Hard and soft x-ray photoemission spectroscopy study of the new Kondo system SmO thin film
SmO薄膜是一种新的近藤系统，在10 K附近电阻率出现了上升，理论上认为它具有拓扑非平凡的能带结构。我们已经进行了硬X射线和软X射线光电子能谱来阐明的电子结构的SmO。从Sm 3 $d$核能级谱中，我们估计Sm的价态为$\sim$ 2.96，证明Sm具有混合价态.价带光电子能谱显示出一个清晰的费米边，它起源于Sm 5 $d$的能带.目前的发现是一致的理论，提出了一种可能的拓扑状态的SmO和稀土一氧化物或其异质结构可以是一个新的游乐场的相互作用的强电子相关性和自旋轨道耦合。
2020-04-14 cond-mat.str-el
Inconsistency of the photoemission spectrum with the spectral function in Kondo systems
近藤效应是渐近自由的一个例子，其中局域磁矩和价电子之间的反铁磁耦合随着温度的降低而增加。这样的系统的电子光谱函数预测一个狭窄的近藤共振接近费米能量低于其近藤温度'TK'。局域磁矩的内能结构在近藤共振附近引入边带，每个边带的相应近藤温度随着边带位置向更高的结合能移动而增加。因此，共振特征的温度依赖性随着我们朝向更高的结合能而变得更弱。在这里，我们显示了Ce4f的光电发射光谱的演变，从一个原型近藤系统CeAl2，离开的光谱函数的预测。我们的测量揭示了一个统一的温度依赖性的所有良好的筛选Ce4f光电发射功能（4f1最终状态），这通常被解释为共振功能，因为我们降低温度，这表明4f1最终状态功能的共振解释是不合适的。相反，光谱演变简单地解释了Ce4f和价电子之间的耦合强度的温度依赖性，它保持均匀的范围内的4f1最终状态的功能。作为一个可能的解释所观察到的光谱演化，我们提出的近藤单重波函数的光电子动能测量时，类似于波函数崩溃的现象进行测量时观察到的纠缠EPR（爱因斯坦，波多尔斯基，罗森）对。我们的建议强调了研究单粒子性质的实验，当在量子系统上进行时，给出了关于系统多体物理的不完整信息。
2015-10-09 cond-mat.str-el
Kondo hole in one-dimensional Kondo insulators
通过考虑局域自旋耗尽的一维Kondo晶格模型，研究了Kondo绝缘体中杂质的性质。由Lanczos方法确定的基态相图表明，磁矩比普通金属更稳定。利用有限温度密度矩阵重整化群研究了杂质磁化率的温度依赖性。
2004-06-24 cond-mat.str-el
Quasi-particles and their absence in photoemission spectroscopy
对朗道费米液体准粒子及其在强关联电子系统中的不存在的解释是凝聚态物质中电子的量子力学现代研究的核心。单粒子光谱函数的光电子能谱是这类研究的核心实验工具。准粒子形成的一般范例是与安德森杂质模型的近藤物理相关联的费米能级共振，其有效的自洽版本被用于一般晶格系统的动态平均场论中，所述一般晶格系统可以或可以不字面上显示近藤物理。准粒子不存在的一般范例是Tomonaga-Luttinger模型的Luttinger液体物理。本文介绍了一个概述的理论思想，并显示在光电发射光谱的例子，从作者和他的合作者的工作，准粒子形成杂质和晶格近藤和非近藤相关的电子系统，对比准粒子的情况下，在准一维系统。
2002-11-05 cond-mat.str-el
Kondo holes in topological Kondo insulators: Spectral properties and surface quasiparticle interference
一种有趣的受保护的拓扑态是拓扑近藤绝缘体，其中绝缘行为源于近藤通过传导电子屏蔽局域矩，而非平凡拓扑则源于局域矩和导带之间的杂化结构。在这里，我们研究近藤洞的物理，即，利用自洽实空间平均场论，在三维拓扑近藤绝缘体中，计算了局部矩的缺失。这样的近藤孔相当普遍地诱导间隙状态，近藤孔在表面或附近，与拓扑表面状态杂交。特别是，我们研究了表面状态准粒子干扰（QPI）引起的表面近藤孔的浓度稀释，并比较这QPI从传统的潜在的散射体。我们对待强和弱拓扑绝缘体阶段，对于后者，具体讨论了QPI的贡献，从狄拉克锥间散射。
2014-03-14 cond-mat.str-el
Global Phase Diagram and Momentum Distribution of Single-Particle Excitations in Kondo insulators
近藤绝缘体作为一种简化的设置正在出现，以研究磁性和金属到绝缘体的量子相变。在这里，我们研究了一个半满近藤晶格模型上定义的磁挫Shastry-Sutherland几何。我们确定了一个“全球”的相图，具有各种零温度相，这些包括近藤破坏的反铁磁和顺磁金属相，除了近藤绝缘体相。我们的结果提供了理论基础，了解如何施加压力的近藤绝缘体可以关闭其杂化间隙，从传导电子释放本地的时刻自旋，并导致磁关联金属。我们还研究了近藤绝缘态的单粒子激发的动量分布，并说明了如何费米表面的功能出现作为一个前兆的近藤破坏金属的实际费米表面。我们讨论了我们的研究结果的影响，近藤绝缘体，包括钐$_6$。
