Strained GaN Quantum-Well FETs on Single Crystal Bulk AlN Substrates
我们报告的第一个实现的分子束外延生长应变GAN量子阱场效应晶体管的单晶体AlN衬底。所制造的双异质结构FET表现出超过2 X 10^13/cm 2的二维电子气（2DEG）密度。欧姆接触的2DEG沟道形成n+ GAN MBE再生长过程中，与0.13欧姆-毫米的接触电阻。拉曼光谱使用的量子阱作为光学标记揭示了量子阱中的应变，和应变弛豫的再生长的GAN接触。65 nm长的矩形栅器件的直流漏电流驱动为2.0 A/mm，峰值非本征漏电流为250 mS/mm，小信号射频性能达到fT~120 GHz。DC和RF性能表明，体AlN衬底为应变量子阱氮化物晶体管提供了一个有吸引力的替代平台，用于未来的高电压和高功率微波应用。
2016-11-27 cond-mat.mtrl-sci
Bias-dependent Contact Resistance in Rubrene Single-Crystal Field-Effect Transistors
本文系统地研究了红荧烯单晶场效应晶体管中Ni、Co、Cu、Au和Pt电极的偏置接触电阻。我们表明，接触电阻的值的再现性强烈地依赖于金属，范围从两个因素的Ni到Au的三个数量级以上。令人惊讶的是，具有Ni、Co和Cu接触的FET表现出接触的偏置依赖性差分电导的意外再现性，一旦将其归一化为在零偏置下测量的值。这种可重复性可以使微观载流子注入过程的研究有机半导体。
2007-03-01 cond-mat.mtrl-sci
Low-Resistance 2D/2D Ohmic Contacts: A Universal Approach to High-Performance WSe2, MoS2, and MoSe2 Transistors
我们报告了一种新的策略，用于制造各种过渡金属二硫属化物（TMD）的2D/2D低电阻欧姆接触，使用范德华组装的替代掺杂的TMD作为漏/源接触和没有故意掺杂的TMD作为沟道材料。我们证明了具有2D/2D接触的少层WSe 2场效应晶体管（FET）具有约0.3 k欧姆的低接触电阻，高达> 109的高开/关比，以及超过320 μ A μ m-1的高驱动电流。这些有利的特性与室温下约2x 102 cm 2 V-1 s-1的两端场效应空穴迁移率相结合，在低温下增加到> 2x 103 cm 2 V-1 s-1。我们在具有2D/2D漏极和源极接触的MoS 2和MoSe 2 FET中也观察到类似的性能。这里提出的2D/2D低电阻欧姆接触代表了一种新的器件范例，克服了TMD和各种其他2D材料作为后硅电子器件中的沟道材料的性能中的显著瓶颈。
2016-02-04 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
Molecular electronics exploiting sharp structure in the electrode density-of-states. Negative differential resistance and Resonant Tunneling in a poled molecular layer on Al/LiF electrodes
密度泛函计算是用来澄清的作用，铝电极在分子电子学中使用的LiF层。LiF层产生了一个尖锐的态密度（DOS），就像扫描隧道显微镜（STM）的针尖一样。尖锐的DOS与分子的DOS耦合导致负微分电阻（NDR）。定向分子之间的电子转移通过共振隧穿发生。三（8-羟基喹啉）-铝（AlQ）分子的薄膜，使用电场极化取向，夹在两个Al/LiF电极之间的I-V特性与理论非常一致。这种分子器件为STM或机械断裂结结构提供了一种方便、坚固、廉价的替代方案。
2004-02-09 cond-mat.mtrl-sci
Contact Research Strategy for Emerging Molybdenum Disulfide and Other Two-Dimensional Field-effect Transistors
