A phase diagram for a topological Kondo insulating system
非相互作用电子系统中拓扑绝缘体的发现，激发了人们从理论和实验两方面研究关联电子中物质的拓扑态。在本文中，我们研究了一个拓扑Kondo绝缘系统的相图，其中出现的“自旋”相关的近藤效应引起的重费米子带的反转，负责拓扑Kondo绝缘体。借助于U（1）从玻色子平均场分析，我们揭示了二维Kondo绝缘态内部的一个额外的相变，这是由于拓扑Kondo绝缘体的出现.另一方面，我们观察到Kondo绝缘态在三维空间中被区分为三个绝缘相，分别与弱拓扑Kondo绝缘体、强拓扑Kondo绝缘体和正常Kondo绝缘体相对应，并用Z $_{2}$拓扑指数进行分类.我们讨论了分数费米液体和拓扑近藤绝缘体之间的新的量子临界性的可能性，其中带反转与重费米子带的形成同时发生。
2011-09-27 cond-mat.str-el
Inexorable Edge Kondo Breakdown in Topological Kondo Insulators
本文通过数值精确的量子蒙特卡洛模拟，揭示了拓扑近藤绝缘体中由对称性强制、源于边缘或角的相互作用效应的新型近藤击穿机制，并论证其基态为受对称性保护的Haldane相。
2021-11-15 cond-mat.str-el
Enhanced quantum oscillations in Kondo insulators
量子振荡一直被认为是费米面在金属中的表现。然而，最近在近藤绝缘体中观察到了它们。我们研究了近藤屏蔽由于近藤绝缘体中的朗道能级。结果表明，即使是大的近藤绝缘间隙，明显的量子振荡的振幅是一致的实验观察是存在于磁化强度和电阻率。具体来说，我们表明，由于在导电和f轨道电子的朗道能级之间的周期性对齐，近藤屏蔽本身经历振荡，使电子结构振荡的磁场。我们的结果解释了实验中观察到的量子振荡的主要特征。他们指出，电子结构的非刚性导致可观察到的量子振荡近藤绝缘体。这一新效应为研究绝缘体费米面几何提供了新的途径。
2020-02-28 cond-mat.str-el
Surface-state spin textures and mirror Chern numbers in topological Kondo insulators
最近发现的拓扑近藤绝缘体引发了新的兴趣，著名的近藤绝缘体六硼化钐，这是假设属于这个家庭。在这封信中，我们研究了这种拓扑近藤绝缘体中的拓扑保护表面态的自旋纹理。特别是，我们得到密切的关系（i）在某些高对称点的杂交矩阵的形式，（ii）系统的镜像陈数，和（iii）可观察到的自旋纹理的拓扑表面状态。通过这种方式，实现了拓扑近藤绝缘体及其表面态自旋纹理的鲁棒分类。我们支持我们的研究结果与几个简化和现实的模型，如六硼化钐系统的数值计算。
2015-10-13 cond-mat.str-el
Fragility of the Kondo insulating gap against disorder: relevance to recent puzzles in topological Kondo insulators
近藤绝缘体是一种强关联系统，由于局域$f$电子的多体效应，只有在非常低的温度下才会出现干净的绝缘间隙。然而，某些近藤绝缘体，如SmB $_6$和Ce ${_3}$ Bi ${_4}$ Pt ${_3}$，在极低的温度下显示出金属行为，这违背了目前的理解。最近的进展，在材料的拓扑效应引起了人们的注意，在这些“拓扑近藤绝缘体”作为一个潜在的解决方案，一些令人费解的行为的保护表面状态。在这里，我们通过一种不同的途径来解决这些难题，通过显示紧急Kondo绝缘标度非常容易受到中等程度的无序的影响，使得间隙被少数状态填充。因此，真实的样本可能永远不会真正绝缘，这反过来又会损害拓扑考虑的基本构建块。我们的研究结果强烈表明，像斯莱特绝缘体的系统将是一个更有前途的方向，以扩大领域的拓扑结构强相关的系统。
2020-08-15 cond-mat.str-el
Local Quantum Criticality of a One-Dimensional Kondo Insulator Model
利用密度矩阵重整化群算法研究了具有Ising各向异性交换作用的修正Kondo晶格模型中的连续量子相变和量子临界点的性质.通过对磁序的静态和动态性质以及近藤效应的研究，我们研究了量子涨落对临界近藤破坏QCP的影响。特别是，我们发现局部近藤物理本身在磁相变点变得至关重要，为两个绝缘体之间的局部量子临界性提供了公正的证据，而无需诉诸费米表面的变化。
2018-03-17 cond-mat.str-el
Insulator-to-metal phase transition in Yb-based Kondo insulators
采用晶体电场（CEF）分裂4f四重态的周期Anderson晶格模型描述Yb基近藤绝缘体/半导体。在从玻色子平均场近似下，我们导出了准粒子的杂化带，发现减小两个CEF四重态的杂化差可以诱导绝缘体-金属相变。由此产生的金属相具有空穴和电子费米口袋。这种相变可以通过施加压力，减少两个CEF四联体的杂化差异来实验性地实现。
