对“用场发射电子显微镜成像碳原子链的原子轨道”一文的评论

超洁净碳纳米管量子点的扫描门显微术

Scanning gate microscopy of ultra clean carbon nanotube quantum dots

我们对单个悬浮的碳纳米管量子点进行扫描门显微镜。量子点的尺寸和位置可以从同心高电导环视觉上识别。对于本研究中使用的超净器械，明确识别出两种新效应。静电屏蔽从单个量子点产生不重叠的多组库仑环。在双量子点中，通过改变尖端电压，量子点之间的相互作用可以从弱耦合区调谐到强耦合区。

半导体单壁碳纳米管中激子扩散的瞬态吸收显微镜研究

Exciton diffusion in semiconducting single-wall carbon nanotubes studied by transient absorption microscopy

利用瞬态吸收显微镜研究了孤立半导体单壁碳纳米管中激子的时空动力学。测量了750 nm泵浦脉冲激发后810 nm探测脉冲的差分反射和透射。我们观察到一个双指数衰减的信号，快速的时间常数为0.66 ps和较慢的时间常数为2.8 ps。这两个常数都与泵浦能量密度无关。通过空间和时间分辨差分反射，我们能够观察到激子的扩散，并且在室温下测量到200 cm 2/s的扩散系数，在10 K和150 K的较低温度下测量到300 cm 2/s的扩散系数。

对“多壁碳纳米管的磁电阻和微分电导”一文的评论

Comment on "Magnetoresistance and differential conductance in mutliwalled carbon nanotubes"

Jeong-O Lee等人[Phy. Rev. B，61，R16 362（2000）]报道了多壁碳纳米管的磁阻和微分电导测量。所观察到的非周期性电导波动和负磁阻被解释为完全起源于费米能量的状态密度的变化。我们表明，这种解释是值得怀疑的，不支持他们的测量。

基于石英音叉力传感器的扫描探针显微镜碳纤维针尖

Carbon fibre tips for scanning probe microscopy based on quartz tuning fork force sensors

我们报告的碳纤维尖端的制造和表征，用于结合扫描隧道和力显微镜的压电石英音叉力传感器的基础上。我们发现，使用碳纤维提示的结果在最小的影响，石英音叉力传感器的动态产生一个高的品质因数，因此一个高的力梯度灵敏度。这种高的力灵敏度与碳纤维尖端的高导电性和抗氧化性相结合，使它们非常方便地用于组合和同时扫描隧道显微镜和原子力显微镜测量。有趣的是，这些提示对于偶尔发生的提示崩溃非常强大。提出了一种电化学制造工艺来蚀刻尖端，其以可再现的方式产生亚100 nm的顶点半径，这可以产生高分辨率图像。

用于扫描隧道显微镜的碳纳米管器件的栅电极集成

Integration of a gate electrode into carbon nanotube devices for scanning tunneling microscopy

我们已经开发出一种制造工艺，将栅电极到悬浮的单壁碳纳米管结构的扫描隧道光谱研究。纳米管是通过化学气相沉积直接在金属表面上合成的。在生长过程中所涉及的高温~800 C提出了具有挑战性的问题，如表面粗糙度和结构的完整性，这在这项工作中得到解决。我们证明了有效性的门上的独立的一部分的纳米管进行隧道光谱，揭示了库仑阻塞钻石。我们的方法可以结合扫描隧道显微镜和门控电子输运碳纳米管的调查。

用Kelvin力显微镜测定碳纳米管场效应晶体管的静电杠杆臂

Determination of the electrostatic lever arm of carbon nanotube field effect transistors using Kelvin Force Microscopy

我们利用开尔文力显微镜（KFM）研究了具有背栅结构的单壁碳纳米管场效应晶体管器件（CNTFFET）在室温下的静电特性。我们表明，KFM地图记录作为一个功能的设备背栅极化，使一个完整的现象学确定与KFM探针侧电容的平均效应，从而获得KFM测量与定量字符。的CNTFET的静电杠杆臂的值是从KFM测量确定的，并发现与基于库仑阻塞的传输测量的协议。

利用光学显微镜对器件中单个碳纳米管进行高通量成像和光谱分析

High-throughput Imaging and Spectroscopy of Individual Carbon Nanotubes in Devices with Light Microscopy