近年来，过渡金属二硫属化合物（TMD）的二维层状半导体结构得到了广泛的分离、合成和表征。许多2D材料由于其高迁移率和表现出的带隙而被确定为未来薄膜技术的沟道材料的潜在候选者。虽然许多TMD场效应晶体管（FET）已经被广泛展示，并取得了重大进展，以清楚地了解器件物理，在金属/半导体界面的大接触电阻仍然是一个挑战。从二维器件研究的角度来看，如何最大限度地减小肖特基势垒对接触的影响，从而降低二维材料上金属的接触电阻，是该领域进一步发展的关键。在这里，我们提出了一个审查的接触研究二硫化钼和其他TMD场效应晶体管的基本理解的金属-半导体界面上的二维材料。一个明确的二维半导体材料的接触研究策略，为未来的高性能二维场效应晶体管与积极规模化的尺寸。
2014-10-29 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
High-Performance MoS2 Field-Effect Transistors Enabled by Chloride Doping: Record Low Contact Resistance (0.5 kohm*um) and Record High Drain Current (460 uA/um)
在本文中，我们报告了一种新的化学掺杂技术，以减少接触电阻（Rc）的过渡金属二硫属化物（TMDs）-消除两个主要的障碍（即，掺杂和高Rc）对高性能的TMDs场效应晶体管（FET）的演示。用1，2-二氯乙烷（DCE）作掺杂剂，在少层MoS_2薄膜中得到了> 2 × 10 ~（19）cm ~（-3）的活性n型掺杂。这使得我们能够将Rc值降低到0.5 kohm*um的创纪录低数值，这比没有掺杂的对照样品低约10倍。相应的比接触电阻率（PC）被发现减少了两个数量级。在如此低的Rc下，我们展示了100 nm沟道长度（Lch）的MoS 2 FET，在Vds = 1.6 V时漏极电流（Ids）为460 uA/um，这是迄今为止报道的MoS 2 FET最佳值的两倍。
2014-06-17 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
Scaling-up atomically thin coplanar semiconductor-metal circuitry via phase engineered chemical assembly
二维（2D）层状半导体，其最终的原子厚度，已显示出缩小现代集成电路晶体管的前景。然而，将这些材料与外部大体积金属连接的电接触通常不令人满意，这限制了晶体管的性能。最近，使用共面2D导体接触2D半导体已经显示出减少有问题的高电阻接触的前景。然而，这些方法中的许多对于规模化生产并不理想。在这里，我们报告的大规模，空间控制的化学组装的集成2 H-MoTe 2场效应晶体管（FET）与共面金属1 T 'MoTe 2接触，通过相位工程的方法。我们表明，异质相FET表现出低接触电阻的欧姆接触行为，从2 H和1 T 'MoTe 2之间的共面无缝接触，通过透射电子显微镜表征证实。由于2 H MoTe 2单晶畴较大（486μm），测量的异质相FET的平均迁移率高达23 cm 2 V-1 s-1（与剥离单晶相当）。通过图形化生长方法，实现了沟道、栅和接触均为二维材料的1 T 'MoTe_2栅控异质相FET阵列。最后，我们将异质相器件阵列转移到柔性衬底上，并展示了具有高光响应度（~1.02 A/W）的近红外光响应。该研究为相位工程共面MoTe 2半导体测量结构在先进电子学和光电子学领域的大规模应用奠定了基础。
2019-04-18 cond-mat.mtrl-sci
High-performance monolayer MoS2 field-effect transistor with large-scale nitrogen-doped graphene electrodes for Ohmic contact
有限的肖特基势垒和单层MoS 2与电极之间的大接触电阻是发展高性能场效应晶体管（FET）的主要瓶颈，阻碍了低温下谷自旋输运等本征量子行为的研究。已经开发了栅极可调石墨烯电极平台以改善MoS 2 FET的性能。然而，原始石墨烯的功函数与MoS 2的导带之间的固有不对准导致FET的大阈值电压，因为仅在非常高的栅极电压和载流子浓度（~1013 cm-2）下观察到欧姆接触行为。在这里，我们提出了高性能的单层二硫化钼场效应晶体管欧姆接触在适度的栅极电压通过使用化学气相沉积（CVD）氮掺杂的石墨烯具有高的本征电子载流子密度。CVD氮掺杂石墨烯和单层MoS 2混合FET平台在零栅极电压下表现出-54.2V的大的负偏移阈值电压和无势垒欧姆接触。与原始石墨烯电极平台相比，氮掺杂石墨烯的透明接触导致单层MoS 2 FET的导通电流提高了214%，场效应载流子迁移率提高了四倍。输运测量以及热退火前后的拉曼和X射线光电子能谱学分析表明，CVD氮掺杂石墨烯中的原子C-N键合是电子掺杂的主导效应。大规模的氮掺杂石墨烯电极为高性能器件的开发和独特量子行为的研究提供了一个很有前途的器件平台。
