Andreev reflection in graphene nanoribbons
我们研究了石墨烯纳米颗粒/超导体混合结中的Andreev反射。通过使用紧束缚的方法和散射形式主义，我们表明，有限尺寸效应导致显着的差异，相对于散装石墨烯的情况。在亚带隙电压下，赝宇称守恒（表征带态的量子数）产生Andreev反射的抑制（当带在横向方向上具有偶数个位点时）或完美Andreev反射（当带具有奇数个位点时）。在前一种情况下，Andreev反射的抑制即使在结被偏置时也会引起绝缘行为;然而，电子传导可以通过施加栅极电压来恢复。
2008-06-27 cond-mat.mes-hall
Andreev reflection near the Dirac point at Graphene - NbSe2 junction
尽管广泛的搜索了大约十年，镜面Andreev反射只是最近才实现在双层石墨烯-超导体界面。然而，在单层石墨烯中，尚未观察到从典型的复古型Andreev反射到独特的镜面Andreev反射的演变。我们通过测量单层石墨烯和NbSe 2超导体的范德华界面处的微分电导来研究这种转变。通过调节费米能级和偏置能量，我们发现当我们通过狄拉克锥时，归一化电导被抑制，这表明了从复古到非复古型Andreev反射的转变。该抑制表明Andreev反射的阻挡超过入射电子相对于单层石墨烯和超导体结之间的法线的临界角。结果进行了比较与相应的设置的理论模型。
2016-06-08 cond-mat.mes-hall
Andreev reflection in monolayer MoS2
研究了单层二硫化钼超导-正常（S/N）混合结中的Andreev反射。我们发现，通过使用一个修改的狄拉克哈密顿和散射形式主义，完美的Andreev反射发生在垂直入射与$p$掺杂的S和N区域。的Andreev反射和由此产生的Andreev电导的概率，在这个系统中，被证明是大的相比，相应的带隙的石墨烯结构。我们进一步研究了拓扑项（$β)$）在哈密顿量中的作用，结果表明，在$p$掺杂的S区和N区中，拓扑项的作用使Andreev电导增强，而在相应的结构中，$n$掺杂的S区中，拓扑项的作用相对较弱.这种效应可以用Andreev反射几率对$β$的符号和超导区化学势的依赖性来解释。
2014-01-04 cond-mat.mes-hall
Specular Andreev reflection in thin films of topological insulators
从理论上揭示了在栅电场存在下，薄膜拓扑绝缘体正常超导（N/S）结中出现Andreev镜面反射的可能性。镜面Andreev反射的概率随着电场的增加而增加，并且单位效率的电子-空穴转换发生在实验可达到的宽的电场范围内。我们表明，完美的镜面Andreev反射可以发生在所有的入射角与一个特定的激发能值。此外，我们发现该结构的热导率与温度呈指数关系。我们的研究结果揭示了所提出的拓扑绝缘体薄膜为基础的N/S结构的带内镜面Andreev反射的实现的潜力。
2016-05-04 cond-mat.mes-hall
Super-Andreev reflection and longitudinal shift of pseudospin-one fermions
具有赝自旋1结构的费米子可以在凝聚态系统中作为涌现准粒子实现。在这里，我们研究其不寻常的属性在正常金属/超导体（NS）界面的Andreev反射。我们发现，不同于以前研究的pseudospin-1/2和二维电子气模型，pseudospin-1费米子表现出强烈增强的Andreev反射概率，并且值得注意的是，可以进一步调整到接近完美的Andreev反射与单位效率的所有入射角，表现出以前未知的{super-Andreev反射效应}。超Andreev反射导致NS界面的完美透明，强烈促进电荷注入到超导体中，并且直接表现为可以在实验中容易地探测的微分电导峰。此外，我们发现，相当大的纵向位移存在于正常和Andreev反射的赝自旋1费米子。与赝自旋-1/2的情况不同，在亚能隙区，无论反射是反向反射还是镜面反射，位移总是向前的。
2019-12-30 cond-mat.mes-hall
Andreev reflection tuned by magnetic barriers in superconductor contacted graphene
利用格林函数方法研究了单层和双层石墨烯中正常态-超导结的Andreev反射。在紧束缚模型下，我们研究了二维石墨烯-超导体结在镜面反射和逆反射机制下的方向依赖Andreev反射。超导混合结附近磁垒的存在引入了丰富的现象学。这样的屏障能够调整Andreev反射的优选入射角。特别地，它可以提高双层混合结构中某些入射角的镜面反射概率。当允许传输时，Andreev反射分别表现为与传输中的偏移和Fano型振荡相关联的孤立峰和不对称共振。此外，由于磁势垒内的内部散射，Andreev反射中可能出现Fabry-Pérot振荡。通过计算Blonder-Tinkham-Klapwijk公式中的微分电导，进一步研究了磁势垒对单层和双层混合界面的影响。
2013-05-06 cond-mat.mes-hall
Mechanisms of normal reflection at metal interfaces studied by Andreev-reflection spectroscopy
与非磁性正常金属接触的元素超导体的Andreev反射光谱表明，正常反射的强度变化很小。这一观察对三种可能的正反射机制施加了强烈的约束：通过电介质势垒的隧穿，由于两个电极的不同电子特性引起的反射，以及接触区域中弹性散射引起的扩散传输。我们详细讨论了费米表面失配所起的作用，代表不同的费米速度的两侧的接触界面。我们发现，它至少不是占主导地位的机制，并可能完全没有在安德烈耶夫反射过程。
