氧化物基体中纳米金属丝的形成与断裂

模型非牛顿流体细丝的拉伸断裂

Extensional rupture of model non-Newtonian fluid filaments

我们提出了分子动力学的计算机模拟长丝模型非牛顿液体拉伸在一个单轴变形的点断裂。液体由Lennard-Jones单体通过非线性弹簧束缚成100个单体的链组成，并考虑了几种不同的恒速和恒应变率变形。一般来说，我们观察到不均匀的延伸起源于拉伸力和弹性和毛细恢复机制之间的相互作用，导致高度不均匀的形状和交替的拉伸和未拉伸的液体区域。除了在最快的拉伸速度下，长丝继续无限地变薄，并且仅在耗尽分子时断裂，而不是常见的粘弹性断裂机制。

NiO薄膜的异常电阻开关行为：可能同时存在导电通道的形成和破裂

Abnormal Resistance Switching Behaviors of NiO Thin Films: Possible Occurrence of Simultaneous Formation and Rupture of Conducting Channels

我们详细报道了NiO薄膜电阻开关的电流-电压（I-V）特性。在单极电阻切换中，通常认为当NiO从低电阻状态变为高电阻状态时，导电细丝将断裂。然而，我们发现，这种电阻开关有时会在电压和电流驱动的I-V测量期间显示出异常行为。我们使用随机断路器网络模型来解释异常开关行为是如何发生的。我们发现，这种电阻变化可以通过一系列雪崩过程发生，其中导电细丝可以形成也可以破裂。

Nanoscale plasticity and neuromorphic dynamics in silicon suboxide RRAM

Resistive random-access memories, also known as memristors, whose resistance can be modulated by the electrically driven formation and disruption of conductive filaments within an insulator, are promising candidates for neuromorphic applications due to their scalability, low-power operation and diverse functional behaviours. However, understanding the dynamics of individual filaments, and the surrounding material, is challenging, owing to the typically very large cross-sectional areas of test devices relative to the nanometre scale of individual filaments. In the present work, conductive atomi…

场驱动混合细丝形成控制Ta-HfO$_2$-Pt忆阻器中的开关

Field-Driven Hybrid Filament Formation Governs Switching in Ta-HfO$_2$-Pt Memristors

通过分子动力学模拟，研究了Ta/HfO$_2$/Pt器件中氧空位和Ta阳离子共同形成混合细丝的原子机制，揭示了初始氧空位浓度和空间分布对细丝形态的影响，并验证了模型与实验的一致性。