Weak Localization Effects On The Electron-Phonon Interaction In Disordered Metals
弱局域化对金属的正常性质和超导性质都有很大的影响。特别是，由于弱局域化导致电子和声子的去耦，电阻的温度依赖性随着无序度的增加而降低，如Mooij的经验规则所示。此外，Testardi的普遍相关的Tc和电阻率如下。我们发现，弱局域化导致类似的其他物理量，如电子热阻率，电子热容，和超声衰减，这是由电子-声子相互作用控制的校正。
2006-05-05 cond-mat.dis-nn cond-mat.supr-con
Mutual control of critical temperature, residual resistance ratio, stress, and roughness for sputtered Nb films
本文系统研究了200 nm溅射Nb薄膜内应力与电学、超导及表面性能的关系，发现存在临界工作气压，低于该值可在宽范围调控应力并保持优异性能，并提出修正动力学模型将应力预测误差从20%降至8%。
2025-07-23 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.supr-con physics.app-ph
Influence of heat treatment excursion on critical current and residual resistivity ratio of ITER Nb3Sn strands
热处理对Nb_3Sn超导线材的性能至关重要。对于非常大的Nb3Sn磁体线圈，例如国际热核实验反应堆（ITER）中央螺线管（CS）线圈，热处理具有温度和时间偏移的风险，这可能导致性能下降。因此，研究可能的偏移对Nb3Sn性能的影响是谨慎的。在这项研究中，Nb3Sn股用于ITER CS线圈在不同的温度下进行不同的时间热处理。测量了它们的临界电流、剩余电阻比和磁滞损耗。结果发现，在我们研究的范围内，临界电流和磁滞损耗没有显着变化。残余电阻率随热处理温度和时间的增加而减小。这归因于金属元素从镀覆的Cr层扩散到铜稳定剂。基于金属元素的扩散模型，开发了一个数值程序，预测残余电阻率作为热处理温度和时间的函数。
2017-01-30 cond-mat.supr-con
Influence of annealing on the electrical resistance of YBCO single crystals
本文研究了在较宽氧含量范围内退火对YBaPDMATHABMMCuPDMATHABMNOPDMATHABMO单晶基面电阻率的影响。在声子对电子的s-d散射的框架内，氧亏损指数$δ$的增加导致德拜温度$θ$的显著增加，这与氧空位浓度增加时声子谱的各向同性有关。在最佳掺杂附近，亚导电性的作用变得至关重要，而其贡献随着$δ$的增加而减小。在大值的$δ$一些偏离s-d模型的电子散射声子在室温下观察到，而没有观察到paratiproductivity。在超导过渡区，观察到一个2D-3D的交叉点，随着$δ$的增加，该交叉点向$T_c$方向移动。对横向相干长度的估计约为$1$\，μ。
2019-01-18 cond-mat.supr-con
Strong electron-phonon coupling in delta-phase stabilized Pu
δ相稳定的合金Pu-Al的热容测量表明，需要强的电子-声子耦合来解释费米能附近的电子态密度的适度重整化。我们计算的热容量的贡献，从晶格和电子自由度，以及从电子晶格耦合项，并找到良好的实验和理论之间的总体协议，假设一个无量纲的电子-声子耦合参数的顺序统一，λ ~ 0.8。这个大的电子-声子耦合参数与其他具有面心立方晶体结构的超导金属中的报道值相当，例如Pd（λ ~ 0.7）和Pb（λ ~ 1.5）。此外，我们的分析显示了相当大的剩余低温熵贡献的证据，S_{res} ~ 0.4 k_B（每个原子）。我们可以将剩余比热拟合到一个二能级系统中。因此，我们推测，所观察到的剩余熵来源于晶体电场效应的钚原子或自辐照诱导的缺陷冻结在低温下。
2005-05-25 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Surface impedance of superconductors with magnetic impurities
基于超导射频腔体的剩余表面电阻问题，本文发展了含磁性杂质s波超导体表面阻抗的微观理论。我们解析计算的电流响应函数和表面阻抗的样品与空间均匀分布的杂质，治疗磁性杂质的框架中的Shiba理论。所得到的一般表达式适用于温度、频率、平均自由程和交换耦合强度等参数的变化范围。这种普遍性，一方面，允许直接数值实现我们的结果来描述实验系统（SRF腔，超导量子比特）在各种实际相关的条件下。另一方面，在一些极限情况下，可以得到明确的解析表达式，这使得进一步的理论研究某些制度。作为一个功能的关键相关的SRF腔，我们表明，在政权的“无隙超导”的表面电阻在零温度下表现出饱和。因此，我们的理论明确表明，磁性杂质，大概包含在氧化物表面层的SRF腔，提供了一个微观机制的剩余电阻。