2014-07-09 cond-mat.mes-hall
Quantum transport through a double Aharonov-Bohm-interferometer in the presence of Andreev reflection
本文用非平衡格林函数方法研究了Andreev反射存在下双Aharonov-Bohm干涉仪中的量子输运，得到了反射电流。详细分析了点间耦合强度和磁通量对可调Andreev反射概率的影响。发现双干涉仪的反射几率与磁通量的振荡周期与两部分磁通量之比n成线性关系，即2（n+1）π，而单干涉仪的反射几率与磁通量的振荡周期为2 π。耦合强度不仅影响Andreev反射电流峰的高度和线宽随栅电压的变化，而且使峰位发生偏移。进一步证明了Andreev反射电流峰可以通过磁通量进行调谐。
2005-11-08 cond-mat.mes-hall
Angular-dependent Andreev reflection on a polaritonic superfluid
我们研究分析模拟的Andreev反射在正常的超流界面。利用准共振光泵浦实现了超流区的极化激元带隙。相互作用的极化激元用驱动耗散的Gross-Pitaevskii方程描述。我们发现反射和透射粒子的角度和振幅的解析公式。存在极限角度和能量，在该极限角度和能量以上，Andreev反射/透射不再被观察到，并且Andreev波变成表面模式，指数地定位在界面上。通过数值求解Gross-Pitaevskii方程，在模拟中再现现实的实验条件，证实了这些属性。
2022-12-09 cond-mat.mes-hall
Andreev reflection of massive pseudospin-1 fermions
本文从理论上研究了具有$\pm U$型和$S_z$型质量项的赝自旋1狄拉克费米子的Andreev反射。对于$\pm U$型费米子，我们发现在斜入射时的Andreev反射几率甚至可以大于垂直入射时的Andreev反射几率.对于逆反射，这种斜向增强发生在$n$掺杂的$+U$型（$p$掺杂的$-U$型）大质量费米子系统中.而对于镜面反射，在$n$掺杂的$-U$型（$p$掺杂的$+U$型）体系中发生增强.对于$S_z$型质量费米子，当入射能量等于超导能隙时，在未掺杂结中预言了具有全角度单位效率的超Andreev反射.
2021-12-13 cond-mat.mes-hall
Imaging Andreev Reflection in Graphene
沿着弹道路径的相干电荷传输可以通过Andreev反射被引入石墨烯中，对于Andreev反射，电子从超导接触反射为空穴，而库珀对被传输。我们使用液氦冷却的扫描门显微镜（SGM）成像Andreev反射石墨烯在磁聚焦制度，其中载流子沿接触之间的回旋轨道移动。流动的图像是通过偏转载体路径和显示电导的变化而获得的。当电子进入超导体时，Andreev反射的空穴离开收集接触。为了测试结果，我们用大电流和加热到临界温度以上来破坏Andreev反射。在这两种情况下，反射的载流子从空穴变为电子。
2020-03-01 cond-mat.mes-hall
Spin-flip effects on the Andreev bound states and supercurrents in a superconductor/quantum-dot/superconductor system
从理论上研究了自旋翻转效应对超导体/量子点/超导体系统中Andreev束缚态和超电流的影响。量子点中的自旋翻转散射可以使流过系统的超电流发生反转，并发生一个$π$ -结跃迁。通过控制量子点的能级，使超电流反向，出现另一个$π$ -结跃迁。在Andreev束缚态的图像中解释了自旋翻转散射和点内能级对超电流的不同影响。
2005-03-27 cond-mat.mes-hall
The parity of specular Andreev reflection under mirror operation in zigzag graphene ribbon
在镜像作用下，反射振幅的奇偶性可以是偶的，也可以是奇的。到目前为止，在反射镜作用下，单模能区的反射振幅宇称都是均匀的。在本文中，我们给出了一个例子，奇宇称Andreev反射（AR）在一个三端石墨烯-超导体混合系统。我们发现，奇偶性是偶数的Andreev回射（ARR）和奇数的镜面Andreev反射（SAR）。我们将这一显著现象归因于石墨烯的能带结构的独特拓扑结构和涉及具有不同宇称对称性的两个能带的镜面Andreev反射。由于SAR的奇宇称性，即使当系统由于两个AR的量子干涉而不对称时，具有两个超导引线（两个反射界面）的四端系统的SAR概率也可以为零。
2010-11-23 cond-mat.mes-hall
Negative four-terminal resistance as a probe of crossed Andreev reflection
我们报道了超导铁磁自旋阀结构中电子输运的实验研究。我们的样品包括两个铁磁铁铅形成平面隧道接触的超导铝导线。在低于超导能隙的能量下，我们观察到一个负的四探针电阻，可以用交叉Andreev反射来解释。
2006-09-29 cond-mat.mes-hall
Spin-dependent Andreev reflection in spin-orbit coupled systems by breaking time-reversal symmetry
从理论上研究了带隙可调的时间反演对称性破缺自旋轨道耦合系统与超导体之间的结的微分电导。研究了自旋相关的Andreev反射（即子能隙输运），发现当不同质量项在能量上竞争时，Andreev反射几率随入射电子自旋的不同而有很大的差异，并进一步分析了这种自旋相关性的来源，以及电子入射角对输运自旋相关性的控制.
