Collective formation of misfit dislocations at the critical thickness for equilibrium nanowire heterostructures
本文通过有限元模拟研究纳米线异质结构中失配位错网络的集体形成，揭示临界厚度处应变能最小构型从完全弹性应变到部分弛豫的突变及其特征失配密度。
2023-08-08 cond-mat.mtrl-sci
Misfit-dislocation hierarchy governs sliding of asymmetric non-CSL grain boundaries
Woodruff School of Mechanical Engineering, Georgia Institute of Technology（佐治亚理工学院机械工程学院）；School of Mechanics and Engineering Science, Peking University（北京大学力学与工程科学学院）；Institute of Microstructure and Property of Advanced Materials, Beijing Key Lab of Microstructure and Property of Advanced Materials, Beijing University of Technology（北京工业大学先进材料微结构及性能研究所）
本研究通过原子建模揭示非对称非CSL晶界滑动由初级和次级失配位错层级控制，提出统一晶体学与位错框架，阐明应力驱动滑动的微观机制。
2026-09-29 cond-mat.mtrl-sci
Ab initio Study of Misfit Dislocations at the SiC/Si(001) Interface
采用经典和从头算分子动力学相结合的方法研究了高晶格失配的SiC/Si（001）界面。在分析的几种配置中，钉扎在界面处的位错网络被发现是最有效的应变消除机制。给出了位错核心的详细描述，并讨论了最稳定的几何形状的相关的电子性能：我们发现，本地化的间隙，可能是一个源的电子器件故障的界面状态。
2007-09-11 cond-mat.mtrl-sci
Enhanced fracture toughness in ceramic superlattice thin films: on the role of coherency stresses and misfit dislocations
由耐火陶瓷组成的超晶格（SL）薄膜结合了极高的硬度和增强的断裂韧性;材料组合通常是相互排斥的。虽然现有的基于位错迁移率的模型很好地描述了当两种材料形成超晶格时所获得的硬度增强，但断裂韧性增加背后的潜在机制尚未解开。在这里，我们提供了一个模型的基础上，线性弹性理论来预测断裂韧性增强（半）外延纳米层由于相干应力和形成失配位错。我们示例性地研究了在MgO（100）单晶衬底上由两种立方过渡金属氮化物（TiN，CrN）组成的超晶格结构。每次在纳米层堆叠上添加新层时，总应变能的最小化允许估计在界面处形成的失配位错的密度。发展的相干应力，这是部分放松的错配位错，然后被用来计算表观断裂韧性的各个SL架构，通过应用权函数法。结果表明，对于极薄（基本上无位错）的SL，临界应力强度随双层周期的增加而急剧增加，但随着失配位错的形成，K_IC值下降较平缓。特征K_IC与双层周期依赖性很好地匹配实验趋势。重要的是，所有的临界应力强度值的超晶格薄膜明显超过本征断裂韧性的构成层材料，显示的重要性的相干应力增加的裂纹生长阻力。
2020-08-31 cond-mat.mtrl-sci
Minimum energy path for the nucleation of misfit dislocations in Ge/Si(001) heteroepitaxy
通过原子尺度的计算，确定了Ge/Si（001）界面上90°错配位错通过均匀形核形成的可能机制，其中用轻推弹性带方法找到了连接共格外延态和90°错配位错终态的最小能量路径.初始路径是在一个包含75000个原子的模型系统中使用排斥偏置激活过程产生的。沿路径的能量表现出两个能量极大值。第一个最大值出现在60°位错形核时。中间最小值对应于扩展的60°位错。随后的能量最大值发生在第二个60°位错在互补的镜像滑移平面中成核时，同时从表面和第一个60°位错开始。第二个位错的形核激活能比第一个低30%，表明第二个60°位错的形成是由第一个位错的存在所促进的。模拟代表了一个步骤，以解开90°位错的形成机制，在Si（100）表面上的应变释放Ge覆盖层的生长过程的设计中的一个重要问题，更一般地说明了一种方法，可以用来深入了解在固体中扩展的缺陷的复杂的成核路径的机制。
