系统地测量了铁砷化物超导体Ba（Fe $_{1-x}$ T $_x$）$_2$ As $_2$，$T$ = Ni，Pd，Rh中过渡金属取代量对温度依赖的层间电阻率$ρ_c(T)$的影响。将这些数据与Ba（Fe $_{1-x}$ Co $_x$）$_2$ As $_2$中发现的行为进行比较，揭示了赝隙的电阻特征。在所有的化合物中，我们发现电阻率交叉的特征赝能隙温度$T^*$从非金属到金属的温度依赖于冷却。$T^*$的抑制在Ni和Pd掺杂的情况下进行得非常类似，并且比Co和Rh掺杂的类似情况快得多。在Co和Rh掺杂的情况下，当超导性被完全抑制时，对于高掺杂，温度依赖性$ρ_c$出现额外的最小值。这些功能是一致的存在的电荷间隙覆盖的费米面的一部分。费米表面的一部分受此间隙的影响是显着较大的Ni和Pd掺杂的组合物比在Co和Rh掺杂的化合物。
英文摘要：
Temperature-dependent inter-plane resistivity, $ρ_c(T)$, was measured systematically as a function of transition metal substitution in the iron-arsenide superconductors Ba(Fe$_{1-x}$T$_x$)$_2$As$_2$, $T$= Ni, Pd, Rh. The data are compared with the behavior found in Ba(Fe$_{1-x}$Co$_x$)$_2$As$_2$, revealing resistive signatures of pseudogap. In all compounds we find resistivity crossover at a characteristic pseudogap temperature $T^*$ from non-metallic to metallic temperature dependence on cooling. Suppression of $T^*$ proceeds very similar in cases of Ni and Pd doping and much faster than in similar cases of Co and Rh doping. In cases of Co and Rh doping an additional minimum in the temperature-dependent $ρ_c$ emerges for high dopings, when superconductivity is completely suppressed. These features are consistent with the existence of a charge gap covering part of the Fermi surface. The part of the Fermi surface affected by this gap is notably larger for Ni and Pd doped compositions than in Co and Rh doped compounds.
Anisotropic resistivity in underdoped single crystals (Ba$_{1-x}$K$_x$)Fe$_2$As$_2$, $0 \leq x<0.35$
测量了砷化铁超导体（Ba $ρ_a(T)$ K $_x$）Fe $_2$ As $_2$在从母体化合物到最佳掺杂$T_c\approx 38 K$，$0\leq x \leq 0.35$的宽掺杂范围内随温度变化的面内和面间电阻率。对于具有$T_c <$ 26 K（$x <0.25$）的样品，在$T_{SM}$处清楚地观察到耦合的磁性/结构转变，然而其对电阻率的影响比电子掺杂的Ba（Fe $_{1-x}$ Co $_x$）Fe $_2$ As $_2$中弱得多，并且转变仅导致电阻率的降低。除了在$T_{SM}$处的特征之外，面间电阻率在$T^*\sim$ 200 K处示出最大值，其随着掺杂略微向更高的温度移动，揭示了与电子掺杂材料相反的趋势。在大约相同温度下，在$ρ_a(T)$中观察到模糊特征。对于$T<T^*$，电阻率的温度依赖性表现出系统的演变，并在最佳掺杂接近线性。对于$ρ_c(T)$来说，这一特征最为显著，表明存在接近最佳掺杂的量子临界点。
Transport properties and asymmetric scattering in Ba$_{1-x}$K$_x$Fe$_2$As$_2$ single crystals compared to the electron doped counterparts Ba(Fe$_{1-x}$Co$_{x}$)$_{2}$As$_{2}$}
