揭示了SiC（0001）和外延石墨烯之间缓冲层的原子结构

在SiC（0001）上的晶片级外延石墨烯中的长自旋弛豫时间

Long spin relaxation times in wafer scale epitaxial graphene on SiC(0001)

我们开发了一种简单的，可升级的过程，在SiC（0001）上外延生长的单层石墨烯上制备横向自旋阀器件，并进行非局域自旋输运测量。我们在单层石墨烯中观察到最长的自旋弛豫时间τ_S，而自旋扩散系数D_S与剥离石墨烯的典型结果相比大大降低。τ_S值的增加可能与底物的改变有关，而D_S值较小的原因尚不清楚。

基于SiC外延石墨烯的场效应晶体管模型及性能评价

Model and performance evaluation of field-effect transistors based on epitaxial graphene on SiC

鉴于在最近的实验中观察到的0.26 eV的可观的半导体间隙，SiC衬底上的外延石墨烯似乎是FET的有前途的沟道材料。事实上，它是二维的-因此不需要禁止光刻-并且表现出比其他替代选择（例如双层石墨烯）更宽的间隙。在这里，我们提出了一个模型，并评估基于SiC上的外延石墨烯的纳米级FET的可实现的性能，进行设计参数空间的探索。我们表明，电流可以调制4个数量级;对于数字应用，Ion /Ioff比为50，亚阈值斜率为145 mV/decade，电源电压为0.25 V。这代表了石墨烯电子器件固态集成的重大进展，但还不足以用于数字应用。

SiC衬底上外延石墨烯纳米带的热导率

Thermal conductivity of epitaxial graphene nanoribbons on SiC: effect of substrate

采用非平衡分子动力学方法研究了SiC衬底对外延石墨烯纳米带热导率的影响。结果表明，在热输运过程中，基底与单层GNRs之间存在强相互作用，大大降低了热导率。双层GNR的第二GNR层中，悬浮GNR的热导率特性被很好地保留，其与底层结构具有弱的范德华相互作用。发现面外声子模对由底层结构引起的第二GNR层的热导率变化起关键作用。

6 H- SiC硅表面石墨烯缓冲层的拉曼光谱和消光性能

Raman spectrum and optical extinction of graphene buffer layers on the Si-face of 6H-SiC

用显微拉曼和显微透射实验相结合的方法对缓冲层进行了分析。调整6 H-SiC衬底的（0001）Si面上的外延石墨烯生长以在石墨化的早期阶段获得混合表面，其中i）裸SiC，ii）缓冲层和iii）在一些局部区域中缓冲层顶部上的小单层薄片。这些独特的样品能够测量缓冲层的拉曼光谱（接近于具有显著百分比的sp3键的碳层的拉曼光谱）及其在514.5 nm处的相应相对消光。在顶部上生长一个单层之后，缓冲层的拉曼光谱保持可见，但是尽管石墨烯的吸收系数相对较低，但拉曼强度强烈降低（通常除以3）。缓冲层背景将根据D/G积分强度比对域大小的通常评估产生偏差。最后，几个拉曼图显示石墨烯单层的优异的厚度均匀性和结晶质量，并且它们经受值包括在-0.60%和-0.42%之间的非均匀压缩应变。

石墨烯在6 H- SiC上的外延生长模型

A model for the epitaxial growth of graphene on 6H-SiC

我们介绍了6 H-SiC上外延石墨烯生长的动力学模型。该模型适用于由半晶胞高度台阶组成的邻近表面，实验表明SiC的台阶流动升华促进了平行于台阶边缘的石墨烯条带的形成和生长。模型参数是石墨烯在台阶边缘成核和随后的传播的有效能垒。使用速率方程和动力学蒙特卡罗模拟，两个不同的生长制度出现从顶层石墨烯带宽度的层覆盖和分布的研究作为总覆盖，邻角，和模型参数的函数。一种状态是由条带的聚结所主导的。另一种机制是由一种新的“爬越”过程，这有利于石墨烯从一个平台到下一个平台的传播。比较我们的研究结果扫描显微镜的研究将提供第一个定量的见解，这种独特的外延系统的生长动力学。

用氧吸附法观察SiC（0001）上外延石墨烯的量子霍尔效应

Observation of the quantum Hall effect in epitaxial graphene on SiC(0001) with oxygen adsorption

在这封信中，我们报告的SiC（0001）与氧吸附的外延石墨烯的运输测量。在$50\times 50 μ\mathrm{m^2}$大小的霍尔棒中，我们观察到半整数量子霍尔效应，其具有在$ν= 2$周围的填充因子处量化的横向电阻平台，这是单层石墨烯的证据。我们发现低电子浓度的$9\times 10^{11} \textrm{cm}^{-2}$，我们表明，掺杂的$10^{13}\textrm{cm}^{-2}$，这是本征外延石墨烯的特性，可以通过真空退火恢复。氧吸附对载流子密度的影响通过局部角分辨光电子能谱测量得到证实。这些结果对于理解外延石墨烯上的氧吸附及其在需要低载流子浓度的计量学和介观物理学中的应用是重要的。

在聚簇台阶6 H- SiC（0001）衬底上外延石墨烯纳米带：芳香环图案和Van Hove奇异性

Epitaxial Graphene Nanoribbons on Bunched Steps of a 6H-SiC(0001) Substrate: Aromatic Ring Pattern and Van Hove Singularities