2018-07-23 cond-mat.mes-hall
Equal-Spin local and nonlocal Andreev reflection in altermagnet/superconductor/altermagnet junction
Hebei Normal University（河北师范大学）；Tsinghua University（清华大学）
本研究探究AM/SC/AM结中等自旋安德烈夫反射，发现奈尔矢量旋转是其直接成因，通过调控晶体取向角与奈尔矢量可实现取向依赖的常规及等自旋安德烈夫反射，为AM异质结的自旋依赖超导输运提供路径。
2026-10-12 cond-mat.mes-hall
Well-defined Fano effect in the Andreev reflection process of a parallel double-quantum-dot structure
研究了平行双量子点结构中的Andreev反射，考虑了一个金属铅和一个$s$波超导体同时耦合到量子点。研究发现，在Andreev反射的线性电导谱中，Fano线形有机会出现，通过调节点能级或局部磁通量，可以使其反转。然而，与正常的电子隧穿情况相比，Fano效应的性质非常复杂。这表现为线性电导表达式的特殊Fano形式和Feynman路径之间的干涉方式。我们相信，这项工作将有助于理解Andreev反射过程中的Fano干涉。
2018-12-07 cond-mat.mes-hall
Novel Circuit Theory of Andreev Reflection
本文综述了一种新的超导电路理论。对已有的Andreev反射电路理论进行了修正，考虑了电子与空穴之间的退相干和分布函数的双重性质。任意连接器的描述已经详细阐述。用这种方法，人们可以处理限制旧电路理论适用性的大多数因素。我们给出了一个简单的例子，并讨论了数值实现的理论。
1998-11-11 cond-mat.mes-hall
Graphene Andreev Billiards
我们研究了基于石墨烯的Andreev台球的能级，该台球由单层石墨烯片顶部的超导体区域组成。对于Andreev逆反射的情况下，我们表明，石墨烯基Andreev台球可以映射到正常的金属超导台球具有相同的几何形状。我们还导出了基于石墨烯的Andreev台球的半经典量子化规则。精确的和半经典获得的光谱同意非常好的情况下的Andreev逆反射和镜面Andreev反射。
2009-04-23 cond-mat.mes-hall
Specular-Andreev reflection and Andreev interference in an Ising superconductor junction
Graduate School of China Academy of Engineering Physics（中国工程物理研究院研究生院）；Fachbereich Physik, Universität Konstanz（康斯坦茨大学物理系）；Key Laboratory of Advanced Optoelectronic Quantum Architecture and Measurement, Ministry of Education, Beijing Institute of Technology（教育部先进光电子量子架构与测量重点实验室，北京理工大学）
研究伊辛超导体结中镜面安德鲁效应和安德鲁干涉的机制及调控方法
2025-05-02 cond-mat.mes-hall
Andreev reflection of fractional quantum Hall quasiparticles
量子多体态中的电子关联表现为边界处的特殊散射行为，其标志是金属-超导体界面处的Andreev反射。尽管在本质上是基本的，由电荷守恒定律决定，但是，到目前为止，这个过程在超导领域之外还没有类似的东西。在这里，我们报告的Andreev类似的过程，而不是超导起源于拓扑量子多体效应的观察。分数和整数量子霍尔态之间的窄结显示出超过组成分数态的两端电导。这种显著的行为，虽然在二十多年前理论上预测过，但迄今为止尚未发现，可以解释为分数带电准粒子的Andreev反射。所观察到的分数量子Hall Andreev反射提供了一个基本的图像，捕捉微观电荷动力学的拓扑量子多体状态的边界。
2021-05-19 cond-mat.mes-hall
Andreev reflection in a Y-shaped graphene-superconductor device
利用非平衡格林函数方法，在紧束缚模型下研究了Y型石墨烯-超导体器件中的Andreev反射。考虑到锯齿形和扶手椅终端，我们确认锯齿形终端是更好的选择，用于检测Andreev反射没有外部场。由于有限尺寸中心区域的边界散射，Andreev逆反射和镜面反射之间的差异很难区分。虽然通过调节器件的尺寸可以使这种差异变得明显，但是通过输运电导来定量区分它们仍然是不可能的。当在中心区域施加垂直的磁场时，入射电子和反射空穴沿边缘或界面传播，从而避免了这个问题。在这种情况下，来自不同频带的回射孔和镜面反射孔具有相反的有效质量，因此一个的移动方向与另一个相反。反射的空穴流到哪个外部终端完全取决于Andreev反射的类型。因此，在强磁场存在下，即使对于有限尺寸的器件，镜面Andreev反射也可以与回射Andreev反射明显区分。
