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arXiv 1202.42922012-02-20cond-mat.str-el

URu2Si2的高磁场Phase Diagram的角度依赖性

Angular Dependence of the High-Magnetic-Field Phase Diagram of URu2Si2

Gernot W. Scheerer, William Knafo, Dai Aoki, Jacques Flouquet

发表信息：: J. Phys. Soc. Jpn. 81 (2012) SB005
DOI：: 10.1143/JPSJS.81SB.SB005

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摘要：

本文测量了在高达60 T的强磁场和1.4 ~ 40 K温度下的URu_2Si_2单晶的磁电阻率RHOxx。已经研究了磁场的不同取向，允许遵循所有磁相变和交叉对Q的依赖性，其中Q是磁场和易磁化轴c之间的角度。我们发现，所有的磁过渡和交叉遵循一个简单的1/cos（Q）定律，表明它们是由磁场在c轴上的投影控制。

英文摘要：

We present measurements of the magnetoresistivity RHOxx of URu2Si2 single crystals in high magnetic fields up to 60 T and at temperatures from 1.4 K to 40 K. Different orientations of the magnetic field have been investigated permitting to follow the dependence on Q of all magnetic phase transitions and crossovers, where Q is the angle between the magnetic field and the easy-axis c. We find out that all magnetic transitions and crossovers follow a simple 1/cos(Q) -law, indicating that they are controlled by the projection of the field on the c-axis.

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