Optical conductivity of doped Mott insulator: the interplay between correlation and electron-phonon interaction
在t-t '-J-Holstein模型的低密度极限下，对铜氧化物的光导系数进行了理论研究.通过开发一种有限的声子基础精确对角化（LPBED）方法，能够处理有史以来考虑的最大尺寸4x 4的晶格，我们能够辨别的OC揭示三峰结构的中红外（MIR）部分的精细特征。在实验中观察到两个最低的峰，最高的峰在中等掺杂的铜酸盐中被默认分辨。OC与半解析方法的结果的比较和计算的同位素效应的详细分析表明，中等能量的MIR峰主要是磁性起源，而最低的MIR带起源于声子的空穴散射。
2009-07-03 cond-mat.str-el
Thermal Conductivity of Mg-doped CuGeO_3
在磁场高达16 T的条件下测量了一系列Cu_（1-x）Mg_xGeO_3单晶的热导率$κ$。结果表明，对于存在自旋-佩尔斯（SP）跃迁的轻掺杂样品，在远高于SP跃迁温度T_SP的温度下，自旋激发的热输运是相干的。这种自旋热输运的抑制出现在T^* 以下，此时自旋能隙局部打开。Mg掺杂对样品的T^* 没有影响，并且与纯CuGeO_3的T_SP相比，Mg掺杂对样品的T^* 有很大的抑制作用。由于自旋激发的散射减少，自旋能隙的开口增强了声子部分的热传输，产生了一个不寻常的峰。当自旋能隙在磁场和Mg掺杂中均被抑制时，该峰减小。
2000-02-18 cond-mat.str-el
Unravelling local spin polarization of Zhang-Rice singlet in lightly hole-doped cuprates using high-energy optical conductivity
为了理解关联电子系统中丰富的物理性质，揭示载流子附近的局部磁和电子关联是至关重要的。在这里，使用高能量的光学电导率（高达35 eV）作为温度和极化的函数，我们观察到一个令人惊讶的强自旋极化的本地自旋单线态与增强的铁磁相关性附近的掺杂空穴在轻空穴掺杂的La $_{1.95}$ Sr $_{0.05}$ Cu $_{0.95}$ Zn $_{0.05}$ O $_{4}$。局域自旋极化的变化强烈地表现在温度依赖的光学电导率在~7.2 eV，在磁条相（~25 K）的异常，伴随着异常的光谱重量转移在一个广泛的能量范围。在理论计算的支持下，我们还指定了高能光学跃迁及其相应的温度依赖性，特别是在~2.5 ~8.7，~9.7，~11.3和~21.8 eV。我们的研究结果显示了空穴掺杂铜氧化物中自旋单重态和三重态的强混合的重要性，并展示了一种新的策略，以探测局部磁关联在相关电子系统中使用高能光学电导率。
2017-04-08 cond-mat.str-el
Thermal conductivity of pure and Mg-doped CuGeO_3 in the incommensurate phase
在高达16 T的磁场中测量了Cu_（1-x）Mg_xGeO_3的热导率κ。在H_c到高场无公度（I）相的过渡场处，κ突然减小。当施加较高的磁场时，纯CuGeO_3的κ（H）随磁场的增大而增大，而Mg掺杂样品的I相（I-AF相）的κ（H）曲线呈现出异常的平台特征。借助对相同样品的比热数据，可以很好地理解上述特征，即声子被自旋孤子强烈散射，并且I相中的κ由它们的空间分布决定。特别是，掺杂样品中的平台特征表明孤子的“冻结”，其中反铁磁性起着重要作用，因为在温度高于T_N时，反铁磁性不存在。
2000-06-09 cond-mat.str-el
Optical conductivity in doped manganites with planar x$^2$-y$^2$ orbital order
我们研究了锰氧化物铁磁相的平面模型，该模型在低温下发展了具有x $^2$ -y $^2$ -对称性的$e_g$电子轨道序。用有限温度对角化方法研究了轨道激发的动力学结构因子和光电导$σ(ω)$。我们的计算提供了一个理论预测$σ(ω)$的二维FM状态，并可能为最近发现的A型相的锰氧化物在高掺杂，其中包括FM层耦合反铁磁性。在x $^2$ -y $^2$有序区中，$σ(ω)$既有Drude峰，又有轨道激发带隙的非相干吸收.