2015-09-09 cond-mat.str-el
Spin- and angle-resolved photoemission on the topological Kondo Insulator candidate: SmB6
拓扑近藤绝缘体是一类新型的拓扑绝缘体，其中金属表面态在低温下被拓扑不变量保护在体带隙中。与其他三维拓扑绝缘体不同，拓扑近藤绝缘体中的多体效应保证了真正绝缘的体态，这对于下一代电子器件中的潜在应用至关重要。此外，该系统具有很强的电子相关性，可以作为相互作用拓扑理论的实验平台。这篇专题综述主要介绍了SmB6的最新研究进展，SmB6是拓扑近藤绝缘体的最有希望的候选者，从自旋和角度分辨光电子能谱的角度出发，重点介绍了一些重要的输运结果。
2016-07-11 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Kondo Breakdown in Topological Kondo Insulators
基于对SmB6表面光态的观察，我们研究了拓扑近藤绝缘体表面近藤击穿的影响。我们提出的数值和分析结果表明，在表面的本地化时刻的去耦干扰轻，重电子之间的补偿和dopes狄拉克锥。这些未补偿的表面态的色散主要由位间跳跃控制，这导致更轻的准粒子。这些表面状态也是高度耐用的表面磁性和样品的厚度减少的影响。
2015-04-29 cond-mat.str-el
Spin-selective Kondo insulator: Cooperation of ferromagnetism and Kondo effect
我们提出了自旋选择性Kondo绝缘体的概念，它提供了一个基本的机制来描述具有反铁磁耦合的Kondo晶格模型的铁磁相。这揭示了铁磁金属相的一个显著特征：多数自旋传导电子显示金属性，而少数自旋电子显示绝缘性。在少数自旋扇区中，由于铁磁性和部分Kondo屏蔽的合作而产生的Kondo间隙，证明了少数自旋电子和局部自旋的组合的动态诱导可伸缩性。此外，这一机制预测的宏观量，如电子磁化，自旋极化和电子填充之间的非平凡的关系。
2012-01-18 cond-mat.str-el
Self-consistent perturbational study of insulator-to-metal transition in Kondo insulators due to strong magnetic field
为了研究强磁场对Kondo绝缘体的影响，采用自洽的二阶微扰理论结合在无限维空间变得精确的局域近似，计算了有限磁场作用下半填充的周期性Anderson模型的磁化曲线和单粒子激发谱.在没有磁场的情况下，系统表现为具有能隙的绝缘体，描述了近藤绝缘体。通过对f电子施加磁场，发现在临界场$H_c$处，能隙闭合，从绝缘体到金属发生一级跃迁。磁化曲线在$H_c$处显示跳跃。这与我们以前的研究中的精确对角化是一致的。讨论了YbB $_{12}$和其他近藤绝缘体的实验关系。
1996-12-20 cond-mat.str-el
A phase diagram for a topological Kondo insulating system
非相互作用电子系统中拓扑绝缘体的发现，激发了人们从理论和实验两方面研究关联电子中物质的拓扑态。在本文中，我们研究了一个拓扑Kondo绝缘系统的相图，其中出现的“自旋”相关的近藤效应引起的重费米子带的反转，负责拓扑Kondo绝缘体。借助于U（1）从玻色子平均场分析，我们揭示了二维Kondo绝缘态内部的一个额外的相变，这是由于拓扑Kondo绝缘体的出现.另一方面，我们观察到Kondo绝缘态在三维空间中被区分为三个绝缘相，分别与弱拓扑Kondo绝缘体、强拓扑Kondo绝缘体和正常Kondo绝缘体相对应，并用Z $_{2}$拓扑指数进行分类.我们讨论了分数费米液体和拓扑近藤绝缘体之间的新的量子临界性的可能性，其中带反转与重费米子带的形成同时发生。
2011-09-27 cond-mat.str-el
Inexorable Edge Kondo Breakdown in Topological Kondo Insulators
本文通过数值精确的量子蒙特卡洛模拟，揭示了拓扑近藤绝缘体中由对称性强制、源于边缘或角的相互作用效应的新型近藤击穿机制，并论证其基态为受对称性保护的Haldane相。
2021-11-15 cond-mat.str-el
Enhanced quantum oscillations in Kondo insulators
量子振荡一直被认为是费米面在金属中的表现。然而，最近在近藤绝缘体中观察到了它们。我们研究了近藤屏蔽由于近藤绝缘体中的朗道能级。结果表明，即使是大的近藤绝缘间隙，明显的量子振荡的振幅是一致的实验观察是存在于磁化强度和电阻率。具体来说，我们表明，由于在导电和f轨道电子的朗道能级之间的周期性对齐，近藤屏蔽本身经历振荡，使电子结构振荡的磁场。我们的结果解释了实验中观察到的量子振荡的主要特征。他们指出，电子结构的非刚性导致可观察到的量子振荡近藤绝缘体。这一新效应为研究绝缘体费米面几何提供了新的途径。
