Quantum Conductance of the Single Electron Transistor
用泛函积分方法研究了单电子隧穿晶体管的量子电导。该方法适用于任何温度下形成SET晶体管的结的任意隧道电阻。通过半经典方法计算路径积分，得到了SET晶体管量子电导的显式非微扰形式。当隧道电阻远小于量子电阻时，量子电导出现反常现象。还讨论了电导与栅压的关系。
1999-12-11 cond-mat.mes-hall
Conductance of the single-electron transistor: A comparison of experimental data with Monte Carlo calculations
我们报告的金属单电子晶体管的电导作为温度，栅极电压和无量纲电导的函数的实验结果。与以前的实验相比，我们的晶体管布局允许直接测量并联电导，并且不需要对晶体管的对称性进行特别假设。因此，我们可以在没有任何可调参数的情况下将我们的数据与理论预测进行比较。即使是相当弱的导电晶体管显着偏离微扰的结果。另一方面，路径积分蒙特卡罗计算显示出显着的协议与实验的整个范围内的温度和电导。
2002-05-15 cond-mat.mes-hall
Memory effect in ferroelectric single electron transistor: violation of conductance periodicity in the gate voltage
大多数在岛上具有准连续准粒子谱的单电子器件的基本性质是它们的输运特性在栅电压下的周期性。即使相对于将铁电绝缘体放置在源极和漏极隧道结中，该性质也是稳健的。我们发现，将铁电体内部的栅极电容打破这种周期性。这种SET的电流-电压特性强烈地依赖于铁电极化，并且即使对于可以忽略的铁电滞后也显示出巨大的记忆效应，使得这种器件有希望用于记忆应用。
2014-10-30 cond-mat.mes-hall cond-mat.str-el
Kondo Physics in the Single Electron Transistor with ac Driving
利用含时的安德森哈密顿量，研究了在栅极附近施加交流电压的量子点。证明了线性响应电导对外部频率和驱动幅度的丰富依赖性。在低频率下，交流电位在点的谱密度中产生近藤峰的边带，导致电导在几十年的频率上对数下降。在中频下，由于点能级卫星的近藤共振的出现，点的电导表现出振荡行为。在高频下，由于光子辅助隧穿和近藤共振之间的相互作用，点的电导可以迅速变化。
1998-01-23 cond-mat.mes-hall cond-mat.str-el
Conductance of the Single Electron Transistor for Arbitrary Tunneling Strength
我们研究了单电子晶体管的电导对温度和栅电压的依赖关系，重点是高导电器件。用路径积分Monte Carlo方法对电子隧穿进行了非微扰处理，电导由Kubo公式确定。采用正则化奇异值分解方法从虚时间模拟数据计算电导。我们的研究结果之间的桥梁可用的分析结果在半经典和微扰的限制，并发现解释最近的实验结果在一个政权不能访问早期的方法。
2000-08-16 cond-mat.mes-hall
Conductance modulation in spin field-efect transistors under finite bias voltages
研究了自旋场效应晶体管在有限偏压下的电导调制。结果表明，当在自旋场效应晶体管的两端之间施加有限的偏置电压时，在器件的半导体沟道中注入的自旋极化电子的自旋进动状态将不仅取决于栅电压控制的Rashba自旋轨道耦合，而且还取决于偏置电压，因此，由于Rashba自旋-轨道耦合而引起的器件中的电导调制也可能敏感地取决于偏置电压。
2004-03-08 cond-mat.mes-hall
Differential Conductance Peak Exchange in Borromean Ring Single Molecule Transistors
虽然单分子晶体管已经在实验室研究中使用了很多年，但仍然有许多与电荷传输相关的细节尚未被描述。我们已经使用电迁移技术来创建一个纳米大小的间隙，用于在电子束光刻法定义的金线的最西端部分容纳单个分子。最近合成的Borromean环配合物被用作晶体管器件的活性分子元件。在单分子晶体管中，对于源极-漏极电压的扫描，通常会出现零电导的区域-称为电导间隙-其中心约为V_sd = 0。我们已经观察到这些电导间隙交换位置的相对侧上的差分电导峰作为改变栅极偏压的结果。我们将这种性质与流经分子的大多数载流子的符号变化联系起来。也就是说，当通过分子能级的电流在空穴流和电子流之间移动时，发生微分电导的测量变化。
