Quantum Spin Hall and Quantum Anomalous Hall States Realized in Junction Quantum Wells
量子自旋霍尔态和量子反常霍尔态都是量子物质的新态，具有广阔的应用前景。我们提出包括II-VI、III-V或IV半导体的结量子阱作为实现量子自旋霍尔态的一大类新材料。特别地，我们发现量子自旋霍尔态的体带隙可以大到0.1 eV。此外，磁性掺杂还可以在带反转区产生带边奇异性，从而在量子阱中产生铁磁性，实现量子反常霍尔态。
2014-02-20 cond-mat.mes-hall
Extrinsic anomalous Hall conductivity of a topologically nontrivial conduction band
量子反常霍尔效应是实现无耗散输运器件的关键一步，其特征在于具有强自旋-轨道耦合的铁磁绝缘体中的整数量子化霍尔电导。本文研究了当费米能级与量子反常霍尔系统的拓扑非平凡导带相交时，由于杂质散射引起的反常霍尔效应，即非本征反常霍尔效应.两个主要的外在贡献，侧跳和斜散射霍尔电导率，计算使用的图形技术，其中同时考虑到的电磁散射和磁散射。侧跳霍尔电导率在非平凡相的临界片载流子密度处改变其符号，而平凡相的侧跳霍尔电导率保持符号不变。用实际参数估计的临界片状载流子密度在实验可达到的范围内。结果表明，在良金属区可以发现量子反常霍尔系统。
2013-08-28 cond-mat.mes-hall
The anomalous Hall conductivity due to the vector spin chirality
本文从理论上研究了$s$ - $d$模型中由于局域自旋携带的矢量自旋手征所引起的反常霍尔效应。我们将证明，矢量自旋手征确实诱导局部霍尔效应的存在下，电子自旋极化，而全球霍尔效应消失，如果电子输运是均匀的。这种反常的霍尔效应可以用与矢量手征相关的自旋电流的旋转分量来解释。
2008-11-06 cond-mat.mes-hall
Spin Imbalanced anomalous Hall effect and Magnus Hall effect of Bilayer Silicene
硅烯被认为具有多个拓扑相，这取决于环境参数，如门控电压和邻近感应交换场。两种典型的拓扑相是量子自旋霍尔相和量子反常霍尔相。我们发现，在反铁磁交换场和（或）门控电压的存在下，双层硅烯具有两个自旋的Chern数的符号和大小都不同的拓扑相，即两个自旋的反常霍尔效应不平衡.拓扑相位是通过三重带反转产生的，该三重带反转通过$\pm3$改变上带和下带的陈数。相位宿主大反常自旋霍尔响应。同时，由于双层硅烯在三带反转区附近存在较大的三角翘曲，因此Magnus霍尔效应较大。这一发现丰富了双层硅烯作为自旋电子器件候选材料的拓扑体系。
2019-12-05 cond-mat.mes-hall
Self-generated spin-orbit torque driven by anomalous Hall current
本文发现铁磁导体中由反常霍尔电流驱动的巨自旋轨道力矩，其幅度足以抵消磁阻尼并实现微波纳米振荡器，且在耦合振荡器阵列中具独特优势。
2024-01-10 cond-mat.mes-hall
Anomalous Hall effect in ferromagnetic semiconductors
本文提出了铁磁（Mn，III）V半导体反常霍尔效应的理论。我们的理论涉及到一个均匀的铁磁体的异常霍尔电导的Berry相获得的准粒子波函数后，穿越封闭的路径上的自旋分裂费米表面的铁磁状态。它同样适用于任何巡回电子铁磁体。我们的理论和实验数据之间的定量协议在（In，Mn）As和（Ga，Mn）As系统表明，这种无序独立的贡献异常霍尔电导率占主导地位的稀磁半导体。
2001-10-22 cond-mat.mes-hall
Vorticity-induced anomalous Hall effect in electron fluid
我们发展了一个流体动力学理论的电子系统表现出异常的霍尔效应，并表明，一个额外的异常霍尔效应是由边界附近产生的涡诱导。我们利用线性响应理论计算了与电场成正比的动量通量和力。通过用电流代替局部电场得到流体动力学方程，其尺度充分大于平均自由程，证明了在电流的涡量和磁化强度之间存在耦合，磁化强度由非均匀涡量产生压力。在考虑霍尔粘性和松弛力的情况下，计算了边界附近的非均匀流动和附加霍尔力。附加反常霍尔力与常规反常霍尔力相反，导致薄系统中的符号反转。