我们报告了在6 H-SiC（0001）衬底的成束台阶阵列上生长的石墨烯纳米带的扫描隧道显微镜和光谱研究。我们的石墨烯纳米带在台阶上的扫描隧道显微镜图像具有（sqrt（3）x sqrt（3））R30°芳香环图案，其定义了我们的扶手椅纳米带。这与基于密度泛函理论的模拟是一致的。作为一维电子结构的另一个特征，在相应的扫描隧道光谱中，我们发现了发达的，尖锐的范霍夫奇点。

Intercalated europium metal in epitaxial graphene on SiC

X-ray magnetic circular dichroism (XMCD) reveal the magnetic properties of intercalated europium metal under graphene on SiC(0001). Intercalation of Eu nano-clusters (average size 2.5 nm) between graphene and SiC substate are formed by deposition of Eu on epitaxially grown graphene that is subsequently annealed at various temperatures while keeping the integrity of the graphene layer. Using sum-rules analysis of the XMCD of Eu M$_{4,5}$ edges at $T = 15$ K, our samples show paramagnetic-like behavior with distinct anomaly at T $\approx$ 90 K which may be related to the N{è}el transition, T$_N$…

石墨烯在非平面6 H- SiC表面外延生长的模型与模拟

Model and Simulations of the Epitaxial Growth of Graphene on Non-Planar 6H-SiC Surfaces

采用一维动力学Monte Carlo模型研究了6 H-SiC上外延石墨烯的阶梯流生长。模型参数是石墨烯在SiC台阶处成核和生长的有效能垒。当该模型被应用到相邻表面上的石墨烯生长时，条带宽度分布被用来表征表面形态。包括额外的动力学过程来研究SiC纳米晶面上的石墨烯生长。我们的主要结果是，在石墨烯生长过程中，原始的纳米晶面断裂成几个纳米晶面。这种现象的特征在于断裂的纳米刻面相对于基面取向的角度。这个角度在整个表面上的分布被发现是相关的带宽度分布的邻位表面。随着阶地扩展势垒的减小，裂缝角分布由双侧高斯分布向单侧幂律分布连续变化。利用这种分布，将有可能从实验中提取能量势垒，并定量地解释生长形态。

SiC上外延石墨烯的退火诱导磁矩

Annealing-induced magnetic moments detected by spin precession measurements in epitaxial graphene on SiC

我们目前的非本地和三个终端（3T）的自旋进动测量的结果上的SiC上的外延石墨烯制造的自旋注入器件。在真空中在150摄氏度下退火15分钟之前和之后进行测量。退火后得到的自旋弛豫长度L_s和自旋弛豫时间τ_s分别比退火前减小了2倍和4倍。自旋扩散常数D_s和电荷扩散常数D_c之间的明显差异可以通过研究g因子的温度依赖性来解决，这与顺磁磁矩模型是一致的。

无定形碳纳米管中石墨烯的可控外延生长

Controlled epitaxial graphene growth within amorphous carbon corrals

高质量石墨烯的结构化生长对于碳基电子技术的发展是必要的。具体地，控制SiC上外延石墨烯下的表面台阶的聚束和放置是石墨烯器件生产的重要考虑因素。我们展示了光刻图案化的蒸发无定形碳陶瓷作为钉扎SiC表面台阶的方法。蒸发的无定形碳是SiC上理想的阶跃流动屏障，这是由于其与石墨烯生长的化学相容性和其在高温下的结构稳定性以及其可图案化性。在石墨烯生长之前，将无定形碳在真空中沉积在SiC上。在温度高于1200 $^\circ$ C的石墨烯炉中，可移动的SiC台阶在这些无定形碳阻挡层处积累，从而在高于1330 $^\circ$ C的温度下形成用于石墨烯生长的对齐的无台阶区域。原子力显微镜成像和拉曼光谱支持形成质量的无台阶的石墨烯片生长在SiC上的步骤形态对齐的碳网格。

SiC上的外延石墨烯和转移到SiO2上的外延石墨烯的拉曼光谱

Raman spectra of epitaxial graphene on SiC and of epitaxial graphene transferred to SiO2

拉曼光谱测量的单，双和三层石墨烯生长在SiC上的固态石墨化，其中的层数是预先指定的角度分辨紫外光电子能谱。发现拉曼光谱中识别SiC（0001）上石墨烯的层数的唯一明确指纹是2D（或D*）峰的线宽。外延石墨烯的拉曼光谱显示出显着的差异相比，从高度取向的热解石墨晶体获得的微机械裂解的石墨烯。G峰发生蓝移。2D峰没有表现出任何明显的肩部结构，但它要宽得多，甚至对于多层膜也几乎类似于单峰。将外延石墨烯薄片从SiC转移到SiO2上用于进一步的拉曼研究。将SiC上的石墨烯获得的拉曼数据与转移到SiO2上的外延石墨烯的数据进行比较，揭示了G峰蓝移显然是由于SiC衬底。然而，加宽的2D峰源于石墨烯结构本身而不是衬底。

Observation of Coulomb blockade in nanostructured epitaxial bilayer graphene on SiC

We study electron transport in nanostructures patterned in bilayer graphene patches grown epitaxially on SiC as a function of doping, magnetic field, and temperature. Away from charge neutrality transport is only weakly modulated by changes in carrier concentration induced by a local side-gate. At low n-type doping close to charge neutrality, electron transport resembles that in exfoliated graphene nanoribbons and is well described by tunnelling of single electrons through a network of Coulomb-blockaded islands. Under the influence of an external magnetic field, Coulomb blockade resonances flu…

