨光电子能谱，我们观察到一个明确的Lifshitz过渡附近的VHS通过增加石墨烯的厚度。这种行为在独立的Li插层石墨烯模型中是出乎意料的。包括基板的计算表明，表面状态稳定的费米能级周围的狄拉克带的VHS通过杂化。此外，我们发现，一个相当大的肖特基势垒之间形成的石墨烯和衬底。这些性质使我们能够通过控制器件条件下的厚度和电场来探索VHS周围的电子相图。
2021-08-12 cond-mat.mes-hall
Spin-density-wave instability in graphene doped near the van Hove singularity
我们研究了在范霍夫奇点附近掺杂的石墨烯中金属态对新基态形成的不稳定性。系统用哈伯德模型描述，用场论方法计算电荷和自旋磁化率。我们发现，在无规相近似下，对于排斥作用，铁磁性和自旋密度波（SDW）之间存在竞争。结果表明，当Hubbard参数大于临界值U_c（T）时，即使掺杂有很小的变化，三角形结构的SDW也是更有利的。我们的结果可以通过高掺杂石墨烯的ARPES或中子散射实验来验证。
2011-09-15 cond-mat.mes-hall
Strain-induced modulation of Dirac cones and van Hove singularities in twisted graphene bilayer
通过原子紧束缚计算，研究了单轴应变对扭曲石墨烯双层膜电子能带结构的影响。我们发现，带结构是显着变形和带的简并被打破的应变。结果，Dirac锥的数目可以加倍，并且van Hove奇点在能量上是分离的。这些效果的应变强度，它的应用方向和扭转角的依赖关系被仔细澄清。作为一个重要的结果，我们证明了范霍夫奇点的位置可以通过应变来调制，这表明在大范围的扭转角（即，大于$10^\circ$）。不幸的是，这些有趣的/重要的现象没有得到澄清，在以前的作品的基础上连续近似。虽然它们与现有的实验很好地吻合，但我们的结果提供了对电子性质的应变效应的详细理解，并可能激发这种类型的石墨烯晶格中的电子输运的其他研究。
2014-12-24 cond-mat.mes-hall
Effect of van-Hove singularities in single-walled carbon nanotube leads on transport through double quantum dot system
本文利用非平衡格林函数研究单壁碳纳米管导线双量子点系统，发现碳纳米管导线态密度中的范霍夫奇点会显著降低对齐化学势处的电导峰高度。
2018-09-10 cond-mat.mes-hall
Berry Curvature Dipole and its Strain Engineering in Layered Phosphorene
本研究通过对称性设计、应变与交错在位势调控层状磷烯，预测可在 Fermi 能级产生显著且符号可控的 Berry 曲率偶极子，并发现增加层数可降低所需应变。
2023-10-31 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
Higher-order van Hove singularity in magic-angle twisted trilayer graphene
我们研究了镜像对称扭曲三层石墨烯中高阶范霍夫奇异性的存在。这种几何形状最近在实验上成为研究相关和奇异超导相的迷人场所。我们发现，三层主机的零能量高阶van Hove奇异性的指数为-1/3。奇异性由三重旋转对称性和组合的镜-粒子-孔对称性保护，并且它可以仅用扭转角和垂直电场来调谐。它产生于范霍夫奇点和狄拉克锥在零能量下的合并，超越了范霍夫奇点的最近分类。此外，我们发现，改变第三个参数，如λ，使系统的拓扑Lifshitz过渡，与异常指数-2/5，分离区域的局部开放和封闭的半经典轨道。
2022-07-27 cond-mat.mes-hall cond-mat.str-el
Topological van Hove singularities at phase transitions in Weyl metals
我们表明，在三维（3D）拓扑金属，一个子集的状态密度的范霍夫奇点正好位于拓扑和平凡的无隙相之间的过渡。我们可以称之为拓扑范霍夫奇点。通过研究两个极小模型，我们表明，它们起源于能量鞍点之间的Weyl点具有相反的手征，我们说明了它们的拓扑性质，通过它们的磁输运性质的弹道制度。通过对三维Hofstadter模型的分析，揭示了范霍夫奇异性与Weyl系统拓扑相变之间的关系，为研究不同类型的Weyl金属及其态密度特征提供了一个简单而有趣的平台.在这个模型中，作为一个函数的磁通量，拓扑范霍夫奇点的发生可以明确检查。
2021-11-29 cond-mat.mes-hall cond-mat.quant-gas