2010-04-22 cond-mat.str-el
Kondo Tunneling into a Quantum Spin Hall Insulator
阐述了由普通金属、量子点和二维拓扑绝缘体（处于量子自旋霍尔态）组成的结的物理性质。它是近藤关联和量子自旋霍尔边缘态在二维拓扑绝缘体两侧运动的微妙结合。在窄条几何形状中，这些边缘状态相互作用，并且在边缘状态谱中打开间隙。因此，Kondo屏蔽效果较差，并且影响通过结的电子输运。具体地说，当边缘态耦合足够强时，隧穿微分电导在零温度下出现下降，而不是标准的零偏压近藤峰。
2012-01-03 cond-mat.str-el
Fractionalized Fermi liquid on the surface of a topological Kondo insulator
我们认为，拓扑近藤绝缘体也可以有“内在的”拓扑秩序与分形激发在其表面上。局域磁矩和传导电子之间的相互作用在表面附近减弱，这使得局域磁矩能够形成自旋液体。这与传导电子表面态共存，实现了表面分形费米液体。我们提出了一个Kondo-Heisenberg模型，显示这样的表面的平均场解。
2015-09-10 cond-mat.str-el
Topological surface state in the Kondo Insulator Samarium Hexaboride
强关联电子系统表现出许多奇异的性质，如非常规超导性、量子临界性和近藤绝缘行为。此外，近藤绝缘体SmB 6已被理论预测为具有金属表面态的3D拓扑绝缘体。我们在这里报告的传输测量掺杂的SmB 6，这表明，~3%的磁性和非磁性掺杂剂在SmB 6表现出明显的对比行为，证据表明，金属表面状态时，只有破坏时间反演对称性。我们还发现了一个杂质浓度的量子逾渗极限，它通过杂质带的形成将拓扑绝缘体转变为传统的带绝缘体。我们仔细的厚度依赖性结果表明，SmB 6是第一个证明的完美3D拓扑绝缘体，其剩余体电导率几乎为零。
2013-07-02 cond-mat.str-el
Cyclotron resonance in Kondo insulator
受近藤绝缘体SmB $_6$和YbB $_{12}$量子振荡实验观测的启发，我们研究了近藤绝缘体的磁光电导。我们发现，存在非平凡的回旋共振峰的频率域低于杂化间隙作为一个结果的特征朗道能级结构的系统。此外，这些低能量峰在由施加的磁场驱动的绝缘体-金属相变附近增强，并且即使在低温下也是稳定的。它们通过近藤效应平滑地连接到高温下的非杂化导电和$f$ -电子的共振峰。非平凡回旋共振是静态量子振荡的动力学对应物，通过这种密切的联系，它将为后者提供有用的见解。
2020-05-05 cond-mat.str-el
End states in a 1-D topological Kondo insulator
为了进一步了解相互作用拓扑绝缘体的性质，我们研究了拓扑Kondo绝缘体的一维模型，该模型可以看作是Tamm-Shockley模型的强相互作用极限.在一个大的$N$扩展处理模型，我们发现了一些竞争的基态解，包括拓扑绝缘和价键基态。在我们的处理中出现的效果之一是在材料边界附近重建近藤屏蔽过程（“近藤带弯曲”）。在靠近价键态的边界处，我们发现边缘态的导电特性大幅增长，导致深入到体中的状态。我们推测，这样的国家是一维模拟的轻f-电子表面状态出现在推定的拓扑近藤绝缘体，SmB 6。
2014-03-26 cond-mat.str-el
Magnetic impurities in Kondo insulators: An application to samarium hexaboride
近藤绝缘体中的杂质和缺陷会对动力学产生不寻常的影响，这种影响与固有电子相关性的影响相结合。这样的晶体缺陷是难以避免的，其后果是不完全理解。在这里，我们研究磁性杂质在近藤绝缘体通过微扰理论的s-d近藤杂质模型适用于小带隙绝缘体。计算的磁化强度和比热与最近的热力学测量六硼化钐（钐$_6$）。这种定性的协议支持的物理图像的多通道近藤屏蔽的本地时刻的电子和空穴涉及本征和杂质带。比热在零场下通过近藤屏蔽子带杂质带而被热激活，并随着温度的降低呈现出特征性的上升。与此相反，磁化强度从本征带中的虚粒子-空穴对的部分屏蔽中获得主导量子校正。我们指出磁性杂质可以通过本征带的朗道量子化对杂质矩的近藤屏蔽的影响来影响SmB $_6$中的de Haas-van Alphen量子振荡。
2020-06-20 cond-mat.str-el
Short-range antiferromagnetic correlations in Kondo insulators
我们研究了局域$f$电子之间的短程反铁磁关联对近藤绝缘体的输运和热力学性质的影响，这是Coqblin等人首次提出的金属重费米子。位置间的磁相关性为$f$-电子产生有效带宽。它们被视为当地近藤相关性，使两个能量尺度出现在我们的方法相同的基础上。我们讨论了这两种尺度在物理性质上的竞争。
2000-01-13 cond-mat.str-el