4 H- SiC（0001）上外延石墨烯纳米脊诱导的原子尺度运动

Atomic-Scale Movement Induced in Nano-Ridges by Scanning Tunneling Microscopy on Epitaxial Graphene Grown on 4H-SiC(0001)

利用扫描隧道显微镜（STM）在4度切角4 H-SiC（0001）的硅表面上外延生长的多层石墨烯中发现了纳米尺度的脊。这些纳米脊只有0.1 nm高，25-50 nm宽，使它们比以前报道的脊小得多。在纳米脊附近和顶部使用双扫描技术进行原子分辨率STM，其中同时记录正向和反向图像。沿图像的前缘在两个方向上观察到明显100%放大的石墨烯晶格常数。石墨烯的水平运动，由于静电吸引STM尖端和弱键合到衬底，被认为有助于结果。

在SiC（0001）上生长的顶栅外延石墨烯中的量子霍尔平台-平台转变

Quantum-Hall plateau-plateau transition in top-gated epitaxial graphene grown on SiC (0001)

研究了在半绝缘4 H-SiC衬底的Si面上通过高温升华法制备的单层外延石墨烯薄膜的低温磁输运性质。通过插入完全氧化的纳米薄铝膜作为种子层，随后进行原子层沉积工艺，在外延石墨烯上实现高k顶栅。在低温下，器件表现出强场效应的顶栅与开/关比约为7和电子迁移率高达~3250 cm ^2/Vs的半整数量子霍尔效应的单层外延石墨烯薄膜的观察后，详细的磁输运测量已进行，包括不同的密度，温度，磁场和电流。我们研究了当温度和电流变化时，可分辨的量子霍尔平台到平台跃迁（朗道能级指数n=0到n=1）的宽度。对于栅极电压和磁场扫描以及T>10 K，转变宽度为T^{-κ}，指数κ~0.42。这种普遍的标度指数与在具有短程合金无序的III-V异质结和剥离的石墨烯中发现的标度指数一致。

A Table-Top Formation of Bilayer Quasi-Free-Standing Epitaxial-Graphene on SiC(0001) by Microwave Annealing in Air

We propose a table-top method to obtain bilayer quasi-free-standing epitaxial-graphene (QFSEG) on SiC(0001). By applying a microwave annealing in air to a monolayer epitaxial graphene (EG) grown on SiC(0001), the buffer layer is decoupled from the SiC substrate and becomes the second EG layer as confirmed by the low energy electron diffraction, high-resolution transmission electron microscopy, Raman scattering spectroscopy, X-ray photoelectron spectroscopy, and angle-resolved photoelectron spectroscopy. The most likely mechanism of the decoupling is given by the oxidation of the SiC surface, w…

SiC上的低载流子密度外延石墨烯器件

Low Carrier Density Epitaxial Graphene Devices On SiC

在六方Si端SiC衬底上生长的单层外延石墨烯（EG）本质上是电子掺杂的（载流子密度约为10^13 cm^（-2））。我们展示了一个干净的设备制造过程中使用的贵金属保护层，并表明，与王水蚀刻的结果在p型（空穴）分子掺杂我们的非门控，无污染的EG。通过这种简单的工艺制造的器件可以达到10^10 cm^（-2）到10^11 cm^（-2）的载流子密度，迁移率约为8000 cm ^2/V/s或更高。在载流子密度n = 2.4 x 10^11 cm^（-2）、迁移率= 5200 cm ^2/V/s的中度掺杂器件中，我们观察到高度发达的量子化霍尔电阻平台，在磁场强度小于4 T时填充因子为2。掺杂浓度可以通过在Ar中的热处理恢复到更高的水平，而具有p型和n型多数载流子的器件在环境空气中倾向于向较低的载流子浓度漂移。

基于SiC衬底的圆片级外延石墨烯纳米晶场效应晶体管

Graphene Nanoribbon Field-Effect Transistors on Wafer-Scale Epitaxial Graphene on SiC substrates

我们报告了在大面积外延石墨烯上实现的~10 nm宽的顶栅石墨烯纳米晶体管场效应晶体管（GNRFFET），其具有~0.14 eV的带隙开口。与先前观察到的GNRs的无序输运和严重的边缘粗糙度效应相反，这里给出的实验结果清楚地表明，在精心制作的GNRFEFET中的输运机制在室温下是常规的带输运，在低温下是带间隧穿。整个空间的温度，尺寸和几何形状依赖的传输特性和静电的GNRFESTs的解释由传统的电子发射和隧穿电流模型。我们结合实验和建模工作证明，精心制作的窄GNRs的行为作为传统的半导体，仍然是电子开关器件的潜在候选人。

SiC C面上大畴外延石墨烯的生长

Growth of Large Domain Epitaxial Graphene on the C-Face of SiC

研究了在SiC的C面上外延生长石墨烯。使用约束控制升华（CCS）方法，我们已经实现了良好的控制生长，并能够观察到均匀单层石墨烯的传播。表面图案揭示了生长的两个重要方面，即碳扩散和化学计量要求。此外，还发现了一种新的“阶梯式”增长方式。通过这种模式，单层石墨烯域可以具有数百平方微米的面积，同时，最重要的是，避免了阶梯聚束，并且保留了初始均匀阶梯状的SiC表面。阶梯式生长提供了一种可能的途径，在晶片尺寸上实现均匀的外延石墨烯，而不会损害SiC的初始平坦表面形态。