2017-12-28 cond-mat.mes-hall
Probing Andreev reflection reach in semiconductor-superconductor hybrids by Aharonov-Bohm effect
混合纳米结构制造的最新发展允许创建结合半导体和超导体材料的量子干涉仪。我们表明，在这些纳米结构的Aharonov-Bohm效应和Andreev反射的联合现象可以用来确定电子作为一个空穴被逆反射的长度。我们建议利用这一功能探测准粒子的相干长度在超导体-超导体混合的磁导测量。
2019-01-21 cond-mat.mes-hall
Quantum Andreev effect in 2D HgTe/CdTe quantum well-superconductor systems
研究了二维HgTe/CdTe量子阱-超导体混合系统中的Andreev反射（AR）。预测了一个AR系数等于1的量化AR，这是由于混合系统界面附近的多Andreev反射。重要的是，这种量化的AR不仅是通用的，即，与任何系统参数和混合系统的耦合质量无关，它也对无序具有鲁棒性。由于这种量子Andreev效应，当外加偏压小于超导体带隙时，电导呈现量子化平台。
2010-12-14 cond-mat.mes-hall
Double Andreev reflections and double electron transmissions in a normal-superconductor-normal junction based on type-II Weyl semimetal
研究了基于第二类Weyl半金属的正常-超导-正常结的量子输运行为，该结沿Weyl半金属的倾斜方向排列。我们发现，交叉安德烈耶夫反射和正常反射都被禁止，而从半金属侧入射的电子会出现双安德烈耶夫反射和双电子传输。Andreev反射和透射同时发生在逆方向和镜面方向上，关于界面的法线对称，但具有不同的振幅，这取决于入射电子的角度和能量。这些输运过程使得这里的结与基于普通金属或石墨烯的结完全不同。此外，微分电导的实验签名进行了研究。我们发现电导几乎不受化学势的影响，并且随着结长的增加而增强。
2018-05-21 cond-mat.mes-hall
Non-local Andreev reflection through Andreev molecular states in graphene Josephson junctions
该研究提出垂直堆叠的双层石墨烯 Josephson 结结构，利用 Andreev 束缚态杂化实现 Cooper 对分裂，并证明非局域 Andreev 反射可主导微分电导且降低实验调控要求。
2023-04-22 cond-mat.mes-hall
Enhancement of crossed Andreev reflection in a Kitaev ladder connected to normal metal leads
我们研究非本地运输的两条腿Kitaev阶梯连接到两个正常的金属。当阶梯的两个腿保持在（大的）超导相位差时，两个腿之间的耦合导致子带隙Andreev态的产生。这些状态反过来又负责交叉Andreev反射的增强。我们发现，调整系统的不同参数，适当地导致交叉Andreev反射信号的增强，通过获取最负的值可能。此外，亚能隙态引起的振荡作为各种系统参数的函数，如化学势和梯形长度，这被认为是法布里-珀罗共振的结果。
2019-05-14 cond-mat.mes-hall
Andreev-reflection spectroscopy of ferromagnets: the impact of Fermi surface mismatch
我们研究了超导体（Nb，AuIn 2）和正常金属（铁磁Co，非磁性Cu）之间的点接触。用修正的BTK理论分析了观测到的Andreev反射谱。这导致了与其他人的观察一致的Co的极化，但寿命效应同样很好地描述了光谱。另一方面，与非磁性铜的光谱可以很好地描述使用自旋极化模型。偏振和寿命解释之间的模糊性提出了一个困境，可以通过考虑正常的反射在这些接口由于费米表面失配解决。我们的数据表明，在铌钴接触的Andreev反射确实提供真正的钴的磁极化，只有当寿命效应和上述提到的固有正常反射。
2011-04-29 cond-mat.mes-hall
Focused Crossed Andreev Reflection