2020-02-28 cond-mat.str-el
Surface-state spin textures and mirror Chern numbers in topological Kondo insulators
最近发现的拓扑近藤绝缘体引发了新的兴趣，著名的近藤绝缘体六硼化钐，这是假设属于这个家庭。在这封信中，我们研究了这种拓扑近藤绝缘体中的拓扑保护表面态的自旋纹理。特别是，我们得到密切的关系（i）在某些高对称点的杂交矩阵的形式，（ii）系统的镜像陈数，和（iii）可观察到的自旋纹理的拓扑表面状态。通过这种方式，实现了拓扑近藤绝缘体及其表面态自旋纹理的鲁棒分类。我们支持我们的研究结果与几个简化和现实的模型，如六硼化钐系统的数值计算。
2015-10-13 cond-mat.str-el
Fragility of the Kondo insulating gap against disorder: relevance to recent puzzles in topological Kondo insulators
近藤绝缘体是一种强关联系统，由于局域$f$电子的多体效应，只有在非常低的温度下才会出现干净的绝缘间隙。然而，某些近藤绝缘体，如SmB $_6$和Ce ${_3}$ Bi ${_4}$ Pt ${_3}$，在极低的温度下显示出金属行为，这违背了目前的理解。最近的进展，在材料的拓扑效应引起了人们的注意，在这些“拓扑近藤绝缘体”作为一个潜在的解决方案，一些令人费解的行为的保护表面状态。在这里，我们通过一种不同的途径来解决这些难题，通过显示紧急Kondo绝缘标度非常容易受到中等程度的无序的影响，使得间隙被少数状态填充。因此，真实的样本可能永远不会真正绝缘，这反过来又会损害拓扑考虑的基本构建块。我们的研究结果强烈表明，像斯莱特绝缘体的系统将是一个更有前途的方向，以扩大领域的拓扑结构强相关的系统。
2020-08-15 cond-mat.str-el
Local Quantum Criticality of a One-Dimensional Kondo Insulator Model
利用密度矩阵重整化群算法研究了具有Ising各向异性交换作用的修正Kondo晶格模型中的连续量子相变和量子临界点的性质.通过对磁序的静态和动态性质以及近藤效应的研究，我们研究了量子涨落对临界近藤破坏QCP的影响。特别是，我们发现局部近藤物理本身在磁相变点变得至关重要，为两个绝缘体之间的局部量子临界性提供了公正的证据，而无需诉诸费米表面的变化。
2018-03-17 cond-mat.str-el
Wave-vector dependent intensity variations of the Kondo peak in photoemission from CePd$_3$
在CePd $_3$（111）的4d - 4f共振光电子能谱中观察到费米能级特征的强度随角度的强烈变化，这揭示了晶格的周期性和最大强度靠近表面布里渊区的伽马点。在一个简化的周期性安德森模型的框架内，这种现象可以定量地描述由非4f导出能带的费米能级交叉引起的电子跳跃矩阵元的波矢依赖性。
2005-06-08 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Insulator-to-metal phase transition in Yb-based Kondo insulators
采用晶体电场（CEF）分裂4f四重态的周期Anderson晶格模型描述Yb基近藤绝缘体/半导体。在从玻色子平均场近似下，我们导出了准粒子的杂化带，发现减小两个CEF四重态的杂化差可以诱导绝缘体-金属相变。由此产生的金属相具有空穴和电子费米口袋。这种相变可以通过施加压力，减少两个CEF四联体的杂化差异来实验性地实现。
2010-04-22 cond-mat.str-el
Kondo Destruction in Heavy Fermion Quantum Criticality and the Photoemission Spectrum of YbRh$_2$Si$_2$
重费米子金属为研究量子临界性提供了原型。在实验上，量子临界点已经在越来越多的重费米子化合物中被识别和研究。从理论上讲，近藤破坏提供了一种手段来表征一类非常规的量子临界点，超越了朗道框架的序参数波动。这种局域量子临界性的突出证据之一是在YbRh $_2$ Si $_2$中的测量。在有限温度下观察到的霍尔系数和其他运输和热力学量的等温场的依赖性，这指定了一个$T^*(B)$线的温度（$T$）-磁场（$B$）相图中的快速交叉。在这里，我们通过分析交叉宽度与交叉位置的比率来讨论温度升高时会发生什么。在$T \gtrsim 0.5$ K下，该比值接近1，YbRh $_2$ Si $_2$在零磁场下属于量子临界涨落区，其中单粒子谱函数在小费米面和大费米面都具有显著的谱权重。这意味着，在这个温度范围内，任何对费米面敏感的测量也将在大费米面处看到显著的光谱权重。最近报道的YbRh $_2$ Si $_2$在$T>1$ K的角分辨光电子能谱（ARPES）实验与这一预期是一致的，因此支持$T^*(B)$线与近藤破坏物理学的关联。