2021-03-01 cond-mat.mes-hall
Chirality driven anomalous Hall effect in weak coupling regime
基于$s$ - $d$模型，研究了由非平凡自旋组态（手征性）引起的反常霍尔效应.考虑到弱耦合的情况下，相互作用的微扰处理。包括正常杂质的散射。如果存在有限的均匀手征，则手征驱动局部霍尔电流并导致整体霍尔效应。这种贡献独立于传统的自旋轨道贡献，并表现出独特的低温行为。在介观自旋玻璃中，在低于自旋玻璃转变温度时，手性诱导的反常霍尔效应被预期。霍尔系数的测量将有助于从实验上确认手性有序性。
2002-04-04 cond-mat.mes-hall
Spin anomalous-Hall unidirectional magnetoresistance
我们预测的自旋反常霍尔单向磁阻（AH-UMR）在导电双层铁磁层和一个非磁性层，这并不$\textit{not}$依赖于自旋霍尔效应在正常的金属层$-$形成鲜明对比的单向自旋霍尔磁阻$-$，但相反，产生于自旋反常霍尔效应在铁磁层。物理上，它是由自旋反常霍尔效应引起的电荷-自旋转换，与结构反转不对称性合谋在铁磁层中产生净非平衡自旋密度，当所施加的电流或磁化方向反转时，这反过来调制双层的电阻。分析了自旋AH-UMR效应对材料和几何参数的依赖性，并与其他非线性磁电阻效应进行了比较。特别是，我们表明，在磁性双层自旋异常霍尔和自旋霍尔效应是可比的，整体UMR可能会经历一个符号的变化时，任何一层的厚度是不同的，这表明一个计划来量化自旋霍尔或自旋异常霍尔角通过非线性传输测量。
2022-05-25 cond-mat.mes-hall
Geometric and nongeometric contributions to the surface anomalous Hall conductivity
静态电场在磁电绝缘体的表面处产生循环电流。描述这种束缚电流的表面电导率张量的异常霍尔部分可以根据绝缘表面制备而改变$e^2/h$的倍数，并且批量计算不固定其量化部分。为了解决这种模糊性，我们开发了一种计算平板几何中的全表面异常霍尔电导率的形式。我们确定了一个贝里曲率项，密切相关的散装异常霍尔电导率，其值可以通过调整表面哈密顿量的量子化量的表达。此外，表面反常霍尔电导率包含一个不依赖于表面制备的非几何部分。
2018-09-06 cond-mat.mes-hall
Anomalous Hall effects and electron polarizability
本文提出了一种基于电流密度空间分布的反常和自旋霍尔效应理论。自旋-轨道耦合引起质心的空间分离，以及具有相反群速度的准粒子态的电流密度分离。结果表明，这种微观性质是必不可少的存在的两个霍尔效应。
2010-02-17 cond-mat.mes-hall
In-plane Magnetization Induced Quantum Anomalous Hall Effect
在二维电子气中，强磁场可以引起量子化的霍尔电导，称为量子霍尔效应;磁性离子的强交换耦合也可以引起量子化的霍尔电导，称为“量子反常霍尔效应“。量子霍尔效应需要面外磁场，类似地，通常认为对于量子反常霍尔效应，磁化应该是面外的。在目前的工作中，我们发现这个条件是不必要的，并预测量子异常霍尔效应也可以诱导两个现实系统中的纯面内磁化，包括Bi $_2$ Te $_3$薄膜的磁掺杂和HgMnTe量子阱的剪切应变，当所有的反射对称性被打破。提出了一个实验装置来证实这种效应，这将为在更广泛的材料中寻找量子反常霍尔效应铺平道路。
2013-01-21 cond-mat.mes-hall
Hall Shift Current and Nonlinear Anomalous Hall Effect in Gapped Dirac Fermion Systems
The University of Tokyo（东京大学）
探讨倾斜二维带隙狄拉克费米子系统中非线性反常霍尔效应新机制，源于与跨越能隙的朗道-齐纳隧穿相关的侧跳位移，为有机狄拉克费米子系统中现象提供解释。