我们考虑了具有一个超导体和两个正常金属终端的系统中的非局域输运。弱垂直磁场的电子聚焦被示出为在非局部电流响应中调整交叉Andreev反射（CAR）和电子转移（ET）之间的比率。此外，电子聚焦促进了正常金属接触之间的非局部信号，其中间隔与平均自由程一样大，而不是受超导体的相干长度限制。CAR和ET可以通过调制磁场来选择性地增强。
2010-07-27 cond-mat.mes-hall
Effect of Photon-Assisted Andreev Reflection in the Accuracy of a SINIS Turnstile
我们考虑一个混合单电子晶体管（SET），它由一个栅控的正常金属岛（N）通过两个隧道结（S-I-N-I-S）连接到两个电压偏置的超导引线（S）构成，作为一个旋转门。我们表明，该系统和它嵌入的高温电磁环境之间的光子交换增强了Andreev反射，从而限制了单电子隧穿精度。
2015-07-14 cond-mat.mes-hall
Equal-Spin Andreev Reflection in Junctions of Spin-Resolved Quantum Hall Bulk State and Spin-Singlet Superconductor
本文实验观测了InAs量子阱自旋分辨量子霍尔态与NbTi超导体结中的安德烈夫反射，通过自旋翻转介导的等自旋与常规安德烈夫反射双通道解释电导特征，证明在QH体态中诱导超导邻近能隙并发展半导体超导自旋电子学的可行性。
2017-03-09 cond-mat.mes-hall
Andreev-Fano Effect in a Hybrid Normal-Metal / Superconductor Interferometer
本文报道了一种新型的Fano效应，即Andreev-Fano效应，它发生在嵌入量子点的正常金属/超导体（N/S）混合干涉仪中。与传统的Fano效应相比，Andreev-Fano效应具有一些与Andreev反射特性有关的新特性。在线性响应状态下，线的形状是传统的Fano形状的平方;而在非线性传输中，尖锐的共振结构叠加在扩展的干涉图案上，与传统的Fano效应有质的不同。混合N/S干涉仪的相位依赖性也不同于全N或全S干涉仪。
2002-09-19 cond-mat.mes-hall
Crossed Andreev effects in two-dimensional quantum Hall systems
研究了二维导体/超导体混合系统在垂直磁场作用下的交叉Andreev效应。考虑了石墨烯/超导体混合系统和电子气/超导体混合系统。结果表明，在高磁场中，由于量子霍尔机制中的手征边缘态，可以得到唯一的交叉Andreev反射，其他Andreev反射被完全抑制.重要的是，排他性交叉Andreev反射不仅适用于宽范围的系统参数，例如，系统的尺寸、中心超导体的宽度以及石墨烯和超导体之间的耦合质量，而且对无序非常鲁棒。当外加偏压在超导带隙内时，该系统可以实现高效率的库珀对分裂过程。
2017-11-15 cond-mat.mes-hall
Andreev reflection in the fractional quantum Hall effect
我们研究了电子和准粒子在分数量子霍尔（HHH）态和正常金属（铅）之间的点接触界面上的反射，以及具有失配填充分数的两个HHH态之间的界面。我们分类的过程发生在强耦合极限的接口。在这种情况下，一组准粒子可以在结的另一侧衰变为电荷激发，而在结的另一侧衰变为准空穴。这个过程类似于正常金属/超导体（N-S）界面中的Andreev反射。
1998-06-19 cond-mat.mes-hall
Specular Andreev reflection in graphene
结合相对论性量子力学中的Dirac方程和超导学中的Bogoliubov-De Gennes方程，研究了石墨烯中正常金属-超导体界面的电子-空穴转换.我们发现狄拉克费米子的Andreev反射有几个不寻常的特征：1）电子和空穴占据能带结构的不同谷; 2）在垂直入射下，尽管界面两侧的费米波长有很大的失配，但电子-空穴转换仍以单位效率发生;最根本的是：3）远离垂直入射，反射角可以与入射角相同（回射），或者可以是反向的（镜面反射）。当正常区域的费米波长大于超导相干长度时，镜面Andreev反射在弱掺杂石墨烯中占主导地位。我们发现，从逆反射到镜面反射的过渡与减少掺杂是与反转的界面的子带隙电导的电压依赖性。
2006-05-19 cond-mat.mes-hall
Quantum plateau of Andreev reflection induced by spin-orbit coupling
在这项工作中，我们发现了一个有趣的量子平台行为的Andreev反射之间的一维量子线和超导体。通过适当地调整量子线内的自旋-轨道耦合及其与超导体的隧道耦合的相互作用来实现量子平台。通过排除与多通道量子线、具有势垒的Blonder-Tinkham-Klapwijk连续模型和在界面处具有现场杂质的晶格系统相关的情况下的可能存在，这种平台行为被证明是唯一的。
2014-10-17 cond-mat.mes-hall