1999-03-15 cond-mat.str-el
Theory of Thermal Conductivity in High-Tc Superconductors below Tc: Comparison between Hole-Doped and Electron-Doped Systems
在空穴掺杂的高Tc超导体中，热导率在低于Tc时急剧增加，这被认为是节点间隙的标志。相比之下，热导率的这种相干峰在电子掺杂的化合物中是不可见的，这可以指示诸如（d+is）波状态的全带隙状态。为了解决这一问题，我们在哈伯德模型中采用波动交换（FLEX）近似研究了热导率，预言了d波节态在空穴掺杂和电子掺杂的化合物中均能实现.两种化合物的热导率的对比行为源于热/冷点结构的差异。一般情况下，只有当冷斑存在于节线上时，线结超导体的热导率才会出现显著的相干峰。
2007-05-28 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Optical conductivity of doped manganites: Comparison of ferromagnetic Kondo Lattice Models with and without orbital degeneracy
利用有限温度对角化方法研究了不同掺杂浓度下双交换的光学电导率和轨道简并Kondo晶格哈密顿量（轨道t-J模型）.研究了求和规则、动能和Drude重量的温度依赖性。特别是，它表明，双交换模型不能解释的锰氧化物的均匀铁磁相发现Okimoto等人的异常吸收。75，109（1995）]。轨道t-J模型解释了反常吸收随温度、能级（~1 eV）和强度的降低而增加。这也解释了在低温下出现额外的窄Drude峰。
2001-04-23 cond-mat.str-el
Electronic spectrum and hopping conductivity in highly doped lattice systems
本文考虑了局域载流子之间存在长程库仑相互作用的强无序晶格系统模型。总电子能量的特征在于存在多个亚稳态极小值（包括真正的基态），以及在这些极小值上的不同类型的激发光谱。一个数值计算的过程，占在有限尺寸的样品中的所有多体相关，证实了库仑间隙的存在，在单粒子谱，也提供了已知的平均场论的结果，作为非半填充间隙的不对称性，低能对激发的消失密度，修改的温度指数跳跃电导率。
1998-11-24 cond-mat.str-el
Is a doped 'Kondo' insulator different from doped Silicon?
在强关联的绝缘体FeSi中，我们观察到了Al在Si位的化学替代引起的金属-绝缘体转变。的磁化率，热容量，和场依赖的电导率测量范围从0到0.08的Al浓度。对于浓度大于0.01，我们发现金属性质定量类似于在Si：P中测量的那些，除了大大增强的准粒子质量。在2K以下，温度和电场对电导率的影响完全可以用无序费米液体理论来描述。
1997-01-12 cond-mat.str-el
The spin Hall conductivity in the hole-doped bilayer Haldane-Hubbard model with odd-parity ALM
Chongqing University（重庆大学）；Chengdu Normal University（成都师范学院）；Beijing Normal University（北京师范大学）
基于空穴掺杂单层Haldane-Hubbard模型的研究，提出双层HH模型，通过层间时间反演变换实现补偿的奇宇称自旋劈裂和$T$偶自旋霍尔电导率，为共线磁体中同时实现这两种现象提供通用框架。
2025-10-14 cond-mat.str-el
Evidence for multiple impurity bands in sodium-doped silicon MOSFETs
我们报告的测量温度依赖的导电性在硅金属氧化物半导体场效应晶体管，包含钠杂质的氧化层。我们解释的库仑相互作用，部分屏蔽的金属栅极的接近度方面的电导率的变化。的电导率指数前因子和本地化长度作为栅极电压的函数的研究，使我们能够确定的电子态密度，并提供了参数的存在下，在低温下的两个不同的频带和软间隙。
2006-04-13 cond-mat.str-el
AC and DC Conductivity Anisotropies in Lightly Doped La(2-x)Sr(x)CuO(4)
轻掺杂La（2-x）Sr（x）CuO（4）低温正交相的交流和直流电导各向异性归因于Sr离子俘获掺杂空穴而产生的旋转对称破缺的局域杂质态。两个最低能量的类p波态被斜方性分裂，部分充满空穴。这在AC电导率中留下了独特的印记，其显示出两种不同的红外连续吸收能量。此外，存在两个独立的通道跳跃电导率，相关的两个正交方向，定量地解释了所观察到的低温各向异性直流电导率。
2008-06-09 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Absence of nodes in the energy gap of the high-temperature electron-doped Pr1.85Ce0.15CuO4-y superconductor using thermal conductivity and specific heat measurements
对电子掺杂Pr_（1.85）Ce_（0.15）CuO_（4-y）的热导率和比热进行了数据分析。零场热导率和比热的最佳电子掺杂系统只能解释一个nodeless间隙对称性。磁场对涡旋态电子比热的依赖性与s波理论定量一致。我们的定量数据分析提供了大量的证据，在最佳的电子掺杂的铜氧化物的无节点的间隙对称性。
2010-03-10 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
On the optical conductivity of Electron-Doped Cuprates I: Mott Physics