Imaging emergent heavy Dirac fermions of a topological Kondo insulator
近藤绝缘体是寻找强相关拓扑量子相的主要候选者，它可能具有拓扑序，分数化和非阿贝尔统计。在一些近藤绝缘体，杂交间隙的预测，以保护一个非平凡的拓扑不变量和港口紧急重狄拉克费米子表面模式。我们使用高能量分辨率光谱成像在真实和动量空间的近藤绝缘体，钐$_6$。在冷却通过$T^*_Δ\approx$ 35 K时，我们观察到绝缘间隙的开放，在2 K时膨胀到$Δ\approx$ 10 meV。在间隙内，我们成像的线性分散的表面态的形成与有效质量达到$m^* = (410\pm20)m_e$。因此，我们证明存在一个强相关的拓扑近藤绝缘体相托管已知的最重狄拉克费米子。
2018-10-31 cond-mat.str-el
Theory of Quantum Oscillations of Magnetization in Kondo Insulators
研究了自旋为1/2的局域磁矩与半填充态传导电子耦合的Kondo晶格模型在二分晶格上对磁场的轨道响应。通过一个有效的电荷动力学，在一个典型的电子表示，适当地描述了近藤绝缘基态，磁化强度被发现显示从中间到弱近藤耦合的de Haas-van Alphen振荡。这些振荡归因于有间隙准粒子的色散的类Lifshitz反演，其化学势面由振荡频率测量。这种振荡也被预测发生在自旋密度波绝缘体。
2017-08-16 cond-mat.str-el
Coexisting Kondo singlet state with antiferromagnetic long-range order: A possible ground state for Kondo insulators
利用平均场论计算了半满各向异性Kondo晶格模型的基态相图。对于小的横向交换耦合$J_{\perp}<J_{\perp c1}$，基态显示出反铁磁长程序与有限的交错磁化局域自旋和传导电子。当$J_{\perp}>J_{\perp c2}$时，长程序被破坏，系统处于具有杂化间隙的无序Kondo单线态。两种基态都可以描述近藤绝缘化合物的低温相。在这两个不同的阶段，可能有一个共存的制度，作为局部近藤屏蔽和磁相互作用之间的平衡的结果。
2000-04-29 cond-mat.str-el
Kondo proximity effect: How does a metal penetrate into a Mott insulator?
我们考虑一个异质结构的金属和一个顺磁莫特绝缘体使用适应的动态平均场论来描述非均匀系统。金属可以通过近藤效应渗透到绝缘体中。我们研究了接近莫特绝缘体临界点的金属-绝缘体界面的标度特性。在临界状态下，准粒子的重量按照我们的平均场论中的公式，随着离金属的距离x的增加，衰减为1/x^2。我们的数值结果（使用数值重整化群作为杂质解算器）表明，该幂律的前因子是非常小的。
2008-05-05 cond-mat.str-el
Anisotropic optical conductivity of the putative Kondo insulator CeRu$_4$Sn$_6$
近藤绝缘体，特别是它们的非立方代表仍然知之甚少。在这里，我们报告的发展各向异性的能量赝能隙的四金属化合物CeRu $_4$ Sn $_6$采用光学反射率测量在宽的频率和温度范围内，和局域密度近似加上动态平均场论计算。计算提供的证据近藤绝缘体样的响应内的$a-a$平面和更多的金属沿c轴的响应和定性再现的实验观察，帮助确定其来源。
2012-09-13 cond-mat.str-el
Kondo-induced hybrid topological insulator in two-dimensional electron system with a quadratic band crossing point
研究了具有非平凡二次能带交叉点的二维电子系统中的近藤效应。我们发现近藤效应可以诱导一种新的混合拓扑绝缘体相，它是量子反常霍尔效应和TRS破碎的量子自旋霍尔效应的共存态.这种混合拓扑绝缘体不仅表现出量子化的电荷霍尔电流，而且还表现出净自旋电流，这是本地化的边缘边界。这种特殊的拓扑状态是由于两个边缘相关算子的相互作用而产生的，即，电子与局域磁矩的近藤耦合以及二维系统中的电子-电子相互作用。
2016-02-10 cond-mat.str-el
Kramers' doublet ground state in topological Kondo insulators
我们考虑一个最简单的变种近藤绝缘体的双重本地$f$ -电子与自旋简并导电电子杂交。我们分析了参与杂化的$f$ -轨道的对称性，指出这种系统的有效四带模型与具有手征对称性的模型是有联系的，从而进一步描述了干净的Kondo绝缘体.我们得到了拓扑非平凡状态出现的一般条件，并讨论了稀土化合物的影响。作为一个例子，我们推导出全相图的tetrapherkondo绝缘体。结果表明，当传导电子的能带宽度为最大能量标度时，手征对称性导致非平凡拓扑相的出现，而新的弱拓扑相的出现是能带中心归一化距离的函数.