2005-04-13 cond-mat.mes-hall
The Kondo effect in C$_{60}$ single-molecule transistors
我们使用电迁移技术来制造基于C $_{60}$的单分子晶体管。我们详细的过程统计和协议，用于推断成功形成的单分子晶体管。在低温下，每个晶体管在库仑阻塞状态下充当单电子器件。微分电导中的共振表明与已知的C $_{60}$模式一致的振动激发。在几个设备中，我们观察到的近藤效应，一个相干的多体状态，包括通过交换耦合到导线的传导电子的分子上的不成对的自旋特性的电导功能。推断的近藤温度通常超过50 K，和签名的振动模式持续到近藤制度。
2003-10-27 cond-mat.mes-hall cond-mat.str-el
Thermal Conductance of a Single-Electron Transistor
我们报告的热量和电荷传输通过单电子晶体管的组合测量。该器件作为一个热开关由施加在栅极上的电压驱动。发现在远离电荷简并点处，热传导和电荷传导的比率的Wiedemann-Franz定律被系统地违反。观察到的偏差与理论预期一致。当源漏之间的温差较大时，远离简并的热流偏离了两个温度之间的标准二次关系。
2017-04-09 cond-mat.mes-hall
Microwave Nanotube Transistor Operation at High Bias
我们测量小信号，1 GHz的源漏动态电导的背栅单壁碳纳米管场效应晶体管在低和高直流偏置电压。在所有偏置电压下，1 GHz下的固有器件动态电导与低频动态电导相同，与远高于1 GHz的截止频率的预测一致。这项工作是一个重要的一步，对射频和微波放大器的纳米管晶体管的全面表征。
2005-09-05 cond-mat.mes-hall
Thermal Conductance of a metallic dot Single-Electron Transistor
量子点是研究纳米尺度下热传递基本原理的理想系统，也是很有前途的纳米级热机和热器件。在这里，我们报告我们的理论模型的金属点单电子晶体管（md-SET）的热导最近的实验上的低T热导的验证。通过与实验结果的比较，强调了模型的物理解释和特征值，并将模型应用于md-SET热开关的性能评价。计算的电荷电导G、热导\k{appa}和\k{appa} /GT的比值与实测值完全一致。实验结果证实了理论预测的经典区域库仑振荡的周期性、G和\k{appa}的低温极值和高温极限。计算的md-SET的电导呈现在从低T到高T的通用曲线中。它示出的md-SET可以有效地操作作为一个热开关的温度，Ec是充电能量的点。
2018-06-05 cond-mat.mes-hall
Quantized Conductance and Field-Effect Topological Quantum Transistor in Silicene Nanoribbons
硅烯是一种量子自旋霍尔绝缘体，在外加电场（如电场、光辐射和反铁磁序）的作用下，硅烯会发生拓扑相变。我们研究了硅烯纳米带的电子和输运性质的基础上的Landauer形式。我们建议通过测量态密度和电导来确定拓扑相变。电导是量子化的，当系统转换到不同的相位时，电导的值会发生变化。我们表明，硅烯纳米粒子附近的零能量作为场效应晶体管。该晶体管是鲁棒的，但它利用了最小的量化电导，因为零能量的边缘状态的拓扑保护。我们的发现为未来的拓扑量子器件开辟了一条新的途径。
2013-03-06 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
A Dual Gate Spin Field Effect Transistor With Very Low Switching Voltage and Large ON-to-OFF Conductance Ratio
提出并分析了一种新颖的具有半金属铁磁源漏接触的双栅自旋场效应晶体管（SpinFET）。晶体管有两个栅极焊盘，可以独立偏置。它可以通过两个焊盘之间的差分偏置的几mV变化来开启或关闭，从而在切换期间实现极低的动态功耗。在10 K的温度下，导通电导与截止电导之比仍然相当大（~ 60）.该器件还具有良好的反相器特性，使其在低功耗和高密度布尔逻辑电路中的应用具有吸引力。
2007-11-09 cond-mat.mes-hall cond-mat.other
