Thermally activated Hall creep of flux lines from a columnar defect
我们分析的热激活脱钉的弹性字符串（线张力$ε$）霍尔动力学从一个圆柱形的缺陷建模为一个深度$V_{0}$为一个小的外力$F.$的情况下，一个有效的一维场的哈密顿量推导出，以描述二维字符串的运动。在高温下，衰减速率与$F^{{5}/{2}}T^{-{1}/{2}} \exp{\left [{F_{0}}/{F}-{U(F)}/{T}\right ]},$成比例，其中$F_{0}$是临界力的常数，$U(F) \sim{\left ({εV_{0}})}^{{1}/{2}}{V_{0}/{F}}$是活化能。结果被应用到超洁净超导体中的柱状缺陷钉扎的涡旋。
1998-02-02 cond-mat.supr-con
Critical fields, thermally-activated transport and critical current density of beta-FeSe single crystals
我们提出了临界场，热激活磁通（TAFF）和临界电流密度的四相β-FeSe单晶。H的上临界场Hc ~ 2（T）||（101）和H \bot（101）几乎是各向同性的，并且可能受Pauli极限过程控制。所得到的大的Ginzburg-Landau参数k \sim 72.3（2）表明β-FeSe是具有比Fe（Te，Se）更小的穿透深度的II型超导体。低于Tc时的电阻率遵循Arcidius TAFF行为。对于这两个领域的方向低于30 kOe单一涡钉扎是占主导地位，而集体蠕变成为重要的30 kOe以上。由M-H环得到的H的临界电流密度Jc||（101）的尺寸比H \bot（101）的尺寸大5倍，但比其他铁基超导体的尺寸小得多。
2011-08-01 cond-mat.supr-con
Thermally-activated dynamics of spontaneous perpendicular vortices tuned by parallel magnetic fields in thin superconducting films
我们报告的磁输运测量的超导锗（MoGe）膜的厚度$d$ =50 nm的平行磁场，并显示从迈斯纳状态的过渡到电阻状态的自发垂直涡旋产生的热波动高于一定的温度$T>T_v(B)$的证据。这里$T_v$似乎与涡核爆炸条件$d\approx 4.4ξ(T_v)$相匹配，其中$ξ$是相干长度。对于$T>T_v$，我们观察到非线性电流-电压（$IV$）响应（低电流下为欧姆，较高$I$下为幂律$V\propto I^β$）与$B^2$呈指数关系。我们提出了一个模型，在$T>T_v$的电阻状态是由于热激活跳跃的自发垂直涡调谐的成对破坏效应的平行$B$。关键词：涡旋，涡旋，通量，通量格，混合态，下临界场
2015-10-12 cond-mat.supr-con
Directional-dependent thermally activated motion of vortex bundles and theory of anomalous Hall effect in type-II conventional and high-Tc superconductors
本文根据涡旋束的热激活运动理论，研究了第二类常规超导体和高温超导体的反常霍尔效应。结果表明，只要满足一定的条件，Hall反常对II型常规超导体和高温超导体以及超导块材和薄膜都是普遍存在的。我们发现，涡旋束的方向相关势垒使Hall和纵向磁势重整化，超导体的Hall反常是由Magnus力和涡旋束的随机集体钉扎力之间的竞争引起的.我们还发现，反常霍尔效应的区域包括两个区域：小涡束的热激活运动区域和大涡束的热激活运动区域，它们被准有序-无序一级相变的轮廓或涡旋系统的峰值效应所分隔。计算了II型超导薄膜和块体材料的霍尔和纵向磁电阻率随温度和外加磁场的变化。还研究了发生双反号或再入现象的条件。计算结果与实验结果一致。
2007-11-15 cond-mat.supr-con
Magnetochiral anisotropy of thermally activated phase slips in noncentrosymmetric superconductors
University of Wisconsin–Madison（威斯康星大学麦迪逊分校）
该研究建立了非中心对称超导导线中热激活相滑移的理论，揭示其电阻具有磁手性各向异性，源于与超导二极管效应相同的Lifshitz不变量导致的势垒不对称性，并通过普适比率与二极管效率关联。
2026-09-09 cond-mat.supr-con
Thermally-Activated Epitaxy of NbO
California Institute of Technology（加州理工学院）
本研究通过高温激活 epitaxy 方法在超过1000摄氏度下生长NbO薄膜，展现优异的结构和输运性质，提出NbO的原型电学性质，证明高温在难熔金属化合物薄膜合成中的有效性。
2026-01-22 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.supr-con
