Quantum Confinement Induced Metal-Insulator Transition in Strongly Correlated Quantum Wells of SrVO$_3$ Superlattice
采用动力学平均场论（DMFT）和密度泛函理论（DFT+DMFT）研究了强关联$3d$电子在量子限制下的金属-绝缘体跃迁（MIT）.我们揭示了新的光的微观机制的MIT和先前报道的异常子带质量增强，这两者都出现作为一个直接后果的V $xz(yz)$状态的量化SrVO $_3$层。因此，我们表明，量子限制可以灵敏地调整电子相关的强度，从而将这种方法应用于其他相关材料。
2020-05-28 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Non-Fermi liquid from confinement in doped Mott insulators
在规范理论方法中提出了掺杂莫特绝缘体中分数激发禁闭的唯象描述。在t-J模型的SU（2）规范理论中引入Polyakov环参数，我们证明了在所谓的相干温度以下，电子激发出现，这是由于通过Polyakov环的形成对自旋子和空穴的限制。值得注意的是，这种受限的电子原来表现出非费米液体物理没有量子临界性，产生的电阻率与实验数据定量一致。希格斯相是不允许的，由于限制，这表明一个可能的新机制的超导性在强耦合的方法。
2009-12-09 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con hep-ph
Quantum Confinement Transition in a d-wave Superconductor
研究了二维d波超导体与莫特绝缘体之间零温相变的性质。在这种"量子限制跃迁“中，自旋和电荷被限制在莫特绝缘体中形成电子。在对偶公式中，从半填充的d波超导体到自旋佩尔斯（以及其他）有序的绝缘体的直接跃迁自然出现。条纹超导体的可能性也讨论了内的双重制定。描述的过渡节点费米子和玻色子涡，通过两个耦合的陈-西蒙斯规范场建模的长程统计相互作用相互作用，并讨论了该模型的关键属性。
2000-06-30 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Holographic Superconductor/Insulator Transition at Zero Temperature
我们分析了耦合到规范场和带电标量场的五维AdS引力。在Scherk-Schwarz紧化下，当我们改变化学势时，系统在2+1维中经历了零温度下的超导体/绝缘体转变。通过考虑限制/解除限制的过渡，相图原来有丰富的结构。我们将观察到，它与通过突现规范对称性研究高Tc超导体的RVB（共振价键）方法具有相似性。
2010-01-20 cond-mat.str-el gr-qc hep-th
Gossamer Superconductor, Mott Insulator, and Resonating Valence Bond State in Correlated Electron Systems
本文将Gutzwiller变分法应用于一个有效的二维哈伯德模型，研究了Laughlin最近提出的薄纱超导体。在半满电子密度下，对于较小的格点内库仑排斥U，基态为薄纱超导体，而对于较大的U，基态为莫特绝缘体。薄纱超导态与共振价键超导态相似，只是化学势近似钉扎在两个哈伯德带的中间，远离半满。
2002-09-11 cond-mat.str-el
Intrinsically interacting topological crystalline insulators and superconductors
基于相互作用玻色子晶体对称性保护拓扑相研究的最新进展，我们研究了强相互作用费米子拓扑晶体绝缘体/超导体.我们构造了一类内在相互作用的费米子TCI，并表明它们超越了自由费米子TCI和玻色子晶体SPT相。我们还展示了如何这些阶段的特点是对称保护的无隙费米子模式的角落/铰链的开放系统。
2018-10-29 cond-mat.str-el
Superconductor-Insulator Transition in Random Two-Dimensional System
研究了金属薄膜中无序效应作为超导体-绝缘体（S-I）转变的一种可能机制。利用Matsubara-Matsuda模型和格林函数方法，解析地找到了对应于相变点的无序临界值。
2001-04-02 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Entanglement spectrum of topological insulators and superconductors
我们研究了两个先验无关的结构：带拓扑绝缘体或超导体的边缘模式的频谱与物理边缘，和基态纠缠频谱在一个扩展的系统，其中一个边缘模拟的纠缠双分割。我们证明了这样一个系统的基态纠缠谱和相应的谱平坦哈密顿量的谱边模之间的精确关系。特别是，我们表明，纠缠谱的简并对应于无隙边缘模式。