本文分析了电子掺杂铜氧化物的掺杂和温度效应。动能与掺杂的变化示出暗示的材料是近似的空穴掺杂材料的强相关。的光谱是适合准粒子散射模型，而该模型适合的光学数据，总的不一致与光电发射数据被发现，这意味着存在一个大的，强烈的掺杂依赖朗道参数。
2004-11-06 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Magnon Heat Transport in doped $\rm La_2CuO_4$
我们目前的$\rm La_2CuO_4$和$\rm La_{1.8}Eu_{0.2}CuO_4$单晶的热导率的结果，代表模型系统的二维自旋1/2海森堡反铁磁体的正方形晶格。我们发现大的各向异性的热导率，这是由磁振子在CuO $_2$平面内的二维热传导方面的解释。用非磁性Zn代替Cu逐渐抑制这种磁振子热导率$κ_{\mathrm{mag}}$。一个半经典分析的$κ_{\mathrm{mag}}$示出产生一个磁振子平均自由程的比例线性与锌离子的浓度倒数。
2003-05-14 cond-mat.str-el
Evolution of the conductivity of potassium-doped pentacene films
研究了电子掺杂并五苯（PEN）薄膜的电导率随温度的变化，其中电子密度是通过钾（K）的嵌入来控制的。我们发现，电导率是高的，并表现出金属温度依赖性在一个广泛的范围内的浓度高达约1 K/PEN。在这个值下，从钾到PEN的电荷转移饱和，在半填充时留下最低的未占分子轨道。这导致电导率急剧下降，同时重新进入绝缘状态。我们的观察是一致的发生Mott-Hubbard绝缘态驱动的强电子-电子相互作用与理论预测一致。
2006-03-09 cond-mat.soft cond-mat.str-el
Infrared properties of W-doped charge-density-wave material K$_{0.3}$MoO$_3$
本文研究了准一维化合物K $_{0.3}$ Mo $_{1-x}$ W $_x$ O $_3$（x= 0，0.03和0.15）在宽频带内的光导谱。虽然直流电阻率测量表明没有迹象表明重掺杂W的蓝青铜中的CDW转变，光学电导率光谱仍然显示在约0.2 eV的\textbf{E}平行于链方向的单颗粒间隙。这种杂质效应对我们关于CDW跃迁中光学带隙的理解提出了挑战。
2002-11-12 cond-mat.str-el
Role of Umklapp Processes in Conductivity of Doped Two-Leg Ladders
最近的电导率测量上进行的空穴掺杂的双腿梯形材料$\mathrm{Sr_{14-x}Ca_xCu_{24}O_{41}}$揭示了一个近似线性的幂律制度的c轴直流电阻率作为温度的函数$x=11$。在这项工作中，我们采用玻色子模型认为umklapp过程负责这一功能和高光谱权重的光学电导率发生在有限频率德鲁德峰。包括淬火无序在我们的模型允许我们重现实验电导率和电阻率曲线在很宽的能量范围。我们还指出了umklapp过程在单链中的效果和在两条腿的阶梯之间的差异。
2002-04-22 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Quantum spin liquids and the metal-insulator transition in doped semiconductors
我们描述了一种在杂质半导体如Si：P或Si：B中实现金属-绝缘体转变的新的可能途径。我们探讨了金属输运的损失发生的可能性，通过莫特本地化的电子到一个量子自旋液体状态与扩散电荷中性的“自旋”激发。这种量子自旋液体状态可以作为金属和安德森-莫特绝缘体之间的中间相出现。一个直接的可测试的结果是在金属-绝缘体转变附近的电绝缘体中在低温下存在金属热导率。此外，我们表明，虽然过渡是二级的零温剩余电导率将跳跃过渡接近金属一侧。然而，电导率将具有非单调的温度依赖性，这可能使外推到零温度复杂化。在其他实验中的签名和一些与现有数据的比较。
2012-04-10 cond-mat.str-el
Thermoelectric properties of Co, Ir, and Os-Doped FeSi Alloys: Evidence for Strong Electron-Phonon Coupling
本文报道了不同过渡金属掺杂对Fe_（1-x）M_xSi（M= Co，Ir，Os）合金电输运和热输运性质的影响。最大热电优值ZTmax从纯FeSi在60 K时的0.007提高到4%Ir掺杂在100 K时的ZT = 0.08。Os，Ir和Co掺杂的合金之间的热导率数据的比较表明，在这种化合物的强电子-声子耦合。由于这种相互作用，将总热导率分为独立的电子和晶格分量（κ总= κ电子+ κ晶格）的常见近似对于这些合金失效。还报道了晶粒尺寸对Fe_（0.96）Ir_（0.04）Si合金热电性能的影响。热导率可以降低约50%，而对电阻率或塞贝克系数几乎没有影响。这导致在100 K时ZTmax = 0.125，对于固态制冷应用来说仍然低了大约5倍。
2011-05-10 cond-mat.str-el
Theory of optical conductivity in doped manganites
在双极化子理论的框架内解释了铁磁锰氧化物的光学电导率的频率和温度依赖性。当这些材料被冷却到居里温度以下时，庞磁阻（CMR）伴随着光学电导率的光谱权重向较低频率的大量转移。与CMR本身一样，光学电导率的这种变化可以通过在向低温铁磁相的过渡期间与局部Mn自旋的交换相互作用将双极化子解离成小极化子来解释。
1999-02-01 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Thermal conductivity suppression in uranium-doped thorium dioxide due to phonon resonant scattering