共价和金属插层对SiC（0001）上外延石墨烯电子性质的作用

Role of covalent and metallic intercalation on the electronic properties of epitaxial graphene on SiC(0001)

采用轨道分辨密度泛函理论研究了SiC表面氢和锂嵌入石墨烯的电子性质。从石墨烯/SiC异质结系统的$(6\sqrt3\times6\sqrt3)R30^{\circ}$表面重构出发，我们发现H和Li都可以在界面处插入时恢复两个非等效结部分（即石墨烯和SiC衬底）的理想结构特征。然而，对于这两种情况，化学/静电相互作用仍然不同。因此，H-插层外延石墨烯受到扰动狄拉克点的亚晶格破坏电子干扰，而Li插层由于Li电荷的不均匀离域而产生高度$n$掺杂的系统。结果带来的作用，衬底工程在SiC上外延石墨烯的讨论。

氢气氛下生长后退火制备4 H- SiC（0001）外延石墨烯的高电子迁移率

High Electron Mobility in Epitaxial Graphene on 4H-SiC(0001) via post-growth annealing under hydrogen

我们研究了在4 H-SiC（0001）上外延单层石墨烯的磁输运性质，该石墨烯是通过在Ar中常压石墨化，然后进行H2插层而生长的。我们直接证明了在石墨烯/SiC（0001）界面处饱和Si悬挂键以实现高载流子迁移率的重要性。成功消除Si悬空键后，载流子迁移率在0.3 K时从3 000 cm^2/Vs增加到> 11 000 cm^2/Vs。此外，石墨烯的电子浓度往往会从几个10^12 cm^-2下降到小于10^12 cm^-2。对于一个典型的大（30 × 280 μ m^2）霍尔棒，我们报道了在朗道能级填充因子nu = 2，6，10，14时，在0.3 K下观察到的整数量子霍尔态，其横向电阻平台发展良好. 42和Shubnikov de Haas振荡。在这样的器件中，在nu=2、19 T和0.3 K下的霍尔态量子化可以是非常鲁棒的：对于高达250 uA的测量电流，电子传输中的耗散可以保持非常低，纵向电阻率低于5 mOhm。这在计量学应用方面是非常有前途的。

一种提取SiC上外延石墨烯纯拉曼光谱的方法

A method to extract pure Raman spectrum of epitaxial graphene on SiC

提出了一种利用非负矩阵分解提取SiC上外延石墨烯纯拉曼光谱的方法。它克服了从实验数据中简单地减去SiC背景而导致的负光谱强度和分辨不好的光谱的问题。我们还表明，该方法类似于反卷积，由多个亚微米区域组成的光谱，其优点是不需要脉冲响应函数的先验信息。我们已经利用这一特性来表征拉曼激光束。有效的数据平滑的方法的能力也被证明。

局域态对外延石墨烯自旋输运的影响

Localized states influence spin transport in epitaxial graphene

我们开发了一个自旋输运模型的扩散通道耦合局域态，导致在一个有效的增加自旋进动频率和减少自旋弛豫时间的系统。我们将此模型应用于SiC（0001）（MLEG）上单层外延石墨烯上获得的Hanle自旋进动测量。结合新进行的测量准独立的单层外延石墨烯在SiC（0001）我们的分析表明，不同的值的扩散系数测量在MLEG中的电荷和自旋输运测量和自旋弛豫时间的高值可以解释的影响所产生的缓冲层之间的界面处的石墨烯和SiC表面的局域态。

SiC（0001）上外延石墨烯纳米带的电子结构

Electronic structure of epitaxial graphene nanoribbons on SiC(0001)

我们对SiC（0001）上少层外延石墨烯纳米带的电子结构进行了计算。通过一个原子的描述的石墨烯层和基板内的扩展休克尔理论和实/动量空间投影，我们认为异质结构的界面的作用变得至关重要的研究系统的导电能力。从这种相互作用产生的关键问题是一个费米能级钉扎效应引入悬空界面键。这种现象与所考虑的纳米结构的宽度无关，从而损害了这些系统中限制的重要性。

外延多层石墨烯中的多载流子输运

Multi-carrier Transport in Epitaxial Multi-layer Graphene

对生长在Si面和C面SiC上的外延石墨烯进行了变场霍尔测量。载流子输运基本上涉及少层石墨烯中的单一类型的载流子，而与SiC面无关。然而，在C面SiC上生长的多层石墨烯（MLG）中，霍尔测量表明存在几组具有不同迁移率的载流子。MLG中的电输运可以通过调用三个平行的独立传导通道来适当地描述。其中两种是n型和p型，而第三种涉及几乎本征的石墨烯。轻掺杂沟道中的载流子具有比其他两个高得多的迁移率。