2010-02-06 cond-mat.str-el
Gate-tuned Superconductor-Insulator transition in (Li,Fe)OHFeSe
反铁磁（AFM）绝缘体-超导体转变一直是非常规超导体物理研究的热点。在高Tc铜氧化物超导体中掺杂载流子，可以诱导原子力显微镜观察到的莫特绝缘体与超导体之间的量子相变。对于表征最好的有机超导体k-（BEDT-TTF）2X（X=阴离子），AFM绝缘体和超导体之间的一级转变可以通过外加压力或化学压力来调节。此外，超导状态可以直接从AFM绝缘体通过在Cs3 C60中施加压力来开发。这些相图的相似之处暗示了一个普遍的机制，在靠近AFM绝缘体的非常规超导性。然而，铁基高温超导体中的超导电性是通过掺杂载流子从AFM坏金属演变而来的，迄今为止还没有观察到超导体-绝缘体转变。在这里，我们报告了一个从超导体到绝缘体的一阶过渡与强电荷掺杂诱导的离子门控在薄片的单晶（Li，Fe）OHFeSe。的Tc不断增强与电子掺杂的离子门高达43 K的最大Tc，和一个惊人的超导体-绝缘体转变发生在最佳掺杂的最高Tc的边缘。绘制了具有超导体-绝缘体相变的温度门控电压相图，表明超导体-绝缘体相变是非常规超导的共同特征。这些结果有助于揭示铁基超导的物理基础以及高温超导的普遍机制。我们的发现还表明，栅极控制的强电荷掺杂使得以超越传统方法的方式探索新的物质状态成为可能。
2015-03-09 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
A direct transition between a Neel ordered Mott insulator and a $d_{x^2-y^2}$ superconductor on the square lattice
在本文中，我们研究了带宽控制的直接，连续，相变从莫特绝缘体，与容易平面Neel秩序，一个完全带隙的$d_{x^2-y^2}$超导体与一个双重单位晶格的正方形晶格，过渡是禁止根据朗道范式。这种转变之所以成为可能，是因为反铁磁体的涡旋是带电的，而超导体的涡旋带有自旋。这些非平凡涡旋量子数的出现是因为有序相与拓扑带绝缘体密切相关。我们描述了格点模型以及有效场论。
2008-06-27 cond-mat.str-el
Classification of Topological Insulators and Superconductors
提出了一种拓扑绝缘体和超导体的详尽分类方案。拓扑绝缘体（超导体）的关键性质是在拓扑平凡状态和拓扑非平凡状态之间的界面/边界处出现无间隙自由度。我们的方法包括在减少的问题分类拓扑绝缘体（超导体）在d空间维度的问题，安德森局域化在（d-1）维边界的系统。我们发现，在每个空间维度上，恰好有五种不同的拓扑绝缘体（超导体）。给定的拓扑绝缘体（超导体）内的不同拓扑扇区可以用整数绕组数或Z_2量来标记。五种拓扑绝缘体之一是d=2的“量子自旋霍尔”（或：Z_2拓扑）绝缘体，以及它在d=3维中的推广。对于每个维度d，五个拓扑绝缘体对应于十多年前由Altland和Zirnbauer在无序系统的上下文中引入的哈密顿算子的十个通用对称类中的五个的某个子集（其概括了三个众所周知的“Wigner-Dyson”对称类）。
2009-05-13 cond-mat.mes-hall cond-mat.str-el
Spin and charge order in Mott insulators and d-wave superconductors
我们认为，方面的异常，低温，自旋和电荷动力学的高温超导体可以理解通过研究相应的物理未掺杂的莫特绝缘体。这种绝缘体显示从磁有序的尼尔态到具有自旋间隙的限制顺磁体的量子跃迁;后者具有键心电荷序，低能量S=1自旋激子，S=1/2自旋子的限制，以及靠近非磁性杂质的自由S=1/2矩。我们讨论了这些特性，以及量子相变，掺杂后的绝缘体演变成d波超导体。这个理论框架被用来进行一些预测STM测量和掺杂的莫特绝缘体在施加磁场的相图。
2001-08-26 cond-mat.str-el
Metal-Insulator and Superconductor-Insulator Transitions in Correlated Electron Systems
通过控制填充在二维正方形晶格中的Mott绝缘体和金属之间的量子跃迁的特征在于大的动力学指数$z=4$，其中莫特绝缘体附近的不寻常的金属性质的起源归因于跃迁的接近。跃迁附近的标度表明，由于单粒子重整化的奇异动量依赖性，形成了平坦的色散区。平坦色散控制了莫特转变的关键特性。讨论了平坦色散对d波超导序的不稳定性。我们还讨论了Mott过渡的情况下，与轨道简并的Mn钙钛矿化合物的模型，其中轨道相关长度显示临界发散向金属-绝缘体过渡。
1998-08-05 cond-mat.str-el