Metamaterial Van Hove Singularity
介绍了双曲型色散人工介质（超材料）中电子范霍夫奇点（VHS）的光子模拟。与光子晶体和电子晶体不同，超材料中的VHS与潜在的周期性无关，并且由于结构中的慢光模式而发生。我们表明，VHS特性表现在近场的局部光态密度，尽管双曲型超材料的损耗，色散和有限的单元格尺寸。最后，我们表明，这项工作应导致量子，热，纳米激光和生物传感应用的范霍夫奇异性在双曲型超材料可通过目前的制造技术。
2013-07-25 cond-mat.mes-hall physics.optics
Interferometric measurement of Van Hove singularities in strained graphene
提出了一种基于全内反射和相移干涉的应变石墨烯范霍夫奇异性测量方法。线偏振光通过四分之一和半波片，半圆柱棱镜和马赫-曾德尔干涉仪。范霍夫奇点表现为两个干涉信号的最终相位差的频谱中的一些尖锐的凹陷或峰值。数值分析表明，范霍夫奇点的数量与所施加的应力模量无关，但它们的位置随着拉伸强度的增加而移动。此外，奇异点的数量和位置强烈地依赖于相对于石墨烯晶格中的锯齿轴的应力方向。此外，我们表明，奇点的位置是独立的张力方向相对于入射辐射的电场的切向分量。
2019-11-04 cond-mat.mes-hall physics.app-ph
Overdoping graphene beyond the van Hove singularity
在非常高的掺杂水平下，石墨烯的$π^*$带中的van Hove奇点被占据，并且可能出现由多体相互作用驱动的奇异基态。采用镱嵌入和钾吸附的组合，我们将$n$掺杂在碳化硅上的外延石墨烯超过$π^*$ van Hove奇点，达到5.5 $\times$ × 10 $^{14}$ cm $^{-2}$的电荷载流子密度。这一制度标志着明确完成了一个Lifshitz过渡，其中费米表面拓扑结构已经从两个电子口袋演变成一个巨大的空穴口袋。角分辨光电子能谱学证实了这些变化是由电子结构重整化而不是刚性能带位移驱动的。我们的研究结果在外延石墨烯的相图中打开了以前无法达到的超越范霍夫制度，从而在这种原型二维材料中获得了一个未探索的潜在奇异相的景观。
2020-09-10 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
Altermagnetism from coincident Van Hove singularities: application to $κ$-Cl
本文提出利用能量和动量重合的范霍夫奇点稳定二维交变磁性的微观机制，揭示其产生的新型跃迁相互作用可诱导交变磁性、向列性、带间d波超导等BCS不稳定性，并成功应用于准二维有机材料κ-Cl。
2025-05-05 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
One-dimensional Van Hove polaritons
我们研究了一维纳米线中微腔光子的光-物质耦合和带间跃迁。由于范霍夫奇异性的状态密度，导致在吸收线的共振特性，实现强耦合成为可能，即使没有形成一个电子和一个空穴的束缚态。计算得到的系统吸收和相应的能谱揭示了极化激元模形成的反交叉行为特征。与传统激子极化激元的情况相比，一维范霍夫极化激元的形成将不限于低温，并且可以在任何具有态密度奇异性的系统中实现。
2013-03-11 cond-mat.mes-hall physics.optics
Correlated states controlled by tunable van Hove singularity in moiré WSe2
该研究结合磁圆二色性和电子可压缩性测量，探讨了双层WSe2中范霍夫奇点对关联相的影响，通过电场和磁场调节范霍夫奇点，成功稳定了Stoner铁磁性和Chern绝缘体，展示了可调范霍夫奇点工程化电子相的前景。
2024-07-26 cond-mat.mes-hall cond-mat.str-el
Magnetic and Kohn-Luttinger instabilities near a Van Hove singularity: monolayer versus twisted bilayer graphene
我们研究了单层和扭曲双层石墨烯中范霍夫奇点附近电子相互作用的多体不稳定性。我们表明，配对不稳定性必须占主导地位的趋势磁秩序的费米能级被调谐到范霍夫奇异性的石墨烯的导带。由于色散鞍点的扩展特性，我们发现电子的配对优先发生在f波对称的通道中，在沿费米线鞍点的位置上序参量为零.在扭曲双层的情况下，色散的对称性降低到C_{3v}群，最重要的是，它导致在鞍点发散但沿费米线可积的双折射率。这意味着铁磁不稳定性在范霍夫奇点附近的扭曲石墨烯双层中占主导地位，其强度随着电子系统的最低子带对于减小的扭曲角变得更平坦而放大。