2015-07-22 cond-mat.str-el
Kondo Tunneling into a Quantum Spin Hall Insulator
阐述了由普通金属、量子点和二维拓扑绝缘体（处于量子自旋霍尔态）组成的结的物理性质。它是近藤关联和量子自旋霍尔边缘态在二维拓扑绝缘体两侧运动的微妙结合。在窄条几何形状中，这些边缘状态相互作用，并且在边缘状态谱中打开间隙。因此，Kondo屏蔽效果较差，并且影响通过结的电子输运。具体地说，当边缘态耦合足够强时，隧穿微分电导在零温度下出现下降，而不是标准的零偏压近藤峰。
2012-01-03 cond-mat.str-el
Fractionalized Fermi liquid on the surface of a topological Kondo insulator
我们认为，拓扑近藤绝缘体也可以有“内在的”拓扑秩序与分形激发在其表面上。局域磁矩和传导电子之间的相互作用在表面附近减弱，这使得局域磁矩能够形成自旋液体。这与传导电子表面态共存，实现了表面分形费米液体。我们提出了一个Kondo-Heisenberg模型，显示这样的表面的平均场解。
2015-09-10 cond-mat.str-el
Topological surface state in the Kondo Insulator Samarium Hexaboride
强关联电子系统表现出许多奇异的性质，如非常规超导性、量子临界性和近藤绝缘行为。此外，近藤绝缘体SmB 6已被理论预测为具有金属表面态的3D拓扑绝缘体。我们在这里报告的传输测量掺杂的SmB 6，这表明，~3%的磁性和非磁性掺杂剂在SmB 6表现出明显的对比行为，证据表明，金属表面状态时，只有破坏时间反演对称性。我们还发现了一个杂质浓度的量子逾渗极限，它通过杂质带的形成将拓扑绝缘体转变为传统的带绝缘体。我们仔细的厚度依赖性结果表明，SmB 6是第一个证明的完美3D拓扑绝缘体，其剩余体电导率几乎为零。
2013-07-02 cond-mat.str-el
Cyclotron resonance in Kondo insulator
受近藤绝缘体SmB $_6$和YbB $_{12}$量子振荡实验观测的启发，我们研究了近藤绝缘体的磁光电导。我们发现，存在非平凡的回旋共振峰的频率域低于杂化间隙作为一个结果的特征朗道能级结构的系统。此外，这些低能量峰在由施加的磁场驱动的绝缘体-金属相变附近增强，并且即使在低温下也是稳定的。它们通过近藤效应平滑地连接到高温下的非杂化导电和$f$ -电子的共振峰。非平凡回旋共振是静态量子振荡的动力学对应物，通过这种密切的联系，它将为后者提供有用的见解。
2020-05-05 cond-mat.str-el
End states in a 1-D topological Kondo insulator
为了进一步了解相互作用拓扑绝缘体的性质，我们研究了拓扑Kondo绝缘体的一维模型，该模型可以看作是Tamm-Shockley模型的强相互作用极限.在一个大的$N$扩展处理模型，我们发现了一些竞争的基态解，包括拓扑绝缘和价键基态。在我们的处理中出现的效果之一是在材料边界附近重建近藤屏蔽过程（“近藤带弯曲”）。在靠近价键态的边界处，我们发现边缘态的导电特性大幅增长，导致深入到体中的状态。我们推测，这样的国家是一维模拟的轻f-电子表面状态出现在推定的拓扑近藤绝缘体，SmB 6。
2014-03-26 cond-mat.str-el
Magnetic impurities in Kondo insulators: An application to samarium hexaboride
近藤绝缘体中的杂质和缺陷会对动力学产生不寻常的影响，这种影响与固有电子相关性的影响相结合。这样的晶体缺陷是难以避免的，其后果是不完全理解。在这里，我们研究磁性杂质在近藤绝缘体通过微扰理论的s-d近藤杂质模型适用于小带隙绝缘体。计算的磁化强度和比热与最近的热力学测量六硼化钐（钐$_6$）。这种定性的协议支持的物理图像的多通道近藤屏蔽的本地时刻的电子和空穴涉及本征和杂质带。比热在零场下通过近藤屏蔽子带杂质带而被热激活，并随着温度的降低呈现出特征性的上升。与此相反，磁化强度从本征带中的虚粒子-空穴对的部分屏蔽中获得主导量子校正。我们指出磁性杂质可以通过本征带的朗道量子化对杂质矩的近藤屏蔽的影响来影响SmB $_6$中的de Haas-van Alphen量子振荡。
2020-06-20 cond-mat.str-el
Short-range antiferromagnetic correlations in Kondo insulators
我们研究了局域$f$电子之间的短程反铁磁关联对近藤绝缘体的输运和热力学性质的影响，这是Coqblin等人首次提出的金属重费米子。位置间的磁相关性为$f$-电子产生有效带宽。它们被视为当地近藤相关性，使两个能量尺度出现在我们的方法相同的基础上。我们讨论了这两种尺度在物理性质上的竞争。
2000-01-13 cond-mat.str-el