Confinement-Induced Isosymmetric Metal-Insulator Transition in Ultrathin Epitaxial V2O3 Films
本研究通过氧气辅助分子束外延制备出单胞厚度的高质量外延超薄V2O3薄膜，证实维度限域可诱导等结构Mott-Hubbard型金属-绝缘体转变，且限域等效于面外应力，为调控关联氧化物晶格与电子性质提供了新途径。
2023-12-07 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Magnetic field-induced quantum superconductor-insulator transition in $Nb_{0.15}Si_{0.85}$
磁场调谐的超导体-绝缘体转变在非晶$Nb_{0.15}Si_{0.85}$薄膜的研究表明，量子超导体-绝缘体转变的特征在于一个明确的签名-扭结的临界磁场的温度分布。使用这个标准，我们表明，磁场调谐的超导体-绝缘体转变的性质取决于相对于膜的场的取向。对于垂直的磁场，转变是由量子涨落控制的玻色绝缘体的存在的迹象;而对于平行的磁场，转变是经典的，由库珀对在温度依赖的临界场$H_{c2}$的断裂驱动。
2006-01-02 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Anomalous gapped boundaries between surface topological orders in higher-order topological insulators and superconductors with inversion symmetry
我们表明，无间隙的边界签名-即，手征/螺旋铰链模式或本地化零模式-三维高阶拓扑绝缘体和超导体的反演对称性可以带隙后，引入非阿贝尔表面拓扑秩序的对称性破缺。在每一种情况下，表面上出现的分形图案是“异常的”，在这个意义上，它可以与对称性一致，只有在一个三维高阶绝缘体/超导体的表面上。我们的研究结果表明，高阶拓扑结构的相互作用的表现形式是不同的拓扑秩序，其准粒子是相关的反转，可能与其他保护对称性，如TRS和电荷守恒之间的“异常间隙边界”的外观。
2022-03-27 cond-mat.str-el
Classification of topological insulators and superconductors in the presence of reflection symmetry
我们讨论的拓扑分类的绝缘体和超导体中存在的两个（非空间）离散对称性的Altland-Zirnbauer分类和空间反射对称性在任何空间维度。通过使用最小矩阵维数的Dirac Hamilton体的结构和拓扑不变量的显式构造，我们提供了完整的分类，它仍然具有与原始Altland-Zirnbauer分类相同的维数周期性.反射对称保护的拓扑绝缘体和超导体的分类关键取决于反射对称操作的实现方式。当引入边界时，其反映到自身中，这些非平凡的拓扑绝缘体和超导体支持局限于边界处的无隙模式。
2013-03-12 cond-mat.mes-hall cond-mat.str-el
Direct Transition Between a Singlet Mott Insulator and a Superconductor
我们认为，一个正常的费米液体和一个单线态，自旋带隙的莫特绝缘体不能连续连接，一些中间相必须侵入它们之间。通过明确地工作出一个案例研究，其中的单线态绝缘体是稳定的轨道简并和一个倒置的洪德规则耦合，模仿Jahn-Teller效应，我们发现，中间相是超导体。
2001-05-15 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Anomalous Parallel Field Negative Magnetoresistance in Ultrathin Films Near the Superconductor-Insulator Transition
在厚度调谐的超导体-绝缘体转变附近，在非晶铋的猝灭凝聚的超导薄膜中发现了平行场负磁电阻。这种效应似乎是与量子临界点相关的序参量的量子涨落的特征。
2004-08-14 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Length-Scale Dependent Superconductor-Insulator Quantum Phase Transition in One Dimension
利用场论重整化群方法研究了一维介观超导量子干涉器件阵列的耗散物理。我们在很低的温度下观察到了依赖于长度尺度的超导体-绝缘体量子相变，并观察到了系统在较高和较低磁场下的双重行为。在一个临界磁场，我们还观察到一个临界行为的电阻是独立的长度。
2008-05-30 cond-mat.mes-hall cond-mat.str-el