2026-07-07 cond-mat.mes-hall
Prediction of a quantum anomalous Hall state in Co decorated silicene
基于第一性原理计算，我们证明了Co修饰的硅烯可以具有量子反常的Hall态.由Co原子诱导的交换场与硅烯的强自旋轨道耦合相结合，在K点处打开了非平凡的带隙。与其他过渡金属相比，Co修饰的硅烯在这方面是独特的，因为通常在硅烯中诱导的杂化和自旋极化抑制量子反常霍尔态。
2014-01-09 cond-mat.mes-hall
The Berry phase in ferromagnetic spin systems and anomalous Hall Effect
我们已经表明，在铁磁自旋系统的基础几何拓扑方面的研究引起了一个内在的Berry相。这种实空间Berry相是由于导电电子的自旋旋转而产生的，这可以表现为对反常霍尔效应的进一步贡献。
2007-01-18 cond-mat.mes-hall
Anomalous Hall Effect in Layered Ferrimagnet MnSb2Te4
本文报道了亚铁磁Weyl半金属候选材料MnSb_2 Te_4的低温电子输运性质。长程磁有序表现为异常霍尔电阻中的近方形磁滞回线，以及磁阻的急剧跳跃。当温度低于4K时，纵向电阻随温度的变化出现了InT型的上升，这是由于电子-电子相互作用（EEI）的影响，因为弱的局域化可以被磁阻随温度的变化所排除.虽然异常霍尔电阻在相同的温度范围内表现出类似的InT型上弯，但在异常霍尔电导率中不存在这种校正。我们的工作表明，MnSb_2Te_4微片提供了一个理想的系统，以测试EEI校正的异常霍尔效应的理论。
2020-04-11 cond-mat.mes-hall
Anomalous Corrections to Hall Resistivity of Spin-Polarized Two-Dimensional Holes in a GaAs/AlGaAs Heterostructure
研究了在小倾角平行磁场作用下自旋极化二维空穴的霍尔效应。霍尔电阻率随磁场的增加呈非线性增加，并呈现负修正。随着二维孔洞系统的垂直磁化强度的增加，异常负修正量增加。我们把这归因于自旋极化载流子在超导系统中的反常霍尔效应。电导率的反常修正对磁场表现出非单调的依赖性。
2009-09-09 cond-mat.mes-hall
Quantum Anomalous Hall Effect in Perfectly Compensated Collinear Antiferromagnetic Thin Films
我们发现，量子反常霍尔效应几乎总是发生在磁性拓扑绝缘体薄膜的顶部和底部表面层的磁化是平行的，独立的内层磁化配置。使用这个标准，我们确定的结构，有一个量子异常霍尔效应，即使他们有共线的磁性结构，没有净磁化，并讨论实现这些有趣的磁性状态的实验策略。
2021-10-02 cond-mat.mes-hall
Generating a topological anomalous Hall effect in a non-magnetic conductor
普通的霍尔效应是由洛伦兹力驱动的，而它的反常对应物发生在铁磁体中。本文证明了在面内磁场B_x作用下，非磁性二维自旋3/2空穴的Berry曲率导致了一种新的线性霍尔效应.没有洛伦兹力，因此没有普通的霍尔效应，而所有的无序贡献消失的领先秩序在B_x。我们称之为反常平面霍尔效应（APHE）的这种固有现象提供了在p型半导体中可直接访问的拓扑输运的非量化足迹。
2020-11-18 cond-mat.mes-hall
Anomalous and Topological Hall effect in Cu doped Sb2Te3 Topological Insulator
在不同温度和不同磁场下对Sb_（1.90）Cu_（0.10）Te_3的磁输运和磁化强度进行了测量。在高场下的磁输运测量表明体态和表面态共存。磁化强度显示了Cu掺杂诱导的反铁磁有序，观察到的量子振荡表明，在Sb 1.90 Cu 0.10 Te 3的磁化强度是体属性。霍尔数据的非线性表明存在反常和拓扑霍尔效应。根据Cu掺杂Sb_2Te_3拓扑绝缘体的霍尔测量数据，对反常和拓扑霍尔效应（THE）进行了评价.