Imaging emergent heavy Dirac fermions of a topological Kondo insulator
近藤绝缘体是寻找强相关拓扑量子相的主要候选者，它可能具有拓扑序，分数化和非阿贝尔统计。在一些近藤绝缘体，杂交间隙的预测，以保护一个非平凡的拓扑不变量和港口紧急重狄拉克费米子表面模式。我们使用高能量分辨率光谱成像在真实和动量空间的近藤绝缘体，钐$_6$。在冷却通过$T^*_Δ\approx$ 35 K时，我们观察到绝缘间隙的开放，在2 K时膨胀到$Δ\approx$ 10 meV。在间隙内，我们成像的线性分散的表面态的形成与有效质量达到$m^* = (410\pm20)m_e$。因此，我们证明存在一个强相关的拓扑近藤绝缘体相托管已知的最重狄拉克费米子。
2018-10-31 cond-mat.str-el
Theory of Quantum Oscillations of Magnetization in Kondo Insulators
研究了自旋为1/2的局域磁矩与半填充态传导电子耦合的Kondo晶格模型在二分晶格上对磁场的轨道响应。通过一个有效的电荷动力学，在一个典型的电子表示，适当地描述了近藤绝缘基态，磁化强度被发现显示从中间到弱近藤耦合的de Haas-van Alphen振荡。这些振荡归因于有间隙准粒子的色散的类Lifshitz反演，其化学势面由振荡频率测量。这种振荡也被预测发生在自旋密度波绝缘体。
2017-08-16 cond-mat.str-el
Coexisting Kondo singlet state with antiferromagnetic long-range order: A possible ground state for Kondo insulators
利用平均场论计算了半满各向异性Kondo晶格模型的基态相图。对于小的横向交换耦合$J_{\perp}<J_{\perp c1}$，基态显示出反铁磁长程序与有限的交错磁化局域自旋和传导电子。当$J_{\perp}>J_{\perp c2}$时，长程序被破坏，系统处于具有杂化间隙的无序Kondo单线态。两种基态都可以描述近藤绝缘化合物的低温相。在这两个不同的阶段，可能有一个共存的制度，作为局部近藤屏蔽和磁相互作用之间的平衡的结果。
2000-04-29 cond-mat.str-el
Kondo proximity effect: How does a metal penetrate into a Mott insulator?
我们考虑一个异质结构的金属和一个顺磁莫特绝缘体使用适应的动态平均场论来描述非均匀系统。金属可以通过近藤效应渗透到绝缘体中。我们研究了接近莫特绝缘体临界点的金属-绝缘体界面的标度特性。在临界状态下，准粒子的重量按照我们的平均场论中的公式，随着离金属的距离x的增加，衰减为1/x^2。我们的数值结果（使用数值重整化群作为杂质解算器）表明，该幂律的前因子是非常小的。
2008-05-05 cond-mat.str-el
Anisotropic optical conductivity of the putative Kondo insulator CeRu$_4$Sn$_6$
近藤绝缘体，特别是它们的非立方代表仍然知之甚少。在这里，我们报告的发展各向异性的能量赝能隙的四金属化合物CeRu $_4$ Sn $_6$采用光学反射率测量在宽的频率和温度范围内，和局域密度近似加上动态平均场论计算。计算提供的证据近藤绝缘体样的响应内的$a-a$平面和更多的金属沿c轴的响应和定性再现的实验观察，帮助确定其来源。
2012-09-13 cond-mat.str-el
Kondo-induced hybrid topological insulator in two-dimensional electron system with a quadratic band crossing point
研究了具有非平凡二次能带交叉点的二维电子系统中的近藤效应。我们发现近藤效应可以诱导一种新的混合拓扑绝缘体相，它是量子反常霍尔效应和TRS破碎的量子自旋霍尔效应的共存态.这种混合拓扑绝缘体不仅表现出量子化的电荷霍尔电流，而且还表现出净自旋电流，这是本地化的边缘边界。这种特殊的拓扑状态是由于两个边缘相关算子的相互作用而产生的，即，电子与局域磁矩的近藤耦合以及二维系统中的电子-电子相互作用。
2016-02-10 cond-mat.str-el
Kramers' doublet ground state in topological Kondo insulators
我们考虑一个最简单的变种近藤绝缘体的双重本地$f$ -电子与自旋简并导电电子杂交。我们分析了参与杂化的$f$ -轨道的对称性，指出这种系统的有效四带模型与具有手征对称性的模型是有联系的，从而进一步描述了干净的Kondo绝缘体.我们得到了拓扑非平凡状态出现的一般条件，并讨论了稀土化合物的影响。作为一个例子，我们推导出全相图的tetrapherkondo绝缘体。结果表明，当传导电子的能带宽度为最大能量标度时，手征对称性导致非平凡拓扑相的出现，而新的弱拓扑相的出现是能带中心归一化距离的函数.