碳纳米管研究中的两个最大挑战是实现手性控制合成和理解手性依赖的器件物理。单个碳纳米管的高通量和原位手性和电子结构表征对于解决这些挑战至关重要。光学成像和光谱学具有无与伦比的通量和特异性，但其在衬底上或设备中的单个纳米管的实现长期以来一直是一个突出的挑战。在这里，我们展示了视频速率成像和原位光谱的各个碳纳米管在各种基板上，并在功能器件使用一种新的高对比度偏振为基础的光学显微镜。我们的技术使完整的手性配置数百个生长的碳纳米管。此外，我们在现场监测纳米管的电子结构的有源场效应器件，并观察到高阶纳米管的光学共振显着扩大静电掺杂。这种意想不到的行为指向强带间电子-电子散射过程，可以主导碳纳米管中激发态的超快动力学。

针尖-纳米管相互作用对碳纳米管原子力显微镜成像的影响

Effects of Tip-Nanotube Interactions on Atomic Force Microscopy Imaging of Carbon Nanotubes

我们研究原子力显微镜（AFM）的提示和单个碳纳米管（CNT）支持SiO2之间的范德华（VDW）相互作用的效果。分子动力学（MD）模拟揭示了如何碳纳米管变形在AFM测量过程中，不考虑AFM针尖材料。单（双）壁CNT的表观高度可用于估计其直径高达~2 nm（~3 nm），但对于更大的直径，CNT横截面不再是圆形的。我们的模拟进行了比较，从AFM测量和共振拉曼光谱获得的CNT尺寸，具有良好的协议较小的CNT直径。在一般情况下，大直径碳纳米管的AFM测量必须小心解释，但该方法的可靠性得到改善，如果知识的数量的碳纳米管壁是available-able，或者如果额外的验证（例如，通过光学技术）可以获得。

碳纳米管功能化区域的扫描隧道显微镜成像

Mapping of functionalized regions on carbon nanotubes by scanning tunneling microscopy

扫描隧道显微镜（STM）为我们提供了以能量分辨方式和原子精度绘制功能化碳纳米管表面的机会。但这一潜力在很大程度上尚未开发，主要是由于样品稳定性问题阻碍了可靠的测量。在这里，我们提出了一个简单而直接的解决方案，通过将功能化的多壁碳纳米管（MWCNT）纳入几层石墨烯-纳米管复合材料中来克服这一困难。这使我们能够测量纳米管上的能量分辨隧穿电导图，这揭示了掺杂水平，管和官能团之间的电荷转移以及缺陷产生或功能化对晶体取向的依赖性。

用四维超快透射电子显微术研究多壁碳纳米管的各向异性晶格动力学

Clocking the anisotropic lattice dynamics of multi-walled carbon nanotubes by four-dimensional ultrafast transmission electron microscopy

四维超快透射电子显微镜（4D-UTEM）的最新进展使得在原子水平上直接可视化材料的结构动力学成为可能。在这里，我们报告我们的发展上的4D-UTEM，可以正常操作的光电发射或电子模式。我们证明了它的能力，以获得序列的快照具有高的空间和时间分辨率的多壁碳纳米管（MWCNTs）的晶格动力学的研究。这项研究提供了一个原子水平上的描述显着的各向异性晶格动力学在皮秒的时间尺度。此外，我们的UTEM测量清楚地表明，可区分的晶格弛豫出现在几皮秒的超快时间尺度上的管内片，然后沿径向的明显的晶格膨胀。多壁碳纳米管中的这些各向异性行为被认为是由多种化学键合引起的，即管状平面之间的弱范德华键合和管状片材中的强共价sp2杂化键合。

碳封端的4 H- SiC（000）表面的结构在石墨烯层生长中的作用-透射电子显微镜和密度泛函理论研究

Role of structure of C-terminated 4H-SiC(000) surface in growth of graphene layers - transmission electron microscopy and density functional theory studies