在这项工作中，二氧化钍（ThO $_2$，氧化钍）与低水平的替代铀（U）掺杂的热输运性质进行了探讨。我们观察到强烈的迹象，共振声子散射，声子和电子自由度之间的相互作用，除了常见的“杂质”散射由于质量和原子间力常数的差异，这种掺杂诱导。在水热合成的空间变化掺铀浓度的掺铀氧化钍单晶中研究了6%、9%和16%的掺铀浓度。在此晶体中，具有相对均匀的掺杂的等浓度区域位于局部热导率测量使用热反射技术。在77--300~K的温度范围内测量的热导率曲线与分析Klemens-Callaway热导率模型的预测进行比较，以确定不同声子散射机制的影响。在低温下，在这些掺杂水平的高度抑制的热导率表明，声子共振散射在U掺杂氧化钍的热导率降低中起着重要的作用。
2023-03-03 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Colossal magnetooptical conductivity in doped manganites
我们发现，在掺杂锰氧化物，这是由于双极化子形成的顺磁相的载流子密度崩溃，导致在接近铁磁转变的温度下，在外部磁场的光学电导率的巨大变化。与庞磁电阻（CMR）本身，相应的磁光效应被解释为局部双极化子到移动极化子由于交换相互作用的局部Mn自旋在铁磁相的解离。该效应在低频区域为正，在高频区域为负。目前的结果与现有的实验观察。
1999-03-13 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Drude weight anisotropy in the doped iron pnictides: the primary role of orbital weight redistribution along the reconstructed Fermi surfaces
通过分析（$π$，0）自旋密度波态在$x$和$y$方向上的Drude权重，探讨了在多轨道模型中，空穴掺杂对低频电导率的影响.在电导率各向异性的减少，增加空穴掺杂，和随后的符号反转，无论是在实验中观察到的，被发现是一个共同的趋势，在这些模型。这种行为的出现是由于低能量轨道分辨态密度和费米面的几何特征的相互作用。然而，要理解电子掺杂区的各向异性，还需要更多的成分。
2018-11-20 cond-mat.str-el
Conductivity Oscillations in Current-Induced Metastable States in Low-Doped Manganite Single Crystals
在La $_{0.82}$ Ca $_{0.18}$ MnO $_3$单晶中检测到电流感生亚稳电阻率随电压变化的确定性振荡。在低于居里点的低温下，应用特定的偏置程序将晶体切换到亚稳态电阻率状态，其特征在于微分电导率的电压依赖性中出现明显的可再现和随机结构。在一定的偏置范围内，观察到等间距的宽电导率峰。振荡的电导率已被暂时归因于共振的双隧道势垒内的本征弱链接与孪晶缺陷边界的量子阱。
2002-02-18 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
In-plane anisotropy of the electronic structure for the charge/orbital-ordered state in half-doped manganite with layered structure
本文报道了半掺杂层状结构锰氧化物的自旋/电荷/轨道有序相的电子响应的面内各向异性。Eu $_{1/2}$ % Ca $_{3/2}$ MnO $_{4}$的单畴的光学电导率谱明确地显示了各向异性电荷动力学，其很好地对应于理论计算：沿锯齿形铁磁链方向极化的光学电导率在较低的能量下比垂直极化的光学电导率表现出更小的间隙和更大的强度，这主要是由于电荷/轨道有序和相关的量子干涉效应。
2006-06-05 cond-mat.str-el
Thermal Hall conductivity of electron-doped cuprates
对空穴掺杂铜氧化物的霍尔热导率的测量表明，声子在磁场中获得手征性，无论是在赝能隙相还是在莫特绝缘体态。其微观机制尚不清楚。一些理论的建议正在考虑，包括斜散射的声子的各种缺陷，耦合的声子自旋，和一个状态的回路电流秩序与适当的对称性，但更多的实验信息是需要约束的理论方案。在这里，我们介绍了我们对电子掺杂铜氧化物Nd $_{2-x}$ Ce $_x$ CuO $_4$和Pr $_{2-x}$ Ce $_x$ CuO $_4$中霍尔热导率$κ_{\rm {xy}}$的研究，对于整个相图的掺杂，从绝缘反铁磁相中的$x$ = 0，直到$x$ = 0.17，在高于最佳掺杂的金属相中。我们观察到一个大的负霍尔热导率在所有的掺杂，在这两种材料。由于垂直于CuO $_2$平面的热传导由声子主导，因此我们在电子掺杂的铜氧化物中观察到的该方向热流的大的霍尔热导率也必须归因于声子，如在空穴掺杂的铜氧化物中。与垂直于CuO $_2$平面的热流测量证实，声子是负责这个热霍尔信号，在空穴掺杂的铜酸盐。然而，在电子掺杂的铜氧化物中，手性程度（以$|κ_{\rm {xy}}$/$κ_{\rm {xx}} |$的比率测量，其中$κ_{\rm {xx}}$是纵向热导率）大得多。我们讨论了各种因素，可能涉及的机制，赋予手征铜酸盐中的声子，包括短程自旋相关。
2022-03-01 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Thermal conductivity in the doped two-leg ladder antiferromagnet Sr$_{14-x}$Ca$_{x}$Cu$_{24}$O$_{41}$
在t-J模型内，研究了掺杂双腿梯形材料Sr $_{14-x}$ Ca $_{x}$ Cu $_{24}$ O $_{41}$在低温高压下出现超导性的掺杂区的热输运.热导率$κ_{c}(ω)$的能量依赖性显示出低能峰，而热导率$κ_{c}(T)$的温度依赖性的特征在于宽带。特别是，$κ_{c}(T)$单调增加，在低温$T<0.05J$的温度增加，并在温度范围$0.05J<T<0.1J$是弱的温度依赖性，然后降低的温度$T>0.1J$，在定性与实验一致。我们的结果还表明，虽然缀饰的空穴和自旋都对热导率有贡献，但在Sr $_{14-x}$ Ca $_{x}$ Cu $_{24}$ O $_{41}$中，缀饰的自旋对热导率的贡献占主导地位.
