本文报道了铁磷族化合物超导体Ba（Fe $_{1-x}$ Co $_x$）$_2$ As $x$单晶的拉曼散射光谱。冷却时，通过四方到正交晶系的过渡，我们观察到一个大的分裂的E $_g$平面声子模式涉及Fe和As位移。面内声子的分裂在过渡强烈减少掺杂后，消失的$x=0.06$定性以下的Fe磁矩所显示的趋势。分裂的起源进行了讨论，在铁pnictide系统固有的磁挫折，我们认为，这种增强分裂可能与强自旋-声子耦合。
英文摘要：
We report Raman scattering spectra of iron-pnictide superconductor Ba(Fe$_{1-x}$Co$_x$)$_2$As$_2$ single crystals with varying cobalt $x$ content. Upon cooling through the tetragonal-to-orthorhombic transition, we observe a large splitting of the E$_g$ in-plane phonon modes involving Fe and As displacements. The splitting of the in-plane phonons at the transition is strongly reduced upon doping and disappears for $x=0.06$ qualitatively following the trend displayed by the Fe magnetic moment. The origin of the splitting is discussed in terms of magnetic frustration inherent to iron-pnictide systems and we argue that such enhanced splitting may be linked to strong spin-phonon coupling.
Doping dependence of the electronic Raman spectra in cuprates
本文报道了不同掺杂水平下Bi $_2$ Sr $_2$（Y $_{1-x}$ Ca $_x$）Cu $_2$ O $_{8+δ}$单晶的电子喇曼散射测量结果。掺杂和入射光子能量的光谱的依赖关系进行了分析，为不同的极化几何形状，在超导和正常状态。我们发现在B $_{1g}$和B $_{2g}$两种几何构型中，超导对断裂峰随载流子浓度的标度行为有很大的不同.此外，我们没有发现任何显着的变化在两个对称性的过掺杂区域的光谱的线形的证据，而我们观察到的B $_{2g}$的强度降低后，减少光子能量。正常状态下的数据进行了分析的记忆功能的方法。在两种对称性的准粒子弛豫速率显示依赖于能量和温度，这与掺杂水平。
Quantitative Comparison between Electronic Raman Scattering and Angle-Resolved Photoemission Spectra in Bi$_2$Sr$_2$CaCu$_2$O$_{8+δ}$ Superconductors: Doping Dependence of Nodal and Antinodal Superconducting Gaps
Polarized Raman spectroscopy study of metallic $(Sr_{1-x}La_{x})_{3}Ir_{2}O_{7}$: a consistent picture of disorder-interrupted unidirectional charge order
Tailoring the Phase Transition and Electron-Phonon Coupling in 1T'-MoTe2 by Charge Doping: A Raman Study
过渡金属二硫属化合物（TMDs）是一类广泛研究的二维层状材料，以各种多晶型存在。MoTe 2的1 T '相是最重要的，因为据报道，与大多数已知的量子自旋霍尔（QSH）材料相比，它显示出具有~ 60 meV的相当大的带隙的量子自旋霍尔（QSH）行为。值得注意的是，虽然最初预测单层1 T '-MoTe 2显示QSH行为，但最近的理论研究声称，少层对应物也显示高阶拓扑行为。此外，1 T '-MoTe 2还通过破坏晶体的反转对称性而经历滞后相变到Td相（其为II型Weyl半金属）。虽然这两种拓扑相之间的相变是极其重要的，但其研究主要限于大块单晶薄片，从而没有充分探索维度的影响。我们研究了~ 1 T '-MoTe_2的相变与薄片厚度的关系。虽然我们的拉曼研究显示了薄（厚度<10 nm）薄片中相变的抑制[类似于报告Phys. Rev. B 97，041410（2018）]，但我们已经通过实验证明了通过电荷掺杂在室温下稳定所需相（1 T '或Td）的可能性。此外，我们已经观察到明确的签名的电子-声子耦合在MoTe 2，它演变为薄片厚度和电荷掺杂的函数。