2018-09-15 cond-mat.mes-hall
Semiclassical theories of the anomalous Hall effect
最近，由Berry曲率引起的布洛赫带反常霍尔效应的半经典理论被引入。该理论仅适用于规范不变的概念，这些概念具有简单的半经典解释，并提供了对霍尔电流的各种贡献之间的明确区别。虽然这种方法的建设异常霍尔效应的问题一直在寻找，只有新的半经典理论证明了严格的方法基于格林函数技术的定量结果的协议。本文的目的是对半经典方法的早期思想和最新成果进行综述。
2007-12-08 cond-mat.mes-hall
Anomalous Hall effect in granular ferromagnetic metals and effects of weak localization
本文从理论上研究了金属态铁磁颗粒系统中的反常霍尔效应。利用最近发展起来的颗粒金属中常规霍尔效应的形式，我们计算了斜散射和侧跳机制下的剩余反常霍尔电导率$σ_{xy}$和电阻率$ρ_{xy}$以及对它们的弱局域化修正。我们发现，不像均匀无序金属，$ρ_{xy}$和纵向电阻率$ρ_{xx}$之间的标度关系不成立。弱的本地化修正，然而，被发现是一致的均匀金属。根据所得到的结果，我们讨论了多晶铁膜中反常霍尔效应的最新实验数据。
2009-07-27 cond-mat.mes-hall
Approaching quantum anomalous Hall effect in proximity-coupled YIG/graphene/h-BN sandwich structure
在足够强的交换作用和自旋轨道相互作用下，量子反常霍尔态有望在Dirac电子系统（如石墨烯）中出现。在原始石墨烯中，两种相互作用都不存在;然而，如异常霍尔效应所揭示的，通过将石墨烯耦合到磁性绝缘体（MI）可以获得两种相互作用。在这里，我们展示了通过在亚铁磁绝缘体钇铁石榴石（YIG）和六方氮化硼（h-BN）之间嵌入石墨烯来增强的磁邻近耦合，所述六方氮化硼也用作顶栅电介质。通过扫描顶栅电压，我们观察到费米能级依赖的反常霍尔电导。当从电子和空穴两侧接近狄拉克点时，反常霍尔电导达到量子反常霍尔电导2 e ~ 2/h的1/4。的交换耦合强度被确定为高达27毫电子伏的诱导磁相的转变温度。YIG/graphene/h-BN是一种很好的异质结材料，可以用来研究二维电子系统中的邻近诱导相互作用。
2017-10-11 cond-mat.mes-hall
Quantized Anomalous Hall Effect in Two-Dimensional Ferromagnets - Quantum Hall Effect from Metal -
研究了无序对二维铁磁体反常霍尔效应的影响。AHE的拓扑性质导致来自金属的整数量子霍尔效应，即，除了少数带有Chern数的扩展态外，由局域化引起的$σ_{xy}$的量子化。对一个模型的大量数值研究表明，Pruisken的双参数标度理论即使在系统没有带隙、多带重叠和没有均匀磁场的情况下也成立。因此，量子化AHE的条件仅由霍尔电导率$σ_{xy}$给出，而没有量子校正，即，$|σ_{xy}| > e^2/(2h)$。
2003-01-24 cond-mat.mes-hall
Anomalous Magnetic Susceptibility and Hall Effect from Valley Degrees of Freedom
我们研究了外延石墨烯薄膜的磁性和输运性质。我们预测了磁化率的增强信号，并将其与内禀谷磁矩联系起来。对普通的霍尔效应也有反常的贡献，这是由于谷依赖的Berry相位或谷轨道耦合。
2011-03-30 cond-mat.mes-hall
Dissipation properties of anomalous Hall effect: intrinsic vs. extrinsic magnetic materials
本研究对比三种不同磁性机制材料的反常霍尔效应耗散特性，发现其耗散功率随负载电阻和霍尔角的变化规律一致，表明该效应的耗散由边缘电荷注入主导，与具体产生机制无关。
2025-10-03 cond-mat.mes-hall
Quantum Anomalous Hall Effect in Magnetic Insulator Heterostructure
基于从头计算，我们预测，一个单层的Cr掺杂（Bi，Sb）2 Te 3和GdI 2异质结构是一个量子反常霍尔绝缘体与非平凡的带隙高达38 meV。我们的预测背后的原理是，两个拓扑平凡的铁磁绝缘体之间的能带反转可以导致非零的陈数，这提供了一个更好的方式来实现量子反常霍尔态没有随机磁掺杂。此外，还提出了一个简单有效的模型来描述该体系中自旋极化带反转的基本机制。此外，我们还预测在（Bi_（2/3）Cr_（1/3））_2 Te_3/GdI_2超晶格中可以实现三维量子反常霍尔绝缘体。