Linear response conductance and magneto-resistance of ferromagnetic single-electron transistors
考虑了铁磁单电子晶体管（SET）中的电流。利用路径积分，线性响应电导被表示为隧道电导与量子电导和温度与库仑充电能量的函数。铁磁-正常金属-铁磁（F-N-F）SET的磁阻几乎与库仑充电能量无关，并且只有当输运停留时间大于自旋翻转弛豫时间时才减小。在自旋翻转弛豫时间可以忽略的全铁磁（F-F-F）SET中，高温下的磁阻是解析计算的，低温下的磁阻是数值计算的。在低温下，当感应电荷消失时，F-F-F磁电阻通过高阶隧穿过程而增强。相反，在共振附近的“开”状态下，磁阻比是反温度的非单调函数。
2001-06-28 cond-mat.mes-hall
Robust negative differential conductance and enhanced shot noise in transport through a molecular transistor with vibration assistance
本文分析了振动辅助的有序隧穿（包括电流-电压特性和零频率散粒噪声）通过具有两个与内部振动不对称耦合的电子轨道的分子量子点。我们采用速率方程的情况下，平衡的声子，和强库仑阻塞。我们发现，具有强声子耦合基态轨道和弱声子耦合激发态轨道的系统具有很强的负微分电导，同时也具有超泊松电流噪声.详细讨论了负微分电导出现的原因和条件。
2008-02-20 cond-mat.mes-hall
Coulomb blockade in a Si channel gated by an Al single-electron transistor
我们采用Al-AlO_x-Al单电子晶体管作为窄（~100 nm）金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）的栅极。在MOSFET沟道电导阈值附近，我们观察到沟道中与库仑阻塞相关的电导振荡，揭示了Si单电子晶体管的形成。在扫描的Al晶体管的电导与栅极电压的突变步骤与单电子充电事件在Si晶体管，反之亦然。使用简单的静电模型分析这些相关性表明，两个单电子晶体管岛紧密对齐，岛间电容约等于Si晶体管岛的总电容的1/3，表明Si晶体管与Al晶体管强耦合。
2007-10-05 cond-mat.mes-hall
Vibrational Sidebands and Kondo-effect in Molecular Transistors
研究了近藤体系中单振动模耦合分子量子点的电子输运。我们应用一个广义的Schriffl-Wolff变换来确定有效的低能自旋-自旋-振子相互作用。从这个模型中，我们计算的非线性电导，并找到近藤边带位于偏置电压等于振动子频率的倍数。由于选择规则，侧峰被发现有很强的栅极电压依赖性，这可以通过实验来测试。在弱电子-振子耦合条件下，我们采用微扰重整化群方法解析计算了非线性电导。
2004-09-07 cond-mat.mes-hall cond-mat.str-el
Current Characteristics of the Single-Electron Transistor at the Degeneracy Point
研究了弱单模隧道结条件下简并点处单电子晶体管的线性和非线性输运性质。两个相反的情况被认为是，区分电子是否可以在两个隧道结之间的相干传播。这两种情况中的每一种对应于不同的多通道近藤效应的实现-在允许相干传播的情况下的两通道近藤效应，以及在不存在相干传播的情况下的四通道近藤效应。线性和非线性电导的详细分析，提出了这些方案中的每一个，在一个广义的非交叉近似的非平衡多通道近藤哈密顿。随着温度的降低，零偏异常的发展，其特征在于由多通道近藤效应的异常幂律。微分电导与V/T（V是施加的电压偏置，T的温度）的比例函数提出了一个独特的实验签名，这两种情况下的每一个。在引线之间的相干传播的情况下，以及对于两个引线的不对称耦合，从四通道到两通道行为的交叉表现为零温度电导的消失，以及对于小的不对称性的差分电导的非单调电压依赖性。
2003-02-28 cond-mat.mes-hall cond-mat.str-el
The current and the charge noise of a single-electron transistor in the regime of large charge fluctuations out of equilibrium