在SiC上外延生长的石墨烯的结构和电子性质

Structure and electronic properties of epitaxial graphene grown on SiC

本文综述了外延石墨烯作为碳电子材料的研究进展。特别讨论了外延石墨烯生长、界面控制以及对多层外延石墨烯电子性质的理解方面的改进。虽然在SiC的两个极性面上生长的石墨烯被解决，但我们的讨论将集中在SiC的（000-1）C面上生长的石墨烯。C面多层外延石墨烯的独特性质已经变得显而易见。这些薄膜的电子行为就像一堆几乎独立的石墨烯片，而不是一个薄的Bernal堆叠的石墨样品。多层石墨烯的电子行为的起源是其独特的非Bernal旋转石墨烯平面的高度有序堆叠。虽然这些旋转不会显著影响层间相互作用，但它们确实破坏了石墨的堆叠对称性。正是这种对称性破缺导致每个片表现得像一个孤立的石墨烯平面。

SiC上准独立外延石墨烯双层膜的磁输运性质：Bernal堆积的证据

Magnetotransport Properties of Quasi-Free Standing Epitaxial Graphene Bilayer on SiC: Evidence for Bernal Stacking

我们研究了SiC上的准独立外延石墨烯双层的磁输运性质，该石墨烯双层是通过在Ar中的大气压石墨化，然后通过H $_2$插层而生长的。在电荷中性点的纵向电阻表现出绝缘行为，它遵循的温度依赖性与可变范围跳跃运输在带隙状态一致。在垂直磁场中，我们观察到了填充因子为4倍（$ν$）的量子霍尔态（QHS），以及在$ν=0$和$ν=6$的破谷对称性QHS.这些结果明确地表明，在SiC的Si面上生长的准自立式石墨烯双层表现出Bernal堆叠。

石墨烯在SiC晶片上的外延生长

Epitaxial Graphene Growth on SiC Wafers

利用化学气相沉积反应器在4 H-SiC和6 H-SiC衬底上制备了外延石墨烯（EG）。描述了生长条件与EG的形貌和电性能的相关性。EG在Si面样品上的拉曼光谱主要受单层厚度的影响。该方法用于在50 mm SiC晶片上生长EG，该晶片随后被制造成具有14 GHz的fmax的场效应晶体管。

SiC（0001）上的外延石墨烯：不仅仅是蜂窝

Epitaxial graphene on SiC(0001): More than just honeycombs

石墨烯影响下一代电子产品发展的潜力重新引起了人们对其生长和结构的兴趣。六方SiC表面的石墨化为石墨烯的合成提供了一种可行的替代方案，现在可以在SiC（0001）上制备晶片尺寸的外延石墨烯。尽管最近取得了这一进展，但石墨烯-SiC界面的确切性质以及石墨烯是否具有半导体间隙仍然存在争议。使用扫描隧道显微镜与功能化的提示和密度泛函理论计算，在这里，我们表明，界面是一个扭曲的碳片组成的三重六边形五边形七边形复合物周期性地插入到蜂窝晶格。这些缺陷缓解了石墨烯层和SiC衬底之间的应变，同时仍然保留了每个碳原子的三重配位。此外，这些缺陷破坏了蜂窝的六重对称性，从而自然地诱导出间隙：计算出的界面能带结构是半导体的，并且在费米能级以下的K附近存在两个局域态，解释了光电发射和碳芯能级数据。在下一层石墨烯的狄拉克点处发现了非线性色散和33 meV的间隙，从而深入了解了SiC（0001）上外延石墨烯间隙起源的争论。这些结果表明，SiC（0001）上的外延石墨烯的界面不仅仅是死缓冲层，而是积极地影响后续石墨烯层的物理和电子性质。

外延石墨烯中干涉与电子-电子相互作用的相互作用

Interplay between interferences and electron-electron interactions in epitaxial graphene

我们通过分析低温电导率，分离了在4 H-SiC衬底的C面上生长的外延石墨烯器件中的局部化和相互作用效应。弱本地化和反本地化提取在低磁场，消除后的几何磁阻和扣除的磁场依赖的Drude电导率。在较高的磁场中提取电子-电子相互作用校正，其中局部化效应消失。这两种现象都很弱，但规模很大，数量级相同。如果与二氧化硅上的石墨烯相比，则外延石墨烯上的电子电子相互作用不会因SiC衬底的较大介电常数而显著降低。

利用基底拉曼光谱衰减估算SiC上外延石墨烯的厚度

Thickness Estimation of Epitaxial Graphene on SiC using Attenuation of Substrate Raman Intensity

一种简单的，非侵入性的方法，使用拉曼光谱的碳化硅（SiC）上外延生长的石墨烯层的厚度的估计，使厚度，晶粒尺寸和无序使用光谱的同时测定。由于石墨烯覆盖层的衬底拉曼信号的衰减被发现依赖于从表面的X射线光电子能谱学和透射电子显微镜推导出的石墨烯膜厚度。我们解释这种依赖性使用吸收覆盖层模型。该方法可用于绘制区域上的石墨烯厚度，并且能够估计多层石墨烯膜的厚度，超出XPS和俄歇电子能谱（AES）的可能厚度。

通过SiC衬底控制石墨烯中的掺杂：第一性原理研究

Controlling doping in graphene through a SiC substrate: A first-principles study

通过掺杂控制载流子的类型和密度是发展石墨烯电子学的关键步骤。然而，石墨烯的直接掺杂是相当大的挑战。基于第一性原理计算，提出了一种通过衬底来克服石墨烯掺杂困难的概念，发现在碳化硅衬底上外延生长的石墨烯中，掺杂可以得到强烈的增强。与自支撑石墨烯相比，掺杂剂的形成能可以降低多达8eV。外延石墨烯层的载流子的类型和密度可以通过合适的掺杂剂和表面钝化来有效地控制。更重要的是，与石墨烯的直接掺杂相比，由于掺杂剂与导电沟道之间的空间分离，外延石墨烯层中的载流子被掺杂剂弱散射。最后，我们表明，类似的想法也可以用来控制磁性，例如，诱导半金属状态的外延石墨烯没有磁性杂质掺杂。