2019-07-18 cond-mat.mtrl-sci
Device Perspective for Black Phosphorus Field-Effect Transistors: Contact Resistance, Ambipolar and Scaling
虽然已经成功地剥离了单层黑磷（BP）或磷烯（phosphorene），并对其光学性质进行了探索，但器件的大部分电性能都表现在少层磷烯和超薄BP膜上。本文研究了超薄BP场效应晶体管沟道长度的缩放，并讨论了一种利用不同接触金属改变晶体管特性的方案。通过研究不同沟道长度下晶体管的行为，可以从传输长度法（TLM）中提取接触电阻。对于不同的接触金属，我们发现，金属/BP界面有不同的肖特基势垒高度，导致接触电阻的显着差异，这是很大的不同，从以前的研究过渡金属二硫属化物（TMDs），如MoS 2，其中费米能级被强烈钉扎在金属/MoS 2界面的导带边缘附近。BP晶体管的本质是肖特基势垒FET，其中通过调节两个触点处的肖特基势垒来控制导通和关断状态。我们还观察了具有增强的n型漏电流的BP晶体管的双极特性，并证明了通过控制栅极偏置和漏极偏置，p型载流子可以容易地转移到n型或反之亦然，显示了实现BP CMOS逻辑电路的潜力。
2014-10-29 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
All-MOCVD-Grown Gallium Nitride Diodes with Ultra-Low Resistance Tunnel Junctions
我们仔细研究了生长后激活退火、δ剂量和p+-GAN层厚度等三个重要因素，并通过实验证明了它们对基于隧道结（TJ）p接触的GAN p-n同质结二极管电学性能的影响。p-n二极管和TJ结构通过金属有机化学气相沉积（MOCVD）在单个生长步骤中单片地生长。通过优化镁（Mg）激活的退火时间和温度以及在TJ界面处引入施主和受主的δ剂量，实现了电学性能的显著改善。对于连续生长的全MOCVD GAN同质结TJ，在20 A/cm 2和100 A/cm 2的电流密度下分别获得158 mV和490 mV的超低正向电压惩罚。具有特制TJ的p-n二极管在5 kA/cm 2下的归一化差分电阻为1.6 x 10-4 Ω-cm 2，创历史新低。
2020-11-26 cond-mat.mtrl-sci
Mobile charges in MoS2/high-k oxide transistors: from abnormal instabilities to memory-like dynamics
Southern University of Science and Technology（南方科技大学）；University of Science and Technology of China（中国科学技术大学）
研究发现通过HfO₂层的氧空位漂移实现MoS₂晶体管的存储器动态，而Al₂O₃层则更适用于高温稳定性和抑制负V_th位移。
2026-01-23 cond-mat.mtrl-sci
2D Tunnel Field Effect Transistors (FETs) with a Stable Charge-Transfer-Type p$^+$-WSe$_2$ Source
二维（2D）材料非常有希望用于具有低亚阈值摆幅和高驱动电流的隧道场效应晶体管（TFTs），因为可以从范德华间隙距离和独立于晶格匹配形成的原子级尖锐异质界面预期更短的隧道距离和强的栅极可控性。然而，2D-2D TFT的共同问题是缺乏具有高工艺稳定性的高掺杂2D材料作为源。在这项研究中，我们已经发现，p+-WSe 2掺杂的电荷转移从WOx表面氧化层可以通过将其转移到h-BN衬底上稳定。使用该p $^+$ -WSe $_2$作为源，我们制造了具有Al 2 O3顶栅绝缘体的全固态2D-2D异质结构TFR 10，即，II型p $^+$ -WSe $_2$ /MoS $_2$和III型p $^+$ -WSe $_2$ /WSe $_2$。带间隧穿和负微分电阻的趋势在低温下被清楚地证明。这项工作表明，高掺杂的2D晶体的电荷转移型是一个很好的选择作为源的TFREX。
2018-07-18 cond-mat.mtrl-sci physics.app-ph
