Anomalous polarization dependence of Raman scattering and crystallographic orientation of black phosphorus
我们研究了五种不同激发波长下黑磷（BP）中拉曼模式的偏振依赖性。通过比较偏光显微镜和高分辨率透射电子显微镜分析确定晶体取向。在偏振拉曼光谱中，无论激发波长或样品厚度如何，B2g模式都显示出相同的偏振依赖性。另一方面，Ag 1和Ag 2模式显示出依赖于激发波长和样品厚度的特殊偏振行为。厚度依赖性可以通过考虑由于BP晶体的双折射和二向色性引起的各向异性干涉效应来解释，但是波长依赖性不能解释。我们提出了一个简单的和失败的程序来确定BP晶体的取向结合偏振拉曼散射偏振光显微镜。
2015-11-09 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
Electrically tunable spin polarization of chiral edge modes in a quantum anomalous Hall insulator
在量子反常霍尔效应中，手征边缘模有望无耗散地传导自旋极化电流，从而在未来的低能耗电子学和自旋电子学中具有巨大的前景。然而，在实验中从未建立手征边缘模的自旋极化。本文基于第一性原理计算建立的有效模型和更接近实际的紧束缚模型，从理论上研究了量子反常霍尔效应中手征边缘模的自旋极化.我们发现自旋极化可以通过调节局部栅电压或费米能级来控制。我们还建议通过将量子反常霍尔绝缘体与铁磁（FM）引线接触来提取手征边缘模式的自旋信息。手征边缘模自旋极化的建立，以及完全电学的操控和探测，将为量子反常霍尔效应在自旋电子学中的应用铺平道路。
2016-05-09 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Orbital polarization and third-order anomalous Hall effect in WTe2
反常霍尔效应（AHE）已被扩展到非线性区域，其中霍尔电压对所施加的电流表现出高阶响应。然而，非线性AHE的微观机制仍不清楚。在这里，我们报告的轨道极化和其诱导的三阶AHE在几层WTe 2薄片。通过角相关电测量发现，三阶AHE与Berry连接极化率张量引起的轨道磁矩的电场诱导极化非常一致，并进一步通过极性反射磁圆二色光谱直接检测到.通过标度律分析了三阶AHE的微观机制，即电场诱导的Berry曲率驱动相反轨道的磁矩（上或下）向相反方向偏转，形成本征贡献;自旋Bloch电子的Magnus效应驱动相反轨道的磁矩向相反的横向散射，形成斜散射.
2022-07-17 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
Interlayer sliding direction as a symmetry selector in altermagnetic bilayer Fe2WS4: Switchable anomalous Hall and anomalous valley Hall effects
Jishou University（吉首大学）
研究交替磁双层Fe2WS4，通过第一性原理计算表明层间滑动方向是对称性选择控制参数。对角滑动可实现铁电可切换的反常霍尔效应，轴向滑动能导致可切换的反常谷霍尔效应，确立其为控制多种特性的非易失性对称性选择器。
2026-07-17 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
Anomalous polarization conversion in arrays of ultrathin ferromagnetic nanowires
利用磁振子对布里渊光的散射研究了纳米线阵列的光学性质。我们利用Stokes/anti-Stokes散射的不对称性来探测线偏振光波在纳米线内部产生的局部电场的圆偏振。我们观察到的异常极化转换的相反的符号比在体介质或厚纳米线的圆偏振度的极大增强归因于一个非常规的折射在纳米线介质。
2015-06-18 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci physics.optics
Anomalous valley polarization in monolayer MoSe2
现代电子设备严重依赖于对电子的电荷和自旋的精确控制。可控谷值自由度的出现为谷值电子学的发展带来了新的可能性和广阔的前景。最近，谷激发选择手性光泵浦已被观察到在单层二硫化钼。在这项工作中，我们报告了单层MoSe 2（过渡金属二硫属元素（MX 2）家族的另一个成员）的偏振光致发光（PL）测量，并观察到与MoS 2的结果存在巨大差异。特别是，我们确定了一个谷极化（VP）高达70%的B激子，而A激子是小于3%。此外，我们还找到了A- trion的一个小的有限负VP.这些结果揭示了几个新的谷内和谷间散射过程，显着影响谷极化，从而提供了新的见解激子物理在单层MX 2和可能的valleytronic应用。
2015-03-30 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
Electron Doping Stabilization of Highly-Polar Supertetragonal BaSnO3
本研究提出电子掺杂稳定高极化超四方BaSnO3的新机制，利用超四方态带隙更小的特性，通过电子掺杂降低其稳定所需的临界应变，实现巨极化与导电性共存，为高迁移率铁电导体设计提供新思路。
2025-07-31 cond-mat.mtrl-sci
Polarization-Dependent Resonant Anomalous Surface X-ray Scattering of CO/Pt(111)