2012-07-13 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.supr-con
Weak localization and the Mooij rule in disordered metals
弱局域化导致对电导率和McMillan电子-声子耦合常数$λ$（和$λ_{tr}$）的相同校正。因此，热电阻率的温度依赖性随着电导率由于弱局部化而降低而降低，这导致电阻率温度系数（TCR）随着剩余电阻率的增加而降低。当$λ$和$λ_{tr}$接近零时，仅剩余电阻率部分保留并且产生负TCR。因此，Mooij规则是对电导率和电子-声子相互作用弱局域化修正的表现。这一研究为探索奇异超导体的声子机制提供了一种新的手段。
2001-05-04 cond-mat.dis-nn cond-mat.mtrl-sci cond-mat.supr-con
On the Mooij Rule
弱局域化导致对电导率和电子-声子耦合常数$λ$（和$λ_{tr}$）的相同校正。因此，（热）电阻率的温度依赖性随着电导率由于弱局部化而降低而降低，这导致电阻率温度系数（TCR）随着剩余电阻率的增加而降低。当$λ$接近零时，仅剩余电阻率部分保留并产生负TCR。因此，Mooij规则是对电导率和电子-声子相互作用弱局域化修正的表现。这一研究为探索奇异超导体的声子机制提供了一种新的手段。
2000-03-09 cond-mat.dis-nn cond-mat.mtrl-sci cond-mat.supr-con
Electron-Phonon Coupling on the NbSi Transition Edge Sensors
我们已经建立了一个电子-声子耦合模型来描述的NbxSi 1-x过渡边缘传感器（TES）测辐射热计，通过电子束共蒸发和光刻技术在2英寸的硅片上制造的行为。在200 nA ~ 10 μ A的偏置电流范围内，测量了几种不同厚度的传感器的电阻-温度曲线，并计算了电子-声子耦合系数和电子-声子热导。我们的值是相当可比的金属TES样品中的其他群体使用不同的测量方法，而我们正在使用我们的TES样品的过渡区来计算电子-声子耦合相互作用。
2014-02-15 astro-ph.IM cond-mat.supr-con physics.ins-det
The dominance of non-electron-phonon charge carrier interaction in highly-compressed superhydrides
在超导体中，控制近室温超导性出现的主要机制被广泛认为是电子-声子相互作用。如果是这样的话，这些材料中的温度依赖电阻R（T）应该遵守布洛赫-格林尼森方程，其中幂律指数p应该等于p=5的精确整数值。另一方面，有一个公认的理论结果，即纯电子-磁振子相互作用应该表现为p=3，p=2是纯电子-电子相互作用的值。在这里，我们的目的是揭示类型的载流子相互作用的层状过渡金属二硫族化合物PdTe 2，高熵合金（ScZrNb）0.65[RhPd]0.35，和高度压缩元素硼和超导H3 S，LaHX，PrH 9和BaH 12通过拟合这些材料的温度依赖性电阻的布洛赫-Grüneisen方程的幂律指数，p，是一个自由拟合参数。结果表明，高熵合金（ScZrNb）0.65[RhPd]0.35具有纯的电子-声子介导的超导电性，p = 4.9。出乎意料的是，我们发现所有研究的超级显示1.8 < p < 3.2。这意味着电子-声子相互作用不可能是高压缩超导体中库珀对形成的主要机制，而其他配对机制，例如电子-磁振子，电子-极化子，电子-电子或其他，应该被认为是这些化合物中出现近室温超导性的起源。
2021-06-30 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Weak Localization Effect in Superconductors by Radiation Damage
已经观察到几种A15化合物、Chevrel相和三元超导体以及高注量区的$\rm{NbSe_{2}}$的超导转变温度$T_{c}$和伴随的热电阻率损失（电子-声子相互作用）由于辐射损伤而大幅度降低。我们基于超导体中的弱局域化效应的最新理论研究了这些行为。我们发现一个很好的拟合实验数据。特别是，弱局域化修正声子介导的相互作用的密度关联函数。结果表明，弱局域化对声子介导的相互作用和电子-声子相互作用都有很强的影响，导致了$T_{c}$和电阻比的普适关联.