Control of InGaAs facets using metal modulation epitaxy (MME)
本研究针对InGaAs外延再生长中的间隙与晶面问题，发现金属调制外延（MME）可实现光滑无间隙的(001)晶面生长，制备的自对准FET以沟道电阻为主，同时明确了As通量对晶面形貌的调控作用。
2014-08-16 cond-mat.mtrl-sci
Correlating the nanostructure and electronic properties of InAs nanowires
InAs纳米线的电子性质和纳米结构是相关的，通过创建多个场效应晶体管（FET）的纳米线生长具有低和高缺陷密度段。4.2 K载流子迁移率在导线的名义上无缺陷段中大约4倍。我们还发现，暗场光强度与迁移率相关，这表明一个简单的路线，选择具有低缺陷密度的线。在低温下，在InAs纳米线的高缺陷密度段上制造的FET显示出与单电子充电一致的传输特性，即使在具有低电阻欧姆接触的器件上也是如此。所获得的充电能量表明量子点形成在导线中的缺陷。这些结果加强了控制缺陷密度的重要性，以生产高品质的电气和光学器件使用InAs纳米线。
2010-10-04 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
MoS2 Field-effect Transistors with Graphene/Metal Heterocontacts
首次制备了以石墨烯/Ti为异质结的n型少层MoS 2场效应晶体管，在1 μm栅长下漏电流超过160 mA/mm，开关电流比为107.与没有石墨烯接触层的MoS 2 FET相比，在具有异质接触的情况下，在导通电阻的近2.1倍改进和接触电阻的3.3倍改进中证实了增强的电特性。还对MoS 2/石墨烯异质接触进行了温度依赖性研究，仍然揭示了其肖特基接触性质。采用传输长度法和改进的I-V法研究了MoS 2/石墨烯/金属异质接触结构的接触电阻和肖特基势垒高度。
2014-05-11 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
Asymmetrical contact scaling and measurements in MoS2 FETs
二维（2D）材料由于其原子级薄的性质而具有在未来电子学中使用的巨大潜力，所述原子级薄的性质经受住短沟道效应，从而实现更好的可扩展性。器件缩放是减小所有器件尺寸以在一定芯片面积内实现更高器件密度的过程。对于基于2D材料的晶体管，必须研究沟道和接触的可扩展性。2D材料的沟道可扩展性已经被彻底研究，证实了它们对短沟道效应的弹性。然而，系统的研究接触缩放仍然很少，目前的理解是不一致的，在2D场效应管接触缩放过于简单。在这里，我们结合物理缩放接触和非对称接触测量，研究接触缩放行为在2D场效应晶体管（FET）。不对称接触测量直接比较电子注入与不同的接触长度，同时使用完全相同的通道，消除通道间的差异。与具有长接触长度的器件相比，具有短接触长度（缩放接触）的器件表现出更大的变化，在高漏源电压下更小的漏电流，以及更高的显示早期饱和和负微分电阻的机会。量子输运模拟表明，Ni-MoS 2接触的转移长度可以短至5 nm。我们的研究结果表明，在源极接触的电荷注入是不同的注入在漏极侧：缩放的源极接触可以限制漏极电流，而缩放的漏极接触不能。此外，我们清楚地发现，传输长度取决于金属-2D界面的质量。本文提出的非对称接触测量方法将有助于进一步了解不同界面的接触缩放行为。
2022-09-24 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci physics.app-ph
Ultralow Voltage Operation of p- and n-FETs Enabled by Self-Formed Gate Dielectric and Metal Contacts on 2D Tellurium
该研究利用二维Te的原子级受控转变自形成NiTex-Te接触与TiOx-Te栅介质，实现近理想n/p型FET及0.08 V工作的CMOS反相器。
2024-12-05 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci physics.app-ph
Contact resistance at planar metal contacts on bilayer graphene and effects of molecular insertion layers