Superconductor--Insulator Transition in a non-Fermi Liquid
我们提出了一个具有非费米液体高温相的强关联系统模型。它的基态经历了绝缘体到超导体的量子相变（QPT）作为对相互作用强度的函数。绝缘体和超导体都起源于相同的相互作用机制。绝缘相的电阻率表现出激活行为，激活能在QPT处趋于零。这导致了一个广泛的量子临界制度与代数温度依赖性的电阻率。当超导相的温度升高时，该模型表现出到玻色金属相的有限温度相变，玻色金属相将超导体与非费米液体金属分离。
2022-07-25 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Electronic Evidence of an Insulator-Superconductor Transition in Single-Layer FeSe/SrTiO3 Films
在高温铜氧化物超导体中，现在普遍认为母体化合物是莫特绝缘体，并且通过掺杂反铁磁莫特绝缘体来实现超导性。然而，在铁基超导体中，母体化合物主要是反铁磁金属，这就引发了一场争论，即一个合适的起点应该是一个巡回的图片还是一个局部的图片。理论上曾提出铁基超导体的母体化合物可能处于莫特绝缘体的边缘，但迄今为止还没有掺杂诱导莫特转变的明确实验证据。在这里，我们报告的绝缘体-超导体的转变观察到的单层FeSe薄膜生长在SrTiO 3衬底上的电子证据。通过对电子结构和能隙进行角分辨光电子能谱测量，我们确定了随着掺杂的增加，绝缘体向超导体的明显演变。这一观察结果代表了在铁基超导体中通过掺杂观察到的绝缘体-超导体转变的第一个例子。这表明铁基超导体的母体化合物接近于莫特绝缘体，在描述铁基超导体时应考虑强电子关联。
2014-01-28 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Spin Dynamics near the Superconductor-to-Insulator Transition in Impurity-Doped YBa2Cu4O8
利用Cu核四极共振（NQR）自旋回波技术研究了欠掺杂高Tc超导体YBa_2（Cu_（1-x）Mx）_4 O_8（M=Ni，Zn）在杂质诱导的超导体-绝缘体转变附近的低频自旋动力学.我们观察到显着的抑制正常状态的赝自旋隙和铜NQR谱强度的损失在低温附近的临界杂质浓度。
2001-07-10 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Electromagnetic and thermal responses of Z topological insulators and superconductors in odd spatial dimensions
体拓扑不变量与实验观测物理量之间的关系是拓扑绝缘体和超导体的基本性质。在奇空间维度的手征对称系统中，例如时间反演不变的拓扑超导体和具有亚晶格对称性的拓扑绝缘体，这种关系还没有得到很好的理解。我们澄清，缠绕数表征这些系统的体Z非平凡性可以出现在电磁和热响应中的某一类异质结构系统。研究还发现，在体“手征极化”中可以检测到Z非平凡性，这是由磁电效应引起的。
2012-12-14 cond-mat.mes-hall cond-mat.str-el
Electronic Structure of La2-xSrxCuO4 in the Vicinity of the Superconductor-Insulator Transition
报道了La $_{2-x}$ Sr $_x$ CuO $_4$（LSCO）从最佳掺杂超导体（$x=0.15$）到反铁磁绝缘体（$x=0$）的角分辨光电子能谱（ARPES）研究结果.在超导体-绝缘体转变（SIT）附近的$x\sim 0.05$，光谱权重转移与两个共存的组件之间的空穴掺杂，表明掺杂空穴分布的微观不均匀性。对于欠掺杂的LSCO（$x\leq 0.12$），与Bi $_2$ Sr $_2$ CaCu $_2$ O $_{8+y}$不同，在$(0,0)-(π,π)$方向上穿过费米能级的色散带变得不可见。这些观察结果可能与绝缘体中的空穴演变成超导体中的波动条纹相一致。
2000-05-23 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Topological Superconductors in Correlated Chern Insulators
本文在关联拓扑绝缘体中实现了一种拓扑超导体（TSC）--相互作用的自旋Haldron模型.本文考虑了具有在位负U相互作用的Halfton模型中的电子，并利用平均场论和随机相位近似（RPA）方法研究了它的性质。我们发现，在中间相互作用区，基态变成了陈数为2的TSC。我们还研究了它的边缘态和π通量的零模。