外延石墨烯中双层诱导的非对称量子霍尔效应

Bilayer-induced asymmetric quantum Hall effect in epitaxial graphene

研究了量子化磁场下SiC（0001）衬底上外延石墨烯的输运性质。垂直于SiC台阶图案化的器件清楚地表现出沿衬底台阶边缘分布的双层夹杂物。我们表明，在量子霍尔制度的输运性质受到严重影响的双层夹杂物的存在下，并观察到显着偏离传统的量子霍尔特性。一个定量模型，涉及增强通道间散射介导的双层夹杂物的存在下，成功地解释了所观察到的对称性。

超光滑SiC(0001)表面上石墨烯缓冲层形成的生长动力学

Growth dynamics of graphene buffer layer formation on ultra-smooth SiC(0001) surfaces

本研究系统调查了SiC上外延石墨烯的生长过程，发现缓冲层形成伴随特定SiC双层的快速台阶回缩，且单层石墨烯畴仅沿双层高台阶边缘生长，为空间石墨烯生长控制提供了潜力。

在C面SiC上形成用于石墨烯的缓冲层{0001}

Formation of a Buffer Layer for Graphene on C-face SiC{0001}

利用低能电子衍射（LEED）和低能电子显微镜（LEEM）研究了在富硅环境中加热SiC（000-1）表面（{0001}表面的C面）制备的石墨烯薄膜。石墨化后，通过原位LEED观察到具有rt（43）x rt（43）-R7.6度对称性的界面。氧化后，界面呈现rt（3）× rt（3）-R30度对称性。电子反射率测量表明，这些界面结构产生于石墨烯和SiC之间形成的石墨烯状“缓冲层”，类似于在Si面SiC上观察到的。从动态LEED结构计算的氧化的C面表面，它被发现由石墨烯层坐在硅酸盐（Si 2 O3）层的顶部，与硅酸盐层具有众所周知的结构，如先前研究的裸SiC（000-1）表面。在此基础上，对氧化前的界面结构进行了讨论。

STM/S Observations of Graphene on SiC(0001) Etched by H-plasma

Monolayer graphene epitaxially grown on SiC(0001) was etched by H-plasma and studied by scanning tunneling microscopy and spectroscopy. The etching created partly hexagonal nanopits of monatomic depth as well as elevated regions with a height of about 0.12 nm which are stable at $T$ = 78 K. The symmetric tunnel spectrum about the Femi energy and the absence of a $6\times6$ corrugation on the elevated regions suggest that in these regions the carbon buffer layer is decoupled from the SiC substrate and quasi-free-standing bilayer graphene appears at originally monolayer graphene on the buffer la…

4 H- SiC（0001）外延石墨烯中载流子的最小单粒子哈密顿量

Minimal Single-Particle Hamiltonian for Charge Carriers in Epitaxial Graphene on 4H-SiC(0001)

我们提出了一个最小但至关重要的微观理论，在4 H-SiC（0001）表面上外延石墨烯和石墨烯纳米带-原型材料，以探索大规模的石墨烯的物理性质。粗粒度模型哈密顿量是基于系统的原子和电子结构从第一性原理计算。从理论中，我们明确地揭示了几个有趣的实验观察的起源，如狄拉克点周围的对称性破缺状态和整个布里渊区产生的新能带，从而建立了子状态在修改石墨烯的电子性质中的作用。我们还预测，扶手椅型石墨烯纳米带的表面上有一个单一的能隙为0.2 eV时，它们的宽度是超过15 nm，在鲜明的对比，他们通常的家庭行为。

Li-intercalated Graphene on SiC(0001): an STM study

We present a systematical study via scanning tunneling microscopy (STM) and low-energy electron diffraction (LEED) on the effect of the exposure of Lithium (Li) on graphene on silicon carbide (SiC). We have investigated Li deposition both on epitaxial monolayer graphene and on buffer layer surfaces on the Si-face of SiC. At room temperature, Li immediately intercalates at the interface between the SiC substrate and the buffer layer and transforms the buffer layer into a quasi-free-standing graphene. This conclusion is substantiated by LEED and STM evidence. We show that intercalation occurs th…

氧吸附对SiC（0001）外延石墨烯局域性质的影响

Effect of Oxygen Adsorption on the Local Properties of Epitaxial Graphene on SiC (0001)

利用低能电子显微镜（LEEM）、微探针低能电子衍射（\muLEED）和微探针角分辨光电子能谱（\muARPES）研究了氧吸附对SiC（0001）表面单层石墨烯局域结构和电子性质的影响。我们发现，SiC（0001）上的外延石墨烯缓冲层在氧化后部分去耦。氧化过程的监测表明，氧饱和的Si悬挂键，打破一些Si-C键在界面处，并插入石墨烯层。精确控制氧化参数使我们能够调整层中的电荷密度调制。

在SiC（0001）上外延石墨烯中观察到的小尺度旋转无序

Small scale rotational disorder observed in epitaxial graphene on SiC(0001)

