Surface vs bulk electronic structures of a moderately correlated topological insulator YbB6 revealed by ARPES
N. Xu, C. E. Matt, E. Pomjakushina, J. H. Dil, G. Landolt, J. -Z. Ma, X. Shi, R. S. Dhaka, N. C. Plumb, M. Radovic, V. N. Strocov, T. K. Kim, M. Hoesch, K. Cond… 展开作者
N. Xu, C. E. Matt, E. Pomjakushina, J. H. Dil, G. Landolt, J. -Z. Ma, X. Shi, R. S. Dhaka, N. C. Plumb, M. Radovic, V. N. Strocov, T. K. Kim, M. Hoesch, K. Conder, J. Mesot, H. Ding, M. Shi
Systematic angle-resolved photoemission spectroscopy (ARPES) experiments have been carried out to investigate the bulk and (100) surface electronic structures of a topological mixed-valence insulator candidate, YbB6. The bulk states of YbB6 were probed with bulk-sensitive soft X-ray ARPES, which show strong three-dimensionality as required by cubic symmetry. Surprisingly the measured Yb 4f states are located around 1 eV and 2.3 eV below the Fermi level (EF), instead of being near EF as indicated by first principle calculations. The dispersive bands near EF are B 2p states, which hybridize with the 4f states. Using surface-sensitive vacuum-ultraviolet ARPES, we revealed two-dimensional surface states which form three electron-like Fermi surfaces (FSs) with Dirac-cone-like dispersions. The odd number of surface FSs gives the first indication that YbB6 is a moderately correlated topological insulator. The spin-resolved ARPES measurements provide further evidence that these surface states are spin polarized with spin locked to the crystal momentum. We have observed a second set of surface states with different topology (hole-like pockets). Clear folding of the bands suggest their origin from a 1X2 reconstructed surface. The topological property of the reconstructed surface states needs further studies.
Anomalous doping evolution of nodal dispersion revealed by in-situ ARPES on continuously doped cuprates
利用原位角分辨光电子能谱研究了高温超导体Bi $_2$ Sr $_2$ CaCu $_2$ O $_{8+x}$连续掺杂表面结色散的系统掺杂演化.我们发现，节点色散有三个部分分开的两个扭结，位于~10 meV和大约70 meV，分别。这三个段具有不同的带速和不同的掺杂依赖性。特别是，高能量段的速度随着掺杂水平的降低而单调增加，甚至可以超过裸带速度。我们建议，电子分馏是一个可能的原因，这种异常的节点色散，甚至可能发挥关键作用，在理解的奇特性质的铜酸盐。
Observation of three-dimensional bulk Fermi surfaces for a strongly correlated material by soft x-ray $hν$-dependent (700-860 eV) ARPES
利用软X射线$hν$依赖的（700-860 eV）ARPES研究了强关联Ce化合物顺磁相铁磁体CeRu $_2$ Ge $_2$在高温下的三维费米面.虽然所观察到的费米面以及准粒子的色散部分解释了基于局域$4f$模型的能带结构计算，定性的差异，在实验中，我们的APRES在顺磁相和德哈斯-范阿尔芬测量在铁磁相，被揭示。这表明，在$4f$的贡献费米面的磁性相变广泛看到的Ce化合物的根本变化。
Evidence for Many-Body States in NiPS$_3$ Revealed by Angle-Resolved Photoelectron Spectroscopy
Wrocław University of Science and Technology（弗罗茨瓦夫理工大学）；RWTH-Aachen University（亚琛工业大学）；Technion, Haifa（海法理工学院）；Forschungszentrum Jülich（于利希研究中心）；University of Trieste（的里雅斯特大学）；Elettra – Sincrotrone Trieste S.C.p.A.（Elettra-的里雅斯特同步辐射中心）；Pacific Northwest National Laboratory（太平洋西北国家实验室）