2013-05-07 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Confinement-deconfinement interplay in quantum phases of doped Mott insulators
人们普遍认为，掺杂莫特绝缘体可以很好地用t-J模型表征。在t-J模型中，电子分馏是由相弦效应决定的。我们发现，在欠掺杂制度，反铁磁和超导相是双重的：在前者，holon被限制，而自旋取消罚款，和{ \it反之亦然}在后者。这两个相被一个新的相分开，即所谓的玻色绝缘相，在这个相里，holon和spinon都被解除限制。一对威尔逊圈被发现构成一套完整的序参量，确定这一零温相图。这些相位之间的量子相变被认为是非Landau-Ginzburg-Wilson型。
2011-03-17 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Superconductor-insulator transition induced by pressure within the X-boson approach
在$ U = \infty $极限下，考虑f-电子间的近邻吸引作用，计算了周期性Anderson模型（PAM）的压力诱导超导相图.我们分析了化学势的作用相比，几个图的f-带态密度，我们还发现了一个超导体-绝缘体的转变时，由压力引起的化学势穿过杂化间隙。
2020-09-25 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Bulk invariants and topological response in insulators and superconductors with nonsymmorphic symmetries
在这项工作中，我们考虑是否非对称的对称性，如滑移面可以保护拓扑晶体绝缘体和超导体在三维空间中的存在。在类比时间反演对称绝缘体，我们表明，滑移的存在下产生的量子化磁电极化率，我们明确计算通过的陈-西蒙斯3-形式的散装波函数的滑移对称模型。我们的方法提供了一个可测量的属性，这种绝缘体，自然解释了连接与镜像对称保护绝缘体和最近提出的$Z_2$指数为这个阶段。更一般地说，我们证明了磁电极化率成为量子化的任何取向反转空间群对称性。我们还构建了类似的例子，滑移保护拓扑晶体超导体在D类和C类，并讨论如何批量不变量与量子化的表面热霍尔和自旋霍尔响应。
2015-11-10 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Observation of the parallel-magnetic-field-induced superconductor-insulator transition in thin amorphous InO films
研究了一种具有可变氧含量的超导非晶InO薄膜对平行磁场的响应。观察到的场诱导超导体-绝缘体转变（SIT）是非常相似的一个正常的磁场。由于平行位形中明显缺少作为场致SIT理论核心的玻色子-涡旋对偶性，我们不得不得出理论不足的结论。
2000-04-21 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Experimentally Realized Correlated Electron Materials: From Superconductors to Topological Insulators
综述了实验实现的关联电子材料的最新发现和存在的问题。特别是，高温超导的铜酸盐和最近发现的铁pnictides，可能的手征p波超导的锶的铼酸盐，在实际材料中的量子自旋液体行为的搜索，和新的实验发现在拓扑绝缘体进行了讨论。
2009-10-28 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Out-of-plane dielectric constant and insulator-superconductor transition in Bi_2Sr_2Dy_{1-x}Er_xCu_2O_8 single crystals
在80 ~ 300 K、10^6-10^9 Hz的频率范围内，测量和分析了高温超导体Bi_2Sr_2（Dy，Er）Cu_2O_8母绝缘体的面外介电常数。所有样品都显示出相当大的10-60值，这意味着在CuO_2平面上存在某种电荷不均匀性。考虑到超导样品Bi_2Sr_2（Ca，Pr）Cu_2O_8也表现出类似的介电常数，电荷不均匀性在绝缘体-超导体转变中起着重要作用。
2001-08-29 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
High-field side of Superconductor-Insulator Transition