采用显微镜方法研究了在4 H-SiC衬底的SiC（000）面上合成的石墨烯层的主要结构缺陷。高分辨率透射电子显微镜（HRTEM）的结果揭示了它们的原子排列。这种缺陷的产生机制，直接关系到SiC衬底的底层晶体结构，阐明。揭示了4 H-SiC（000）表面形貌（包括单原子台阶、原子台阶序列和宏观台阶的存在）与相应的平面缺陷结构（碳层不连续和褶皱）之间的联系。它示出的多步岛的消失导致在石墨烯层中的皱纹的创建。密度泛函理论（DFT）计算结果表明，在接近1600°C的高温下，Si和碳原子都有可能在Si封端的SiC表面扩散。在Si封端的表面处形成缓冲层有效地阻止了水平扩散，防止了厚石墨烯层在该面上的生长。在碳终止的SiC表面处，不存在缓冲层，从而为硅和碳原子两者的有效水平扩散留下空间。DFT结果表明，过量的碳原子将最顶层的碳层转化为sp2键结构，在无势垒过程中释放出Si原子。硅原子通过在弯曲层缺陷处产生的通道逃逸，而碳原子被并入生长的石墨烯层中。这些结果解释了厚石墨烯在现有石墨烯覆盖层下的生长以及在C端SiC（0001）表面的主要缺陷的产生

从高分辨率透射电子显微镜图像确定碳纳米管手性指数的深度学习方法

A deep learning approach for determining the chiral indices of carbon nanotubes from high-resolution transmission electron microscopy images

手性指数决定了碳纳米管的重要性质。不幸的是，从高分辨率透射电子显微镜（HRTEM）图像，最准确的方法分配手性，他们的决心是一项繁琐的任务。我们开发了一个卷积神经网络来自动化这个过程。一个大的和现实的CNT图像的训练数据集，通过原子的计算机模拟，再加上图像生成的多切片方法。在大多数情况下，自动分配的结果与手动分类非常一致，并确定了故障的起源。目前的方法结合了HRTEM成像和深度学习算法，可以分析统计上大量的碳纳米管HRTEM图像，为实验手性分布的稳健估计铺平了道路。

铂基化学气相沉积石墨烯上的碳杂质

Carbon Impurities on Graphene Synthesized by Chemical Vapor Deposition on Platinum

我们报告了纳米晶碳杂质与通过化学气相沉积（CVD）在铂上合成的石墨烯共存。我们观察到微米尺寸的岛状杂质层，其在光学显微镜或次级电子显微镜（SEM）中容易被误认为第二石墨烯层。岛的取向取决于Pt的结晶取向，如电子背散射衍射（EBSD）所示，表明石墨烯下方的无定形碳的生长。暗场TEM表明，除了均匀的单晶石墨烯之外，我们的样品还装饰有空间不均匀分布的纳米晶碳杂质。拉曼光谱显示出大的D峰，然而电特性显示出高迁移率（~ 6，000 cm 2/Vs），表明拉曼光谱在表征石墨烯的电子质量方面的局限性。

基于碳纳米管尖端热探针的超高热分辨率扫描探针显微术

Ultra High Thermal Resolution Scanning Probe Microscopy via Carbon Nanotube Tipped Thermal Probes

我们提出了一种新的概念，扫描热纳米探针，利用极端的热传导的碳纳米管（CNT）之间的探针和样品的通道热量。CNT在扫描热显微镜（SThM）中的集成克服了标准SThM探针的主要缺点，其中顶端SThM探针的低热导率是主要限制因素。CNT（CNT-SThM）的集成将SThM灵敏度扩展到更高热导率材料（例如金属、半导体和陶瓷）中的热输运测量，同时还提高了空间分辨率。使用CNT-SThM探针对超大规模集成（ULSI）互连中的热传输进行的研究显示了陶瓷层中的热传输的精细细节，这对于减轻ULSI金属电流引线中的电迁移至关重要。对于几层石墨烯，CNT-SThM探针的热传输灵敏度和空间分辨率与标准SThM探针相比表现出显著优异的热分辨率，实现了20-30 nm的形貌和~30 nm的热空间分辨率（与标准SThM探针的50-100 nm相比）。CNT出色的轴向导热性、高纵横比和坚固性使CNT-SThM成为测量纳米级热物理性质的完美热探针，也是下一代热显微镜的优秀候选者。