在电子设备中使用石墨烯的兴趣激发了对这种非凡材料的研究爆炸。简单的线性狄拉克锥能带结构提供了一个独特的可能性，研究其更精细的细节，角分辨光电子能谱学（ARPES）。事实上，ARPES已经在金属衬底上生长的石墨烯上进行，但电子应用需要绝缘衬底。通过碳化硅（SiC）的热分解生长的外延石墨烯由于所产生的大规模、均匀的石墨烯层而为此是理想的候选者。SiC上外延石墨烯的实验光谱函数已经被广泛研究。然而，到目前为止，费米面的谱宽各向异性的原因尚未确定。在目前的工作中，我们表明，通过比较的光谱函数的半经验模型，各向异性是由于小规模的旋转无序（$\sim\pm$ 0.15 $^{\circ}$）的石墨烯在SiC（0001）样品上生长的石墨烯域。除了在理解石墨烯的电子结构方面的直接好处之外，这项工作还提出了一种解释相关ARPES数据中类似变化的机制。

SiC缓冲层Sn插层侧向动力学介观尺度研究

Mesoscopic scale study of lateral dynamics of Sn-intercalation of the buffer layer on SiC

利用开尔文探针力显微镜研究SiC缓冲层Sn插层动力学，发现表面台阶作为传输势垒通过针孔机制控制物质流动，导致介观生长方向与宏观扩散方向相反。

外延石墨烯缓冲层在碳化硅上的振动性质

Vibrational properties of epitaxial graphene buffer layer on silicon carbide

本文通过第一性原理计算研究碳化硅上外延石墨烯缓冲层的振动性质，发现其声子呈准色散且热振动离域于衬底，为热电应用提供新前景。

The emergence of quantum capacitance in epitaxial graphene

We found an intrinsic redistribution of charge arises between epitaxial graphene, which has intrinsically n-type doping, and an undoped substrate. In particular, we studied in detail epitaxial graphene layers thermally elaborated on C-terminated $4H$-$SiC$ ($4H$-$SiC$ ($000{\bar{1}}$)). We have investigated the charge distribution in graphene-substrate systems using Raman spectroscopy. The influence of the substrate plasmons on the longitudinal optical phonons of the $SiC$ substrates has been detected. The associated charge redistribution reveals the formation of a capacitance between the grap…

石墨烯-基底相互作用对石墨烯上有机分子构型的影响：并五苯/外延graphene/SiC

Influence of graphene-substrate interactions on configurations of organic molecules on graphene: pentacene/epitaxial graphene/SiC

并五苯已广泛用于有机器件中，并且已知并五苯与衬底之间的界面结构显著影响器件性能。在这里，我们证明了石墨烯上并五苯的分子有序性取决于石墨烯与其底层SiC衬底之间的相互作用。利用扫描隧道显微镜（STM）研究了并五苯分子在Sifaced 6 H-SiC（0001）晶片上生长的零层和单层石墨烯上的吸附。并五苯分子在零层石墨烯上形成准无定形层，其与下面的SiC衬底强烈相互作用。相反，它们在具有弱石墨烯-SiC相互作用的单层石墨烯上形成均匀有序的层。此外，我们可以改变并五苯分子在单层石墨烯上的构型。结果表明，并五苯在石墨烯上的分子有序性以及并五苯/石墨烯界面结构可以通过石墨烯-基底相互作用来控制。

钠在Graphene-SiC外延界面中的非预期嵌入结构

Unexpected Structures for Intercalation of Sodium in Epitaxial Graphene-SiC Interfaces

我们使用扫描隧道显微镜，光谱学和从头计算，几个嵌入结构存在于SiC（0001）上的外延石墨烯中的钠。插层在室温下发生，Na电子掺杂石墨烯。它插层在单层石墨烯和富碳界面层之间。它还渗透到界面层下方并将其折叠以形成第二石墨烯层。这种去耦加速退火，并验证了直接钠沉积到界面层。我们的观察表明，石墨烯中的嵌入与石墨中的嵌入有着根本的不同，并且是一种多功能的电子控制手段。

通过拉曼散射确定外延和支撑石墨烯层中的衬底钉扎

Determination of substrate pinning in epitaxial and supported graphene layers via Raman scattering

利用拉曼光谱研究了SiC和Ni表面外延石墨烯以及SiO2负载石墨烯中拉曼G线的温度诱导位移。发现6 H-SiC（0001）上外延石墨烯的热位移速率约为独立石墨烯的三倍。这个结果被定量地解释为由基板的钉扎的结果。相比之下，在多晶Ni膜上生长的石墨烯显示为未钉扎的，即，尽管与金属基底有相对较强的相互作用强相互作用，但仍表现为独立式的弹性。此外，它表明，剥离的石墨烯层转移到支撑衬底上可以导致钉扎或未钉扎层，这取决于转移协议。

Silicon carbide stacking-order-induced doping variation in epitaxial graphene

Generally, it is supposed that the Fermi level in epitaxial graphene is controlled by two effects: p-type polarization doping induced by the bulk of the hexagonal SiC(0001) substrate and overcompensation by donor-like states related to the buffer layer. In this work, we evidence that this effect is also related to the specific underlying SiC terrace. We fabricated a periodic sequence of non-identical SiC terraces, which are unambiguously attributed to specific SiC surface terminations. A clear correlation between the SiC termination and the electronic graphene properties is experimentally obse…