2016-01-25 cond-mat.mtrl-sci
Off-lattice Kinetic Monte Carlo simulations of strained heteroepitaxial growth
本文讨论了一种非格点、连续空间的动力学蒙特卡罗（KMC）算法，并将其应用于应变异质外延晶体生长的研究。作为一个出发点，我们研究了一个简化的（1+1）维的情况下，原子间的相互作用由简单的对势。该模型表现出在一个特征膜厚的应变诱导的失配位错的外观。在我们的模拟中，我们观察到这个临界厚度的晶格失配的幂律依赖性，这是与半导体化合物的实验结果相一致。我们还研究了应变诱导的多层岛或“点”的出现在所谓的Stranski-Krastanov（SK）生长模式的吸附物润湿层。在特征动力学膜厚度，从单层到多层岛的过渡发生。我们讨论的SK转变的微观原因和它的依赖模型参数，即晶格失配，生长速率和衬底温度。
2004-05-27 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.stat-mech
X-ray diffraction from dislocation half-loops in epitaxial films
该研究通过蒙特卡罗方法计算外延薄膜中位错半环的X射线衍射，揭示衍射特征随膜厚从失配位错向穿透位错连续转变，并比较刃型与螺型穿透臂的贡献。
2023-06-23 cond-mat.mtrl-sci
STEM beam channeling in BaSnO3/LaAlO3 perovskite bilayers and visualization of 2D misfit dislocation network
STEM探针沟道在异质结晶体样品的研究，在这里提出了一个目标，以指导适当的STEM为基础的表征复杂的结构。STEM分析的钙钛矿BaSnO 3/LaAlO 3双层膜进行和光束沟道HAADF和LAADF-STEM的主要影响进行说明。为了研究电子束在BaSnO 3/LaAlO 3双层膜中的传输，计算了探针强度的深度分布，讨论了探针散焦和原子柱排列对电子束传输的影响。光束通道的特性与所得的ADF-STEM图像相关，然后通过将平面图HAADF-STEM图像的焦点系列与实验记录的图像进行比较来测试。此外，讨论了如何可视化的失配位错网络在BaSnO 3/LaAlO 3接口使用HAADF和LAADF-STEM图像提供。
2019-06-13 cond-mat.mtrl-sci
Modeling and Simulation of Strained Heteroepitaxial Growth
我们引入了一个非晶格模型与连续的粒子距离和对潜在的相互作用，它允许应变异质外延生长的动力学蒙特卡罗（KMC）模拟装置的有效模拟。我们详细讨论了应用我们的模型模拟三个重要的应变弛豫机制：第一，在应变吸附膜的失配位错的形成进行了研究。我们发现一个幂律失配依赖的临界层厚度，与各种实验研究。第二，我们研究了自组装岛形成在一个薄的吸附物润湿层（Stranski-Krastanov生长）。我们表明，增加的扩散障碍的基板上是一个可能的动力学原因形成一个稳定的润湿层。岛的形成可以归因于吸附物材料的部分弛豫，其影响吸附物颗粒的扩散屏障。岛的尺寸和密度的失配，温度和粒子通量的依赖性是在良好的定性协议与金属有机气相外延实验。最后，我们认为表面合金化是多组分体系中的应变弛豫机制。平衡模拟表明，绑定和应变能之间的竞争产生规则的条纹图案。在非平衡条件下，我们发现斑图形成以及实验观察到的岛屿分歧。与格子气模型的比较表明，条纹的形成可以完全是由于动力学效应，但错配是必不可少的表面结构的分枝和稳定。
2004-10-18 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.stat-mech
Energetics and atomic mechanisms of dislocation nucleation in strained epitaxial layers
本文在二维原子模型中数值研究了具有晶格失配的衬底上应变外延层的失配位错成核和应力弛豫的能量学和原子机制。利用Lennard-Jones型原子间相互作用势和系统的鞍点及跃迁路径搜索方法，研究了不同跃迁路径下从相干态到非相干态的弛豫过程.该方法是基于排斥势最小化和轻推弹性带方法的组合。对于含有单个错配位错的末态，得到了不同错配和原子间相互作用势下的最小能量路径和相应的激活势垒。我们发现，能量势垒强烈降低失配。与连续弹性理论相反，观察到强拉压不对称性。这种不对称性可以理解为对势的排斥分支和吸引分支之间的不对称性的表现，并且发现它敏感地依赖于势的形式。
2003-08-09 cond-mat.mtrl-sci