2019-06-27 cond-mat.str-el
Antiferromagnetic phase of the Kondo-insulator
讨论了导带半满的平面Kondo晶格模型的反铁磁相的准粒子能带结构，即所谓的Kondo绝缘体。用键费米子技术得到了能带结构，并与用动力学团簇近似得到的单粒子谱函数进行了比较。特别地，数值谱中观察到的能带结构随J/t的各种变化通过计算被定性地再现。在费米面嵌套的情况下，我们发现了一个半金属相足够小的交换常数和可能的实验结果进行了讨论
2019-02-27 cond-mat.str-el
Tunable unconventional Kondo effect on topological insulator surfaces
研究了在三维拓扑绝缘体表面上沉积磁性吸附原子，实现强自旋轨道相互作用的电子物质中自旋- $\frac{1}{2}$杂质的近藤物理。我们表明，拓扑表面状态的磁特性和Kondo屏蔽的存在强烈依赖于散装材料的细节，和具体的表面制备编码的时间反演保持边界条件的电子波函数。当这种可调的近藤效应发生时，杂质自旋被表面电子的纯轨道运动屏蔽。这种机制引起了表面金属的横向磁响应，以及可用于实验探测近藤共振签名的自旋纹理。我们的预测是特别相关的STM测量${\rm Pb Te}$类结晶拓扑绝缘体，但我们也讨论了其他类别的拓扑材料的影响。
2015-12-08 cond-mat.str-el
Colossal magnetoresistance in topological Kondo insulator
复杂系统的异常电子性质需要新的思路来解释它们的行为和实现的可能性。在本文中，我们证明了在拓扑Kondo绝缘体的状态下，实现了一个巨大的磁电阻，这类似于Kondo晶格中的Kondo绝缘体状态。这种现象的机理是：在自旋无隙阶段，外磁场在自旋激发谱中引入能隙，在半填充时，由于自旋子系统和费米子子系统的杂化，费米子谱中的能隙被打开，磁场导致金属-绝缘体（或坏金属-绝缘体）相变。研究了无自旋费米子带半满情况下的蜂窝格点上的拓扑近藤格点模型。结果表明，局域矩和巡游费米子之间的杂交应理解为相应的自旋和电荷扇区的马约拉纳费米子之间的杂交。该系统是一个拓扑绝缘体，单个费米子和自旋激发在低能量是大量的。我们将证明自旋能隙在电荷沟道中引入能隙，它导致出现具有手征无能隙边缘模的拓扑绝缘体态，Chern数为1或2取决于交换积分的值。传统的近藤绝缘体状态的相关性进行了讨论。
2016-01-05 cond-mat.str-el
Dynamically generated edge states in topological Kondo insulators
近藤绝缘体结合了强电子相关性和自旋轨道耦合，从而提供了相关拓扑绝缘体的潜在实现。我们提出的模型计算，使我们能够研究发病的散装相干性和随之而来的拓扑边缘状态的混合价本地矩制度。我们的实空间动力学平均场的结果包括详细的温度依赖的单粒子谱函数板几何形状以及温度依赖的拓扑不变量。我们的计算的候选材料，如SmB6的相关性进行了讨论。
2014-08-27 cond-mat.str-el
Ferromagnetism and Kondo Insulator Behavior in the Disordered Periodic Anderson Model
在周期性Anderson模型下研究了二元合金无序对f电子材料铁磁相的影响。我们发现，在导带中的无序可以大大提高居里温度，由于本地f-矩的增加。这种效应可以用一个简单的理论分析来定性甚至定量地解释。还指出了非整数填充时合金近藤绝缘体的出现。
2008-01-25 cond-mat.str-el
3D Topological Kondo Insulators
拓扑近藤绝缘体（TKI）是一种新型的受电子保护的拓扑绝缘体，它是在强关联和自旋轨道相互作用的共同作用下发展起来的。在这些材料中，由于近藤通过传导电子屏蔽局域化的时刻，体是一个完美的带绝缘体。此外，局域矩的强自旋轨道耦合（SOC）和晶体场效应（CFE）导致局域矩和导带之间的非局域奇宇称、时间反演不变的杂化，这产生具有非平凡拓扑和无间隙表面激发的基态（Physical Review Letters 104（2010）106408）。在目前的工作中，我们发展了一个自洽的理论来研究拓扑近藤绝缘体的平均场水平。为了实现这一点，我们应用从玻色子平均场论的系统，并没有周期性的边界条件，以研究系统在散装和平板几何配置。这使得我们能够通过能带结构和谱函数的计算观察到受保护边缘态的清晰特征。
2017-11-21 cond-mat.str-el
Surface Kondo Effect and Non-Trivial Metallic State of the Kondo Insulator YbB12
理论上预测了强电子关联和自旋轨道相互作用（SOI）之间的协同效应将导致量子物质在Kondo绝缘体（KI）上形成新的拓扑态，即所谓的拓扑Kondo绝缘体（TKI）。在实验上观察到一个TKI候选者在KI SmB 6（001）上，并积极讨论了SmB 6的表面态（SS）和拓扑顺序的起源。在这里，我们显示了另一个TKI候选YbB 12（001）的清洁表面上的金属SS，使用角分辨光电子能谱学。SS显示出与温度相关的重建对应的体状态观察到的近藤效应。尽管具有低温绝缘体，但具有c-f杂化的重构SS是金属的，在表面布里渊区上形成围绕$\barΓ$的闭合费米轮廓，并且与TKI上SS的理论预期行为一致。这些结果证明了在近藤效应的驱动下，局域在KIs表面的二维态的温度依赖的整体重构。
2016-02-26 cond-mat.str-el