研究了埋于电解质和高压气体中界面的共振反常表面X射线散射（RASXS）的偏振依赖性。我们表明，RASXS表现出很强的偏振依赖性时，表面只有轻微的修改，如一氧化碳吸附在铂表面的轻元素。s-和p-偏振RASXS数据用最新版本的从头计算多重散射计算（FIG.8.2）模拟。此外，还对RASXS中偏振依赖性的起源提出了基本的考虑。
2005-10-10 cond-mat.mtrl-sci
Anomalous temperature-dependent spin-valley polarization in monolayer WS$_{2}$
过渡金属二硫属化物（TMD）是一种具有非简并谷指数的直接带隙半导体。这些材料的一个有趣的可能性是使用它们的谷指数作为替代状态变量。这样的实用程序的几个限制包括强大的，声子使能谷间散射，以及多粒子相互作用导致多个发射通道。我们制备单层WS $_{2}$，使得光致发光来自中性或带电激子（trion）。在室温下，用圆偏振光激发后，中性激子发射具有零偏振，而三振子发射具有大偏振（28%）。的trion发射也有一个独特的，非单调的温度依赖性，我们表明是一个后果的trion的多粒子性质。这种温度依赖性使我们能够确定，库仑辅助谷间散射，电子-空穴辐射复合，和3粒子俄歇过程是在这个系统中工作的主导机制。因为这种依赖关系涉及三振子系统，所以可以使用栅极电压来调制从TMD结构发射的偏振（或强度）。
2015-12-29 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
Anomalous Polarization Reversal in Strained Thin Films of CuInP$_2$S$_6$
本文利用LGD方法研究应变下CIPS薄膜的极化反转，发现其因多势阱特性表现出与经典铁电体相反的反常应变效应，并用电致伸缩系数的反转符号解释了该机制。
2023-04-08 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
Anomalous Rabi oscillation and related dynamical polarizations under the off-resonance circularly polarized light
本文研究了在非共振区，频率远大于临界值（也远大于产生粒子-空穴对的频率），外加垂直电场的圆偏振光对拓扑绝缘体硅烯的光诱导效应.非共振圆偏振光引起的拉比频率反常是一种非线性光学现象。的赝自旋，谷，自旋自由度，这是动量和准能量依赖的时间行为进行了探讨。反常Rabi振荡还与光致拓扑相变有关，这种相变发生在Chern数为零的拓扑平凡态和Chern数为非零的拓扑非平凡态之间。非共振激光也可以通过对原子能带结构的控制来诱导拓扑相变，而不是像共振光那样将原子激发到高量子数态。辐射驱动场与偶极振荡的二分量动力学极化之间的交换，对确定面外自旋极化和质心运动起着重要作用，在一定条件下，可以诱导出振荡-回复斑图。在激光诱导的谐振势场中观察到的原子质心运动的拉比振荡可以用来探测原子粒子数的时间演化。我们的结果也适用于其他二维低能Dirac模型或三维拓扑绝缘体表面，甚至具有光致拓扑相变的Weyl半金属.
2018-06-10 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
Extrinsic Contribution to Nonlinear Current Induced Spin Polarization
该研究填补了非线性电流诱导自旋极化的无序诱导机制研究空白，推导了包含斜散射、带间相干效应等的外禀贡献，验证其重要性并构建标度律以辅助实验分析。
2024-03-07 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
Possible way to achieve anomalous valley Hall effect by tunable intrinsic piezoelectric polarization in FeO$_2$SiGeN$_2$ monolayer
本文通过第一性原理研究FeO$_2$SiGeN$_2$单层，发现其兼具约120 meV谷极化与面内压电极化，并揭示电子关联和应变可调控铁谷到量子反常霍尔相的相变，为压电反常谷霍尔效应提供新途径。
2024-10-21 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
Type III Valley Polarization and Anomalous Valley Hall Effect in Two-Dimensional Non-Janus and Janus Altermagnet Fe2WS2Se2
研究提出通过交错磁体的镜像对称性破缺实现 III 型自发谷极化，并在非 Janus 与 Janus Fe2WS2Se2 中揭示反常谷霍尔效应及应变、磁场调控机制。
2025-06-11 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
Intrinsic Valley Polarization and Anomalous Valley Hall Effect in Single-Layer 2H-FeCl2
Valley作为一种新的电子自由度，由于其编码和存储信息的巨大潜力而引起了人们的广泛关注。为了实现谷电子器件，必须提高能量简并度以实现谷极化。在这里，第一性原理计算的基础上，我们表明，单层FeCl 2表现出一个大的自发谷极化（~101 meV）所产生的破缺的时间反演对称性和自旋轨道耦合，这可以通过改变磁性晶体的方向连续调谐。利用微扰理论，揭示了其物理机制。此外，谷自由度与铁磁有序之间的耦合可以在面内电场的存在下产生自旋和谷极化的反常霍尔电流，有利于其实验探索和实际应用.