2019-06-27 cond-mat.str-el
Antiferromagnetic phase of the Kondo-insulator
讨论了导带半满的平面Kondo晶格模型的反铁磁相的准粒子能带结构，即所谓的Kondo绝缘体。用键费米子技术得到了能带结构，并与用动力学团簇近似得到的单粒子谱函数进行了比较。特别地，数值谱中观察到的能带结构随J/t的各种变化通过计算被定性地再现。在费米面嵌套的情况下，我们发现了一个半金属相足够小的交换常数和可能的实验结果进行了讨论
2019-02-27 cond-mat.str-el
Tunable unconventional Kondo effect on topological insulator surfaces
研究了在三维拓扑绝缘体表面上沉积磁性吸附原子，实现强自旋轨道相互作用的电子物质中自旋- $\frac{1}{2}$杂质的近藤物理。我们表明，拓扑表面状态的磁特性和Kondo屏蔽的存在强烈依赖于散装材料的细节，和具体的表面制备编码的时间反演保持边界条件的电子波函数。当这种可调的近藤效应发生时，杂质自旋被表面电子的纯轨道运动屏蔽。这种机制引起了表面金属的横向磁响应，以及可用于实验探测近藤共振签名的自旋纹理。我们的预测是特别相关的STM测量${\rm Pb Te}$类结晶拓扑绝缘体，但我们也讨论了其他类别的拓扑材料的影响。
2015-12-08 cond-mat.str-el
Colossal magnetoresistance in topological Kondo insulator
复杂系统的异常电子性质需要新的思路来解释它们的行为和实现的可能性。在本文中，我们证明了在拓扑Kondo绝缘体的状态下，实现了一个巨大的磁电阻，这类似于Kondo晶格中的Kondo绝缘体状态。这种现象的机理是：在自旋无隙阶段，外磁场在自旋激发谱中引入能隙，在半填充时，由于自旋子系统和费米子子系统的杂化，费米子谱中的能隙被打开，磁场导致金属-绝缘体（或坏金属-绝缘体）相变。研究了无自旋费米子带半满情况下的蜂窝格点上的拓扑近藤格点模型。结果表明，局域矩和巡游费米子之间的杂交应理解为相应的自旋和电荷扇区的马约拉纳费米子之间的杂交。该系统是一个拓扑绝缘体，单个费米子和自旋激发在低能量是大量的。我们将证明自旋能隙在电荷沟道中引入能隙，它导致出现具有手征无能隙边缘模的拓扑绝缘体态，Chern数为1或2取决于交换积分的值。传统的近藤绝缘体状态的相关性进行了讨论。
2016-01-05 cond-mat.str-el
Dynamically generated edge states in topological Kondo insulators
近藤绝缘体结合了强电子相关性和自旋轨道耦合，从而提供了相关拓扑绝缘体的潜在实现。我们提出的模型计算，使我们能够研究发病的散装相干性和随之而来的拓扑边缘状态的混合价本地矩制度。我们的实空间动力学平均场的结果包括详细的温度依赖的单粒子谱函数板几何形状以及温度依赖的拓扑不变量。我们的计算的候选材料，如SmB6的相关性进行了讨论。
2014-08-27 cond-mat.str-el
Ferromagnetism and Kondo Insulator Behavior in the Disordered Periodic Anderson Model
在周期性Anderson模型下研究了二元合金无序对f电子材料铁磁相的影响。我们发现，在导带中的无序可以大大提高居里温度，由于本地f-矩的增加。这种效应可以用一个简单的理论分析来定性甚至定量地解释。还指出了非整数填充时合金近藤绝缘体的出现。
2008-01-25 cond-mat.str-el
3D Topological Kondo Insulators
拓扑近藤绝缘体（TKI）是一种新型的受电子保护的拓扑绝缘体，它是在强关联和自旋轨道相互作用的共同作用下发展起来的。在这些材料中，由于近藤通过传导电子屏蔽局域化的时刻，体是一个完美的带绝缘体。此外，局域矩的强自旋轨道耦合（SOC）和晶体场效应（CFE）导致局域矩和导带之间的非局域奇宇称、时间反演不变的杂化，这产生具有非平凡拓扑和无间隙表面激发的基态（Physical Review Letters 104（2010）106408）。在目前的工作中，我们发展了一个自洽的理论来研究拓扑近藤绝缘体的平均场水平。为了实现这一点，我们应用从玻色子平均场论的系统，并没有周期性的边界条件，以研究系统在散装和平板几何配置。这使得我们能够通过能带结构和谱函数的计算观察到受保护边缘态的清晰特征。
2017-11-21 cond-mat.str-el
Surface Kondo Effect and Non-Trivial Metallic State of the Kondo Insulator YbB12
理论上预测了强电子关联和自旋轨道相互作用（SOI）之间的协同效应将导致量子物质在Kondo绝缘体（KI）上形成新的拓扑态，即所谓的拓扑Kondo绝缘体（TKI）。在实验上观察到一个TKI候选者在KI SmB 6（001）上，并积极讨论了SmB 6的表面态（SS）和拓扑顺序的起源。在这里，我们显示了另一个TKI候选YbB 12（001）的清洁表面上的金属SS，使用角分辨光电子能谱学。SS显示出与温度相关的重建对应的体状态观察到的近藤效应。尽管具有低温绝缘体，但具有c-f杂化的重构SS是金属的，在表面布里渊区上形成围绕$\barΓ$的闭合费米轮廓，并且与TKI上SS的理论预期行为一致。这些结果证明了在近藤效应的驱动下，局域在KIs表面的二维态的温度依赖的整体重构。