Correlation-driven origin of shallow electron pocket in Co$_{1/3}$TaS$_2$ revealed by ARPES and cluster perturbation theory
Institute of Physics（物理研究所）；Institute of Nuclear Physics Polish Academy of Sciences（波兰科学院核物理研究所）；Ruđer Bošković Institute（鲁德·博什科维奇研究所）；Istituto Officina dei Materiali (IOM)-CNR Area Science Park - Basovizza（材料研究所（IOM）-国家研究委员会科学园区-巴索维扎）；Université Paris-Saclay, CNRS, Laboratoire de Physique des Solides（巴黎萨克雷大学、法国国家科学研究中心、固体物理实验室）；Department of Physics, Faculty of Science, University of Zagreb（萨格勒布大学理学院物理系）；Department of Physics and Astronomy, University of Notre Dame（圣母大学物理与天文学系）；Institute of Solid State Physics, TU Wien（维也纳工业大学固体物理研究所）
Quantitative Comparison between Electronic Raman Scattering and Angle-Resolved Photoemission Spectra in Bi$_2$Sr$_2$CaCu$_2$O$_{8+δ}$ Superconductors: Doping Dependence of Nodal and Antinodal Superconducting Gaps
CE-antiferromagnetic electronic structure in LaSr$_2$Mn$_2$O$_7$ revealed by micro-focused angle-resolved photoemission spectroscopy and tight-binding models
Tokyo University of Science（东京科学大学）；Japan Atomic Energy Agency（日本原子力机构）；Sophia University（上智大学）；National Institutes for Quantum Science and Technology (QST)（量子科学技术研究机构）；Institute of Materials Structure Science, High Energy Accelerator Research Organization (KEK)（高能加速器研究机构物质结构科学研究所）
Electronic Structure of the Ferromagnetic Semiconductor Fe-doped Ge Revealed by Soft X-ray Angle-Resolved Photoemission Spectroscopy
Ge $_{1-x}$ Fe $_{x}$（Ge：Fe）在高达210 K的相对高温下显示出铁磁行为，因此是与Si技术兼容的自旋电子学应用的有前景的材料。我们用软X射线角分辨光电子能谱（SX-ARPES）研究了它的电子结构，以阐明其铁磁性的机制。我们在动量空间的宽范围内观察到费米能级态（$E_{F}$）的有限Fe 3 $d$分量，其中$E_{F}$位于价带顶（VBM）之上.第一性原理超原胞计算还表明，$E_{F}$位于VBM之上，在窄的自旋向下的$d$（$e$）带内，并且在源自强$p$（$t_{2}$）杂化的深受体能级起源的自旋向上的杂质带内。结果表明，Ge：Fe的$d$（$e$）窄能带是Fe原子间铁磁耦合的主要原因，而受主能级起源的能带是Ge：Fe的输运性质的主要原因.
Electronic Origin of Ferromagnetic Excitations in the Candidate Spin-Triplet Superconductor CeSb2
Shanghai Research Center for Quantum Sciences（上海量子科学研究中心）；Fudan University（复旦大学）；Chinese Academy of Sciences（中国科学院）；University of Science and Technology of China（中国科学技术大学）
Nanoscale electronic inhomogeneity in FeSe$_{0.4}$Te$_{0.6}$ revealed through unsupervised machine learning
我们报告了FeSe $_{0.4}$ Te $_{0.6}$中明显的低能纳米级电子不均匀性，这是由于通过无监督机器学习揭示的硒和碲原子的分布。通过一个无监督的聚类算法，特征光谱的硒和碲丰富的地区进行了识别。与这些光谱相关的不均匀性可以在微分电导中清楚地追踪到，并且在费米能量的几个电子伏以及几个百万电子伏的能量尺度上都可以检测到。与ARPES相比，这种不均匀性可以与费米能量之上的类电子能带联系起来。它与硒和碲的局部分布有直接关系。与超导能隙的大小没有明显的相关性，然而相干峰的高度与检测到该带的强度以及因此与局部化学成分显着相关。
Hidden itinerant-spin phase in heavily-overdoped La2-xSrxCuO4 revealed by dilute Fe doping: A combined neutron scattering and angle-resolved photoemission study
Unusual Fermi surface nesting in parent compounds of iron arsenic high temperature superconductors revealed by Angle Resolved Photoemission Spectroscopy
