This paper deals with the physics of monolayer graphite, with a particular focus on the electronics and structural properties. In contrast to the previous electronic band structure of doped single-walled carbon nanotube calculation, where just a ballistic graphite plate is considered, here for the carbon bonds length alteration is calculated in terms of hole doping. It is found that doped holes play crucial roles on the bond structure compared to that obtained no doping configurations and it changes as hole doping increasing.
Enrichment of rhombohedral stacking by mechanical exfoliation of graphite
Hungarian Research Network, Centre for Energy Research（匈牙利研究网络能源研究中心）；MTA - HUN-REN EK Lendület “Momentum” Topology in Nanomaterials Research Group（MTA-HUN-REN EK Lendulet“动量”纳米材料拓扑研究组）；Óbuda University（奥比乌斯大学）；Budapest University of Technology and Economics（布达佩斯技术与经济大学）；ELTE Eötvös Loránd University（罗兰大学）
Fabrication and characterization of InSb nanosheet/hBN/graphite heterostructure devices
制备了半导体InSb纳米片/六方氮化硼（hBN）/石墨三层结构，并实现了由三层结构制成的单栅和双栅器件，并进行了表征。在三层装置中采用的InSb纳米片是外延生长的、独立的锌晶体，并且横向尺寸为微米。通过剥离获得hBN和石墨薄片。每个三层通过使用自制的对准堆叠/转移装置在hBN薄片和石墨薄片上连续堆叠InSb纳米片来制成。所制造的单和双栅极器件的特征在于通过电和/或磁输运测量。在所有这些器件中，石墨和hBN薄片被用作底栅和栅衬。对所制备的单底栅场效应器件的测量表明，器件中InSb纳米片的电子场效应迁移率为~7300 cm $^2$ V $^{-1}$ s $^{-1}$，在1.9 K时栅滞后为~0.05 V。双栅霍尔栅器件的测量结果表明，顶部和底部的栅极表现出很强的电容耦合到InSb纳米片沟道，从而可以有效地调整纳米片沟道传导。在霍尔条器件的InSb纳米片中的电子霍尔迁移率被提取为大于1.1 $\times$ 10 $^4$ cm $^2$ V $^{-1}$ s $^{-1}$，在~6.1 $\times$ 10 $^{11}$ cm $^{-2}$和1.9 K的片电子密度下，并且因此，该器件表现出明确的舒布尼科夫-德哈斯振荡。
The Atomic and Electronic structure of 0° and 60° grain boundaries in MoS2
我们研究了单层MoS_2中两个不同晶粒之间的相对夹角为0和60度时晶界的原子和电子结构。在石墨和六方氮化硼薄片上化学气相沉积生长形成了具有特定相对角度的晶界; MoS 2和薄片之间的范德华层间相互作用限制了相对角度。通过扫描隧道显微镜和光谱测量，我们发现在0度晶界的情况下，两个不同的MoS 2晶粒之间实现了完美的缝合结构。我们还发现，即使在完全缝合的结构，价带最大值和导带最小值显示出显着的蓝移，这可能是由于在边界处的晶格应变。