考虑到金属接触处界面电荷转移形成的带隙，研究了金属-双层石墨烯（BLG）接触电阻的可能来源。我们的研究结果表明，电荷注入势垒（肖特基势垒）不有助于接触电阻，因为BLG下的接触总是简并掺杂。我们还表明，接触掺杂引起的BLG的态密度（DOS）的金属接触下的增加降低了接触电阻，由于增强的载流子隧道在接触。可以通过将分子掺杂剂层插入到金属接触中来增强接触掺杂。然而，通过插入层的载流子隧穿增加了接触电阻，因此，应当采用替代的器件结构。最后，我们表明，通过可变范围跳跃通过间隙状态的带间传输是最大的贡献者接触电阻时，栅极沟道的载流子类型是相反的接触掺杂载流子类型。这表明，接触电阻降低的接触掺杂引起的DOS的增加的策略是有效的，只有一个单一的沟道传输分支（n型或p型），这取决于接触掺杂载流子类型。
2017-03-10 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
High-Mobility Holes in Dual-Gated WSe$_2$ Field-Effect Transistors
我们展示了基于少层二硒化钨（WSe $_2$）的双栅$p$型场效应晶体管（FET），其使用高功函数铂源极/漏极接触和六方氮化硼顶栅电介质。具有在WSe $_2$下面的接触的器件拓扑导致$p$-FET具有超过10 $^7$的$I_{ON}$ / $I_{OFF}$比率，以及直到低温仍保持欧姆的接触。输出特性表现为电流饱和和栅极可调的负微分电阻。该器件在室温下显示出约140 cm $^2$ /Vs的本征空穴迁移率，在2 K下接近4，000 cm $^2$ /Vs。随温度变化的传输测量显示金属-绝缘体转变，在低密度的绝缘相，和在高密度的金属相。的迁移率显示出强烈的温度依赖性与声子散射一致，并在低温下饱和，可能受到库仑散射，或缺陷。
2015-09-13 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
Self-patterning of Liquid Field's Metal for Enhanced Performance of Two-dimensional Semiconductor
本研究利用低熔点液态场金属自图案化，通过真空退火整合至WSe2 FETs电极，降低接触电阻并避免费米能级钉扎，显著提升二维半导体器件性能。
2025-05-24 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci physics.app-ph
Thermal rectification and interface thermal resistance in hybrid pillared-graphene and graphene: A molecular dynamics approach
在本研究中，我们研究了杂化柱撑石墨烯和石墨烯（PGG）系统的热整流和热阻。这是通过经典的分子动力学模拟（MD），也与连续模型。首先，采用分子动力学模拟和傅立叶变换计算了柱撑石墨烯和石墨烯的热导率。我们的研究结果表明，柱撑石墨烯的热导率比石墨烯小一个数量级。接下来，通过沿PGG的纵向方向施加正和负温度梯度，检查热整流。MD结果表明，对于36至86 nm范围内的长度，热整流几乎保持恒定（~3-5%）。我们还研究了PGG界面两侧的声子态密度。DOS曲线表明，有声子散射在低频（声学模式），这取决于在系统中施加的温度梯度方向。因此，我们可以介绍PGG作为一个有前途的热整流器在室温下。此外，在接下来的工作中，我们还探讨了温度分布的PGG使用连续介质模型。由连续介质模型得到的结果预测了分子动力学的结果，如上半层和下全层石墨烯的温度分布，界面处的温度差以及热阻。
2019-09-19 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
Multifunctional steep-slope spintronic transistors with spin-gapless-semiconductor or spin-gapped-metal electrodes
本文提出以自旋无带隙半导体或自旋带隙金属为电极的多功能自旋电子FET，结合亚60 mV/dec开关、非局域巨磁阻和负微分电阻，并通过VS2/Ga2O2 FET模拟验证其低功耗高性能潜力。