Doping dependence of the upper critical field, superconducting current density and thermally activated flux flow activation energy in polycrystalline CeFeAsO1-xFx superconductors
我们报告的结果，从电阻率和磁性测量多晶铈oxypnictide（CeFeAsO 1-xFx）样品，其中x从0.13到0.25。我们发现，轨道极限场高达150 T，它系统地减少增加掺杂。Maki参数在整个相图中大于1，并且大的Maki参数表明轨道和泡利限制效应有助于上临界场。电阻率数据中超导转变的加宽使用热激活磁通流（TAFF）模型来解释，其中我们发现TAFF激活能U 0（B）从1 T到高场与B^{-（γ）}成比例，并且（γ）不随掺杂而显著改变。然而，U 0和超导临界电流Jc在中等掺杂区域（x = 0.15至x = 0.20）达到峰值，而不在低掺杂（x < 0.15）或高掺杂（x > 0.20）区域。此外，U 0与Jc相关，并遵循颗粒样品的双流体模型。
2014-10-24 cond-mat.supr-con
Anisotropy of upper critical fields and thermally-activated flux flow of quenched KxFe2-ySe2 single crystals
我们报道了淬火KxFe_（2-y）Se_（2-x）的上临界场μ_（0 H_c）~ 2（T）的各向异性和热激活磁通流（TAFF）行为。尽管后退火和淬火过程提高了超导体积分数，但它对H//c和H//ab的上临界场的影响很小。电阻率ρ ab（theta，H）的角度依赖性分析表明，它遵循基于各向异性Ginzburg-Landau（GL）理论的标度律，各向异性γ（T）随温度的降低而增大，在27 K时γ（T）~ 3.6。淬火样品的电阻率在两个磁场方向上都表现出Arrhenius TAFF行为。热激活能U 0（H）的场依赖性意味着集体磁通蠕动在高场中占主导地位，点缺陷是该区域的主要钉扎源。
2011-10-24 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.supr-con
Thermally-activated current transport in MgB_2 films
报道了两种不同c轴织构MgB_2超导薄膜在不可逆场以上的热激活磁通流（TAFF）电阻率。在不同的垂直磁场0 < B < 9 T和5 ~ 40 K温度下的输运测量表明，TAFF的欧姆电阻率符合阿克里先乌斯定律，其激活能与磁场的平方相关。我们对MgB_2陶瓷样品的输运测量也显示了TAFF行为，但没有显示U（T，B）的二次场依赖性。我们解释我们的结果在热激活漂移预先存在的淬火位错的涡旋晶格。我们的研究结果表明，热涨落可以是必不可少的，在确定的不可逆场在MgB 2虽然在很小程度上比高温超导体。
2004-06-12 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Upper critical field, critical current density and thermally activated flux flow in CaFFe0.9Co0.1As superconductor
本文报道了CaFFe_（0.9）Co_（0.1）As超导体的合成、结构、转变温度、上临界场、临界电流密度和热激活磁通。在23 K时，Co取代Fe原子产生超导电性，用Werthamer-Helfand-Hohenberg公式估算其上临界场为102 T。在1 T和9 T磁场下，磁通流激活能（U 0/kB）分别为3230 K和4190 K。在2K时，零磁场和6 T磁场下的J_c分别约为4 × 10 ~（^3）A/cm ~ 2和0.3 × 10 ~（^3）A/cm ~ 2。透射电子显微镜分析表明，在大部分的晶粒周围，这是可能存在的形式，在这种化合物的非晶和弱连接晶界的非晶区域。似乎大部分电流被未对准的晶粒、无定形晶界和杂质阻碍，这些总是在晶粒之间发现。弱连接颗粒和它们的弱钉扎颗粒间约瑟夫森涡旋的存在是导致低Jc和电阻率的Arrhenius温度依赖性的原因
2012-02-13 cond-mat.supr-con
Flux pinning mechanism in NdFeAsO0.82F0.18 superconductor: Thermally activated flux flow and charge carrier mean free path fluctuation pinning
本文详细研究了高压下制备的NdO_（0.82）F_（0.18）FeAs超导体的磁通钉扎机制，其临界温度为51 K。在高达13 T的磁场中测量了磁化强度的场依赖性和磁阻率的温度依赖性。在集体钉扎模型中分析了临界电流密度Jc（B）的场依赖性。一个交叉场，Bsb，从单涡到小涡束钉扎制度进行了观察。Bsb（T）的温度依赖性与δ-1钉扎机制很好地一致，即，与电荷载流子平均自由程L中的波动相关的钉扎。电阻转变展宽的分析表明，热激活磁通流被认为是负责在Tc附近的电阻率的贡献。激活能U_0/kB在低场下为2000 K，在宽场范围内为B（-1/3）。结果表明，当H > 8 T时，NdO_（0.82）F_（0.18）FeAs比Bi-2212和MgB_2具有更强的本征钉扎。