2016-02-26 cond-mat.str-el
Competing topological and Kondo insulator phases on a honeycomb lattice
我们研究了蜂窝晶格中巡游电子的自旋-轨道相互作用与它们的近藤耦合之间的竞争。我们发现，在半填充模型显示拓扑和Kondo绝缘体之间的量子相变在非零Kondo耦合。在近藤屏蔽的情况下，调整电子浓度可以导致新的拓扑绝缘体相。结果表明，重费米子相图包含一个新的区域，拓扑态、近藤相干态和磁态相互竞争，该区域可能与含$5d$传导电子的近藤晶格系统特别相关.最后，我们讨论了我们的研究结果的背景下，最近的实验对钐$_6$牵连的拓扑绝缘体的表面状态，以及现有的实验在钐$_6$的压力下，在CeNiSn的化学压力下的相变。
2013-07-28 cond-mat.str-el
Metal-insulator transition in the Hubbard model: a simple description including the Kondo effect
本文用多电子表象中的单粒子格林函数来研究半满哈伯德模型中的电子谱结构。一个简单的分析推广的单网站Hubbard-III近似，其中考虑到费米激发（近藤条款）。金属-绝缘体转变的问题进行了研究。讨论了费米能级上包括“近藤”峰在内的三峰态密度结构的出现。与大d计算进行了比较。
2001-06-21 cond-mat.str-el
Temperature-induced gap formation in dynamic correlation functions of the one-dimensional Kondo insulator --- Finite-temperature density-matrix renormalization-group study ---
将有限温度密度矩阵重整化群与极大熵相结合，给出了一种计算一维多体系统动力学量的新方法。本文讨论了一维Kondo绝缘体的态密度、局域动态自旋和电荷关联函数。随着温度的降低，激发间隙打开，并且间隙根据通道而具有不同的值。激发光谱在近藤绝缘体的最低能级自旋能隙对应的特征温度附近发生了定性的变化。
1998-06-24 cond-mat.str-el
Magnetic Weyl and Dirac Kondo semimetal phases in heterostructures
我们研究了一种层状三维异质结构，其中两种类型的近藤绝缘体交替堆叠。其中之一是拓扑Kondo绝缘体SmB 6，另一个是同构Kondo绝缘体AB 6，其中A是稀土元素，例如，Eu、Yb或Ce。我们发现，如果后者的顺序铁磁，异质结构一般成为磁性Weyl Kondo半金属，而反铁磁秩序可以产生磁性狄拉克Kondo半金属。我们详细的情况下，一般的对称性的考虑，以及具体的紧束缚计算，并表明，I型以及II型磁性Weyl/狄拉克近藤半金属相是可能的，在这些异质结构。我们的研究结果表明，近藤绝缘体异质结构是一个通用的平台，设计强相关的拓扑半金属。
2017-11-05 cond-mat.str-el
Topological Kondo Insulators
本文综述了近藤拓扑绝缘体的理论和实验研究进展。近藤拓扑绝缘体是在强关联和自旋轨道相互作用的共同作用下发展起来的。近藤绝缘体的历史进行了审查，以及用于描述这些重费米子化合物的理论模型。Fu-Kane方法的拓扑分类的绝缘体被用来表明，在这些系统中的导电电子和本地化的f-电子之间的杂交引起的相互作用诱导的拓扑绝缘行为。最后，最近的一些实验结果进行了讨论，这似乎证实了理论预测的拓扑绝缘行为的六硼化钐，其中长期存在的难题的剩余低温电导率已被证明是源于强大的表面状态。
2015-06-18 cond-mat.str-el
Theory for Magnetic Anisotropy of Field-Induced Insulator-to-Metal Transition in Cubic Kondo Insulator YbB_{12}
基于Yb 5d $ε$和4f $Γ_8$轨道组成的紧束缚模型，对近藤绝缘体YbB_{12}的磁化强度和能隙进行了理论计算.发现磁化曲线几乎是各向同性的，这是从立方对称性自然预期的，但是间隙闭合场具有各向异性：与实验一致，对于（100）方向的场，间隙闭合比（110）和（111）方向快。这是定性地理解，通过考虑的最大特征值的总角动量运营商投影在每个方向的磁场。但基于能带模型的数值计算与实验吻合得更好。
2007-07-27 cond-mat.str-el
Temperature dependent band structure of the Kondo insulator