2025-04-10 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci physics.app-ph
Overlapping-gate architecture for silicon Hall bar MOSFET devices in the low electron density and high magnetic field regime
在低电子密度区域中的增强型金属氧化物半导体（MOS）场效应晶体管（FET）的低温测量中的常见问题是高接触电阻主导器件阻抗。在这种情况下，施加在霍尔条MOSFET的源极和漏极触点两端的电压偏置将主要落在触点两端（而不是沟道两端），因此磁输运测量变得具有挑战性。然而，从物理的角度来看，在低电子密度状态下对MOSFET纳米结构的研究是非常有趣的（杂质限制迁移率[1]，载流子相互作用[2，3]和自旋相关传输[4]），因此重要的是要提出解决这种器件中高接触电阻问题的解决方案[5，6]（参见图1）。图1（a））。
2011-10-07 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
Beta-Ga2O3 MOSFETs with near 50 GHz fMAX and 5.4 MV/cm average breakdown field
这封信报道了采用MOCVD方法再生长的具有T栅和简并掺杂源/漏接触的高性能$ \mathrm β Ga 2 O3薄沟道MOSFET。栅极长度缩放（LG= 160-200 nm）导致在10 V漏极偏压下285 mA/mm的峰值漏极电流（ID，MAX）和52 mS/mm的峰值跨导（gm），导通电阻（Ron）为23.5 Ohm/mm。从TLM测量中提取出0.078 Ohm mm的低金属/n+接触电阻。Ron主要由沟道和再生长层之间的界面电阻决定。当LGD = 355 nm时，栅-漏击穿电压为192 V，平均击穿场强（E_AVG）为5.4 MV/cm。该E_AVG是所有亚微米栅极长度横向FET中报道的最高的。在200 nm氮化硅（Si 3 N4）钝化器件上的RF测量示出11 GHz的电流增益截止频率（f_T）和48 GHz的记录功率增益截止频率（f_MAX）。在192 V击穿电压下，f_T.V_Br乘积为2.11 THz.V.开关品质因数超过硅，并与成熟的宽带隙器件相当。
2022-11-02 cond-mat.mtrl-sci physics.app-ph
MoS2 P-type Transistors and Diodes Enabled by High Workfunction MoOx Contacts
过渡金属二硫属化物（TMDC）的低阻源/漏接触的发展是实现高性能逻辑器件的关键。特别地，需要有效的孔接触来制造具有MoS 2的p型晶体管，模型TMDC。先前的研究已经表明，元素金属的费米能级被钉扎在接近MoS 2的导带处，从而导致空穴的肖特基势垒高度很大，并且从接触注入的空穴有限。在这里，我们表明，亚化学计量的三氧化钼（MoOx，x<3），高功函数材料，作为一个有效的空穴注入层的MoS 2和WSe 2。特别是，我们证明了二硫化钼p型场效应晶体管和二极管，通过使用MoOx接触。我们还显示了与Pd接触制成的器件相比，具有MoOx接触的p型WSe 2 FET的导通电流得到了大幅改善，Pd接触是用于空穴注入的原型金属。这项工作提出了一个重要的进展，接触工程的TMDCs，并将使未来的探索其性能极限和内在的传输特性。
2014-02-26 cond-mat.mtrl-sci
Resistance of refractory high-entropy alloys to ultrafast laser irradiation
Institute of Physics, Czech Academy of Sciences（捷克科学院物理研究所）；Institute of Plasma Physics, Czech Academy of Sciences（捷克科学院等离子体物理研究所）
研究通过建模揭示了难熔高熵合金在超快激光辐照下的抗性机制，发现其电子热容和耦合参数在高温下表现优异，且在高沉积剂量下未出现非热熔化，表明重元素高熵合金具有更强的辐射抗性。
2026-02-18 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.other
Absolute radiation tolerance of amorphous alumina coatings at room temperature