2005-01-22 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Peculiar roles of spins in the thermal conductivity of pure and doped La_{2}CuO_{4}: Comparison with CuGeO_{3}
测量了纯La_{2}、1%空穴掺杂和1% Zn掺杂CuO_{4}单晶的面内和面外热导率（κ_{ab}和κ_{c}）。讨论了磁振子和自旋条纹在热输运中的作用。与CuGeO_{3}中的热输运相比，它显示出与La_{2} CuO_{4}相似的κ（T）行为，这给了我们一个教训，即热输运如何探测自旋基态的差异。
2003-04-25 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Scaling of THz-conductivity at metal-insulator transition in doped manganites
研究了巨磁电阻锰氧化物Pr_{0.65} Ca_{0.28} Sr_{0.07} MnO 3（PCSMO）的太赫兹电导率和介电常数随磁场和温度的变化关系，从绝缘体一侧接近金属-绝缘体转变（MIT）.在电荷有序状态下，PCSMO的电导率和介电常数都随着磁场和温度的变化而增加。在很宽的温度和磁场范围内观察到的电容率和电导率的变化之间的通用标度关系。对于不同的掺杂水平，在La_{1-x} Sr_xMnO_3中也看到类似的缩放。所观察到的比例点对纯交流导电性和声子能量尺度在麻省理工学院的锰氧化物的重要性。
2006-05-05 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Signature of Electronic Correlations in the Optical Conductivity of the Doped Semiconductor Si:P
在高掺杂但仍然绝缘的硅中，电子在低温下的输运主要是局域态之间的跳跃;它可以作为无序固体的模型系统，可以研究电子相互作用。我们研究了掺磷硅在太赫兹频率范围内（30 GHz到3 THz）低温下的频率依赖电导率$T\geq 1.8$ K.定性地观察到Efros和Shklovskii预测的从线性到二次频率依赖性的光学电导率的交叉;然而，简单的模型不会导致定量的一致性。覆盖了很大范围的施主浓度，我们的温度和频率依赖的调查显示，在低温下，局域态之间的电子相关效应发挥着重要而复杂的作用。特别是，我们发现一个超线性的电导率的频率依赖性，突出的状态密度的影响，即库仑间隙，对光学电导率。当通过增加掺杂浓度接近金属到绝缘体转变时，介电常数和局域化长度表现出临界行为。
2007-03-06 cond-mat.dis-nn cond-mat.str-el
Coexistence of high electrical conductivity and weak ferromagnetism in Cr doped Y$_2$Ir$_2$O$_7$ pyrochlore iridate
本文报道了Y-$_2$-Ir $_{2-x}$-Cr $_x$ O $_7$-焦绿石铱酸盐的结构、磁性和电输运性质。化学掺杂导致电导率的数量级增强。Cr ~（3+）在Ir ~（4+）位的引入使Ir-O ~ 6八面体畸变，抑制了反铁磁关联。X射线光电子能谱测量表明，在Y $_2$ Ir $_{2-x}$ Cr $_x$ O $_7$化合物中，Ir 4+和Ir 5+价态共存。Cr掺杂增强了Ir 5+的浓度，导致弱铁磁性和增强的导电性。一个集群玻璃样的转变，也观察到在低温下与铬掺杂，可能是由于竞争的铁磁和反铁磁相互作用。
2019-04-11 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Mott transition and collective charge pinning in electron doped Sr2IrO4
我们研究了电子掺杂Sr2IrO4的面内动态和静态电荷电导率，使用光谱和直流输运测量。光学电导率表明原始材料是具有0.55 eV的直接莫特带隙的间接半导体。在每分子式单元取代2%的La时，除了在间隙存在的材料的一小部分（15%）中之外，莫特间隙被抑制，并且总体上材料保持绝缘。而不是一个零能量模式（或德鲁德峰），我们观察到一个软集体模式（SCM），在40毫电子伏的最大宽。掺杂到10%增加了SCM的强度，并且零能量模式与金属DC电导率一起出现。进一步增加的La取代不改变光谱权重积分高达3 eV。然而，它确实导致SCM光谱权重转移到零能量模式，对于从4到300 K的所有温度，DC电阻率相应降低。零能量模式的存在表明费米表面的至少一部分在低温下保持未被覆盖，而SCM似乎是由钉扎涉及部分掺杂电子的集体冻结状态引起的。
2018-06-18 cond-mat.str-el
Charge dynamics of doped holes in high Tc cuprates - A clue from optical conductivity
利用精确的数值解和精确的远红外椭偏测量研究了弱空穴掺杂高温超导体中的电荷动力学.实验观察到的红外光谱中的两个电子带可以根据电子相关和电子-声子相互作用之间的相互作用来识别，解决了中红外带长期存在的谜团。
2008-04-03 cond-mat.stat-mech cond-mat.str-el
Optical conductivity of Mn doped GaAs
我们研究了III-V族稀磁半导体GaMnAs的光学电导率，并将我们的计算结果与现有的实验数据进行了比较。我们的模型研究是能够再现定性和定量的观测测量。我们表明，补偿（低载流子密度）导致，在协议所观察到的测量的宽峰位于约200毫电子伏的最佳退火样品的红移。非微扰处理似乎是必要的，否则将获得蓝移和不正确的振幅。通过计算Drude重量（序参量），建立了金属-绝缘体相图。我们确实发现Mn掺杂的GaAs接近金属-绝缘体转变，并且对于5 $%$和7 $%$掺杂的样品，只有20 $%$的载流子是离域的。我们发现光学质量约为2 m $_{e}$。我们也有有趣的结果过掺杂的样品，可以通过实验实现Zn共掺杂。