C面SiC上氩气介导外延石墨烯的形貌表征

Morphology Characterization of Argon-Mediated Epitaxial Graphene on C-face SiC

使用氩气介导的生长工艺在4 H-和6 H-SiC的C面上生长外延石墨烯层。生长温度和压力的变化被发现显着影响的层的形态特性。在生长过程中氩气的存在减缓了C面上石墨烯形成的速率，并导致观察到孤岛。岛和连续膜的形貌的相似性表明，岛形核和聚结是C面石墨烯的生长机制。

SiC上外延石墨烯的高效自旋输运

Highly efficient spin transport in epitaxial graphene on SiC

自旋信息处理是后CMOS（互补金属氧化物半导体）电子学的一个可能的新范例，长距离有效的自旋传播是这一愿景的基础。然而，尽管经过几十年的深入研究，仍然需要一个合适的平台。我们在这里报告高效的自旋输运在两端偏振器/分析器设备的基础上高迁移率外延生长在碳化硅石墨烯。利用高阻抗注入/探测隧道结的优势，我们得到了自旋输运效率高达75%，自旋信号在兆欧姆范围内，自旋扩散长度超过100 μm。这使得自旋电子学在复杂的结构：设备和网络架构依赖于自旋信息处理，远远超出目前的自旋电子学应用，现在可以预见。

SiC 上 Pb 插层外延石墨烯：全面洞察层间 Pb 的能带结构与轨道特征，以及向石墨烯的电荷转移

Pb-intercalated epitaxial graphene on SiC: Full insight into band structure and orbital character of interlayer Pb, and charge transfer into graphene

本研究结合同步辐射 ARPES 与 DFT，表征 SiC 上单层外延石墨烯下方 (1×1) Pb 插层的金属能带、面外轨道特征及电荷转移来源。

适合半整数量子精密测量的底栅外延石墨烯

Bottom-gated epitaxial graphene suitable for half-integer quantum metrology ?

我们证明了在SiC衬底的C面上生长的外延石墨烯器件的载流子浓度被掩埋栅极有效地调制。栅极是通过在表面以下200 nm的SiC晶体中注入氮原子来制造的，并且在40 K-80 K的中间温度下工作良好。狄拉克点是观察到在适度的栅极电压（1- 20 V）取决于表面制备。对于低于40 K的温度，栅极是低效的，因为掩埋沟道被冻结。然而，石墨烯中的载流子浓度保持非常接近于T \sim 40 K处设定的值。在T \sim 4 K下，在不同浓度下观察到的半整数量子霍尔效应证明了平行导电的存在。这些观测结果为更好地理解外延石墨烯的固有特性铺平了道路，并有望用于量子精密测量等应用。

SiC上的外延石墨烯：通过衬底预处理对结构和电子输运性质的改性

Epitaxial graphene on SiC: Modification of structural and electron transport properties by substrate pretreatment

外延石墨烯层的电输运性质与SiC表面形态相关。在这项研究中，我们通过原子力显微镜和拉曼测量表明，当对近轴6 H-SiC（0001）衬底应用不同的预处理程序时，外延石墨烯层的表面形态和结构发生显着变化。事实证明，经常使用的衬底的氢蚀刻是导致石墨烯生长期间出现不期望的高宏观台阶的原因。一种更有利的类型的亚纳米阶梯石墨烯层获得了一种新的方法：高温处理的SiC表面在氩气气氛中。结果可以通过在抑制巨阶聚束和石墨烯阶流生长的调节过程之后观察到的石墨烯缓冲层域来解释。优越的电子质量证明了在纳米探针传输实验中获得的非本征电阻各向异性较小，并在低温磁输运测量中的霍尔电阻的出色的量化。量子霍尔电阻与标称值（冯·克利青常数的一半）在4.5*10（-9）的标准偏差内一致，这使得该方法适合于制造电量子标准。

Substitutional mechanism for growth of hexagonal boron nitride on epitaxial graphene

Monolayer-thick hexagonal boron nitride (h-BN) is grown on graphene on SiC(0001), by exposure of the graphene to borazine, (BH)3(NH)3, at 1100 C. The h-BN films form ~2-micrometer size grains with a preferred orientation of 30 degrees relative to the surface graphene. Low-energy electron microscopy is employed to provide definitive signatures of the number and composition of two-dimensional (2D) planes across the surface. These grains are found to form by substitution for the surface graphene, with the C atoms produced by this substitution then being incorporated below the h-BN (at the interfa…

外延石墨烯中量子霍尔效应击穿的相空间

Phase-space for the breakdown of the quantum Hall effect in epitaxial graphene

我们报道了由聚合物栅控外延石墨烯在SiC（SiC/G）上的量子霍尔效应击穿所定义的相空间作为温度、电流、载流子密度和磁场的函数，最高可达30 T。在2K击穿电流（$I_c$）几乎两个数量级以上的GaAs器件进行观察。无耗散态（$ρ_{xx}=0$）的相边界显示出（1- $(T/T_c)^2$）依赖性，并且在29 T下持续到$T_c>45K$。在磁场下，发现$I_c$增加$\propto B^{3/2}$和$T_c \propto B^{1.88}$。当费米能接近狄拉克点时，由于载流子密度的强磁场依赖性，$ν=2$量子化霍尔平台从低至1 T直到至少19 T连续出现。