Spin-filtered and Spatially Distinguishable Crossed Andreev Reflection in a Silicene-Superconductor Junction
本文从理论上研究了在交换磁场作用下，超导体与硅烯纳米粒子之间的量子输运。我们发现，对于一个狭窄的纳米尺度的硅烯，显着的交叉Andreev反射（与一个分数$>50\%$）可以诱导的弹性共隧穿的能量窗口，通过破坏系统的一些对称性。由于电子对交换场的能量响应对于相反的自旋是相反的，因此这些传输通道可以很好地自旋极化。此外，由于拓扑边缘状态的螺旋度守恒，这三个传输通道在设备的三个不同位置空间上分离，使它们在实验上是可区分的。这种交叉Andreev反射是通过消逝模式在相对边缘之间的非局域量子干涉。如果将两个不同相位的超导引线连接到硅烯纳米管的两个边缘，交叉Andreev反射可以呈现Josephson型振荡，具有最大分数$\sim 100\%$。
2016-10-25 cond-mat.mes-hall
Extraordinary Temperature Dependence of the Resonant Andreev Reflection
利用格林函数理论预测了正常金属/量子点/超导体（N-QD-S）系统中分立能级的Andreev共振反射对温度的特殊依赖性. N-QD-S中零偏压电导峰的宽度约为$\sqrt{Γ_L^2+Γ_R^2}$，并且不表现出热展宽，其中$Γ_L$和$Γ_R$是QD与引线之间的耦合强度。考虑到量子点内的库仑相互作用，Andreev反射引起的库仑阻塞振荡与N-QD-N中的有很大不同.有限的温度在零温振荡峰附近诱导出更多的共振峰，而不是热展宽。这种效应可以用来确定N-QD-S中的耦合强度和量子点能级间距。
2001-04-27 cond-mat.mes-hall
Andreev scattering and cotunneling between two superconductor-normal metal interfaces : the dirty limit
交叉Andreev反射和共隧穿发生在两个相邻的超导体-正常金属或超导-铁磁体界面之间。以前的工作假设一个干净的BCS超导体。本文将相应的交叉电导项的计算推广到脏超导体。该效应的范围被示出为相干长度$\tildeξ = \sqrt{\hbar D/Δ}$，而不是BCS相干长度$ξ_0$。此外，在三维中，代数前因子的尺度为$1/r$而不是$1/r^2$。计算涉及准粒子在超导能隙以下、正常通道和反常通道中的虚扩散几率。
2003-10-13 cond-mat.mes-hall
Effect of transport-induced charge inhomogeneity on point-contact Andreev reflection spectra at ferromagnet-superconductor interfaces
本文在改进的三维Blonder-Tinkham-Klapwijk模型框架内研究了铁磁-超导界面的输运性质。特别是，我们提出，电荷不均匀性形式通过两个独特的传输机制，即倏逝Andreev反射和倏逝准粒子传输。此外，我们考虑了电荷不均匀性对界面势垒的影响，并计算了电导作为偏压的函数。点接触Andreev反射（PCAR）光谱经常显示出凹陷结构，大的零偏压电导增强，和额外的零偏压电导峰。我们的研究结果表明，运输引起的电荷不均匀性可能是所有这些异常特征的PCAR光谱的来源。
2012-06-06 cond-mat.mes-hall
Inter-Landau-level Andreev Reflection at the Dirac Point in a Graphene Quantum Hall State Coupled to a NbSe2 Superconductor
超导性和量子霍尔效应是在明显不相容的物理条件下发生的物质的不同状态。最近的理论发展表明，量子霍尔效应与超导体的耦合可以为实现奇异的拓扑激发，如非阿贝尔马约拉纳费米子或斐波那契粒子提供肥沃的土壤。作为实现这一目标的一步，我们报告了在单层石墨烯和准二维二硒化铌（NbSe2）超导体中量子霍尔边缘态的结处观察到的Andreev反射。我们的主要发现是一个反常的有限温度电导峰正好位于狄拉克点的观察，提供了一个明确的证据间朗道水平Andreev反射在量子霍尔系统。我们的观察得到了详细的数值模拟的支持，这为边缘态在Andreev物理中的作用提供了额外的见解。这一研究为研究分数量子霍尔系统中的类Andreev反射提供了理论基础。
2018-08-31 cond-mat.mes-hall
Crossed Andreev reflection versus electron transfer in graphene nanoribbons