悬浮碳纳米管中pn结形成的扫描光电流显微镜成像

Imaging the formation of a p-n junction in a suspended carbon nanotube with scanning photocurrent microscopy

我们使用扫描光电流显微镜（SPCM），调查个人悬浮半导体碳纳米管器件的电位分布是通过本地门工程。原位可调的pn结可以在沿纳米管轴的任何位置产生。结合SPCM与运输测量允许详细的微观研究的能带轮廓的演变作为栅极电压的函数。在这里，我们研究的出现，一个p-n和n-p结的n型晶体管沟道使用两个局部栅极。在这两种情况下的I-V曲线记录的栅极配置对应的形成的p-n或n-p结的SPCM测量揭示了一个明确的过渡电阻整流制度。整流曲线可以很好地拟合肖克利二极管模型与串联电阻，并揭示了一个明确的理想二极管的行为。

一种简单可靠的碳纳米管导电SPM探针制备方法

Simple and reliable method of conductive SPM probe fabrication using carbon nanotubes

我们展示了扫描探针显微镜（SPM）导电探针制造的过程中，一个单一的多壁碳纳米管（MWNT）的硅悬臂金字塔。使用电泳技术从MWNT悬浮液中形成可靠地附着到金属覆盖的金字塔的纳米管束。它示出的酒窝铝样品可以用于缩短/修改的纳米管束通过施加脉冲电压之间的探针和样品，并通过原子力显微镜（AFM）成像的样品用于控制探针的形状。它允许制造适合于SPM成像在接触和调制制度的探针。大多数这样的探针是导电的，在SPM成像的数小时内导电性不会降低。

Comment on 'Erratum: 'Two-dimensional porous graphitic carbon nitride C6N7 monolayer: First-principles calculations' [Appl. Phys. Lett. 119, 142102 (2021)]'

Recently, Bafekry et al. [Appl. Phys. Lett. 120, 189901 (2022)] reported their density functional theory (DFT) results on the elastic constants of C6N7 monolayer. They predicted non-zero elastic constants along the out-of-plane direction for a single-layered material, which contradicts with basic physics of the stiffness tensor for plane stress condition. Moreover, in their work Young's modulus is erroneously calculated. On the basis of DFT calculations, herein we predicted the C11, C12 and C66 of the C6N7 monolayer to be 286, 73 and 107 GPa, respectively, equivalent with an in-plane Youngs mo…

单根碳纳米管的腔增强拉曼显微术

Cavity-enhanced Raman Microscopy of Individual Carbon Nanotubes

拉曼光谱揭示了化学特定信息，并提供了对分子世界的无标记洞察。然而，信号本质上很弱，需要增强技术。在这里，我们证明了Purcell增强拉曼散射在一个可调谐的高精细度微腔，并利用它的分子诊断相结合的拉曼和吸收成像。研究单个单壁碳纳米管，我们确定了关键的结构参数，如纳米管半径，电子结构和消光截面。我们观察到一个320倍的增强拉曼散射光谱密度和有效的Purcell因子为6.2，与收集效率为60%。潜在的显着更高的增强，定量信号，固有的光谱过滤和缺乏固有的背景在腔真空受激拉曼散射使该技术成为一个有前途的工具，分子成像。此外，涉及局域激子的腔增强拉曼跃迁可能用于获得对纳米机械运动的量子控制，并为分子腔光学力学开辟了一条途径。

C1 +辐照铜表面碳纳米和微米结构的形成

Formation of carbon nano and micro structures on C1+ irradiated copper surfaces

一系列的实验已经确定了在室温、无催化剂和不混溶金属环境中碳纳米和微米结构的形成机制。这些结构包括螺纹纳米纤维、石墨片和碳洋葱。由于铜与碳的不相容性，使用铜作为基底。0.2-2.0 MeV高能碳离子辐照Cu靶。用碳注入Cu衬底、孔和3 mm直径的透射电子显微镜铜网格。我们观察到宽范围的微米级结构形成的Cu网格和沿照射孔的边缘。这些被示出为几微米厚度的螺纹纳米纤维（TNF），长度从10到3000微米变化。次级电子显微镜（SEM）确定的微米尺寸的结构，而共聚焦显微镜被用来了解C1+照射的Cu提供的生长环境的机制。在生长态和退火态样品中观察到直径从几百nm到μm的巨大碳洋葱。通过扫描电镜和透射电镜观察了纳米结构在长时间电子辐照下的变化。我们目前研究的直接结果之一与制造具有特定特性的碳洋葱的努力有关。