我们提出了一个Qantum Monte Carlo（QMC）研究的近藤绝缘体的温度相关的动力学。在所谓的对称点工作允许执行无负号QMC模拟，从而达到小于传导电子带宽的1%的温度。单粒子格林函数和动态自旋关联函数的温度依赖性的研究显示了一个令人惊讶的复杂的低温能带结构，并给出了两个特征温度的证据，我们确定与近藤和相干温度，分别。特别地，数据显示在相干温度下温度诱导的金属-绝缘体转变。
1998-01-08 cond-mat.str-el
Low-temperature theory of inversion and quantum oscillations in Kondo insulators
使用Phys. Rev. B 96，075115（2017）中开发的自洽理论，在简单立方晶格上研究了低温下的半填充Kondo晶格模型。它被发现有三个不同的绝缘相在温度跳跃平面，即，强耦合Kondo单线态（KS）相，倒置Kondo单线态（iKS）相区别于KS反转，和反铁磁（AFM）相。在整个反转过渡的准粒子态密度被注意到表现出维数减少，这可以区分KS和iKS绝缘体在实验中。在iKS和AFM阶段获得的磁量子振荡被发现显示Lifshitz-Kosevich一样的行为与温度以及逆跳。
2022-10-04 cond-mat.str-el
Topology and Magnetism in the Kondo Insulator Phase Diagram
拓扑近藤绝缘体是三维晶体中物质相互作用的拓扑相的一个罕见例子-使它们成为理论研究的一个有趣但也很难的案例。在这里，我们的目标是通过解决拓扑近藤绝缘体的范例双带模型，使用完全自旋旋转不变的从玻色子治疗，以推进他们的理论理解。在平均场近似下，我们绘制了磁相图，并通过它们的拓扑性质来表征反铁磁相和顺磁相。除其他外，我们确定了一个反铁磁绝缘体，显示，合适的晶体终端，拓扑保护铰链模式。此外，高斯波动的从玻色子场周围的平均场值，包括为了建立稳定的平均场的解决方案，通过计算的完整的动态磁化率。
2019-11-25 cond-mat.str-el
A Mean-Field Study of Quantum Oscillations in Two-Dimensional Kondo Insulators
Max Planck Institute for the Structure and Dynamics of Matter（马克斯·普朗克物质与结构动力学研究所）；Department of Physics, University of Cincinnati（辛辛那提大学物理系）；Department of Physics and Engineering Physics, Tulane University（杜兰大学物理与工程物理系）
该研究通过平均场理论分析了二维康多绝缘体在磁场下的量子振荡行为，揭示了弱磁场下振荡的指数抑制及强磁场下康多破裂现象。
2024-02-06 cond-mat.str-el
Quantum oscillations in strongly correlated topological Kondo insulators
近藤拓扑绝缘体SmB 6和YbB 12中的量子振荡现象是最近一个令人困惑的实验发现。在电阻率和磁化强度中观察到的量子振荡通常用费米面的存在来解释。然而，近藤绝缘体没有费米面，因此不应该显示量子振荡。通过在磁场中对拓扑非平凡的近藤绝缘体进行动力学平均场计算，我们分析了关联对窄隙拓扑近藤绝缘体中量子振荡出现的影响，并证明了在拓扑近藤绝缘体中普遍存在的关联和非局域杂化之间的相互作用可以导致可观察到的量子振荡，而不需要费米面。特别是，我们表明，相关性，使它更容易观察量子振荡的磁化强度和电阻率的散装材料。这些量子振荡的基本机制是相关效应和朗道能级非常接近费米能的组合。我们进一步证明，在一个三维系统中的量子振荡可以理解通过分析的物理在二维平面上的动量空间中的杂交方向的磁场消失。我们相信，这种情况是相关的理解观察到的量子振荡的磁转矩SmB6以及振荡的电阻率和磁转矩的YbB12。
2019-08-14 cond-mat.str-el
Mean field approach plus the Bethe ansatz solution of one dimensional models of Kondo insulator
该研究结合平均场方法与Bethe ansatz求解半填充一维Kondo及对称Anderson格点模型的近藤绝缘体基态，揭示其与Mott绝缘体的相似性，并提出高T_c超导新机制。
2023-07-19 cond-mat.str-el
Crossover of Magnetoresistance from Fourfold to Twofold Symmetry in SmB6 Single Crystal, a topological Kondo insulator
近藤拓扑绝缘体由于其独特的拓扑性质和强关联性质而引起了凝聚态物理界的广泛关注。在这里，我们报告的角度依赖的c轴磁阻（MR）振荡在近藤绝缘体，SmB 6单晶，在磁场高达13 T旋转的ab平面。四倍对称MR振荡首次观察到高于8 K，这是由于四倍（C4）的体费米面的SmB6的简并。随着温度降低到2.3K，MR振荡的C4对称性逐渐减弱，出现C2对称性。这表明了从三维体态到二维表面态的交叉，并暗示了拓扑双态的可能出现。我们的实验观测揭示了近藤绝缘体SmB 6中的金属表面态和非金属态。