本文系统地研究了Ba $_{1-x}$ K $_x$ Fe $_2$ As $_2$单晶从未掺杂区到最佳掺杂区的电阻率、霍尔效应和磁电阻。一个系统的准粒子散射的演变已被观察到。结果表明，Ba $_{1-x}$ K $_x$ Fe $_2$ As $_2$在正常状态下的电阻率对钾的掺杂浓度不敏感，这与电子掺杂的Ba（Fe $_{1-x}$ Co $_{x}$）$_{2}$ As $_{2}$在300 K时的电阻率降低到未掺杂时的一半有很大不同.与此形成鲜明对比的是，霍尔系数R $_H$从未掺杂样品中的负值突然变化到轻微K掺杂的正值，并且随着进一步掺杂而持续降低。我们解释这种二分法，由于不对称的散射率在孔和电子口袋，后者具有更高的流动性。的磁阻也显示出非单调的掺杂依赖性，指示在约80 K至100 K的异常功能，即使在最佳掺杂的样品，这是与一个可能的赝能隙功能。在低温区，不管TPDMATHABMS值的不同，超导开始时的电阻率似乎具有相似的值，这表明了一种新的超导机制。对于最佳掺杂的样品，观察到电阻率$ρ_{ab}$与$T$的线性特征刚好高于$T_c$，表明量子临界性。
A comprehensive scenario of the single crystal growth and doping dependence of resistivity and anisotropic upper critical fields in (Ba$_{1-x}$K$_x$)Fe$_2$As$_2$ ($0.22 \leq x \leq 1$)
用倒置温度梯度法在宽的组分范围$0.22 \leq x \leq 1$内生长了大尺寸高质量的空穴掺杂铁基超导体（Ba $_{1-x}$ K $_x$）Fe $_2$ As $_2$单晶。我们发现，高的均热温度，快速冷却速率，并调整温度窗口的生长是必要的，以获得单晶的重K掺杂晶体（0.65 $\leq x \leq$ 0.92）与窄的组成分布所揭示的尖锐的超导转变的磁化测量和接近100%的超导体积分数。通过X射线和成分分析对晶体进行了广泛的表征，揭示了$c$轴晶格参数随K取代的单调演化。定量测量的温度依赖性的面内电阻率，$ρ(T)$发现掺杂无关的，恒定的误差条内，在室温下的电阻率，$ρ(300K)$，在电子和等价取代的BaFe $_2$作为$_2$的组合物中的显着的掺杂依赖性形成鲜明对比。温度依赖性电阻率$ρ(T)$的形状示出了系统的掺杂演变，在过掺杂中接近$T^2$，并且在最佳掺杂下揭示了$T$线性分量的显著贡献。对于$H\parallel c$、$ H_{c2,c}$和$H \parallel ab$、$H_{c2,ab}$，上临界场$d H_{c2}/dT$的斜率与$T_c$成线性比例。上临界场的各向异性，$γ\equiv H_{c2,ab} / H_{c2,c}$确定近零场$T_c$增加从$\sim$ 2到4-5随着增加K掺杂水平从最佳$x \sim$ 0.4到强过掺杂$x$…
Observation of a Universial Low Temperature Limit of the Free Flux Flow Resistivity in Superclean Bi_2Sr_2CaCu_2O_8 Whiskers
我们报道了洁净Bi $_2$ Sr $_2$ CaCu $_2$ O $_8$单晶中特有的涡旋运动，它揭示了几乎线性的$T$电阻率尾向低温延伸。电阻率被发现，以满足经典的Bardeen-Stephen模型的自由磁通量流动，否则很难观察到在正常的实验条件下，在高- $T_c$铜酸盐。此外，在超净制度，一个普遍的温度无关的磁通流电阻率值，观察到，$ρ_f = 1.4(B-B^*)$。我们解释这种载流子弛豫{ \it独立}行为与涡核内的minigap状态引起的耗散有关。结果与理论计算（N. B. Kopnin和G. E. Volovik，Phys. Rev. Lett. { \bf 79}，1377（1997））。
Evolution of the resistivity anisotropy in Bi_{2}Sr_{2-x}La_{x}CuO_{6+δ} single crystals for a wide range of hole doping
To elucidate how the temperature dependence of the resistivity anisotropy of the cuprate superconductors changes with hole doping, both the in-plane and the out-of-plane resistivities (ρ_{ab} and ρ_{c}) are measured in a series of high-quality Bi_{2} Sr_{2-x} La_{x} CuO_{6+δ} (BSLCO) single crystals for a wide range of x (x = 0.23 - 1.02), which corresponds to the hole doping per Cu, p, of 0.03 - 0.18. The anisotropy ratio, ρ_{c}/ρ_{ab}, shows a systematic increase with decreasing p at moderate temperatures, except for the most underdoped composition where the localization effect enhances ρ_{a…