对“用Sagnac干涉显微镜探测坡莫合金薄膜中的横向自旋Seebeck效应”一文的评论

Comment on "Optical detection of transverse spin-Seebeck effect in permalloy film using Sagnac interferometer microscopy"

测量自旋流和自旋累积是具有挑战性的。这主要是因为它们的体积小，并且缺乏与传统安培计或电压检测器相当的标准自旋检测器。更令人高兴的是听到探测自旋流和自旋积累的新方法。最近的一个例子是McLaughlin等人的论文[Phys. Rev. B 95，180401（2017）]，他们报告了使用Sagnac干涉仪显微镜通过光学手段对金属中横向自旋塞贝克效应（TSSE）的新测量。然而，由于没有标准的程序或参考测量可用于验证，关键的讨论是至关重要的评价这种新的实验方法。在我们的评论中，我们估计了McLaughlin等人观察到的效应的大小。为了说明估计的大小非常大，我们使用了与另一种自旋-热电子效应的比较：自旋相关的Seebeck效应。如此大的TSSE与之前无法解析TSSE信号的实验相矛盾。因此，我们认为McLaughlin等人测量的信号不是或不仅仅是由TSSE引起的。

强飞秒X射线脉冲诱导的非晶碳到石墨的固-固相变

Solid-to-solid phase transition from amorphous carbon to graphite nanocrystal induced by intense femtosecond x-ray pulses

我们提出了一个实验的结果，其中无定形碳的飞秒X射线自由电子激光脉冲照射。830 eV的激光脉冲在材料中诱导相变，其特征在于非原位。通过使用光学Nomarski显微镜测量每个照射区域的表面来确定相变能量阈值。阈值能量密度为282 +/- 11 mJ/cm ^2，对应于131 +/-5 meV/原子的表面吸收剂量。原子力显微镜测量显示照射样品区域的体积膨胀，表明固体到固体的相变。通过使用扫描光电子显微镜和显微拉曼光谱获得了对相变的更深入的了解。光电子显微镜显示石墨化，即从sp3到sp2杂化的改性，辐照材料。显微拉曼光谱显示局部有序的出现，即石墨纳米晶体的形成。最后，考虑到以前的理论和实验结果的相变的性质进行了讨论。

STM诱导的金属和氧化硅表面聚集体

STM-induced surface aggregates on metals and oxidized silicon

我们已经观察到的聚集的碳或碳衍生物的铂和原生氧化硅表面在STM测量过程中，在超高真空的溶剂清洁的样品结构的电子束光刻。我们用扫描隧道显微镜（STM）和扫描电子显微镜（SEM）对聚集层进行了成像。聚集材料的量随着STM扫描的次数和隧穿电压而增加。薄膜厚度可达10 nm，连续五次STM测量已获得。

单壁碳纳米管中Ni团簇的近场光学研究

Near-field optical investigation of Ni clusters inside single-walled carbon nanotubes on the nanometer scale

我们使用散射型扫描近场光学显微镜（s-SNOM）来表征单壁碳纳米管（SWCNT）内生长的镍纳米团簇。在纳米管中填充乙酰丙酮镍（II），通过退火将分子转化为镍簇。金属团簇在近场相位图中由于自由载流子的激发而产生高的局部对比度增强。近场对比度的模拟使用有限偶极子模型，近似与椭圆形纳米粒子的集群。与磁力显微镜相比，s-SNOM对碳纳米管内的金属簇的定位更为敏感。我们估计检测阈值为~600个Ni原子。

单缺陷在碳纳米管场效应晶体管电子输运中的作用

Role of Single Defects in Electronic Transport through Carbon Nanotube Field-Effect Transistors