2008-06-08 cond-mat.supr-con
Temperature and field dependence of thermally activated flux flow resistance in Bi2Sr2CaCu2O8+δ superconductor
本文研究了用溶胶-凝胶法合成的不同Bi_2Sr_2CaCu_2 O_（8 +δ）超导样品在超导转变（Tconset-TcR =0）区电阻率随磁场变化的温度特性。通过简单地提高最终烧结温度，所研究的样品的超导转变温度（TcR=0）从32 K提高到82 K，同时改善了晶粒形貌。另一方面，转变的加宽随着烧结温度的降低而显著增加;这是因为Tconset不受晶粒形态的影响。在磁场下观察到超导转变的进一步加宽，这是基于低于超导转变温度（Tc）的热激活磁通流（TAFF）来解释的。TAFF活化能（U 0）是使用样品在磁场存在下的电阻展宽来计算的。TAFF活化能的温度依赖性显示所有样品的线性温度依赖性。此外，所有样品的磁场依赖性均服从幂律，且负指数随烧结温度的升高或不同Bi-2212样品晶粒形貌的改善而增大。我们认为，烧结温度和随后的晶粒形态的作用是一个关键的问题要解决的情况下，铜酸盐超导体。
2012-05-17 cond-mat.supr-con
Thermally-Activated Phase Slips in Superfluid Spin Transport in Magnetic Wires
我们在理论上研究了热激活的相位滑移在超流自旋输运中的易平面磁线内的随机Landau-Lifshitz-Gilbert现象，它平行于Langer-Ambegaokar-McCumber-Halperin理论在超导导线中的热阻。为此，我们从获得自由能极小值和鞍点的精确解开始。我们提供了一个解析表达式的相位滑移率在零自旋电流的限制，其中包括详细的分析在极值的自由能的自旋波动。提出了一种磁电电路的实验装置，其中热相位滑移可以通过测量非局部磁阻来推断。
2015-09-02 cond-mat.mes-hall cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Thermally Assisted Flux Flow in MgB2 : Strong Magnetic Field Dependence of the Activation Energy
研究了MgB_2薄膜电阻转变展宽的原因。热激活磁通流被认为是负责在Tc附近的电阻率的贡献。讨论了观测到的异常强磁场与磁通运动激活能的关系。
2004-06-02 cond-mat.supr-con
Exploring Room-Temperature Superconductivity in Narrow Energy Gap Semiconductors through Thermally Excited Electrons
该研究探索窄能隙半导体中热激发电子对超导的作用，提出无需重掺杂的室温超导新机制，分析了能隙宽度与温度对载流子浓度及超导行为的影响。
2023-08-26 cond-mat.supr-con
Current Assisted, Thermally Activated Flux Liberation in Ultrathin Nanopatterned NbN Superconducting Meander Structures
我们目前的结果从一个广泛的研究由溅射NbN超导纳米线的波动现象。纳米线被制成曲折的形式，并在恒温T~0.4Tc（0）下工作。超导态被驱动接近电子相变附近的临界一个高偏置电流。足够强度的波动暂时驱动曲折结构的一部分进入正常导电状态，这可以被记录为纳秒持续时间的电压脉冲。我们考虑了三种不同的模型（涡反涡对，涡边缘障碍和相滑移中心）来解释实验数据。只有热激发的涡，无论是通过解开的涡-antivortex对或涡克服边缘障碍，导致一个令人满意的和一致的描述所有的测量。
2009-11-10 cond-mat.mes-hall cond-mat.supr-con physics.ins-det
Upper critical field and thermally activated flux flow in single crystalline Tl$_{0.58}$Rb$_{0.42}$Fe$_{1.72}$Se$_2$