2010-12-09 cond-mat.dis-nn cond-mat.str-el
The anomalous metallic ferromagnetic state of Sr doped manganites
我们推导出一个模型相关的异常金属状态的Sr掺杂锰氧化物在低温下的铁磁相。它提供了一个自然的解释，实验观察到的一些异常功能，如在光学电导率的Drude贡献消失，赝能隙的态密度，在光电发射中观察到的不寻常的色散。
1999-09-16 cond-mat.str-el
Evolution of electronic structure of Ru-doped single-crystal iridiates, Sr$_2$Ir$_{1-x}$Ru$_x$O$_4$
我们研究了Ru掺杂的单晶5 $d$铱酸盐，Sr $_2$ Ir $_{1-x}$ Ru $_x$ O $_{4}$，在三个不同的掺杂浓度（$x =$ 0.07和0.10）使用光谱。未掺杂的原始化合物（Sr $_2$ IrO $_{4}$）被称为新型$J_{eff}$ = 1/2 Mott绝缘体。值得注意的是，所有三个样品的光学电导率谱表现出绝缘行为，虽然我们观察到弱德鲁德组分的光学电导率谱下降到最低温度30 K。从德鲁德组分估计的Ru掺杂的iridiates的电荷载流子密度显着小于从标称Ru掺杂浓度估计的预期值。在这里，我们提供了温度和掺杂依赖的Ru掺杂的铱酸盐的电子结构的演变。我们希望我们的研究结果将有助于理解有趣的Ru掺杂依赖的性质5 $d$铱酸盐Sr $_2$ IrO $_{4}$。
2021-10-02 cond-mat.str-el
Thermal Conductivity of Pr_{1.3-x}La_{0.7}Ce_xCuO_4 Single Crystals and Signatures of Stripes in an Electron-Doped Cuprate
最近的研究表明，各向异性声子热输运行为是La_{2-x} Sr_xCuO_4（LSCO）中条纹形成的一个很好的探针[X. F. Sun { \it等人}，B { \bf 67}，104503（2003）]。利用该探针，我们研究了电子掺杂的铜酸盐Pr_{1.3-x} La_{0.7} Ce_xCuO_4（PLCCO），发现其具有与LSCO中相同的特征。此外，轻掺杂PLCCO的面内电阻率ρ ab在Néel有序态表现出金属性（dρ ab/dT > 0），迁移率与LSCO相当.讨论了这些与LSCO相同的特殊性质，表明在电子掺杂的铜酸盐中存在条纹。
2003-12-11 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Topological response theory of doped topological insulators
将三维拓扑绝缘体（TI）的拓扑响应理论推广到金属系统，具体地说，就是具有有限体载流子密度和表面附近时间反转对称破缺场的掺杂TI.我们发现，有一个不稳定性引起的Berry相贡献的表面霍尔电导率是完全由占据状态，是独立的其他细节，如能带色散和杂质。在零体载流子密度的限制下，这种本征表面霍尔电导率降低到TI的半整数量子化表面霍尔电导率。基于我们的理论，我们预测了掺杂的拓扑绝缘体的表面霍尔电导率的行为与顶栅，它可以直接与实验进行比较。
2011-12-14 cond-mat.mes-hall cond-mat.str-el
Strong correlation effects and optical conductivity in electron doped cuprates
我们证明，铜酸盐各种光谱中归因于强相关效应的大多数特征都是通过计算结合自旋和电荷波动影响的自能来捕获的。计算了电子掺杂铜氧化物从半填充到过掺杂的全掺杂范围内的自能。的光谱函数揭示了四个子带，两个广泛分裂的非相干带代表分裂哈伯德带的残余，和两个额外的相干，自旋和电荷打扮的间隙带分裂的自旋密度波，崩溃的过掺杂制度。的非相干功能坚持高掺杂，产生剩余的莫特间隙的光谱，而在间隙状态之间的转换导致在中红外的赝间隙功能。
2008-07-26 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Variable-range-hopping conductivity of half-doped bilayer manganite LaSr$_{2}$Mn$_{2}$O$_{7}$
我们报道了半掺杂双层锰氧化物LaSr $_{2}$ Mn $_{2}$ O $_{7}$单晶的面内$ρ_{ab}$和面外$ρ_{c}$折射率的测量。在温度$T$范围为220至300 K，电阻各向异性$ρ_{c}/ρ_{ab}=A+B/T$（$A$和$B$常数），这提供了证据的可变范围跳跃导电存在的库仑间隙。该跳跃机制还解释了负磁阻$\ln [ρ_{i}(T,H,ϕ)/ρ_{i}(T,H=0)]$（$i=ab,c$）的二次磁场$H$和$\sin^{2}ϕ$依赖性，其中$ϕ$是磁场和电流之间的面内角度。
2003-06-05 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Imaginary part of Hall conductivity in tilted doped Weyl semimetal with both broken time reversal and inversion symmetry
我们考虑一个Weyl半金属（WSM）有限的掺杂和倾斜内的连续模型的时间反演和反演对称性都破缺的哈密顿量。我们计算的吸收部分的异常交流霍尔电导率作为光子能量（$Ω$）的函数的I型和II型外尔半金属。对于一个给定的外尔节点，改变其手征或倾斜的符号改变其对吸收霍尔电导率的贡献的符号，而幅度没有变化。对于一个非中心对称系统，我们发现，有范围的光子能量，只有积极的或只有消极的手征性节点有助于虚（吸收）霍尔电导率的一部分。还存在其他光子能量，其中两种手性都有贡献，并且可以存在其他$Ω$范围，其中在I型中没有与AC霍尔电导率相关联的吸收，并且在其他区域中，对于II型，它反而是恒定的。我们对圆偏振光吸收的影响进行了评论。