The effect of the misfit dislocation on the in-plane shear response of the ferrite/cementite interface
尽管珠光体钢是研究最广泛的材料之一，但关于层状组织中的界面仍有许多问题没有得到解答。特别是，为了加深对具有细片层组织的珠光体钢的力学行为的理解，必须揭示铁素体/铁素体界面（FCI）的结构-性能关系。在这项研究中，我们分析了面内剪切变形的FCI使用原子模拟结合扩展原子知情的Frank-Bilby（xAIFB）方法和失准分析。在原子模拟中，我们施加沿12个不同方向的面内剪切应力的铁素体/铁素体双层Isaichev（IS），近Bagaryatsky（近BA）和近Pitsch-Petch（近PP）的取向关系（OR），分别。模拟结果表明，IS和近BA OR显示位错介导的塑性，除了两个方向，而近PP OR显示模式II（面内剪切）断裂在FCI沿所有方向。基于xAIFB和位错配准分析的结果，我们得出结论，FCI的面内剪切行为是由伯格斯矢量的大小和失配位错的核心宽度。
2018-05-04 cond-mat.mtrl-sci
Defect filtering for thermal expansion induced dislocations in III-V lasers on silicon
用于硅光子学的外延集成III-V族半导体激光器具有显著改变信息网络的潜力，但目前，位错限制了性能和可靠性，即使在基于缺陷容限InAs量子点（QD）的激光器中也是如此。尽管低于临界厚度，但这些器件中的QD层包含先前无法解释的失配位错，这有助于非辐射复合。我们在这里证明，这些失配位错形成在生长后冷却期间，由于（1）III-V层和硅之间的热膨胀失配和（2）在有源区中的沉淀和合金硬化的综合影响。通过结合一个额外的亚临界厚度，铟合金失配位错捕获层，我们利用这些机械硬化效应，我们的优势，成功地取代95%的失配位错从模型结构中的QD层。与传统的位错缓解策略不同，捕获层既不减少穿透位错的数量，也不减少失配位错的数量。它只是将失配位错的位置从QD层移开，减少了缺陷对发光的影响。在全激光器中，在QD有源区的上方和下方添加失配位错捕获层可以置换失配位错并大幅提高性能：我们测量到激光阈值电流降低了两倍，输出功率增加了三倍以上。我们的研究结果表明，采用传统的穿线位错减少技术和优化的失配位错捕获层的设备可能最终导致完全集成，商业上可行的硅基光子集成电路。
2020-08-04 cond-mat.mtrl-sci physics.app-ph
Effect of Misfit and Threading Dislocations on Surface Energies of PbTe-PbSe Interfaces
University of Florida（佛罗里达大学）；George Mason University（乔治梅森大学）；Northrop Grumman Corporation（诺斯罗普·格鲁曼公司）
本研究通过模拟揭示了错位和螺位错对PbTe-PbSe界面表面能的显著影响，发现直接键合界面表面能比相干界面低23%，外延界面表面能可降低近50%。
2026-03-03 cond-mat.mtrl-sci physics.comp-ph
Janus icosahedral particles: amorphization driven by three-dimensional atomic misfit and edge dislocation compensation
本研究利用原子分辨率电子断层扫描解析了Janus二十面体纳米颗粒的三维原子结构，发现其五重对称面呈现无序化，且轴向原子附近的刃型位错与无序区域补偿了角缺陷，揭示了多重孪晶颗粒的应变释放机制。
2023-10-25 cond-mat.mtrl-sci
Atomistic modeling of the structure and diffusion processes at Al(110)/Si(001) interphase boundaries obtained by vapor deposition
本文通过分子动力学模拟研究了Al(110)/Si(001)相界的原子结构与扩散行为，发现错配位错主导界面短路扩散并导致显著各向异性，且扩散速率高于Al(111)/Si(111)界面。
2024-12-30 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
Three-Dimensional Imaging of High-Density Dislocation Networks and Their Interactions using Multislice Electron Ptychography