2015-09-15 cond-mat.str-el
Gap-anisotropic model for the narrow-gap Kondo insulators
提出了一种理论，它占的动态产生的杂交间隙与节点的近藤绝缘材料$CeNiSn$和$CeRhSb$。我们表明，亨氏相互作用作用的虚拟$4f^2$配置的铈离子可以动态选择的铈离子的形状，通过产生一个外斯场耦合到离子的形状。在低对称性晶体中，外部晶体场可以忽略不计，这个过程选择一个节点Kondo半金属态作为最低的能量配置。
1999-09-29 cond-mat.str-el
Many-body Chern insulator in the Kondo lattice model on a triangular lattice
本文用多变量变分 Monte Carlo 方法研究三角晶格 Kondo 晶格模型，证明四分之一填充、中等耦合下非共面三-Q磁序为基态且多体 Chern 数为一。
2024-06-05 cond-mat.str-el
Critical Ising modes in low-dimensional Kondo insulators
我们提出了一维近藤绝缘体系统的类伊辛中间相。由于自旋分裂，它的低能激发是临界伊辛模，而三重态扇区具有谱隙。只要RKKY振荡幅度超过局域自旋之间的任何直接交换，它就应该发生。手征固定点，然而，变得不稳定，在远红外线限制，由于普遍的波动之间的本地化自旋诱导无带隙的三重激发光谱。基于以前的数值计算结果，我们得到了一个由单杂质Kondo模型的关联长度决定的顺磁无序态。
1999-06-25 cond-mat.str-el
Topological Crystalline Kondo Insulator in Mixed Valence Ytterbium Borides
采用局域密度近似（LDA）和动态平均场论（DMFT）方法，研究了两种混合价绝缘体YbB $_6$和YbB $_12$的电子结构. Yb B $_6$是一个中等相关的Z $_2$拓扑绝缘体，类似于Sm B $_6$，但具有更大的体带隙。值得注意的是，YbB $_12$被揭示为一种新的量子态，强关联拓扑晶体近藤绝缘体，其特征在于它的非零镜陈数。表面计算发现奇数（三）和偶数（四）狄拉克锥的YbB $_6$和YbB $_12$，分别。
2013-09-13 cond-mat.str-el
Excitons in topological Kondo insulators - theory of thermodynamic and transport anomalies in SmB$_6$
近藤绝缘材料不属于通常的弱带绝缘体、相关带绝缘体和莫特绝缘体的二分法.它们在高温下是金属的，但在低温下类似于带绝缘体，因为相互作用引起的带隙的开放。第一个发现的近藤绝缘体（KI）SmB $_6$已被预测在低温下形成拓扑KI（TKI），其模仿拓扑绝缘体。然而，自从它被发现以来，热力学和运输异常已经被观察到，这违背了理论解释。在强磁场中的比热、热输运和量子振荡实验中可以看到电荷间隙内集体模的神秘特征。在这里，我们表明，TKI是易受激子和磁激子的形成。这些电荷中性的复合粒子可以占长期存在的异常SmB $_6$，这是至关重要的散装拓扑签名的识别。
2016-08-08 cond-mat.str-el
Hole-Doping Effects on a Two-dimensional Kondo Insulator
我们研究了空穴掺杂对二维Heisenberg-Kondo模型在量子临界点附近的影响，在量子临界点附近自旋液相（Kondo绝缘体）和磁有序相通过二级相变分离.利用键算符形式中的自洽玻恩近似和标准自旋波理论，讨论了掺杂空穴的动力学性质。结果表明，当系统接近量子临界点时，稳定在自旋液相中的准粒子态逐渐模糊。这也是磁有序相的情况。我们论证了这两种情况的相似性和不同之处。
2003-01-21 cond-mat.str-el
Excitation spectra of the two dimensional Kondo insulator
本文用量子蒙特卡罗方法研究了二维近藤绝缘体的温度相关动力学。在所谓的对称点工作允许执行无负号QMC模拟。单粒子格林函数和动态自旋关联函数的温度依赖性的研究提供了两个特征温度的证据，我们与近藤和相干温度，从而该系统在相干温度下显示出金属-绝缘体转变。数据显示两种不同类型的自旋激发的证据，我们表明，尽管强反铁磁有序在低温下的系统不能描述的自旋密度波理论。
1999-09-01 cond-mat.str-el
Kondo-Resonance Mediated Metal-Insulator Transition in GaAs Embedded with Erbium Arsenide Quantum Dots
我们报告了GaAs结构中含有ErAs量子点密集阵列的反常临界输运行为。该结构显示出电压（电场）控制的绝缘体-金属转变和类似Kondo的电流-温度特性中的强滞后，其临界温度高达50 K。我们将这种现象归因于当阵列的库仑阻塞解除后，量子点之间的强分布近藤共振。这与我们在Voigt构型中观察到的相变对小的外部磁场的高灵敏度以及基于量子点内的RKKY相互作用和量子点之间的合作Kondo共振的唯象模型是一致的。