利用扫描栅显微镜（SGM）和扫描阻抗显微镜（SIM）研究了单壁碳纳米管场效应晶体管（CNFET）中缺陷对电子输运的影响。SGM揭示了沿CNFET长度的离散缺陷处的局部场效应。单个缺陷的耗尽表面电位从作为尖端偏置电压的函数的缺陷的SGM成像半径被量化。这提供了一个测量的费米能级的缺陷与零尖端电压，这是小到20毫电子伏的最强的缺陷。通过SIM探测了缺陷对输运的影响，作为背栅和尖栅电压的函数。当背栅电压被设置为使CNFET“导通”（导电）时，SIM显示出沿其长度的均匀电位降，与扩散输运一致。相比之下，当CNFET“关断”时，在耗尽缺陷的位置处产生潜在的台阶。最后，第二组弱缺陷的高分辨率成像是在一个新的“尖端选通”SIM模式。

（6，5）碳纳米管吸收截面的计量学研究

Metrological Investigation of the (6,5) Carbon Nanotube Absorption Cross Section

利用单纳米管吸收显微镜，我们测量了（6，5）碳纳米管在二阶光学跃迁时的吸收截面。我们得到的值为3.2 × 10 ~（-17）cm ~ 2/C原子，精度为15%，准确度低于20%。这构成了第一个手性识别的纳米管的吸收截面研究。相关的吸收-发光显微镜上进行的长纳米管揭示了激子扩散的纳米管的直接表现。

锯齿形碳纳米管边缘态的Aharanov-Bohm效应

Aharanov-Bohm effect for the edge states of zigzag carbon nanotubes

在20特斯拉左右的Aharanov-Bohm磁场作用下，金属锯齿形碳纳米管在狄拉克点附近的两个离域态可以被定域.纳米管的长度和直径对局域化的依赖性表明，可以观察到的局域化-离域的转变为2 nm直径的管。用形变诱导的规范场解释了局域化的机制，表明了局域化的拓扑性质。从离域态到局域态的跃迁可以通过扫描隧道显微镜和光谱学观察到。讨论了这种跃迁与自旋霍尔效应的相似性。

光子晶体纳米腔对碳纳米管光致发光的增强

Enhancement of carbon nanotube photoluminescence by photonic crystal nanocavities

利用光子晶体纳米腔增强单壁碳纳米管的光致发光。胶束封装的纳米管沉积在硅光子晶体板内的纳米腔和共聚焦显微镜被用来表征的设备。光致发光光谱和图像显示纳米管发射耦合到纳米腔模式。腔模式可以在整个碳纳米管的发射波长进行调谐，证明了从各种手性增强光致发光的能力。

单壁碳纳米管一维能量色散的共振电子散射研究

One-Dimensional Energy Dispersion of Single-Walled Carbon Nanotubes by Resonant Electron Scattering

我们用低温扫描隧道显微镜表征了单壁碳纳米管费米能级附近的能带色散。分析能量依赖的驻波振荡，这是由于量子干涉的电子共振散射的缺陷，产生一个线性的能量色散EF附近，并指出宇称散射扶手椅型单壁碳纳米管的重要性。此外，这些数据提供的紧束缚重叠积分和费米波矢量的值与以前的工作很好的协议，但表明，电子相干长度大大缩短。

孤立多壁碳纳米管的导电性和原子结构

Conductivity and Atomic Structure of Isolated Multiwalled Carbon Nanotubes

我们报告相关的高分辨率透射电子显微镜（HRTEM）和运输测量一系列孤立的多壁碳纳米管。高分辨透射电镜观察，通过揭示相关的结构特征的管，揭示了一些光的各种观察到的传输行为，从半导体到准金属型。非欧姆行为观察到某些样品表现出“竹状”的结构缺陷。最导电样品的电阻，测量到20 mK，表现出明显的最大值在0.6 K和强的正磁阻。

碳纳米管的荧光增强光电探测

Antenna-enhanced Optoelectronic Probing of Carbon Nanotubes

我们报告的第一个天线增强的光电显微镜研究纳米器件。通过将发射和激发耦合到扫描光学天线，我们能够局部增强沿碳纳米管器件的电致发光和光电流。我们表明，电致发光的发射源可以是点状的，空间延伸小于20 nm。地形和天线增强的光电流测量显示，发射发生在最高的本地电场的位置，表明发射背后的机制是通过碰撞激发产生的激子的辐射衰减。