2014-11-12 cond-mat.mes-hall
First-order effect of electron-electron interactions on the anomalous Hall conductivity of massive Dirac fermions
研究二维质量狄拉克费米子中电子-电子相互作用对反常霍尔电导率的一阶修正，发现零温带隙下修正为零，有限温度或化学势下霍尔响应衰减加快，凸显两体相互作用的重要性。
2024-04-18 cond-mat.mes-hall
Temperature Dependence of the Anomalous Hall Effect from Electron Interactions
我们考虑了电子-电子相互作用对无序导体中反常霍尔效应温度依赖性的影响。微观分析是在线性响应Kubo-Streda公式的图解方法内进行的，该公式考虑了自旋-轨道耦合存在下产生的反常霍尔效应的非本征斜散射和侧跳机制。我们证明了电子相互作用的重要性，即使在名义上的非超导材料的库珀沟道，并发现相应的异常霍尔电导率的低温依赖性是渐近的形式$\sqrt{T}/\ln(T_0/T)$在三维和$\ln[\ln(T_0/T)]$在二维，其中的尺度$T_0$是参数的费米能量的顺序。这些结果，特别是，可以提供一个解释，最近观察到的异常霍尔效应的温度依赖性的汞铬$_2$硒$_4$。
2020-03-03 cond-mat.mes-hall
Multivariable Scaling for the Anomalous Hall Effect
我们推导出一个一般的标度关系的异常霍尔效应在铁磁金属涉及多个竞争的散射机制，描述了一个二次超曲面的空间中的部分介电常数。我们还提出了实验结果，这表明强烈偏离以前发现的标度形式时，不同的散射机制竞争的强度，但可以很好地解释我们的理论。
2015-03-11 cond-mat.mes-hall
Quantum Anomalous Valley Hall Effect for Bosons
我们预测了在没有外部磁场的情况下，非中心对称二维材料中间接激子的谷霍尔电流的出现和量子化。本文报道了玻色子的量子反常谷霍尔效应。它存在的关键因素是激子运动的有限反常群速度和玻色-爱因斯坦凝聚体的存在，粒子被外部照明推出，形成稳态非平衡电流，该电流表现出作为光频率函数的量子化行为。
2019-05-02 cond-mat.mes-hall
Intrinsic anomalous Hall effect under anisotropic magnetic dipole versus conventional magnetic dipole
本研究理论对比铁磁与各向异性磁偶极子系统的本征反常霍尔效应，发现二者效应幅值相近但微观机制不同，后者在自旋轨道耦合弱于磁平均场时效应增强，为低磁化反铁磁体的巨反常霍尔效应提供可能。
2024-12-11 cond-mat.mes-hall
Anomalous Hall-like transverse magnetoresistance in Au thin films on Y$_3$Fe$_5$O$_{12}$
铂与磁性绝缘体接触时的异常霍尔信号是常见的观测结果，可以用邻近磁化或自旋霍尔磁阻来解释。在这项工作中，纵向和横向的磁阻测量的纯金薄膜上的亚铁磁绝缘体Y $_3$ Fe $_5$ O $_{12}$（钇铁石榴石，YIG）。我们发现，无论是纵向和横向的磁阻有定量一致的缩放YIG/Au和YIG/Pt参考系时，应用自旋霍尔磁阻框架。由于磁邻近效应而引起的反常霍尔效应的贡献是不明显的。
2018-11-14 cond-mat.mes-hall
Mirror anomaly and anomalous Hall effect in type-I Dirac semimetals
除了众所周知的手征反常外，狄拉克半金属还表现出镜像反常，与（$2+1$）维质量狄拉克费米子的宇称反常非常相似。这种异常的可观测响应表现为在存在磁场的情况下在镜像对称平面上的奇异阶跃状异常霍尔响应。虽然这一结果似乎是有效的II型狄拉克半金属（严格地说，在线性化理论），我们发现，I型狄拉克半金属不具有这样的异常霍尔响应，即使在线性化理论的水平。特别是，我们表明，异常霍尔响应不断接近零，因为一个接近镜像对称角在I型狄拉克半金属，而不是奇异霍尔响应在II型狄拉克半金属。此外，我们还证明了在一定条件下，即使存在时间反演对称性破缺，线性化的I型狄拉克半金属的反常霍尔响应也可能消失。
