Until recently, spin-polarization in nonmagnetic materials was the exclusive territory of non- centrosymmetric structures. It was recently shown that a form of hidden spin polarization (named the Rashba-2 or R-2 effect) could exist in globally centrosymmetric crystals provided the individual layers belong to polar point group symmetries. This realization could considerably broaden the range of materials that might be considered for spin-polarization spintronic applications to include the hitherto forbidden spintronic compound that belong to centrosymetric symmetries. Here we take the necessary steps to transition from such general, material-agnostic condensed matter theory arguments to material-specific design principles that could aid future laboratory search of R-2 materials. Specifically, we (i) classify different prototype layered structures that have been broadly studied in the literature in terms of their expected R-2 behavior, including the Bi2Se3-structure type (a prototype topological insulator), MoS2-structure type (a prototype valleytronic compound) and LaBiOS2-structure type (a host of superconductivity upon doping); (ii) formulate the properties that ideal R-2 compounds should have in terms of combination of their global unit cell symmetries with specific point group symmetries of their constituent sectors; (iii) use first-principles band theory to search for compounds from the prototype family of LaOBiS2-type structures that satisfy these R-2 design metrics. We initially consider both stable and hypothetical compounds to establish an understanding of trends of R-2 with composition, and then indicate the predictions that are expected to be stable and synthesizable. We predict large spin splittings (up to ~ 200 meV for holes in LaOBiTe2) as well as surface Rashba states. Experimental testing of such predictions is called for.
Absence of a Competition between Magnetism and Superconductivity in the Layered Nickel Borocarbides: Common Correlation Tc with Crystal Chemical Parameters for Magnetic and Nonmagnetic Compounds
Origin and evolution of ferroelectricity in the layered rare-earth-titanate, $R_2$Ti$_2$O$_{7}$, Lichtenberg phases
我们报告了一个系统的第一性原理研究的基础上的密度泛函理论（DFT）的结构和铁电性能的$R_2$ Ti $_2$ O $_{7}$钙钛矿相关的氧化物与$R=$ La，Ce，Pr和Nd。我们发现，在所有情况下，铁电体扭曲的基态极性$P2_1$结构从其母中心对称的$P2_1/m$阶段是由一个单一的极性软模式组成的旋转和倾斜的TiO $_6$八面体结合的$R$离子的位移驱动。二次中心对称畸变，这是稳定的母体结构，大大有助于降低基态的能量。我们评估了整个系列的结构和极化的趋势作为PDMATHAMT的函数，并调和了文献中报道的极化值的差异。我们的结果证实了$R_2$ Ti $_2$ O $_{7}$材料家族属于适当几何铁电体类。
Hidden Zeeman-type spin polarization in bulk crystals
探索被忽视的潜在效应，因为名义上的全球晶体对称性，但确实是可见的固态材料一直是一个迷人的研究课题最近。在这里，我们介绍了一种新的隐藏的塞曼型自旋极化（HZSP）的大块晶体与亚晶格结构。在这些晶体的动量空间中，在某个平面中形成的双简并带可以表现出具有垂直于该平面的相反自旋取向的均匀自旋配置，而这种简并态在空间上分离在一对实空间扇区中。有趣的是，我们发现HZSP可以在中心对称和非中心对称材料中表现出来。我们进一步证明了非对称的二重螺旋旋转对称性在HZSP形成中的重要作用。此外，两个代表性的材料实例，即，中心对称的WSe $_2$和非中心对称的BaBi $_4$ O $_7$通过第一性原理计算被识别为显示HZSP。因此，我们的发现不仅为隐藏的自旋极化研究开辟了新的视角，而且大大拓宽了自旋电子学应用的材料范围。
Emergent Noncoplanar Spin Chirality through Magnetic and Nonmagnetic Substitution in the Kagome Antiferromagnet Mn$_3$Sn
S. N. Bose National Centre for Basic Sciences（S.N. 玻色基础科学国家中心）；Ben-Gurion University of the Negev（内盖夫本-古里安大学）；Indian Institute of Science Education and Research Bhopal（印度科学教育与研究学院博帕尔分校）；Indian Institute of Technology Tirupati（印度理工学院提鲁帕蒂分校）