本文报道了在磁控溅射TiN薄膜中观察到的磁场调谐超导体-绝缘体转变（SIT）。这些薄膜的低温输运性质显示出与二维超导体中由量子相位涨落驱动的转变相一致的标度行为。磁电阻在高于临界场的磁场中出现峰值和随后的下降。我们分析了SIT高场一侧的等磁电阻数据的温度依赖性，发现了从绝缘相到金属相的转变，在高场下，电阻的零温渐近值等于h/e^2。
2002-10-11 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Confinement and Bose Condensation in Gauge Theory of High-Tc Superconductors
研究了高温超导规范模型中的禁闭和玻色凝聚问题。首先是（2+1）D中的阿贝尔-希格斯模型，即，本文研究了XY模型与格点规范场$a_μ$和耦合$g$的耦合，同时考虑了瞬子和涡旋。这个模型对应于玻色子的整数填充，并且可以映射到对偶超导体。我们的主要结果是，瞬子引入了一个与对偶超导体序参量线性耦合的项，并倾向于钉扎它的相位。结果，由于瞬子的存在，涡旋凝结总是发生，并且规范场$a_μ$的迈斯纳效应不存在，尽管$a_μ$是有质量的。这种状态本质上与纯规范模型的限制相相同。远离整数填充，“磁场”$μ$（玻色子的化学势）被施加到这个对偶超导体上。然后，希格斯相在弱$g$和大$x$的情况下复活，尽管有瞬子，但涡旋不会凝聚。在相反的情况下，即，在强$g$和小$x$之间，发生相分离，形成莫特绝缘状态的微观片或宏观条纹域。
1999-07-01 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Disappearance of Nodal Gap across the Insulator-Superconductor Transition in a Copper-Oxide Superconductor
氧化铜高温超导体的母体化合物是莫特绝缘体。超导性是通过掺杂适量的载流子来实现的。莫特绝缘体如何转变为超导体是理解高温超导体的特殊物理性质和超导机制的关键。本文报道了重欠掺杂Bi_2Sr_（2-x）La_xCuO_（6 +d）系统的高分辨角分辨光电发射测量。轻掺杂样品的电子结构表现出一些特征：沿波节方向存在能隙，沿费米面存在类d波各向异性的能隙，光电子能谱中相干峰和宽峰共存.我们的研究结果揭示了一个明确的绝缘体超导体的转变在临界掺杂水平为0.10的节点能隙接近零，三维反铁磁秩序消失，超导性开始出现。这些观测清楚地表明了节隙、反铁磁性和超导性之间的密切联系。
2014-06-29 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Electrostatic Tuning of the Superconductor-Insulator Transition in Two Dimensions
利用电场效应在非晶铋绝缘超薄膜中诱导出超导性。电子-电子相互作用的屏蔽被发现以与超导电性的趋势相关的方式随着电子浓度而增加。这并不排除态密度的增加在超导性的发展中是重要的。超导体-绝缘体转变似乎属于三维XY模型的普适类。
2005-03-17 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Topological phases: Classification of topological insulators and superconductors of non-interacting Fermions, and beyond
在简要回顾了基于量子纠缠的物质拓扑相的观点，以概述一般的背景下，我们给出了不同的方法来分类问题的拓扑绝缘体和超导体的非相互作用费米子的概述。特别是，我们回顾了一些详细的一般对称性方面的“十倍的方式”，形成的基础上的分类，并把不同的方法相互之间的关系的分类。最后，我们简要地提到了一些相互作用的效果，主要是在三个空间维度上获得的结果。
2015-12-30 cond-mat.mes-hall cond-mat.str-el
The SU(2) Gauge Theory of the Substantially Doped Mott-Insulator: the phase separated d+s superconductor
我们重新表述了与文和李的掺杂Mott绝缘体中自旋-电荷分离的SU（2）规范理论相关的平均场论，使其能够处理实质载流子密度的区域。我们发现，它非常准确地描述相分离的趋势。此外，由于优雅的原因，该理论坚持认为，超导状态应该有一个d+s序参数与s波分量增长在过掺杂制度。这似乎是一致的拉曼和隧道测量在铜氧化物超导体。
2007-05-21 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Confinement-induced metal-to-insulator transition in strained LaNiO$_3$/LaAlO$_3$ superlattices