2018-03-14 cond-mat.mes-hall cond-mat.str-el
Superfluid density and two-component conductivity in hole-doped cuprates
虽然赝能隙主导了空穴掺杂铜氧化物的相图，将低掺杂的反铁磁母体绝缘体连接到高掺杂的奇异金属，但其起源和与超导性的关系仍然未知。为了继续下去，需要完全理解单个空穴-最初位于莫特态-如何变得移动并最终在超导圆顶的末端演变为相干准粒子。为了影响这一发展，我们检查最近的运输和光谱研究的空穴掺杂铜酸盐在其相图。在这个过程中，我们强调了一组经验之间的超流密度和空穴掺杂的铜酸盐的某些正常状态的属性，提供了新的见解出现的金属性的CuO_2平面内的超导态的鲁棒性的影响。我们得出结论认为，整体行为是最好的理解，在两个不同的载流流体，其中只有一个占主导地位的超导冷凝物，并在赝能隙端点以下的临界空穴浓度p^ \ast缺口。
2022-11-25 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Enhanced weak ferromagnetism and conductivity in hole-doped pyrochlore iridate Y2Ir2O7
烧绿石铱酸盐在凝聚态物理中具有实现新拓扑态的潜力，近年来引起了人们越来越多的兴趣。为了获得这样的量子态，理解这些化合物的磁性是非常必要的，因为它们的电子结构与它们的磁性基态是强耦合的。在这项工作中，我们报告了一个系统的研究烧绿石Y2 Ir 2 O 7及其空穴掺杂化合物的磁性进行磁，电子自旋共振，电输运，和X射线光电子能谱学（XPS）测量。我们证明了在未掺杂的化合物中，在大的反铁磁背景之上存在弱铁磁性。空穴掺杂钙被发现，以提高铁磁性和导电性。XPS分析表明，在未掺杂的化合物中，Ir 4+和Ir 5+共存，并且随着Ca的掺杂，Ir 5+的含量增加，这说明了Ir 5+形成的弱铁磁性的可能来源.我们还观察到场冷后M-H曲线的垂直移动，这可能是由于铁磁相和反铁磁背景之间的强耦合.
2015-01-04 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Electrical Conductivity in Magnesium-Doped Al_2 O_3 Crystal at Moderate Temperatures
在273 ~ 800 K温度范围内，用交流和直流电测量方法研究了含[Mg]^{0}心的Al_2O_3：Mg单晶的电导率。在低磁场下，触点阻塞。在高电场下，电流稳定地流过样品，并且I-V特性对应于具有串联电阻（体电阻）的直接偏置势垒。交流测量产生结电容值和样品电阻值，并提供完全可重现的电导率值。电导率随[Mg]^{0}浓度线性变化，热激活能为0.68 eV，与文献报道的自由空穴运动激活能一致.
2000-04-08 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.soft cond-mat.str-el
Metastable Resistivity States and Conductivity Fluctuations in Low-doped La$_{1-x}$Ca$_{x}$MnO$_3$ Manganite Single Crystals
本文研究了直流偏置La_{0.82} Ca_{0.18} MnO_{3}单晶在低温下施加电压脉冲所形成的不同亚稳电阻率状态下的电导噪声。在所有调查的电阻率状态下测得的噪声是1/f型的，其强度在高温和低直流偏置规模的偏置的平方。在液氮温度下，对于超过阈值的欠偏压，噪声的行为偏离上述准平衡调制噪声，并且以非单调的方式依赖于所施加的偏压。非平衡1/f噪声的偏置范围与电导随偏置电压线性增加的范围一致。这一特点是由于一个广泛的连续性的状态，使间接非弹性隧穿本征隧道结。非平衡噪声归因于间接的本征隧穿机制，而电阻率在亚稳态中的变化归因于由所采用的脉冲程序产生的微裂纹引入的载流子的能量景观的变化
2012-11-05 cond-mat.mes-hall cond-mat.str-el
Heat transport of electron-doped Cobaltates
在t-J模型下，基于费米子自旋理论研究了电子掺杂钴酸盐的热输运。结果表明，热导率随温度变化的特征在于位于有限温度处的低温峰。热导率在低温T $<$ 0.1 $J$下随着温度的升高而单调增加，然后在较高温度T $>$ 0.1 $J$下随着温度的升高而降低，与从Na $_{x}$ CoO $_{2}$观察到的实验结果定性一致。
2006-07-03 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Nanoscopic stripe-like inhomogeneities and optical conductivity of doped cuprates
我们提出了一种新的方法来理论描述掺杂铜酸盐类$La_{2-x}Sr_{x}CuO_4$和$YBa_2Cu_3O_{6+x}$，假设相分离和处理它作为非均匀复合材料，包含介电和金属条状纳米粒子。然后应用有效介质理论计算了$x$在宽范围内变化的$La_{2-x}Sr_{x}CuO_4$的介电常数、光学谱和EELS谱。即使对于最简单的理论版本，也已经获得了与实验的合理的半定量一致性。发现该模型能够再现薄膜的光学电导率$σ(ω)$和透射率的所有基本特征（M. Suzuki，Phys.Rev.B39，2321（1989））和本体单晶样品（S. Uchida { \it等人} B43，7942（1991））。薄膜和体样品的光吸收的光谱和掺杂依赖性的实质性差异很容易解释，如果只假设两种材料中的金属和介电区域的不同形状。在光学电导率和吸收光谱中的新峰，出现在近0.5和1.5 eV的掺杂后的中红外范围归因于几何（米氏）共振。总体而言，我们指出，所有的主要特点的掺杂效应的光学和EELS光谱的铜酸盐，包括光谱的变化伴随的绝缘体到金属的过渡可以解释，而prosaically通过认识到，掺杂的结果出现纳米级的金属条纹状液滴。