通过测量脉冲磁场（$\sim$ 60 T）和直流磁场（$\sim$ 14 T）下的电阻率，确定了T1 $_{0.58}$ Rb $_{0.42}$ Fe $_{1.72}$ Se $_2$单晶的上临界场$μ_0H_{c2}(T_c)$。发现$\textbf{H}$、$\parallel$、$c$的$H_{c2}$随温度的降低而线性增加，达到$μ_0H_{c2}^{\textbf{H}\parallel c}(0\textrm{K})\simeq60$ T。另一方面，对于$\textbf{H}$ $\perp$ $c$（$μ_0H_{c2}^{\textbf{H}\perp c}$（18 K）$\simeq$ 60 T），观察到具有强凸曲率的较大$μ_0H_{c2}(0\textrm{K})$。该化合物在$T_c$周围显示出中等的上临界场各向异性，但随着温度的降低而降低。基于Werthamer-Helfand-Hohenberg（WHH）方法的上临界场分析表明，$μ_0H_{c2}(0\textrm{K})$对$\textbf{H}$ $\parallel$ $c$是轨道限制的，但自旋顺磁性效应对$\textbf{H}$ $\perp$ $c$的对破缺可能起重要作用.所有这些实验观察结果都与铁磷属元素化物超导体非常相似，表明铁基超导体的统一方案。此外，超导转变显着扩大后，施加磁场，表…
2012-02-15 cond-mat.supr-con
Hyperactivated resistance in TiN films on the insulating side of the disorder-driven superconductor-insulator transition
我们调查的绝缘相，形成在氮化钛薄膜中的无序驱动的超导体-绝缘体转变的附近。在零磁场中，电阻随温度的变化呈现出一系列不同的区域，温度从对数态过渡到激活态，其间存在变程跳跃压缩。在低于2 T的垂直磁场中，热激活制度保持在中间温度，而在超低温下，电阻增加速度比热激活型。这表明导电性的机制发生了变化。我们发现，在较高的磁场下，热激活行为消失，磁阻等温线向接近量子电阻h/e ^2的值饱和。
2009-02-02 cond-mat.mes-hall cond-mat.supr-con
Charge 2e Boson Underlies Two - Fluid Model of the Pseudogap in Cuprate Superconductors
从掺杂莫特绝缘体的有效低能理论出发，我们证明了欠掺杂区的有效载流子密度符合双流体描述。也就是说，它具有不同的与温度无关的热活化组分。我们确定的热激活组件作为一个空穴和电荷2e玻色子，这自然发生在有效理论的束缚态。这种状态的热激活解束缚导致奇怪的金属和随后的$T-$线性电阻率。我们发现，掺杂的结合能的依赖性是在很好的协议与实验确定的赝能隙尺度在铜氧化物超导体。
2009-06-10 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Upper critical fields and thermally-activated transport of Nd(O_0.7F_0.3)FeAs single crystal
本文测量了Nd（O_0.7F_0.3）FeAs单晶在45 T和60 T强直流和脉冲磁场中的电阻率和上临界磁场H_c2。我们发现H_c2的场标度与高T_c铜酸盐的~100 T相当。平行于c轴的H_c2（T）表现出明显的向上弯曲，类似于从多晶样品的早期测量中提取的。因此，这种行为实际上是氧磷族化合物的内在特征，而不是涡旋晶格熔化或粒度的表现。H_c2的取向依赖性显示出偏离单带Ginzburg-Landau标度。随着温度的降低，质量各向异性从44 K时的9.2降低到34 K时的5。自旋相关的磁阻和霍尔系数的非线性表明，从电子-电子相互作用修改的无序联想到稀磁半导体的导电性的贡献。在T_c以下但在不可逆场以上测得的欧姆电阻率在4- 50年内表现出明显的阿仑尼乌斯热激活行为。激活能对H有非常不同的场依赖性||ab和H \perp ab.我们讨论在何种程度上不同的配对方案可以体现在所观察到的行为的H_{c2}，使用双带模型的超导。结果表明顺磁效应对H_c2（T）的重要性，根据H_c2（T）在T_c附近向低温外推的结果，与H_c2（0）~200-300 T相比，顺磁效应可能使H_c2（0）显著降低。
2008-10-14 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Vortex glass-liquid transition and activated flux motion in an epitaxial, super-conducting NdFeAs(O,F) thin film
用分子束外延技术在Tc = 44.2 K的MgO单晶上生长了90 nm厚的NdFeAs（O，F）薄膜，研究了可能的涡旋玻璃-液体转变。的电压-电流特性表现出良好的可扩展性，根据涡旋玻璃模型的静态临界指数约为1.35和温度依赖的动态指数z从7.8增加到9.0的调查温度范围。在三维涡旋玻璃、热激活磁通运动和不均匀性加宽的框架内讨论了大的和非恒定的z值。
2019-01-08 cond-mat.supr-con
Melting through Barrier-Crossing: The Role of Equilibrium Thermally Activated Particles
本研究通过关注能量超过特征势垒的平衡热激活粒子分数，提出晶体熔化的统一判据：当该分数超过约10^-4至10^-3的临界阈值时晶体失去刚性，调和了Born力学不稳定性与Lindemann位移概念，并适用于超导体涡旋晶格和量子晶格系统。
2025-01-28 cond-mat.stat-mech cond-mat.supr-con