Competing topological and Kondo insulator phases on a honeycomb lattice
我们研究了蜂窝晶格中巡游电子的自旋-轨道相互作用与它们的近藤耦合之间的竞争。我们发现，在半填充模型显示拓扑和Kondo绝缘体之间的量子相变在非零Kondo耦合。在近藤屏蔽的情况下，调整电子浓度可以导致新的拓扑绝缘体相。结果表明，重费米子相图包含一个新的区域，拓扑态、近藤相干态和磁态相互竞争，该区域可能与含$5d$传导电子的近藤晶格系统特别相关.最后，我们讨论了我们的研究结果的背景下，最近的实验对钐$_6$牵连的拓扑绝缘体的表面状态，以及现有的实验在钐$_6$的压力下，在CeNiSn的化学压力下的相变。
2013-07-28 cond-mat.str-el
Metal-insulator transition in the Hubbard model: a simple description including the Kondo effect
本文用多电子表象中的单粒子格林函数来研究半满哈伯德模型中的电子谱结构。一个简单的分析推广的单网站Hubbard-III近似，其中考虑到费米激发（近藤条款）。金属-绝缘体转变的问题进行了研究。讨论了费米能级上包括“近藤”峰在内的三峰态密度结构的出现。与大d计算进行了比较。
2001-06-21 cond-mat.str-el
Temperature-induced gap formation in dynamic correlation functions of the one-dimensional Kondo insulator --- Finite-temperature density-matrix renormalization-group study ---
将有限温度密度矩阵重整化群与极大熵相结合，给出了一种计算一维多体系统动力学量的新方法。本文讨论了一维Kondo绝缘体的态密度、局域动态自旋和电荷关联函数。随着温度的降低，激发间隙打开，并且间隙根据通道而具有不同的值。激发光谱在近藤绝缘体的最低能级自旋能隙对应的特征温度附近发生了定性的变化。
1998-06-24 cond-mat.str-el
Magnetic Weyl and Dirac Kondo semimetal phases in heterostructures
我们研究了一种层状三维异质结构，其中两种类型的近藤绝缘体交替堆叠。其中之一是拓扑Kondo绝缘体SmB 6，另一个是同构Kondo绝缘体AB 6，其中A是稀土元素，例如，Eu、Yb或Ce。我们发现，如果后者的顺序铁磁，异质结构一般成为磁性Weyl Kondo半金属，而反铁磁秩序可以产生磁性狄拉克Kondo半金属。我们详细的情况下，一般的对称性的考虑，以及具体的紧束缚计算，并表明，I型以及II型磁性Weyl/狄拉克近藤半金属相是可能的，在这些异质结构。我们的研究结果表明，近藤绝缘体异质结构是一个通用的平台，设计强相关的拓扑半金属。
2017-11-05 cond-mat.str-el
Topological Kondo Insulators
本文综述了近藤拓扑绝缘体的理论和实验研究进展。近藤拓扑绝缘体是在强关联和自旋轨道相互作用的共同作用下发展起来的。近藤绝缘体的历史进行了审查，以及用于描述这些重费米子化合物的理论模型。Fu-Kane方法的拓扑分类的绝缘体被用来表明，在这些系统中的导电电子和本地化的f-电子之间的杂交引起的相互作用诱导的拓扑绝缘行为。最后，最近的一些实验结果进行了讨论，这似乎证实了理论预测的拓扑绝缘行为的六硼化钐，其中长期存在的难题的剩余低温电导率已被证明是源于强大的表面状态。
2015-06-18 cond-mat.str-el
Theory for Magnetic Anisotropy of Field-Induced Insulator-to-Metal Transition in Cubic Kondo Insulator YbB_{12}
基于Yb 5d $ε$和4f $Γ_8$轨道组成的紧束缚模型，对近藤绝缘体YbB_{12}的磁化强度和能隙进行了理论计算.发现磁化曲线几乎是各向同性的，这是从立方对称性自然预期的，但是间隙闭合场具有各向异性：与实验一致，对于（100）方向的场，间隙闭合比（110）和（111）方向快。这是定性地理解，通过考虑的最大特征值的总角动量运营商投影在每个方向的磁场。但基于能带模型的数值计算与实验吻合得更好。
2007-07-27 cond-mat.str-el
Direct experimental verification of applicability of single-site model for angle integrated photoemission of small $T_{K}$ concentrated Ce compounds
用$\to$ 4f共振光电子能谱测量了$x = 0.0, 0.04, 1.0$的$_{1-x}$ Ce $_x$ Al $_2$和$_{1-x}$ Ce $_x$ Ru $_2$的体敏高分辨Ce 4f谱.低近藤温度（$T_{K}$）（La，Ce）Al $_2$的4f光谱基本相同，除了用$x$使近藤峰略微增加，这与已知的用$x$使$T_{K}$增加一致。相反，高- $T_{K}$（La，Ce）Ru $_2$的4f光谱显示出Kondo样峰和0.5 eV结构，该结构随着$x$而强烈增加。这两种贡献的共振光子能量依赖性是不同的，0.5 eV结构的起源仍然不确定。
2001-07-20 cond-mat.str-el