2018-10-08 cond-mat.mes-hall
Anomalous Hall effect in metallic collinear antiferromagnets with charge-density wave order
本文提出两种金属共线反铁磁体理论模型，通过Néel序与电荷密度波序结合实现自旋劈裂，并分别借助Rashba和内禀d波自旋轨道耦合驱动反常霍尔效应。
2024-11-25 cond-mat.mes-hall
Proximity-induced ferromagnetism in graphene revealed by anomalous Hall effect
我们展示了单层石墨烯与原子级平坦的钇铁石榴石（YIG）铁磁薄膜交换耦合的反常霍尔效应（AHE）。反常霍尔电导在低温下的量级为~0.09（2e2/h），在~300 K范围内均可测量。我们的观察结果表明，不仅邻近诱导的铁磁性在石墨烯/YIG与大的交换相互作用，但也增强了自旋轨道耦合，这被认为是固有的弱在理想的石墨烯。石墨烯中的邻近诱导铁磁有序可以导致新的输运现象，如量子化的AHE，这对自旋电子学是潜在有用的。
2014-12-03 cond-mat.mes-hall
Anomalous skew-scattering nonlinear Hall effect and chiral photocurrents in {\it PT}-symmetric antiferromagnets
本研究针对PT对称反铁磁金属中单一机制霍尔效应消失的问题，发现了贝里曲率与斜散射协同产生的反常斜散射非线性霍尔效应，其具有螺旋度依赖的光电流特性，为反铁磁序探测提供了新工具。
2023-08-24 cond-mat.mes-hall
The Quantum Anomalous Hall Majorana Platform
我们发现，准一维（1D）量子线可以写入到磁性拓扑绝缘体（MTI）薄膜表面的门阵列。当MTI处于量子反常霍尔（QAH）态时，MTI $/$超导体量子线对于拓扑和非拓扑态都具有特别宽的稳定区域，从而促进在MTI表面上产生和操纵马约拉纳粒子。
2018-01-30 cond-mat.mes-hall
Giant $c$-axis nonlinear anomalous Hall effect in T$_d$-MoTe$_2$ and WTe$_2$
虽然即使没有外部磁场也可以表现出反常的霍尔效应，但是时间反演对称性仍然被样品的内部磁化破坏。最近，已经表明，某些没有反转中心的材料允许非线性类型的异常霍尔效应，同时保持时间反演对称性。这种效应可能是由于Berry曲率或通过各种非对称散射机制产生的。本文报道了在MoTe $_2$和WTe $_2$的非中心对称T $_d$相中观测到的极大的$c$轴非线性反常霍尔效应。我们发现，该效果是由倾斜散射在较高的温度下结合另一个散射过程中，在低温下活跃为主。施加更高的偏压产生$E_\perp /E_\parallel$ =2.47的极大霍尔比和8 × 10 $^7$ S/m量级的相应异常霍尔电导率。
2021-03-12 cond-mat.mes-hall
Quantum Anomalous Hall Insulator of Composite Fermions
我们证明了弱六角周期势可以将具有偶数分母磁填充因子的二维电子气转变为复合费米子的量子反常霍尔绝缘体，产生分数量子化的霍尔效应.该系统提供了一个实现的Halflion蜂窝网络模型，虽然在一个复合费米子系统。我们进一步提出了一个试用的波函数的状态，并数值评估其相对于竞争的Hofstadter状态的稳定性。提出了可能的实验参数。
2014-05-09 cond-mat.mes-hall
Anomalous, spin, and valley Hall effects in graphene deposited on ferromagnetic substrates
基于格林函数理论和线性响应理论，对石墨烯基杂化结构中的自旋、反常和谷霍尔效应进行了理论研究。详细考虑了两种不同类型的混合系统：（i）石墨烯/氮化硼/钴（镍），和（ii）石墨烯/YIG。主要的兴趣集中在邻近诱导的石墨烯和磁性衬底之间的交换相互作用和邻近增强的自旋轨道耦合。邻近效应被证明有显着的影响，石墨烯的电子和自旋输运性质。为了找到自旋，反常和谷霍尔电导率，我们采用某些有效的哈密顿最近已提出的混合系统下的考虑。当费米能级位于电子能谱的能隙内时，反常和谷霍尔电导率都具有普适值。
2017-05-09 cond-mat.mes-hall
Integer and Fractional Quantum Anomalous Hall Effect in a Strip of Stripes Model