使用密度泛函理论计算包括Hubbard $U$项，我们探讨了应变和约束的影响，对电子基态的超晶格包含带绝缘体LaAlO $_3$和相关的金属LaNiO $_3$。除了在顶端氧的空穴的抑制，一个中心特征是在单晶胞超晶格中对应变的不对称响应：对于拉伸应变，带隙由于在具有1.45 $μ_{\rm B}$和0.71 $μ_{\rm B}$的两个不同磁矩的Ni位点处的电荷交换而打开。在压缩应变下，由于$d_{3z^2-r^2}$带通过半金属状态重叠，电荷分离几乎被淬灭，带隙塌陷。电子行为的这种不对称性与在拉伸和压缩应变下八面体扭曲和旋转的差异有关。随着（LaAlOPDMATHABMN）$_n$ /（$_3$）$_n$超晶格的厚度从$n=1$增加到$n=3$，配体空穴密度和金属态迅速恢复。
2012-08-15 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Topological insulators with perfect vacancy superstructure and possible implications for iron chalcogenide superconductors
受新发现的铁硫系夹层超导体的启发，我们建立了具有理想空位超结构的正方晶格上拓扑绝缘体的单轨道紧束缚模型。我们发现，这种晶格结构自然地容纳与次近邻自旋轨道相互作用相关的非零几何相位。通过对体能带结构和有限条边缘态的计算，我们证明了拓扑绝缘体的相可以在很宽的模型参数范围内通过一定的电子填充量进行调节。这些结果对缺铁化合物$(A,Tl)_{y}Fe_{2-x}Se_2$的可能影响进行了讨论。
2011-03-18 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Pressure induced Superconductor-Insulator transition in the spinel compound CuRh2S4
我们进行了电阻率测量在CuRh $_{2}$ S $_{4}$下的准流体静压力高达8.0 GPa，并发现压力诱导的超导体-绝缘体（SI）的转变。最初，随着压力的增加，超导转变温度$T_c$从环境压力下的4.7 K增加到4.0 GPa下的6.4 K，但在更高的压力下降低。随着进一步的压缩，超导性CuRh $_{2}$ S $_{4}$突然消失在一个临界压力$P_{\rm SI}$之间的5.0和5.6 GPa，当它成为绝缘体。
2003-06-24 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Suppression of 2D superconductivity by the magnetic field: quantum corrections vs superconductor-insulator transition
本文研究了0.3-30 K温度区间内超导Nd_{2-x} Ce_ xCuO_{4+y}（NdCeCuO）薄膜的磁输运性质。微观理论的量子校正电导率，无论是在库珀和扩散通道，定性地描述了实验的主要特点，包括在高场极限的负磁阻。与场诱导超导体-绝缘体转变（SIT）模型的比较包括和这两种理论方法之间的交叉进行了讨论。
2003-03-24 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Friedel oscillations of Density of States in a one-dimensional Mott insulator and Incommensurate Charge Density Wave/Superconductor
计算了具有动态产生的电荷或自旋带隙的一维系统中单个标量杂质势产生的局域态密度的振荡。在零温度下，振荡在有限波矢量（莫特绝缘体的$π$和ICDW/SC的$2k_F$）和大于孤子谱隙$m$的频率处发展。它们的振幅在$ω\approx 3m$处具有宽的最大值，其中$m$是间隙幅度。
2007-10-16 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Superconductivity in the insulating phase above the field-tuned superconductor-insulator transition in disordered indium oxide films
我们研究了无序氧化铟薄膜的绝缘相，它经历了场调谐的超导体-绝缘体转变。在一个垂直的磁场中的运输测量显示强烈波动的顺序参数的振幅和相位的不同制度，并揭示了广泛的绝缘体强度的样品与不同的障碍，尽管在SIT附近的行为相似。我们表征的绝缘相的强度，并比较它的超导强度。我们发现，即使在高垂直磁场，所有对应该被打破，这表明在高场超导剩余的存在下，薄膜不返回到预期的正常状态。