Investigation of the intrinsic hidden spin texture and spin-state segregation in centrosymmetric monolayer dichalcogenide: effectiveness of the electric-field approach
Ni$_2$Mo$_3$O$_8$: zig-zag antiferromagnetic order an integer spin non-centrosymmetric honeycomb lattice
理论研究已经预测了锯齿形反铁磁有序蜂窝状化合物中拓扑磁振子的存在。在这里，我们报告的锯齿形AFM秩序的层状和非中心对称的蜂窝状镍酸盐Ni $_2$ Mo $_3$ O $_8$通过结合磁化强度，比热，X-射线和中子衍射和电子顺磁共振测量的发现。这是在整数自旋非中心对称结构（$P$ $_6$ 3 $mc$）中这种顺序的第一个例子。此外，二分蜂窝晶格的两个不同位点中的每一个具有独特的晶体场环境，分别为八面体和四面体Ni $^{2+}$，使得能够在每个子晶格上独立取代。Mg在八面体位置上取代Ni抑制了长程磁序，并导致弱铁磁状态。相反，Fe取代Ni提高了AFM有序化温度。因此，Ni $_2$ Mo $_3$ O $_8$提供了一个平台，在该平台上探索蜂窝上的$S = 1$的丰富物理学，其中存在与非中心对称的、形式上的压电极性晶体结构的竞争磁相互作用。
Nonreciprocal Transport with Quantum Geometric Origin in Layered Hybrid Perovskite
Florida State University（佛罗里达州立大学）；University of Chicago（芝加哥大学）；Washington University（华盛顿大学）；Yale University（耶鲁大学）；The University of Tokyo（东京大学）；University of Florida（佛罗里达大学）；National Institute for Materials Science（物质材料研究机构）；Emory University（埃默里大学）；Purdue University（普渡大学）；National High Magnetic Field Laboratory（国家高磁场实验室）
Staggered Dzyaloshinskii-Moriya and canting angle in centrosymmetric altermagnetic and ferromagnetic phases: influence on the anomalous Hall effect and Weyl points
International Research Centre Magtop, Institute of Physics, Polish Academy of Sciences（波兰科学院物理研究所马格托国际研究中心）；Institute of Physics, Polish Academy of Sciences（波兰科学院物理研究所）；Department of Materials Science, University of Milan-Bicocca（米兰比可卡大学材料科学系）；Consiglio Nazionale delle Ricerche (CNR-SPIN)（国家研究委员会（CNR-SPIN））；Lomare Technologies Limited（Lomare科技有限公司）
Highly Efficient Second/Third Harmonic Generation in van der Waals Layered Material AgScP2S6 with Anisotropic Polarization and Temperature Dependence
The Ohio State University（俄亥俄州立大学）；the University of Texas at Dallas（德克萨斯大学达拉斯分校）；ELI ALPS, ELI-HU Non-Profit Ltd.（ELI ALPS，匈牙利ELI非营利有限公司）；Materials and Manufacturing Directorate, Airforce Research Laboratory（空军研究实验室材料与制造管理局）；Azimuth Corporation（Azimuth公司）；Core4ce LLC（Core4ce有限责任公司）
Chiral phonons entangled with multiple Hall effects and unified convention for pseudoangular momentum in 2D materials
近年来，一系列与过渡金属二硫属化合物（TMD）具有相似晶体结构的二维层状结构材料XSi 2 Y 4（X=过渡金属; Y=氮族元素）被提出，具有潜在的应用价值。与TMDs一样，我们认为XSi_2 Y_4也可以获得谷选择性光学圆二色性，并且可以进一步与多重霍尔效应纠缠。然而，这是很难比较XSi 2 Y 4和TMD之间的这种效果，由于在以前的研究中的赝角动量（PAM）的不统一的约定。本文以MoSi_2As_4和MoS_2为例，建立了声子PAM和电子PAM的统一约定，并展示了它们在晶体结构、能带结构和谷选择性光学圆二色性方面的异同。特别地，我们发现在MoSi_2As_4中，手征声子的发射/吸收、自旋、谷值和横向霍尔电流都可以通过改变入射光的能量或旋向性来调制，表现出比TMD更好的性能。
Tetragonality induced superconductivity in anti-ThCr$_2$Si$_2$-type $RE_2$O$_2$Bi ($RE$ = rare earth) with Bi square net
我们报道了一系列层状超导体，反ThCr $_2$ Si $_2$型$RE_2$ O $_2$ Bi（$RE$ =稀土），由导电的Bi方网和磁绝缘的$RE_2$ O $_2$层组成.超导电性诱导分离Bi方网作为一个结果，过量的氧掺入，不管磁有序的存在下，在$RE_2$ O $_2$层。有趣的是，所有的$RE_2$ O $_2$ Bi，包括双Y $_2$ O $_2$ Bi的转变温度近似由单位晶胞四方性（$c$ / $a$）标度，这意味着Bi方网的相对分离诱导超导电性的关键作用。
Coupled spin-valley, Rashba effect and hidden persistent spin polarization in WSi$_2$N$_4$ family
实验成功地合成了新型二维材料MoSi $_2$ N $_4$和WSi $_2$ N $_4$，并从理论上预测了各种类似结构。在这里，我们报告的电子性质，特别关注的带分裂WA $_2$ Z $_4$（A=Si，Ge; Z=N，P，As），使用国家的最先进的密度泛函理论和多体微扰理论（在G $_0$ W $_0$和BSE的框架内）。由于反转对称性破缺和强的自旋轨道耦合效应，我们在第一布里渊区（BZ）的拐角处检测到耦合的自旋谷效应。此外，我们观察到立方和线性分裂带周围的$Γ$和M点，分别。有趣的是，面内镜像对称性（$σ_h$）和任意$k$点的约化对称性，强制持续自旋织构（PST）发生在整个BZ。我们诱导Rashba分裂通过打破$σ_h$通过一个面外电场（EEF）。W原子的反转非对称性在中心对称层状体材料中引入了隐藏的自旋极化。因此，自旋层锁定效应，即能量退化的相反自旋空间上分离的顶部和底部W层，已被确定。我们的低能$k.p$模型表明，沿M-K线的PST对EEF和层厚度是鲁棒的，使得它们适合于自旋电子学和谷电子学中的应用。