2001-03-23 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
d_{3z^2-r^2} Orbital in high-Tc cuprates: Excitonic spectrum, metal-insulator phase diagram, optical conductivity and orbital character of doped holes
采用单位点动力学平均场近似求解了一个高Tc铜氧化物超导体模型，该模型包括铜上的d_{x^2-y^2}和d_{3z^2-r^2}轨道以及相应的氧态.考虑了T（具有顶端氧）和T'（不具有顶端氧）晶体结构。在这两个阶段中，包含的d_{3z^2-r^2}轨道被发现扩大的范围内的电荷转移绝缘相的稳定性。对于相同的电荷转移能量和相互作用强度，T'相被发现是不太强的相关比T相。对于这两种结构，d-d激子被发现在电荷转移间隙。然而，对于所有物理相关的掺杂，费米面被发现只有一个片和d_{3z^2-r^2}的混合到基态波函数仍然可以忽略不计（<5%）。包含额外的轨道被发现不能解决计算和观察到的绝缘状态下的电导率之间的差异。
2011-07-14 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Thermal Hall conductivity of electron-doped cuprates: Electrons and phonons
Université de Sherbrooke（舍布鲁克大学）；Univ. Grenoble Alpes（格勒诺布尔阿尔卑斯大学）；Univ. Toulouse（图卢兹大学）；INSA-T（图卢兹国立应用科学学院）；École Polytechnique（巴黎综合理工学院）；Institut Polytechnique de Paris（巴黎理工学院）；Stanford University（斯坦福大学）；SLAC National Accelerator Laboratory（斯坦福线性加速器中心）
研究发现电子掺杂铜氧化物中声子和电子对热霍尔电导率的贡献大小相近但符号相反，表明反铁磁相关性可能在产生声子热霍尔效应中起作用。
2025-10-20 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Interlayer Conductivity in the Superconductor Tl-Ba-Cu-O: Energetics and Energy Scales
本文报道了Tl-Ba-Cu-O（Tl-2201）晶体c轴电动力学的红外光谱研究。求和规则分析揭示了谱权重的变化，可以解释为超导转变时的动能变化。在最佳掺杂的晶体中，表现出非相干的正常态响应，动能在T < Tc时降低，但在过掺杂的样品中没有发现显著的变化，其在T > Tc时具有更相干的电导率。
1999-05-12 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Electronic vs. phononic thermal transport in Cr-doped V2O3 thin films across the Mott transition
该研究通过时域热反射技术测量不同掺杂浓度、氧化学计量比、厚度及相态的铬掺杂V₂O₃热导率，发现晶格贡献主导热输运，晶相也存在强声子散射，为相关器件设计提供依据。
2024-09-16 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Enhancement of the thermoelectric properties in doped FeSb$_2$ bulk crystals
近藤绝缘体FeSb $_2$具有大的Seebeck系数，如果没有大的热导率$κ$，它将在低温热电应用中具有潜力。本文研究了高质量单晶中Fe和Sb位不同化学取代对热导率和热电效应的影响。在Sb位处Te掺杂的$5\%$处，热导率从未掺杂样品中的$\sim 250$ W/Km抑制到约8 W/Km。然而，在Fe位处的Cr和Co掺杂比Te掺杂更慢地抑制热导率，并且即使在20 $\%$ Cr/Co掺杂下，热导率仍保持$\sim 30$ W/Km。对声子散射的不同贡献的分析表明，碲对$κ$的巨抑制是由于应变场起伏引起的点缺陷散射的增强。相比之下，Te掺杂对相关效应的影响较小，然后对于小的Te取代，仍保持大幅度的塞贝克系数，导致Fe（Sb $_{0.9}$ Te $_{0.1}$）$_2$中的热电优值（$\sim 100$ K下的$ZT\sim 0.05$）增强。
2016-05-05 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Multiple nodeless superconducting gaps in optimally-doped SrTi$_{1-x}$Nb$_{x}$O$_{3}$
我们首次研究了超导SrTi $_{1-x}$ Nb $_{x}$ O $_{3}$的热导率，充分掺杂到接近其最大临界温度。由比热跃变确定的体临界温度发生在比电阻T $_{c}$低得多的温度。热导率，占主导地位的电子的贡献，偏离其正常状态的幅度在散装T $_{c}$，以下的Bardeen-Rickayzen-Tewordt（BRT）的行为，预计由Bogoliubov激发的热传输。在非常低的温度下T-线性项的缺乏排除了节准粒子的存在。另一方面，热传导率的场依赖性指向至少两个不同的超导间隙的存在。最佳掺杂的钛酸锶是一种多能隙无结超导体。
2014-09-08 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