2005-05-18 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Mott transition in Modulated Lattices and Parent Insulator of (K,Tl)yFexSe2 Superconductors
电子关联的程度仍然是铁基超导体的核心问题。铁磷属元素化物的母体是反铁磁性的，它们的坏金属行为被解释为接近莫特转变。我们研究了这样的过渡在调制晶格上的多轨道模型包含一个有序的铁空位图案，使用从转子方法。我们发现有序空位导致能带变窄，从而将系统推向莫特绝缘体一侧。这种效应被认为是在新发现的（K，Tl）yFexSe 2超导体的母体化合物中观察到的绝缘行为的基础。
2011-04-07 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Angle-resolved photoemission spectroscopy of Na-doped Ca2CuO2Cl2 single crystals: Fingerprints of a magnetic insulator in a heavily underdoped superconductor
首次在高压下成功生长的四元Ca（1.9）Na（0.1）CuO（2）Cl（2）单晶的角分辨光电子能谱实验揭示了从反铁磁体到高温超导体的电子演化过程。在这种低掺杂的超导体中，我们发现了母体绝缘体的清晰指纹：阴影带和大的赝能隙。这些观察结果很可能被描述为“化学势位移”，这与从原型La（2-x）Sr（x）CuO（4）中了解到的“钉扎化学势”的流行观点形成鲜明对比，表明通往高Tc超导体的途径并不独特。
2002-09-14 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Confinement-engineered superconductor to correlated-insulator transition in a van der Waals monolayer
过渡金属二硫属化物（transition metal dichalcogenides，TMDC）是一类具有多种不同量子基态的二维材料。特别地，d $^3$ TMDC是具有各种对称破缺状态的典型材料，包括电荷密度波、超导性和磁性。在这个家族中，NbSe $_2$是研究最好的超导材料之一，直到单层极限。尽管它的超导性质，各种结果指向强电子排斥在NbSe $_2$。在这里，我们通过量子限制实验控制的相互作用的强度，并使用低温扫描隧道显微镜（STM）和光谱（STS），以证明NbSe $_2$是在密切接近相关的绝缘状态。这揭示了NbSe $_2$中竞争相互作用的共存，通过约束控制的相互作用产生从超导到绝缘量子关联态的转变。我们的研究结果表明，在NbSe $_2$的相互作用的戏剧性的作用，建立NbSe $_2$作为一个相关的超导体与竞争的相互作用。
2022-02-14 cond-mat.mes-hall cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Measurement of the Localization Length through the superconductor-insulator transition of ultrathin amorphous beryllium films
基于在电子输运和隧穿中观察到的Efros-Shklovskii行为，我们独立地确定了淬冷凝聚非晶铍膜的局域化长度和介电常数，并确定了它们之间的关系。由于在20 K的正常状态的薄膜的薄层电阻随膜厚度的增加而减小，局部化长度呈指数增加。当局域化长度与Ginzburg-Landau相干长度相交时，超导体-绝缘体转变发生。我们讨论的影响，这些结果的一些问题上的超导性在强无序制度。
2005-11-02 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Single and two-particle energy gaps across the disorder-driven superconductor-insulator transition
超导性和局域化之间的竞争在凝聚态物理中提出了深刻的问题。尽管经过几十年的研究，超导体-绝缘体转变（SIT）的机制和绝缘体的性质仍然不清楚。我们使用量子蒙特卡罗模拟，治疗，在平等的基础上，不均匀的振幅变化和相位波动，一个重大的进步，在以前的理论。我们获得了新的微观见解，并为本地光谱探针进行了可测试的预测。态密度中的能隙在整个跃迁过程中仍然存在，但相干峰只存在于超导体中。与传统理论相反，在临界无序和临界温度以上，特征赝能隙持续存在。令人惊讶的是，绝缘体具有在SIT处消失的两粒子间隙尺度，尽管具有稳健的单粒子间隙。
2013-09-18 cond-mat.dis-nn cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