研究PLD制备的非晶Al2O3涂层经高能离子辐照后的结构与硬度变化，证明其在全剂量范围保持非晶且性能稳定，是LFR等下一代核反应堆的候选防护涂层。
2023-04-24 cond-mat.mtrl-sci
Tuning of Graphene Properties via Controlled Exposure to Electron Beams
石墨烯性能的可控改性对其提出的电子应用至关重要。在这里，我们描述了一种可能性，通过电子束照射调谐石墨烯的电性能。我们发现，通过控制辐照剂量，可以改变载流子的迁移率，并增加在单层石墨烯的最小导电点的电阻。双层石墨烯不易受电子束照射的影响。通过石墨烯拉曼光谱中无序D峰的变化，可以监测和量化石墨烯性质的辐照改性。所获得的结果可能导致一种新的方法的缺陷工程的石墨烯的物理性质，并通过电子束照射的“写”石墨烯电路的程序。这些结果也对石墨烯纳米器件的制造有影响，这涉及扫描电子显微镜和电子束光刻。
2010-12-22 cond-mat.mtrl-sci
The effects of high-temperature ion-irradiation on early-stage grain boundaries serrations formation in Ni-based alloys
本研究通过离子辐照实验发现，镍基合金在辐照下发生硬化，且Hastelloy X效应更显著，结构差异影响辐射过程，多余能量降低高温相形核温度，促进晶界锯齿形成。
2025-10-23 cond-mat.mtrl-sci
Chloride Molecular Doping Technique on 2D Materials: WS2 and MoS2
低电阻率金属-半导体（M-S）接触是二维过渡金属二硫属化物（TMD）研究中迫切需要解决的问题之一。在这里，我们报告的氯化物分子掺杂技术，大大降低了接触电阻（Rc）在几层WS 2和MoS 2。掺杂后，WS 2和MoS 2的Rc分别降低到0.7kohm *um和0.5kohm *um。Rc的显著降低归因于所实现的高电子掺杂密度，因此肖特基势垒宽度的显著减小。作为概念验证，展示了高性能的少层WS 2场效应晶体管（FET），表现出380 uA/um的高漏极电流，4*106的开/关比，和60 cm 2/V*s的峰值场效应迁移率。这种掺杂技术提供了一种非常可行的途径来减少TMD中的Rc，为高性能2D纳米电子器件铺平了道路。
2014-10-09 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
Quasiparticle Transformation During a Metal-Insulator Transition in Graphene
在这里，我们表明，同时传输和光电发射测量，石墨烯终止SiC（0001）表面进行金属-绝缘体转变（MIT）后dosingwith少量的原子氢。我们发现室温电阻增加约4个数量级，过渡伴随着异常的动量分辨光谱函数，包括非费米液体行为和故障的准粒子图片。这些影响进行了讨论，在一个可能的过渡到一个强（安德森）本地化的基态。
2009-04-15 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
Utilizing a machine-learned potential to explore enhanced radiation tolerance in the MoNbTaVW high-entropy alloy
本研究构建了 MoNbTaVW 高熵合金的机器学习原子间势，通过分子动力学模拟发现其相较于纯 W 具有更少且更小的间隙原子团簇，展现出更优异的耐辐照性能，并提出了子级联分裂机制及扩展损伤模型。
2025-07-16 cond-mat.mtrl-sci physics.comp-ph
Ultrathin Ga$_2$O$_3$ Tunneling Contact for 2D Transition-metal Dichalcogenides Transistor
针对2D TMDs晶体管高接触电阻等问题，提出非晶Ga₂O₃隧穿接触层方案，实现近理想欧姆接触，大幅提升WS₂晶体管性能，为2D晶体管接触性能建基准，推动可扩展高性能电子器件发展。
2025-02-20 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci physics.app-ph