研究了在强电子-电子相互作用下，耦合到零总磁化强度磁织构的条形模型中的量子反常霍尔效应。沿着条纹的螺旋磁化和条纹之间的自旋选择性耦合引起体隙和手性边缘模式。根据磁结构周期与费米波长的比值，系统可以表现出整数或分数量子反常霍尔效应。在分数态，准粒子具有分数电荷和非平凡的阿贝尔辫统计。
2014-12-01 cond-mat.mes-hall
Anomalous Edge Transport in the Quantum Anomalous Hall State
通过第一性原理计算，我们预测了Cr掺杂（Bi，Sb）$_2$ Te $_3$磁性拓扑绝缘体薄膜具有与手征边缘态共存的无带隙非手征边缘态.这种无间隙的非手性态不能免疫于背散射，这将解释在该系统中实验观察到的量子反常霍尔（QAH）态中的耗散输运。本文利用Landau-Büttiker方法研究了手征态和非手征态的边缘输运，发现纵向电阻不为零，而霍尔电阻量子化为$h/e^2$ .特别是，纵向电阻可以大大减少增加一个额外的浮动探针，即使它不使用，而霍尔电阻保持在量化值。我们提出了几个传输实验来检测耗散的非手征边缘通道。这些结果将有助于实现QAH态在磁性拓扑绝缘体中的纯无耗散输运。
2013-06-07 cond-mat.mes-hall
Effects of random domains on the zero Hall plateau in quantum anomalous Hall effect
近年来，在量子反常霍尔效应中，实验观察到了一个零霍尔电导平台。研究了QAH绝缘体中随机畴对零霍尔平台的影响。我们发现结构反转对称性决定了QAH系统零霍尔坪跃迁的标度性质。在结构反转对称性的存在下，零霍尔平台态显示出量子霍尔型临界点，起源于两个具有相反陈数的解耦子系统。然而，结构反转对称性的缺乏导致这两个子系统之间的混合，产生了一条线的临界点，并显着改变标度行为。其中，我们预测的Berezinskii-Kosterlitz-Thouless型转变期间的QAH绝缘体的霍尔电导平台切换。我们的研究结果对QAH绝缘体零霍尔平台转变的理论理解和未来的输运实验具有指导意义。
2018-08-22 cond-mat.mes-hall
Anomalous Hall effect by chiral spin textures in two-dimensional Luttinger model
本文研究二维Luttinger模型中自旋-轨道相互作用对手性相关反常霍尔效应的影响，发现其被显著抑制且Rashba型贡献消失，同时出现可区分Bloch与Néel斯格明子螺旋性的新项。
2023-10-06 cond-mat.mes-hall
Anomalous quantum Hall conductivity and resonances in coupled layers
在整数量子霍尔机制下，研究了一个通过隧穿耦合的两层系统，每层中具有不同的载流子质量。如果实现不同层的朗道能级之间的共振，则发现单层霍尔电导率与通常量子化的显著偏差。在适当的条件下，霍尔电导率的负跳跃的外观也被预测。所得结果对系统中的无序具有鲁棒性。
1999-04-13 cond-mat.mes-hall
Reentrant quantum anomalous Hall effect with in-plane magnetic fields in HgMnTe quantum wells
本文预测了Mn原子面外磁化的HgMnTe量子阱中的量子反常霍尔效应。然而，由于HgMnTe量子阱是顺磁性的，需要一个面外磁场来消除Mn原子的磁矩，这不可避免地诱导朗道能级，使得难以通过实验确定量子化霍尔电导的起源。本文研究了面内磁场作用下Mn掺杂碲化汞量子阱中的量子反常霍尔效应。对于小的面外磁场，面内磁场可以驱动系统从正常绝缘态到量子反常霍尔态。当面外磁场略高于转变点时，系统表现出霍尔电导的重入行为，随着面内磁场的增加，从$-e^2/h$到0再回到$-e^2/h$。重入量子反常霍尔效应起源于磁矩的交换耦合和磁场的直接塞曼耦合之间的相互作用。结合朗道能级的计算表明，重入行为没有发生质的变化。
2013-05-10 cond-mat.mes-hall
Quantum Anomalous Hall Effect through Canted Antiferromagnetism
大多数倾斜反铁磁体也是反常霍尔反铁磁体（AHE AFM），即它们具有反常霍尔响应和具有相同对称性要求的其他响应。我们认为，AHE原子力显微镜是有前途的材料作为主机的高温量子反常霍尔效应。通过考虑具有强自旋-轨道耦合的二维（001）钙钛矿层模型，该模型隔离了$t_{2g}$流形的有效总角动量$\tilde{j}= \frac{1}{2}$子空间，我们提出了一种设计量子反常霍尔反铁磁体的策略。