2020-03-10 cond-mat.mtrl-sci
Polarization Dependence of Anomalous X-ray Scattering in Orbital Ordered Manganites
为了确定锰氧化物中轨道有序的类型，我们从理论上研究了由散射因子的各向异性引起的反常X射线散射的偏振依赖性。导出了实验光学系统中散射强度的一般公式，并在微观电子模型下计算了原子散射因子。利用这些结果，数值计算了几种轨道排列下的X射线散射强度随方位角和分析角的变化。
1998-08-06 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Anomalous Piezoelectricity from Polarization-Dependent Electrostriction in Wurtzites
Pennsylvania State University（宾夕法尼亚州立大学）；University of Wisconsin-Madison（威斯康星大学麦迪逊分校）
研究纤锌矿中电致伸缩和压电性，发现其与极化密切相关，电致伸缩和弹性模量强烈依赖极化，压电系数高度非线性，极化减小可能增加机电应变响应，源于结构演化，对理解纤锌矿铁电体热力学及相关行为有重要意义。
2026-07-08 cond-mat.mtrl-sci
Anomalous Pressure-Enhanced Polarization in Sliding Ferroelectrics
Cornell University（康奈尔大学）；Nanyang Technological University（南洋理工大学）；National Institute for Materials Science（物质材料研究机构）
研究发现流体静压力可增强滑动铁电体（平行堆叠双层氮化硼）的极化，而非抑制，极化近似线性增加80%至1.66 GPa，为超薄滑动电子存储器提供调控手段。
2026-09-28 cond-mat.mtrl-sci
Resonance Anomalous Surface X-ray Scattering
共振反常表面X射线散射（RASXS）技术应用于电化学界面研究。它被用来确定电化学形成的阳极氧化膜在铂表面的化学状态。结果表明，RASXS表现出强烈的偏振依赖性时，表面显着修改。极化依赖性证明了三个例子;阳极氧化物的形成，硫酸盐吸附，和CO吸附在铂表面上。s-和p-偏振RASXS数据用最新版本的从头计算多重散射计算（FIG.8.2）模拟。基本的理论考虑也提出了在RASXS的偏振依赖性的起源。
2005-10-10 cond-mat.mtrl-sci
Interlayer ferroelectric polarization modulated anomalous Hall effects in four-layer MnBi2Te4 antiferromagnets
本文通过对称性分析和DFT计算，研究了四层反铁磁MnBi2Te4中层间铁电极化对磁序和反常霍尔效应的影响，发现极化工程可将材料从平庸绝缘体转化为Chern绝缘体并反转霍尔电流方向。
2024-02-19 cond-mat.mtrl-sci
Anomalous change in leakage and displacement currents after electrical poling on lead-free ferroelectric ceramics
本文报道了一种三价非极性阳离子Al取代的P4 mm空间群四方相无铅铁电陶瓷NBT-BT的极化、位移电流和漏电流行为。在电极化条件下，漏电流降低了近三个数量级，显著改善了微结构、极化和位移电流。有效的极化能中和畴钉扎，在晶界捕获电荷，用基体中的自由载流子填充氧空位，从而使宏观极化饱和。E-极化将香蕉型极化回路改变为真正的铁电回路。
2015-09-13 cond-mat.mtrl-sci
Spin-polarization-induced structural selectivity in Pd$_3X$ and Pt$_3X$ ($X=3d$) compounds
已知自旋极化在开壳层原子和元素固体中导致重要的{ \it磁}和{ \it光}效应，但很少涉及控制化合物和合金中的{ \it结构}选择性。在这里，我们表明，自旋极化电子结构计算是至关重要的预测正确的$T=0$晶体结构的Pd $_3X$和Pt $_3X$化合物。自旋极化导致（i）在Pt $_3$ Cr、Pd $_3$ Cr和Pd $_3$ Mn中$L1_2$结构相对于$DO_{22}$结构的稳定化，（ii）在Pd $_3$ Co中$DO_{22}$结构相对于$L1_2$结构的稳定化，以及（iii）在Pt $_3$ Co和Pd $_3$ Cr中有序化（而不是相分离）。根据第一性原理局域自旋密度计算结果进行了分析。