2013-07-25 cond-mat.mes-hall cond-mat.str-el
Generic Symmetry Breaking Instability of Topological Insulators due to a Novel van Hove Singularity
我们指出，在深带反转态，拓扑绝缘体是一般容易受到对称性破缺不稳定性，由于发散的大密度的状态的1D类指数附近的化学势。这一功能在频带边缘与一个新的范霍夫奇点产生的墨西哥帽带色散的发展。我们通过原型2D和3D模型演示了这种通用行为。这一认识不仅解释了现有的实验观察到的额外的阶段，但也提出了一条路线，以激活额外的功能，拓扑绝缘体通过有序，特别是长期寻求的拓扑超导体。
2014-10-10 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
Observation of van Hove Singularities in Twisted Silicene Multilayers
层间相互作用扰动二维材料的电子结构，并导致新的物理现象，如范霍夫奇点和霍夫施塔特的蝴蝶图案。硅烯是最近发现的硅的二维形式，它是非常独特的，因为硅原子采用竞争的<sup>sp2</sup>和<sup>sp3</sup>杂化状态，导致低屈曲结构，有望产生相对较强的层间相互作用。<i></i><i></i>在多层硅烯中，堆叠顺序提供了一个重要但很少探索的自由度，通过操纵层间耦合来调节其电子结构。在这里，我们报告的多层硅烯层间旋转所产生的范霍夫奇点的出现。我们证明，即使是一个大角度的旋转（> 20<sup>o</sup>）之间的堆叠硅烯层可以产生莫尔图案和van Hove奇异性，由于在多层硅烯层间的强耦合。我们的研究提出了一种有趣的方法，用于扩展这种二维材料中电子应用的电子结构的可调谐性。
2015-09-07 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
Cascade of transitions in twisted and non-twisted graphene layers within the van Hove scenario
受扭曲双层石墨烯的压缩性和STM光谱测量的启发，我们分析了范霍夫奇点附近的巡游费米子的对称性破缺模式。利用Landau泛函的近似SU（4）对称性，我们证明了自旋/同位旋序参量的结构通过级联跃迁随填充的增加而变化.我们计算反馈从不同的自旋/同位旋费米子订单，并认为每个订单分裂最初的4倍简并范霍夫峰在一个特定的方式，符合STM数据和压缩性测量，提供了一个统一的解释的级联的过渡在扭曲的双层石墨烯。我们的结果来自SU（4）对称朗道泛函的一般分析，并且在特定的基础费米模型之外是有效的。我们认为，一个类似的范霍夫的情况下解释了级联的相变在非扭曲的Bernal双层和菱形三层石墨烯。
2022-12-07 cond-mat.mes-hall cond-mat.str-el
Observation of near EF Fermi-arc van Hove singularity with prominent coupling to phonon in a van der Waals coupled Weyl semimetal
采用扫描隧道显微镜/光谱和第一性原理计算相结合的方法研究了一种范德华耦合Weyl半金属材料NbIrTe 4.我们观察到一个尖锐的峰值附近的零偏置能量的隧穿电导，其起源是归因于一个van Hove奇异性与拓扑非平凡费米弧状态的Lifshitz过渡。此外，隧道光谱测量显示出令人惊讶的大签名的电子玻色子耦合，这大概是通过增强的电荷磁化率的强烈增强的电子声子耦合。我们在范德华耦合材料中的发现是特别宝贵的，由于适用的剥离技术，通过进一步操纵纳米尺度薄片及其器件中的近费米能范霍夫奇点来搜索奇异的拓扑状态。
2021-08-22 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Topological Map of the Hofstadter Butterfly and Van Hove Singularities
霍夫施塔特蝴蝶是一种具有高度复杂的嵌套间隙集的量子分形，其中每个间隙代表量子霍尔态，其量子化电导率由称为陈数的拓扑不变量表征。在这里，我们获得了简单的规则，以确定在蝴蝶分形的所有尺度的陈数，并奠定了一个非常详细的拓扑图的蝴蝶。我们的研究揭示了一组临界点的存在，每个临界点对应于一个宏观湮灭的有序模式的积极和消极的陈省身，出现在蝴蝶的精细结构。这样的拓扑崩溃与范霍夫奇点，存在于每个带中心的蝴蝶景观。因此，我们关联到范霍夫异常的拓扑字符。最后，我们表明，这种精细结构的微扰下放大，诱导量子相变到更高的陈省身状态的系统。