Cornell University（康奈尔大学）；Seoul National University（首尔国立大学）
本研究利用多层电子叠层成像的深度切片能力，对蓝宝石上外延TiN中的高密度位错网络进行三维成像，揭示了间距约1.6纳米的失配位错及其向穿透位错的转变，为理解结构-性能关系提供了新方法。
2026-09-23 cond-mat.mtrl-sci
Strain relaxation by dislocation glide in ZnO/ZnMgO core-shell nanowires
核-壳半导体纳米线中失配应力的塑性弛豫会导致结构缺陷，不利于应用。在ZnO纳米线上制备了Zn{0. 7}Mg{0. 3}O/ZnO量子阱异质结构。应变沿a和c轴的纤锌矿结构是放松通过滑移位错半环从自由表面，在金字塔和棱柱形平面。在势垒中封闭一些半环以适应量子阱堆叠的两个连续界面处的失配。在纳米线芯内也观察到位错：与二维结构相反，芯和壳都可以塑性弛豫。
2012-05-09 cond-mat.mtrl-sci
Global transition path search for dislocation formation in Ge on Si(001)
在Si（001）衬底上应变Ge薄膜中失配位错形成的背景下，研究了复杂原子尺度系统中跃迁路径的全局优化问题。这些路径包含多个中间极小值，它们由系统中原子相互作用产生的能量表面上的最小能量路径连接。挑战是找到包括哪些中间状态，并构建一条通过这些中间体的路径，使过渡的总活化能最小。在这里提出的数值方法中，中间极小值是通过已知的最小能量结构的遗传变换和通过识别使用修改版本的轻推弹性带方法计算的最小能量路径中的局部极小值来构造的。当用这种方法构造连接均匀应变Ge膜和含有错配位错的膜的过渡路径时，确定了Ge-Si界面上90°错配位错形成的几种机制。这些机制之一，尚未在文献中报道的详细。该路径的激活能被计算为比完全孤立的60°位错的半环形成的激活能小26%。扩展的公共邻居分析方法，涉及表征的几何排列的第二近邻的是用来识别和可视化的位错和堆垛层错。
2016-01-25 cond-mat.mtrl-sci
Impact of misfit strain on the properties of tetragonal Pb(Zr,Ti)O3 thin film heterostructures
采用脉冲激光沉积法在SrTiO 3（100）衬底上制备了PbZr 0. 2 Ti 0. 8 O 3和PbZr 0. 4 Ti 0. 6 O 3异质结薄膜。利用铁电双层结构所提供的附加界面，通过改变层的排列顺序，可以改变位错含量和畴结构。通过透射电子显微镜研究了所得的微观结构。宏观铁电测量表明位错的形成和a/c畴结构对铁电极化和介电常数有很大的影响。的热力学分析使用的LANDAU-GINZBURG-DEVONSHIRE的方法，考虑到两个铁电层的厚度和静电耦合的比率被用来描述的实验数据。
2008-03-19 cond-mat.mtrl-sci
Equilibrium shape and dislocation nucleation in strained epitaxial nanoislands
本文采用二维原子模型，利用简单的原子间对势，数值研究了小应变外延岛的平衡形状、形状转变和位错成核。我们首先绘制出平衡岛形状的相图作为岛的大小（N = 105个原子）和晶格失配与基板的函数，并表明，纳米级的岛屿有四个通用的平衡形状，与弹性连续理论的预测相反。对于增加基板吸附的吸引力，我们发现岛屿上形成一个有限的润湿层上观察到的Stranski-Krastanow增长。我们还研究了不同形状的岛屿之间的过渡和位错成核在最初的相干岛屿的能量障碍和过渡路径。特别是，我们发现，位错成核自发地在边缘的吸附物-衬底界面以上的临界尺寸或晶格失配。
2005-10-05 cond-mat.mtrl-sci
Intragranular nucleation of tetrahedral precipitates and discontinuous precipitation in Cu-5wt%Ag
已知在CuAg合金中发生连续和不连续沉淀。用原子探针层析和透射电镜研究了Cu-5%wtAg合金在440 $^\circ$ C时效30 '后富Ag相的析出。观察到连续和不连续形成的沉淀物。位于晶粒内部的沉淀物呈现出两种不同的小平面形状：四面体和片状沉淀物。也证明了在两相之间的界面处存在容纳高失配的位错。基于这些实验观察，我们研究了这些位错对成核势垒的热力学效应，并表明这些奇特的形状是由于界面各向异性。适当数量的错配位错使弹性应力松弛并导致能量有利的沉淀。然而，由于母相和沉淀相之间的大的失配，对于CuAg合金经常报道的不连续沉淀可以是转化过饱和固溶体的较低能量路径。我们认为空位团的存在可能有助于晶内形核，
2020-05-07 cond-mat.mtrl-sci