基于局域基轨道密度泛函理论的扫描隧道显微镜电流

Scanning tunneling microscopy current from localized basis orbital density functional theory

提出了一种基于局域原子轨道密度泛函理论计算弹性扫描隧道显微镜（STM）电流的方法。为了克服远离原子的波函数的局域轨道描述准确性较差的问题，我们使用总DFT势来传播波函数。从传播的波函数，Barnut的微扰方法提供了隧道电流。为了说明该方法，我们研究了吸附在Cu（111）表面上的一氧化碳，并恢复了用正常/CO官能化STM针尖实验观察到的凹陷/突起。该理论还允许我们讨论$s$ -和$p$ -波尖的意义。

碳纳米管量子化能级的电子波函数成像

Imaging Electron Wave Functions of Quantized Energy Levels in Carbon Nanotubes

碳纳米管提供了一个独特的系统来研究一维量子化现象。扫描隧道显微镜被用来观察短金属碳纳米管中对应于量子化能级的电子波函数。离散的电子波是明显的周期性振荡的微分电导作为沿管轴的位置的函数，具有不同于原子晶格的周期。在相邻的离散能量下，可以观察到几个电子态的波函数。测量的波长与计算的扶手椅型纳米管的费米波长吻合得很好。

石墨烯点缺陷的低剂量扫描透射电镜成像和极大似然重建分析

Analysis of point defects in graphene using low dose scanning transmission electron microscopy imaging and maximum likelihood reconstruction

自支撑石墨烯在低电子能量下对电子照射显示出出色的弹性。然而，石墨烯中的点缺陷受到束驱动动力学的影响。这意味着通常需要高电子辐照剂量的点缺陷的高分辨率显微照片可能不代表本征缺陷群。在这里，我们捕获的初始缺陷形成的喷射碳原子下的电子辐照，通过成像与非常低的剂量和随后的重建频繁发生的缺陷通过极大似然算法。

离散纳米类金刚石薄膜场发射级联

Films with the discrete nano-DLC-particles as the field emission cascade

通过碳纳米粒子束沉积法制备了具有离散的类金刚石纳米粒子的薄膜。通过扫描电子显微镜（SEM）和原子力显微镜（AFM）对它们的形貌进行了成像。纳米颗粒分散地分布在硅（100）衬底上。AFM谱线显示纳米粒子呈半球形。测试了纳米DLC/ Si级联结构的场致电子发射，在10.2V/μm下获得了1 mA/cm 2的电流密度。

碳纳米管的曲率、杂化和STM图像

Curvature, hybridization, and STM images of carbon nanotubes

研究了碳纳米管中曲率效应随手征的变化规律。发现π轨道在所有管中显著地再杂化，使得它们从不垂直于管的表面。这导致了电子能带结构中的曲率诱导间隙，其结果比以前的估计更大。π轨道的倾斜应该可以通过原子分辨率扫描隧道显微镜测量观察到。

单壁碳纳米管对电偶极子近场的散射

Scattering of the near field of an electric dipole by a single-wall carbon nanotube

使用碳纳米管作为光学探针扫描近场光学显微镜需要了解他们的近场响应。作为在这个方向上的第一步，我们研究了碳纳米管尖端相对于代表基本检测对象的理想电偶极子的横向分辨率。建立了单壁碳纳米管（SWNT）外任意取向电偶极子电磁场作用下表面电流密度的第一类Fredholm积分方程.单壁碳纳米管对源电偶极子近场的响应可以分为两种类型，因为表面波传播发生在（i）低于~ 200-250 THz的频率下的低阻尼和（ii）较高频率下的高阻尼。源电偶极子和单壁碳纳米管之间的相互作用严重依赖于它们的相对位置和相对取向，并显示在低频制度的单壁碳纳米管的几何共振的证据。当单壁碳纳米管的弛豫时间足够低时，这些共振消失。当源电偶极子放置在单壁碳纳米管的边缘附近时，远场辐射强度远高于放置在单壁碳纳米管的质心处。在散射型扫描近场光学显微镜中使用单壁碳纳米管尖端可以提供小于~ 20 nm的分辨率。此外，我们的研究表明，单壁碳纳米管和纳米偶极子源之间的相对取向和距离可以检测。