2015-10-08 cond-mat.mes-hall cond-mat.other
High Van Hove singularity extension and Fermi velocity increase in epitaxial graphene functionalized by gold clusters intercalation
在缓冲层和SiC（0001）上的外延石墨烯的石墨烯单层之间的金嵌入导致簇的准独立小聚集体的形成。角分辨光电子能谱测量表明，这些簇保留了石墨烯准粒子的线性分散，并令人惊讶地增加了它们的费米速度。它们还通过没有电荷转移的强延伸强烈地修改了范霍夫奇点（VH）周围的石墨烯的能带结构。这一结果提供了一个新的洞察的作用，嵌入剂在重整化的裸电子能带结构的石墨烯通常观察到的石墨和石墨烯层间化合物。
2012-01-16 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
Van Hove Singularities and Excitonic Effects in the Optical Conductivity of Twisted Bilayer Graphene
我们报告了一个系统的研究扭曲双层石墨烯（tBLG）在一个大的能量范围内（1.2 eV至5.6 eV）的各种扭曲角，结合第一性原理计算的光学电导率。在以前未探索的高能量下，我们的数据显示了tBLG带中多个van Hove奇点（vHS）的特征，以及单层石墨烯带的非线性及其电子-空穴不对称性。我们的数据还表明，激子效应在tBLG的光谱中起着至关重要的作用。包括电子-空穴相互作用的第一性原理计算是必不可少的再现的电导率谱的形状，我们发现的证据与多个vHS在tBLG的状态之间的相干相互作用。
2014-05-06 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
Hydrostatic pressure control of the spin-orbit proximity effect, spin relaxation, and thermoelectricity in a phosphorene-WSe$_2$ heterostructure
本文基于第一性原理计算，证明在磷烯-WSe$_2$异质结构中施加垂直压力可显著增强磷烯的自旋轨道耦合，改变自旋弛豫机制并降低热电效率。
2024-08-28 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
Chiral p-wave superconductivity in Sb(111) thin films close to Van Hove singularities
我们从理论上研究了当Sb（111）薄膜的费米能级被调谐到非时间反演不变动量处的范霍夫奇异点（VHS）附近时，非常规超导性的发展。通过补丁重整化群分析，我们证明了主导不稳定性是一个手征p + ip波超导序。这种配对的起源依赖于VHS的六边形结构和强的自旋-轨道耦合，导致电子-电子散射的各向异性，以提供有吸引力的通道。我们的研究表明，VHS物理产生的超导Sb薄膜可能具有磁涡旋中的Majorana零模，并为这种材料提供了另一种应用前景。
2016-04-04 cond-mat.mes-hall cond-mat.str-el
Effects of high-order Van Hove singularities on exciton and trion energy dispersions
Loughborough University（拉夫堡大学）
研究二维半导体中范霍夫奇点对激子和三重子能量色散的影响，通过研究不同类型的价带能量色散，发现奇点会增强态密度并影响光学性质，还研究特定材料，为二维材料设计特定束缚态提供途径。
2026-07-13 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
The Coexistence of van Hove Singularities and Superlattice Dirac Points in a Slightly Twisted Graphene Bilayer
我们考虑了轻微扭曲的石墨烯双层的电子结构，并在连续近似下显示了范霍夫奇点（VHS）和超晶格狄拉克点的共存。石墨烯叠石墨烯莫尔图案产生周期性电子势，由于载流子的手性性质，这导致超晶格狄拉克点的出现。由于扭曲石墨烯双层的实结构和倒易结构的不同，其子晶格交换偶结构和奇结构（两种公度结构）导致了超晶格Dirac点的两种不同结构。我们进一步计算了应变对扭曲石墨烯双层的低能电子结构的影响，并证明了应变对VHS位置的影响。