Competing roughening mechanisms in strained heteroepitaxy: a fast kinetic Monte Carlo study
我们用二维动力学蒙特卡罗模拟研究了应变异质外延薄膜的形貌演化。一种新的格林函数方法，类似于边界积分法，用于计算弹性能量有效。我们观察到在低晶格错配度和高温下岛的形成，这与Asaro-Tiller-Grinfeld不稳定性理论一致。根据Tersoff和LeGoues的成核理论，在高失配和低温下，岛或坑形成。
2002-07-05 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.stat-mech
Minimum energy paths for dislocation nucleation in strained epitaxial layers
本文在二维原子模型中数值研究了具有晶格失配的应变外延层中位错成核的最小能量路径和能垒。采用基于排斥势最小化和轻推弹性带方法相结合的鞍点搜索方法，确定了不同过渡路径下从相干态到非相干态的应力松弛过程。最小的能量势垒导致一个单一的失配位错成核的最终状态的确定。观察到强的拉伸-压缩不对称性。这种不对称性可以理解为拉伸应变和压缩应变的性质不同的过渡路径。
2002-05-29 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.stat-mech
Coherent and semicoherent $α$/$β$ interfaces in titanium: structure, thermodynamics, migration
本文结合 MD、热力学积分和 DFT 训练的 Deep Potential，揭示钛共格/半共格 α/β 界面的位错-台阶结构及其各向异性迁移机制，并预测 α 相成核。
2023-12-08 cond-mat.mtrl-sci
Phase-field, dislocation based plasticity and damage coupled model: modelling and application to single crystal superalloys
本文提出了一个耦合相场、位错密度塑性和损伤的新模型。基于可动位错和不动位错的演化，建立了位错密度控制方程。模型中考虑了位错增殖、湮灭、位错相互作用引起的动-不动迁移和界面阻塞等机制。特别是，在位错和相场耦合模拟中经常出现的围绕粗化第二相的“吞隙”问题，在本模型中得到解决。此外，位错切割到第二相在第三蠕变过程中，这是很少被考虑在以前的相场模拟的单晶高温合金的现象，成功地捕捉在本模型与损伤耦合。模型动力学考虑了由外载荷、共格界面错配、塑性活动和损伤引起的长程应力，以及由反相界面、位错线张力和森林位错捕获引起的短程应力。利用该耦合模型对单晶高温合金在200 MPa和350 MPa下的高温蠕变进行了$\langle 001 \rangle$模拟，并与实验结果进行了比较。结果表明，在整个蠕变过程中，模拟的相组织、位错和蠕变性能与实验基本一致。
2021-12-24 cond-mat.mtrl-sci
Edge Dislocation Mediated Anomalous Charge Transfer in Face Centered Cubic High Entropy Alloys
School of Materials Science and Technology, IIT-BHU（印度理工联合学院瓦拉纳西分校材料科学与技术学院）；National Centre for Computational Sciences, Oak Ridge National Laboratory（橡树岭国家实验室国家计算科学中心）；Department of Metallurgy and Materials Engineering, IIEST Shibpur（IIEST Shibpur冶金与材料工程系）
通过大规模从头算研究CoNi、CoCrNi和CoCrFeMnNi合金，发现刃位错核心附近存在反常电荷重新分布，源于集体电负性均衡效应，并建立了位错诱导电子重新分布与局部体积响应之间的直接耦合。
2026-05-24 cond-mat.mtrl-sci
Interaction of $\langle a \rangle$ prismatic screw dislocations with the $α-β$ interface side face in $α-β$ Ti alloys
本研究采用分子静力学和动力学模拟，揭示了$\alpha-\beta$钛合金中$\langle a \rangle$棱柱型螺位错跨界面侧面的滑移传递机制及各向异性阻碍根源。