1995-06-29 cond-mat.mtrl-sci mtrl-th
High spin polarization of the anomalous Hall current in Co-based Heusler compounds
基于本征反常和自旋霍尔电导的第一性原理密度泛函计算，我们预测了Co基全Heusler化合物Co $_2$ XZ中的电荷霍尔电流（X = Cr和Mn; Z = Al、Si、Ga、Ge、In和Sn），除了Co $_2$之外，即使Co $_2$ MnAl，Co $_2$ MnGa，Co $_2$ MnIn和Co $_2$ MnSn不具有半金属能带结构。此外，相关的自旋电流与电荷霍尔电流的比率略大于1.0。这表明这些Co基Heusler化合物，特别是Co $_2$ MnAl，Co $_2$ MnGa和Co $_2$ MnIn，它们被发现具有大的反常和自旋霍尔电导率，可以被称为反常霍尔半金属，并且可以在自旋电子学例如自旋阀以及磁阻和自旋扭矩驱动的纳米器件中具有有价值的应用。这些有趣的发现进行了讨论，在计算的电子能带结构，磁矩和异常和自旋霍尔电导率作为费米能级的函数。
2013-03-03 cond-mat.mtrl-sci
Magnetoresistance generated from charge-spin conversion by anomalous Hall effect in metallic ferromagnetic/nonmagnetic bilayers
提出了金属铁磁/非磁双层膜中由异常霍尔效应引起的电荷-自旋转换产生的磁电阻效应的理论公式。通过求解自旋扩散方程，得到了非磁性和铁磁性的纵向和横向磁率的解析表达式。由铁磁体中的反常霍尔效应引起的电荷-自旋转换所产生的磁阻与铁磁体中自旋极化的平方成正比，并且具有固定的符号。我们还发现额外的磁阻在非磁性和铁磁性所产生的自旋霍尔和反常霍尔效应的混合。这种混合电阻的符号取决于非磁体中的自旋霍尔角和铁磁体的自旋极化。
2016-11-23 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci cond-mat.other
Strain-tunable multipiezo effects in Janus monolayer Cr2SSe: Selective reversal of valley polarization and single-spin-channel anomalous valley Hall effect
Jishou University（吉首大学）
研究通过第一性原理计算揭示Janus单层Cr2SSe中应变可调的多铁电效应，展示谷极化反转与单自旋通道异常谷Hall效应，为低功耗谷度自由度操控提供理论基础。
2026-04-01 cond-mat.mtrl-sci
Anomalous Hall effect and current spin polarization in Co$_2$FeX (X = Al, Ga, In, Si, Ge, and Sn) Heusler compounds: A systematic {\it ab initio} study
本文在广义梯度近似（GGA）下对CoPDMATHABMN Fe基Heusler化合物CoPDMATHABMN FeX（X = Al，Ga，In，Si，Ge，Sn）中的两个主要自旋相关现象，即反常霍尔效应和电流自旋极化进行了系统的{ \it ab initio}研究.采用精确的全势线性缀加平面波方法。我们发现Co $_2$ Fe X（X = Al，Ga，In，Al $_{0.5}$ Si $_{0.5}$ and Sn）中纵电流的自旋极化为$\sim$ 100%，而费米能级的电子态的自旋极化（$P^L$）不是100%.此外，其他化合物也具有高电流自旋极化与$P^L > 85$。这表明，所有的Co $_2$ FeX化合物被认为是有前途的自旋传输设备。有趣的是，在Co $_2$ FeX（X = Si，Ge和Sn）中，$P^D$是负的，与$P^L$以及输运实验的符号不同。其次，计算出的异常霍尔电导率（AHCs）是温和的，是在200 S/cm，并同意与现有的实验高度L2 $_1$有序的Co $_2$ FeSi样品，虽然他们显着不同的其他化合物的B2反位障碍存在的实验报告。令人惊讶的是，AHC在Co $_2$ FeSi减少，然后改变符号时，Si被Ge取代，最后被Sn取代。第三，计算的总磁矩与相应的实验值吻合良好，除了Co $_2$ FeSi，其中相差0.3 $μ_B$ /f. u。存在.我们还…
2015-03-01 cond-mat.mtrl-sci