2013-04-12 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
Spectral properties of Dirac billiards at the van Hove singularities
本文研究了矩形和非洲形超导微波谐振器的能级间距比的分布，该谐振器在三角形网格上含有圆形散射体，即所谓的狄拉克台球（DBs）。高精度测量可以分别确定前两个频段中的所有1651和1823本征频率。共振密度类似于石墨烯的共振密度。它们在van Hove奇点处表现出两个尖锐的峰，将能带结构分成分别具有线性和二次色散关系的区域。在它们附近，我们观察到快速的变化，例如，在波函数结构中。因此，问题出现了，是否有光谱特性仍然是由DBs的形状。然而，常用的统计措施已不再适用，而如本函所示，比率分布提供了最合适的统计措施。
2015-12-16 cond-mat.mes-hall nlin.CD
Parquet renormalization group analysis of weak-coupling instabilities with multiple high-order Van Hove points inside the Brillouin zone
我们分析了当布里渊区内部存在多个高阶范霍夫点时可能出现的弱耦合不稳定性。我们考虑的模型是受扭曲双层石墨烯的启发，尽管分析应该更普遍适用。我们采用了一个parquet重整化群分析，以确定领先的弱耦合不稳定性，补充金兹伯格-朗道处理，以解决任何退化。因此，我们确定的领导不稳定性，可以发生从弱排斥与幂律发散态密度。沿着不同的稳定的固定轨道，包括$s$波铁磁性，$p$波手征/螺旋超导，$d$波手征超导，$f$波谷极化秩序，和$p$波极谷极化秩序的五个相关阶段被揭露。相图是稳定的带变形，保持高阶范霍夫奇异性。
2020-12-17 cond-mat.mes-hall cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Oscillations of van Hove singularities spacing induced by sub-Angstrom fluctuations of interlayer spacing in graphene superlattices
二维范德华（vdWs）结构的物理性质敏感地依赖于堆叠顺序和层间相互作用。然而，在迄今为止研究的大多数情况下，层间相互作用被认为是vdWs结构的静态特性。在这里，我们证明了在扭曲的双层石墨烯（TBG）上施加扫描隧道显微镜（STM）尖端脉冲可以诱导TBG中的层间分离的亚埃波动，这相当于TBG上约10 GPa的动态垂直外部压力。层间分离的亚埃波动导致TBG中两个van Hove奇点（VHS）之间的能量分离的大振荡。VHS间距的振荡周期非常长，约500-1000秒，归因于原子厚TBG中尖端诱导的局部应力。我们的研究结果提供了一种有效的方法来调整和测量的vdWs结构的物理特性的动态。
2021-11-19 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
Signatures of van Hove singularities probed by the supercurrent in a graphene - hBN superlattice
由六方氮化硼衬底在石墨烯中诱导的莫尔超晶格强烈地改变了石墨烯的能带结构，这表现为新的狄拉克点的出现，伴随着范霍夫奇点。在这项工作中，我们提出了在约瑟夫森结由这样的石墨烯超晶格在长和扩散制度，其中的超导电流取决于无源能量。然后，我们可以从临界电流和正常态电阻的组合测量来估计石墨烯超晶格的特定态密度。结果与理论预测相符，并突出了范霍夫奇点处态密度的强烈增加。通过测量超电流的磁场依赖性，我们发现在这些奇点的边缘电流的存在。我们解释它的费米速度的减少与平坦的带在范霍夫奇点，这抑制了在散装的超导，而在边缘的电子保持较少的本地化，导致在边缘超导。我们将边缘的这种不同行为归因于缺陷或化学掺杂。
2018-05-28 cond-mat.mes-hall cond-mat.supr-con quant-ph
Van Hove bound states in the continuum: Localised subradiant states in finite open lattices
我们表明，有限格与任意边界可以支持大退化子空间，源于潜在的平移对称的晶格。当晶格与环境耦合时，这些态中可能有大量与环境保持弱耦合或完全解耦，从而在连续体中实现一种新的束缚态。这些状态沿着晶格的特定方向强烈地局部化，在与环境的强耦合的限制下，导致空间局部化的次辐射态。
2020-06-05 cond-mat.mes-hall cond-mat.quant-gas physics.optics