1999-09-24 cond-mat.supr-con
On the isotope effect in compressed superconducting H$_\textrm{3}$S and D$_\textrm{3}$S
最近报道了在高压和室温退火条件下制备的二元化合物三硫化氢（H $_\textrm{3}$ S）的最大相变温度$T_\textrm{C}$ = 203.5 K。对H $_\textrm{3}$ S和氘的对应物D $_\textrm{3}$ S的$T_\textrm{C}$的测量表明，质量同位素效应指数$α$随外加压力的降低而异常增强。虽然被广泛引用的声子为基础的超导性的证据，测得的$T_\textrm{C}$示出表现出重要的依赖性的H $_\textrm{3}$ S和D $_\textrm{3}$ S材料的质量和特性的研究;检查电阻与温度的数据表明，在$T_\textrm{C}$和表观$α$的变化与残余电阻比，指示金属顺序的敏感性强烈相关。相关性还扩展到超导转变的分数宽度。使用电阻数据来量化和补偿H $_\textrm{3}$ S和D $_\textrm{3}$ S样品之间的明显材料差异，获得$α$ = 0.043 $\pm$ 0.140的值。因此，当对不同程度的无序进行校正时，实验上限（$\leq$ 0.183）远低于基于声子的理论中得出的$α$。
2017-03-11 cond-mat.supr-con
AC/RF Superconductivity
这篇文章简要介绍了AC/RF超导性，重点是在加速器上的应用。所涵盖的主题包括正常导体和超导体的表面阻抗，剩余电阻，表面电阻的场依赖性，和过热场。
2015-01-29 cond-mat.supr-con physics.acc-ph
Dissipation in Quasi One-Dimensional Superconducting Single-Crystal Sn Nanowires
电输运测量单晶锡纳米线，以了解一维超导体的内在耗散机制。而直径大于70 nm的导线的电阻急剧下降到零，在Tc附近的3.7 K，一个剩余的电阻尾部延伸到低温被发现与直径为20和40 nm的导线。作为温度的函数，剩余电阻的对数表现为两个线性部分，一个在低于Tc的零点几度内，另一个向下延伸到至少0.47 K，测量的最低温度。剩余电阻被发现是欧姆在所有温度低于锡的Tc。这些结果表明，在Tc附近的热激活的相位滑移过程和量子涨落诱导的相位滑移过程中的低温制度。当励磁电流超过临界值时，电压-电流（V-I）曲线呈现一系列离散的台阶，逐渐接近正常状态。这些步骤不能完全理解与经典的Skocpol-Beasley-Tinkham相滑移中心模型（PSC），但可以定性占部分由Michotte等人修改的PSC模型。
2005-02-03 cond-mat.mes-hall cond-mat.supr-con
