We report a study of properties of Mn-doped NBT-6%BT single crystals. We show that tetragonal single domain states can be stabilized by poling along a [001] direction. For carefully prepared crystals, the piezoelectric coefficient d33 can reach 570 pC/N. When poled along non-polar directions, the crystals exhibit ferroelectric domain structures consistent with tetragonal micron-sized domains, as revealed by optical observation and Raman spectroscopy. The multidomain crystals have lower d33 values, 225 and 130 pC/N for [011] and [111]-oriented crystals respectively. This trend is commented on from a domain-engineering perspective.
Electric field induced irreversible transformation to the R3c phase and its influence on the giant piezo-strain behaviour of lead-free system- Na0.5Bi0.5TiO3-BaTiO3-K0.5Na0.5NbO3
Piezoelectric properties of substitutionally doped $β$-Ga$_2$O$_3$
现代半导体材料越来越多地用于多学科系统中，展示了机械应变和电子势之间的交叉相互作用，这使得高灵敏度，自供电传感器设备中的应用无处不在。这种半导体材料表现出压电性能的基本前提之一是晶体结构的非中心对称性。$β$ -Ga $_2$ O $_3$由于其超宽带隙而成为一种新兴的化合物半导体材料。然而，原始的$β$ -Ga $_2$ O $_3$具有反转中心，没有显示出压电效应.本工作利用第一性原理方法发现，替位掺杂的$β$ $_2$ O $_3$具有压电性质，而以往对其替位掺杂的研究主要集中在提高电导率和形成半导体异质结方面。更有趣的是，它是从这项工作揭示了形成能有一个明确的关系与压电系数。
Defect-Engineered Multifunctionality in Cu-Doped Bi2Te2: Interplay of Thermoelectric, Piezoelectric, and Optoelectronic Properties from First-Principles Insights
University of West Bohemia（西波希米亚大学）；Riphah International University（里帕赫国际大学）；Northern Border University（北部边界大学）
Vanadium-Engineered Co2NiSe4 Nanomaterial: Coupled Thermoelectric, Piezoelectric, and Electronic Optimization via DFT+U for Advanced Energy Applications
Solution-Based Fabrication of High-Performance K$_{0.5}$Na$_{0.5}$NbO$_3$ Thin Films for Surface Haptics
Luxembourg Institute of Science and Technology（卢森堡科学与技术研究所）；University of Luxembourg（卢森堡大学）；Jožef Stefan Institute（约瑟夫·斯特凡研究所）；Kyungpook National University（庆北国立大学）；Harbin Engineering University（哈尔滨工程大学）；Technische Universität Darmstadt（达姆施塔特工业大学）
Acoustic phonon limited mobility in two-dimensional semiconductors: Deformation potential and piezoelectric scattering in monolayer MoS2 from first principles
利用Boltzmann方程和声学电子-声子（el-ph）相互作用的第一性原理计算，对温度T < 100 K和高载流子密度下n掺杂二维MoS 2中的声学声子有限迁移率进行了理论研究.结合连续介质弹性模型，建立了变形势与压电相互作用的解析表达式和耦合强度。此外，我们表明，变形势相互作用的贡献，从正常和umklapp过程，后者的贡献只有微弱的影响，载流子屏蔽。因此，计算出的迁移率显示出从高温μT^{-1}行为到低温Bloch-Gruneisen区域中更强的μT^{-4}行为的转变，该区域是未屏蔽变形势散射的特征。在T < 10 K和高载流子密度（n > 10^{11} cm^{-2}）下，本征迁移率预计超过10^5 cm ^2 V^{-1} s^{-1}。在100 K时，迁移率不超过~7 x 10^3 cm 2 V^{-1} s^{-1}。我们的研究结果提供了新的和重要的理解声学el-ph相互作用和它的屏蔽自由载流子，并在一般的声学声子有限迁移率的理解是高度相关的。
The KNN rollercoaster: from bulk ceramics to phase engineered wafer-scale thin films
Politecnico di Milano（米兰理工大学）；STMicroelectronics（意法半导体）；Institute of Materials Research and Engineering (IMRE), Agency for Science, Technology and Research A*STAR（新加坡科技研究院材料研究与工程研究所）；University of Milano-Bicocca（米兰比可卡大学）