2023-09-14 cond-mat.mtrl-sci
Dislocation-free 3D islands in highly mismatched epitaxy: An equilibrium study with anharmonic interactions
占1+1维模型中的真实原子间势的非谐性表明，相干的3D岛可以形成在润湿层上的Stranski-Krastanov生长模式主要是在压缩的覆盖层。扩展覆盖层中的相干3D孤岛可以被预期为例外而不是规则。在相同材料的润湿层上形成相干3D岛的热力学驱动力是岛边缘附近的原子的较弱粘附力。平均粘附力随岛厚度的增加而减弱，但在几个单层后达到饱和。大于临界值的失配是相干3D孤岛的必要条件。具有临界尺寸的单层高度岛作为3D岛的必要前体出现。从单层高的岛到三维金字塔的2D-3D转换通过一系列具有离散增加的厚度的稳定的中间3D岛发生。
2002-08-15 cond-mat.mtrl-sci
Bismuth-surfactant-induced growth and structure of InAs/GaAs(110) quantum dots
本文研究了分子束外延生长的InAs量子点在GaAs（110）衬底上的自组装和结构。在InAs沉积过程中添加Bi助熔剂将InAs的生长模式从二维（2D）Frank-van der Merwe改变为Stranski-Krastanov，导致在表面上形成三维（3D）InAs岛。此外，将静态InAs 2D层暴露于Bi诱导应变层重排成3D岛。我们探讨了这两种生长方法的InAs厚度和Bi通量的变化的影响，观察在这两种情况下的3D岛形成的临界厚度。用高分辨率透射电子显微镜对（110）InAs量子点的表征表明，通过Stranski-Krastanov模式生长的较大岛屿是塑性弛豫的，而通过按需方法生长的小岛是相干的。沿[1-10]方向的应变弛豫是通过90度纯刃位错实现的，其中位错线沿[001]延伸。相反，沿[001]的应变消除是通过60度错配位错。这种行为与平面（In，Ga）As/GaAs（110）层的观察结果一致。这些结果说明了表面活性剂Bi如何能够在通常不发生量子点形成的地方引发和控制量子点形成。
2019-05-13 cond-mat.mtrl-sci
Reduction of spin polarization by incoherent tunneling in Co2FeAl/MgO/CoFe magnetic tunnel junctions with thick MgO barriers
我们报告的自旋极化减少非相干隧穿在现实的单晶Co2 FeAl/MgO/Co 50 Fe 50磁性隧道结（MTJ）相比，参考Fe/MgO/Fe。厚的MgO势垒及其与Co2 FeAl电极的3.8%晶格失配确保了基于Heusler的MTJ中的大密度的失配位错。我们的分析涉及相关的结构运输方法。用高分辨透射电子显微术相分析研究了实空间中的晶体学相干性。在变温下的电子输运实验，与理论扩展的Glazman-Matveev模型拟合，解决不同层次的隧道机制从直接到多中心跳跃。我们证明了一个双重的负面影响的位错，作为扩展的缺陷，隧道极化。首先，晶体对称性的破缺破坏了传播Bloch函数的纵向和横向相干性。这影响了跨（100）MgO势垒的Delta_1态的对称滤波效率，并降低了相关的有效隧穿极化。其次，位错提供MgO间隙内的局域态。这决定了温度激活的自旋守恒非弹性隧穿通过链的缺陷，这是负责的一个数量级的下降的隧道磁阻从低到室温。
2012-12-05 cond-mat.mtrl-sci
Coherent Stranski-Krastanov growth in 1+1 dimensions with anharmonic interactions: An equilibrium study
在Stranski-Krastanov生长模式的润湿层上形成的相干应变三维岛被认为是在1+1维的模型中占真正的原子间力的非谐性和非凸性。它示出，相干的3D岛屿可以预期形成在压缩，而不是在扩展覆盖层超过一个临界晶格失配。在后一种情况下，预计会发生经典的Stranski-Krastanov生长，因为错配位错在较小的岛屿尺寸下可能会变得非常有利。共格3D岛化的热力学原因是由于边缘原子的粘附力较弱而导致的不完全润湿。具有临界尺寸的单层高度岛作为3D岛的必要前体出现。后者解释了实验观察到的3D岛的窄尺寸分布。2D-3D转换通过单层到双层、双层到三层岛等的连续重排发生，在超过相应的临界尺寸之后。重排由成核事件引发，每个下一个成核事件都需要克服较低的能量势垒。该模型是在良好的定性协议与现有的实验观察。
2000-05-11 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.stat-mech