Temperature dependent band structure of the Kondo insulator
我们提出了一个Qantum Monte Carlo（QMC）研究的近藤绝缘体的温度相关的动力学。在所谓的对称点工作允许执行无负号QMC模拟，从而达到小于传导电子带宽的1%的温度。单粒子格林函数和动态自旋关联函数的温度依赖性的研究显示了一个令人惊讶的复杂的低温能带结构，并给出了两个特征温度的证据，我们确定与近藤和相干温度，分别。特别地，数据显示在相干温度下温度诱导的金属-绝缘体转变。
1998-01-08 cond-mat.str-el
Low-temperature theory of inversion and quantum oscillations in Kondo insulators
使用Phys. Rev. B 96，075115（2017）中开发的自洽理论，在简单立方晶格上研究了低温下的半填充Kondo晶格模型。它被发现有三个不同的绝缘相在温度跳跃平面，即，强耦合Kondo单线态（KS）相，倒置Kondo单线态（iKS）相区别于KS反转，和反铁磁（AFM）相。在整个反转过渡的准粒子态密度被注意到表现出维数减少，这可以区分KS和iKS绝缘体在实验中。在iKS和AFM阶段获得的磁量子振荡被发现显示Lifshitz-Kosevich一样的行为与温度以及逆跳。
2022-10-04 cond-mat.str-el
Topology and Magnetism in the Kondo Insulator Phase Diagram
拓扑近藤绝缘体是三维晶体中物质相互作用的拓扑相的一个罕见例子-使它们成为理论研究的一个有趣但也很难的案例。在这里，我们的目标是通过解决拓扑近藤绝缘体的范例双带模型，使用完全自旋旋转不变的从玻色子治疗，以推进他们的理论理解。在平均场近似下，我们绘制了磁相图，并通过它们的拓扑性质来表征反铁磁相和顺磁相。除其他外，我们确定了一个反铁磁绝缘体，显示，合适的晶体终端，拓扑保护铰链模式。此外，高斯波动的从玻色子场周围的平均场值，包括为了建立稳定的平均场的解决方案，通过计算的完整的动态磁化率。
2019-11-25 cond-mat.str-el
A Mean-Field Study of Quantum Oscillations in Two-Dimensional Kondo Insulators
Max Planck Institute for the Structure and Dynamics of Matter（马克斯·普朗克物质与结构动力学研究所）；Department of Physics, University of Cincinnati（辛辛那提大学物理系）；Department of Physics and Engineering Physics, Tulane University（杜兰大学物理与工程物理系）
该研究通过平均场理论分析了二维康多绝缘体在磁场下的量子振荡行为，揭示了弱磁场下振荡的指数抑制及强磁场下康多破裂现象。
2024-02-06 cond-mat.str-el
Quantum oscillations in strongly correlated topological Kondo insulators
近藤拓扑绝缘体SmB 6和YbB 12中的量子振荡现象是最近一个令人困惑的实验发现。在电阻率和磁化强度中观察到的量子振荡通常用费米面的存在来解释。然而，近藤绝缘体没有费米面，因此不应该显示量子振荡。通过在磁场中对拓扑非平凡的近藤绝缘体进行动力学平均场计算，我们分析了关联对窄隙拓扑近藤绝缘体中量子振荡出现的影响，并证明了在拓扑近藤绝缘体中普遍存在的关联和非局域杂化之间的相互作用可以导致可观察到的量子振荡，而不需要费米面。特别是，我们表明，相关性，使它更容易观察量子振荡的磁化强度和电阻率的散装材料。这些量子振荡的基本机制是相关效应和朗道能级非常接近费米能的组合。我们进一步证明，在一个三维系统中的量子振荡可以理解通过分析的物理在二维平面上的动量空间中的杂交方向的磁场消失。我们相信，这种情况是相关的理解观察到的量子振荡的磁转矩SmB6以及振荡的电阻率和磁转矩的YbB12。
2019-08-14 cond-mat.str-el
Mean field approach plus the Bethe ansatz solution of one dimensional models of Kondo insulator
该研究结合平均场方法与Bethe ansatz求解半填充一维Kondo及对称Anderson格点模型的近藤绝缘体基态，揭示其与Mott绝缘体的相似性，并提出高T_c超导新机制。
2023-07-19 cond-mat.str-el
Crossover of Magnetoresistance from Fourfold to Twofold Symmetry in SmB6 Single Crystal, a topological Kondo insulator
近藤拓扑绝缘体由于其独特的拓扑性质和强关联性质而引起了凝聚态物理界的广泛关注。在这里，我们报告的角度依赖的c轴磁阻（MR）振荡在近藤绝缘体，SmB 6单晶，在磁场高达13 T旋转的ab平面。四倍对称MR振荡首次观察到高于8 K，这是由于四倍（C4）的体费米面的SmB6的简并。随着温度降低到2.3K，MR振荡的C4对称性逐渐减弱，出现C2对称性。这表明了从三维体态到二维表面态的交叉，并暗示了拓扑双态的可能出现。我们的实验观测揭示了近藤绝缘体SmB 6中的金属表面态和非金属态。
2015-09-15 cond-mat.str-el