我们研究了三端石墨烯器件的输运性质，其中一端是超导的，两个是正常的金属。端子通过纳米带连接。电子转移（ET）和交叉Andreev反射（CAR）通过两个正常终端之间的非本地信号进行识别。得到了对称器件中的ET和CAR的解析表达式，并对非对称器件中的ET和CAR进行了数值计算。在对称器件中，ET主导CAR，但在非对称器件中，CAR可以主导ET，其中只有Z字形纳米带的零能量模式有助于输运。
2010-02-25 cond-mat.mes-hall
Andreev reflection and subgap conductance in monolayer $MoS_2$ ferromagnet/$s$ and $d$-wave superconductor junction
精确地得到了单层二硫化钼超导体的电子空穴激发态和相应的类狄拉克旋量的正确形式。从系统动力学的角度精确地研究了$MoS_2$基铁磁超导（F/S）结中的Andreev反射及其子带电导。由于价带中的自旋分裂能隙和非简并的$K$和$K'$谷，铁磁交换能$σh$可以导致属于不同谷的自旋上和自旋下载流子之间的Andreev过程的不同行为。化学势必须固定在一个确定的范围内，以便发生逆安德烈耶夫反射。给定的单粒子超导双旋能使我们能够明确地涉及电子-空穴转换下的各向异性超导能隙$Δ_S$，即，发生在$d$ -波对耦合中。这种差距的效果是准确地解释在界面上的电子入射角的Andreev过程的依赖性。
2015-12-05 cond-mat.mes-hall
Andreev reflection and Klein tunneling in graphene
这是一个学术讨论会式的介绍两个电子过程中的碳单层（石墨烯），每一个都有一个类似的相对论量子力学。这两个过程都通过超导对势或静电势的作用耦合类电子和类空穴状态。第一个过程，Andreev反射，是在与超导体的界面处的电子到空穴的转换。第二个过程，Klein隧穿，是穿过pn结的隧穿。从统一的角度讨论了石墨烯中的约瑟夫森结和双极结的现有和拟议的实验。内容：一、导言石墨烯基本物理（狄拉克方程;时间反演对称性;边界条件;伪扩散动力学）III. ANDREEV REFLECTION（电子-空穴转换;回复反射与镜面反射; Dirac-Bogoliubov-de Gennes方程;约瑟夫森结;进一步阅读）IV. KLEIN隧道效应（无背散射;双极结;磁场效应;进一步阅读）V.类比（NS和pn结之间的映射;逆反射与负折射;依赖于谷同位旋的量子霍尔效应;赝超导）
2008-01-29 cond-mat.mes-hall
Full Counting Statistics of Multiple Andreev Reflections in incoherent diffusive superconducting junctions
我们提出了一个理论的非相干扩散超导结中的电流波动的全部分布，受到电压偏置。这种非相干多次Andreev反射的全计数统计理论对任意外加电压都是有效的。我们提出了一个详细的讨论的前四个累积量的属性，以及低电压和高电压制度的全计数统计。这项工作是Pilgram和作者Phys. Rev. Lett的结果的延伸。94，086806（2005）中所述。
2007-12-10 cond-mat.mes-hall
Andreev reflection at half-metal-superconductor interfaces with non-uniform magnetization
在半金属铁磁体和自旋单重态超导体之间的界面处的Andreev反射只有在伴随着自旋翻转时才是可能的。在这里，我们计算Andreev反射振幅的情况下，自旋翻转起源于一个空间非均匀的磁化方向在半金属。我们计算的微观Andreev反射振幅为一个单一的反射事件和一个有效的Andreev反射振幅描述多个Andreev反射在弹道薄膜几何形状的效果。结果表明，Andreev反射振幅的角度和能量依赖性强烈依赖于相对于界面的磁化强度的梯度的方向。建立在这里采用的散射方法和早期的工作，采用准经典形式主义之间的连接，我们连接的Andreev反射振幅的对称性的对称性的异常格林函数的半金属。
2010-09-16 cond-mat.mes-hall cond-mat.supr-con
Anisotropic Andreev reflection in semi-Dirac materials
在Bogoliubov-de Gennes方程的框架下，我们从理论上研究了基于半狄拉克材料的正常超导结中的Andreev反射。由于半狄拉克材料的本征各向异性，Andreev反射和微分电导的位形与取向有很强的依赖性。对于沿线性色散方向的输运，微分电导表现出明显的交叉从逆Andreev反射镜面Andreev反射与偏置电压的增加，和微分电导振荡没有衰减的轮廓时，界面势垒强度的增加。然而，对于沿二次色散方向的输运，逆Andreev反射和镜面Andreev反射之间的边界是模糊的，微分电导随动量失配或界面势垒强度的增加而衰减。我们说明了伪自旋纹理，揭示背后的各向异性相干输运性质的物理基础。这些结果丰富了对半狄拉克材料中超导相干输运的理解。