Evolution of Incommensurate Superstructure and Electronic Structure with Pb Substitution in (Bi$_{2-x}$Pb$_{x}$)Sr$_2$CaCu$_2$O$_{8+δ}$ Superconductors
采用移动溶剂浮区法生长了高质量的Bi $_{2-x}$ Pb $_{x}$ Sr $_2$ CaCu $_2$ O $_{8+δ}$（Bi 2212）单晶，并进行了不同Pb替代量（$x=0-0.8$）的研究。用透射电子显微镜（TEM）和高分辨激光角分辨光电子能谱（ARPES）对样品进行了表征。首次揭示了Pb取代后电子结构和超结构的系统演化。超结构显示出显着的变化与铅取代和无公度调制矢量（$\textbf{Q}$）随铅取代的增加而减小。同时，由ARPES测量得到的超结构强度也随着Pb浓度的增加而显著降低。Bi 2212中的超结构可以被Pb取代有效地抑制，当Pb取代为$x=0.8$时，超结构几乎消失。我们还发现，在ARPES测量的超结构带敏感地依赖于所使用的激光的光子能量，它们可以变得甚至比主带强时，使用10.897 eV的激光光子能量。这些结果为铋系高温超导体中无公度超结构的起源及其控制和抑制提供了重要信息。
Electronic Structure and Superconducting Gap of HgBa$_2$Ca$_2$Cu$_3$O$_{8+δ}$ Revealed by Laser-Based Angle-Resolved Photoemission Spectroscopy
Beijing National Laboratory for Condensed Matter Physics, Institute of Physics, Chinese Academy of Sciences（中国科学院物理研究所凝聚态物理国家实验室）；University of Chinese Academy of Sciences（中国科学院大学）；Technical Institute of Physics and Chemistry, Chinese Academy of Sciences（中国科学院化学物理研究所）；Songshan Lake Materials Laboratory（松山湖材料实验室）
Detailed Electronic Structure of the Three-Dimensional Fermi Surface and its Sensitivity to Charge Density Wave Transition in ZrTe3 Revealed by High Resolution Laser-Based Angle-Resolved Photoemission Spectroscopy
Revisit of the Orbital-Fluctuation-Mediated Superconductivity in LiFeAs: Nontrivial Spin-Orbit Interaction Effects on the Bandstructure and Superconducting Gap Function
Hybridization-Induced Gapped and Gapless States on the Surfaces of Magnetic Topological Insulators
层状MnBi 2nTe 3 n +1家族代表了迄今发现的第一个本征反铁磁拓扑绝缘体（AFM TI，受组合对称性保护），为探索新的物理学提供了理想的平台，例如高温下的量子反常霍尔效应和轴子电动力学。最近的角度分辨光电子能谱（ARPES）实验表明，所有的终端表现出（几乎）无间隙的拓扑表面状态（TSS）的AFM状态内，违反了定义的AFM TI，作为研究的表面应该是-打破和开放的差距。在这里，我们解释这个奇怪的悖论使用的表面-体带杂交图片。结合ARPES和第一性原理计算，我们证明，只有一个明显的间隙打开的TSS和散装带之间的杂交。所观察到的（几乎）无间隙的功能是一致的紧束缚模拟，其中TSS耦合到一个拉什巴分裂散装带再现。的Dirac-cone-like光谱功能实际上是散装起源，因此不敏感的AFM表面的断裂。这张图解释了在Bi 2 Te 3和MnBi 2 Te 4端接表面中发现的（几乎）无间隙行为，并且适用于MnBi 2nTe 3 n +1系列的所有端接。我们的研究结果突出的作用带杂化，优于磁性在这种情况下，在形成一般的表面能带结构的磁性拓扑材料的第一次。
Sondheimer Oscillation as a Fingerprint of Surface Dirac Fermions
物质的拓扑态挑战了对称性破缺的范式，其特征在于无隙边界模式和由基态的拓扑性质保护。最近，角分辨光电子能谱（ARPES）已经揭示了Bi $_{2}$ Se $_{3}$和Bi $_{2}$ Te $_{3}$的半导体属于这类材料。在这里，我们提出了无可争议的证据，无带隙的表面狄拉克费米子的存在，从运输在Bi $_{2}$ Te $_{3}$。我们观察到磁电阻的Sondheimer振荡。这种振荡起源于由于电子被限制在表面层内而导致的运动的量子化。根据Sondheimer的输运理论，我们从振荡数据确定了表面态的厚度。此外，我们发现的拓扑性质的表面状态，拟合一致的MR和霍尔电阻的非振荡部分。在霍尔电阻中，侧跳贡献在1 T附近占主导地位，而Berry曲率效应在3 T $\sim$ 4 T附近占主导地位。
Electronic structure and anisotropic magnetotransport in the topological kagome ferromagnet MgMn6Sn6
Indian Institute of Technology Kanpur（坎普尔印度理工学院）；Research Institute for Synchrotron Radiation Science (HiSOR), Hiroshima University（广岛大学同步辐射科学研究所（HiSOR））；Indian Institute of Technology Roorkee（罗克印度理工学院）