2019-02-27 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
Dissipationless Anomalous Hall Current in $Fe_{100-x}(SiO_2)_x$ Films
无耗散反常霍尔电流的观测是证实反常霍尔效应内在起源的实验证据之一。为了研究铁中反常霍尔效应的起源，采用共溅射法制备了Fe $_{100-x}$（SiO $_{2}$）$_{x}$颗粒膜，其体积分数为SiO $_{2}$ 0 \le x \le 40.51.霍尔和纵向磁电阻测量温度范围5至350 K的磁场高达5特斯拉。当x从0增加到40.51时，异常霍尔电阻率和纵向电阻率分别增加约4和3个数量级。分析结果表明，所有样品的归一化反常霍尔电导率都是一个常数，这是铁中存在无耗散反常霍尔电流的证据。
2010-04-13 cond-mat.mes-hall cond-mat.other
Quantum Anomalous Hall and Valley Quantum Anomalous Hall Effects in Two-Dimensional d0 Orbital XY Monolayers
我们提出了一个新的家庭的d 0轨道XY（X = K，Rb，Cs; Y = N，P，As，Sb，Bi）单分子膜具有丰富和新颖的拓扑结构和谷的性质。KN、RbN、RbP、RbAs、CsP、CsAs和CsSb单分子膜具有显著的量子反常霍尔效应（QAHE）。CsSb单层也表现出异常的谷QAHE与巨大的分裂。此外，由于px;y和pz轨道之间的应变诱导带反转，XY单层的拓扑性质可以通过面内应变有效地调节。我们的研究结果表明，d 0轨道XY单层膜可以是很好的候选人，有前途的应用在自旋电子学和多功能拓扑为基础的设备。
2022-04-14 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
Magnetic oscillations of the anomalous Hall conductivity
已知在霍尔电阻率中可以观察到Shubnikov-de Haas振荡，尽管它们的振幅比对角电阻率振荡的振幅弱得多。采用二维具有反常霍尔效应的大质量狄拉克费米子模型，我们证明了反常霍尔电导率的Shubnikov-de Haas振荡的振幅与对角电导率的振幅相同.我们认为，通过研究石墨烯超晶格中的谷霍尔效应和低屈曲狄拉克材料中的自旋霍尔效应，可以观察到反常霍尔电导率的振荡.
2016-02-20 cond-mat.mes-hall cond-mat.str-el
Anomalous Josephson Hall effect in magnet/triplet superconductor junctions
本文研究了在相位梯度作用下磁体与三重态超导体耦合时的反常霍尔效应。结果表明，反常霍尔超电流是由非平凡的磁化结构引起的。霍尔超电流中的磁结构表现为交换耦合的偶次项，与反常霍尔效应中的磁结构有本质的不同，反映了超电流的无耗散性质。我们还讨论了一个可能的候选磁结构，以验证我们的预测。
2015-11-14 cond-mat.mes-hall cond-mat.supr-con
Suppression of Extrinsic Anomalous Hall Conductivity in Disordered Parity Anomalous Semimetal
The University of Hong Kong（香港大学）；Great Bay University（大湾区大学）
研究半磁性拓扑绝缘体薄膜中无序奇异性反常半金属的半量子化霍尔效应，发现侧跳和斜散射两种外在机制对反常霍尔电导无贡献，表明该体系具有抗无序的量子相特性。
2026-06-18 cond-mat.dis-nn cond-mat.mes-hall
Linear magnetization dependence of the intrinsic anomalous Hall effect
从实验和理论上研究了Mn $_5$ Ge $_3$铁磁薄膜的反常霍尔效应。我们分离了对实验反常霍尔效应的本征和非本征贡献，并利用第一性原理方法从布洛赫态的Berry曲率计算了本征反常霍尔电导率.本征反常霍尔电导率线性依赖于磁化强度，这可以从有限温度下自旋取向的长波长波动来理解。理论和实验之间的定量一致性非常好，不仅在0 K附近，而且在有限温度下，高达约240 K（0.8 T $_C$ }）
2006-06-14 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