2021-01-05 cond-mat.mes-hall cond-mat.supr-con
Crossed Andreev reflection in a d-wave superconductor with two quantum point contacts
我们从理论上研究了由d波超导体和两条普通金属量子线组成的混合纳米结构中的交叉Andreev反射。当超导体的（110）取向表面与平行且彼此靠近放置的导线接触时，通过交叉Andreev反射形成Andreev束缚态。当接触势垒足够大时，在间隙结构下方的电导中出现两个尖锐的峰，它们来自成键和反键Andreev束缚态。我们建议这些Andreev束缚态形成一个二能级量子系统（qubit）。
2004-01-08 cond-mat.mes-hall cond-mat.supr-con
Magnetoanisotropic Andreev Reflection in Ferromagnet/Superconductor Junctions
铁磁/超导结的Andreev反射谱是研究铁磁/超导结自旋极化的重要手段。我们从理论上研究了在存在Rashba和Dresselhaus界面自旋轨道场的情况下FS结中的自旋极化输运，并表明Andreev反射可以通过改变磁化方向来控制。我们预测一个巨大的在和出平面的结电导的磁各向异性。如果铁磁体是高度自旋极化的-在半金属极限-磁各向异性Andreev反射普遍依赖于自旋轨道场。结果表明，Andreev反射光谱可以灵敏地探测FS结中的界面自旋轨道场。
2015-09-23 cond-mat.mes-hall cond-mat.supr-con
Andreev reflection through Fano resonances in molecular wires
本文用第一性原理方法研究了正常导体-分子-超导体结中的Andreev反射。特别是，我们专注于一个家庭的分子组成的分子骨架和弱耦合侧基。我们表明，侧基的存在下，可以导致Fano共振的Andreev反射。我们使用一个简单的理论模型来解释数值计算的结果，并作出预测的Andreev反射系数的可能的子隙共振结构。
2008-11-06 cond-mat.mes-hall cond-mat.supr-con
Full counting statistics of crossed Andreev reflection
我们计算了一个超导源和两个正常金属或铁磁漏的三端隧道器件中的全输运计数统计。我们从直接Andreev反射、交叉Andreev反射和电子转移中获得了传输概率分布，揭示了这些过程的统计是如何由器件电导决定的。互相关噪声是来自交叉Andreev反射和电子转移以及由于泡利不相容原理引起的反聚束的竞争贡献的结果。对于自旋激活的隧道势垒，自旋激活的电子流，交叉Andreev反射和电子转移统计表现出不同的依赖于磁化结构，并可以通过相对磁化方向和电压偏置控制。
2009-01-22 cond-mat.mes-hall cond-mat.supr-con
Incomplete Andreev reflection in a clean Superconductor/Ferromagnet/Superconductor junction
本文研究了任意大自旋极化下洁净超导体-铁磁体-超导体结中的约瑟夫森效应。在干净的铁磁体-超导体界面处的Andreev反射是不完整的，并且具有大入射角的Andreev通道随着交换能量的增加而逐渐被抑制。其结果是，临界电流表现出振荡作为交换能和铁磁体的长度的函数，并具有偏离由准经典理论预测的温度依赖性。
2004-05-26 cond-mat.mes-hall cond-mat.supr-con
Quantum interference due to crossed Andreev reflection in a d-wave superconductor with two nano-contacts
理论研究了d波超导体和两条量子线组成的混合纳米结构中的交叉Andreev反射。当超导体的（110）取向表面与平行且彼此靠近放置的导线接触时，通过交叉Andreev反射形成Andreev束缚态。在隧道接触的情况下，电导具有远低于间隙结构的两个共振峰。这些峰来自空穴波函数的成键和反键Andreev束缚态。
2006-04-29 cond-mat.mes-hall cond-mat.supr-con
Crossed Andreev reflection in a graphene bipolar transistor
我们研究了由窄超导体连接的两个石墨烯引线之间的交叉Andreev反射。当引线分别为n型和p型时，我们发现电子弹性共隧穿和局部Andreev反射都被消除，即使在没有任何谷同位旋或自旋极化。我们进一步预测对角电导和交叉电导的振荡作为石墨烯-超导体界面之间距离的函数。
2008-03-06 cond-mat.mes-hall cond-mat.supr-con