2017-11-03 cond-mat.str-el
Field-induced Antiferromagnetism and the Kondo Insulator-to-Metal Transition
近藤晶格模型，增强了塞曼项，作为一个有用的近藤绝缘体在施加磁场的模型。一个变分平均场分析这个系统的正方形晶格，量子蒙特卡罗计算的支持下，揭示了一个有趣的分离的磁场尺度。当塞曼能与近藤能相当时，自旋能隙关闭，系统形成横向交错磁序。然而，电荷间隙，生存到一个更高的杂化能级，在这一点上的倾斜反铁磁性被抑制，系统成为金属。量子蒙特卡罗模拟支持这种平均场的情况。发现了谱权随磁场变化的有趣重排。
2003-06-12 cond-mat.str-el
Fermi surfaces in Kondo insulators
我们报告磁量子振荡测量使用转矩磁化近藤绝缘体Yb $_{12}$和讨论潜在的费米面的起源。观察到的量子振荡以及补充量，如有限的线性比热容在Yb $_{12}$表现出与近藤绝缘体Sm B $_6$的相似之处，但也至关重要的差异。在Yb B $_{12}$中观察到小的重费米截面，与邻近的重费米子半金属费米表面相似，而在Sm B $_6$中观察到大的轻费米表面截面，与传导电子费米表面更相似。一个丰富的频谱的理论模型，建议解释起源跨越不同的近藤绝缘家庭的散装费米表面可能从新的巡回准粒子耦合到磁场，但不耦合到弱直流电场。
2018-03-05 cond-mat.str-el
Visualizing the atomic-scale origin of metallic behavior in Kondo insulators
近藤晶格通常在低温下是电绝缘的。然而，最近的几个实验已经检测到在近藤绝缘相内的大量金属性的签名。在这里，我们可视化的真实空间电荷景观内的近藤晶格原子分辨率使用扫描隧道显微镜。我们发现了纳米级的金属导电电子的水坑周围的铀现场取代重费米子化合物URu $_2$ Si $_2$，周围的钐现场缺陷的拓扑近藤绝缘体SmB $_6$。这些缺陷扰乱了近藤屏蔽云，留下了金属母态的指纹。我们的研究结果表明，神秘的三维量子振荡测量的钐$_6$可能会产生这些近藤晶格缺陷，虽然我们不能排除其他的解释。我们的成像技术可以使原子尺度的电荷传感器的发展，使用重费米子探针。
2023-03-27 cond-mat.str-el
Kondo Insulator to Semimetal Transformation Tuned by Spin-Orbit Coupling
近藤绝缘体中拓扑非平凡电子态的最新理论研究指出了自旋轨道耦合（SOC）对稳定这些态的重要性。然而，系统的实验研究，调整SOC参数$λ_{\rm{SOC}}$在近藤绝缘体仍然难以捉摸。主要原因是（化学）压力或掺杂的变化强烈影响近藤耦合$J_{\text{K}}$和化学势$μ$ -这两个决定材料基态的基本参数-因此可能的$λ_{\rm{SOC}}$调谐效应仍然未被注意到。在这里，我们提出了成功的替代系列Ce $_3$ Bi $_4$（Pt $_{1-x}$ Pd $_x$）$_3$（$0 \le x \le 1$）的原型（非中心对称）近藤绝缘体Ce $_3$ Bi $_4$ Pt $_3$的生长。Pt-Pd取代是等结构、等电子和等大小的，因此可能使$J_{\text{K}}$和$μ$基本上保持不变。相比之下，$5d$元素Pt和$4d$元素Pd之间的大质量差导致$λ_{\rm{SOC}}$的大差异，因此$λ_{\rm{SOC}}$是系列中的主要调谐参数。令人惊讶的是，随着增加$x$（减少$λ_{\rm{SOC}}$），我们观察到近藤绝缘体半金属过渡，表现出前所未有的激烈的影响SOC。完全取代的终端化合物Ce $_3$ Bi $_4$ Pd $_3$显示最近预测的Weyl近藤半金属的热力学特征。
2017-06-16 cond-mat.str-el
Non-Fermi liquid behavior of doped Kondo insulator: The unique properties of CeRhSb$_{1-x}$Te$_x$
从我们对CeRhSb的分析中得出，当掺杂量超过8- 10%时，无论它们是否取代Ce，Rh或Sb，都强烈地减少了由于集体自旋单重态的存在而形成的Kondo绝缘体态。（电阻率$ρ$，磁化率$χ$，比热$C$，X射线光电子能谱和理论研究已经令人信服地证明了所提出的早期标度律$χ\timesρ=const.$在近藤绝缘体制度，这是普遍的所有已知的近藤绝缘体。我们还分析了当Pd取代Rh或Sb被Te和Sn部分取代时CeRhSb的Griffiths相的性质，而La掺杂Ce导致由于Kondo空穴效应而形成的磁性团簇结构。CeRhSb和CeRhSb $_{0.98}$ Te $_{0.02}$的磁电阻作为场$B$的函数显示出$-B^2$行为，这为这些化合物的拓扑非平凡性质提供了证据，正如先前理论上预测的CeRhSb的基础上的能带结构计算。
2023-02-10 cond-mat.str-el