利用Schwinger-Keldysh方法，计算了单电子晶体管（SET）在大电荷涨落下的电流噪声和电荷噪声.我们的结果介于先前的理论之间;“正统”理论和“共同隧道理论”。我们发现，寿命展宽效应抑制Fano因子低于以前的理论估计的值。我们还表明，大的隧道电导并没有降低能量灵敏度这么多。定量地说明了SET静电计可以作为高灵敏度、高速度的量子测量器件。
2002-09-08 cond-mat.mes-hall cond-mat.str-el
Luttinger liquid and polaronic effects in electron transport through a molecular transistor
用主方程方法研究了电子输运通过与Luttinger液体铅弱耦合的单能级量子点的问题。结果表明，对于弱或中等强相互作用的微分电导表现出类似谐振的行为作为偏置和栅极电压的函数。与振动子辅助电子隧穿相关的非弹性通道甚至可以在一定的相互作用强度区域内主导电子输运。在强相互作用的极限下，谐振行为消失，微分电导随温度（线性状态）或偏压（非线性状态）的功率降低而缩放。
2013-01-31 cond-mat.mes-hall cond-mat.str-el
Gate-modulated conductance of few-layer WSe_2 field-effect transistors in the subgap regime: Schottky barrier transistor and subgap impurity states
在半导体研究领域，有两个关键主题脱颖而出：材料质量和接触技术。原子薄过渡金属二硫属化物（TMDC）的新兴领域面临着许多挑战，在这两个努力。这项工作试图通过检查少层（1- 5 L）WSe 2场效应器件的栅极相关电导来建立两者之间的联系。测量和建模的subgap制度揭示肖特基势垒晶体管的行为。我们发现，通过接触势垒的传输是占主导地位的电子场致发射（TFE）在室温下，尽管缺乏故意掺杂。TFE工艺的出现是由于大量的子带隙杂质态，其存在也导致高迁移率边缘载流子密度。在我们的器件中，这种杂质态的态密度自洽地确定为大约1-2x10^13 /cm^2/eV。我们证明，基板是不可能的杂质状态的主要来源，并怀疑材料本身的晶格缺陷是主要负责。我们的实验为提高TMDC材料和电气器件的质量和理解提供了关键信息。
2015-05-04 cond-mat.mes-hall
Absence of Localization in Certain Field Effect Transistors
本文综述了几种二维电子系统（2DES）在零磁场（B=0）下观察到的金属-绝缘体相变（MIT）的一些实验和理论结果。电导的标度和电导的磁场依赖性提供了令人信服的证据表明，MIT是由载流子之间的库仑相互作用驱动的，并且对载流子的自旋极化非常敏感。
1997-11-01 cond-mat.dis-nn cond-mat.mes-hall cond-mat.str-el
Majorana single-charge transistor
我们研究通过库仑阻塞的拓扑非平凡的超导导线（马约拉纳端态）的金属导线接触的运输。通过这种相互作用的马约拉纳单电荷晶体管的电流的精确公式推导出的线谱函数。从三个不同的角度可以得出一个全面的图景。我们发现库仑振荡与普遍减半的有限温度下的峰值电导强封锁条件下，谷电导主要来自弹性共隧穿。由于涉及库珀对分裂的异常隧穿，非线性电导表现出有限电压边带。
2012-10-23 cond-mat.mes-hall
Numerical Analysis of the Stub Transistor
短截线波导和短截线晶体管是下一代电子器件的候选者。特别地，这种结构可以用于基于自旋电子学的量子计算，因为它能够诱导自旋极化载流子。在本文中，我们提出了模拟的短截线晶体管（单，双栅极）的电导，建模与最近邻紧束缚哈密顿。观察到沟道电导随外加短截线电压的振荡行为。
2003-04-08 cond-mat.mes-hall
Dynamic response of a single-electron transistor in the ac Kondo regime
本文对微波辐照磁场中的单电子晶体管（SET）在非平衡近藤区进行了理论研究。频率-Ω-微波的双重效应是：电压随频率Ω振荡，耦合参数随频率Ω/p（\in \mathbb{N}）振荡。我们描述了系统的近藤模型在图卢兹极限的特定点。提出了一种非微扰方法，即在2πp/Ω周期内对非平衡格林函数和物理观测量进行平均。当微波辐射被认为只影响电压时，人们看到了在以前的研究中所述的近藤卫星。此外，当近藤耦合被认为是振荡的时间，一个SET的微分电导和磁化率的功能变得更加丰富。我们得到卫星峰分裂。它解释了在实验结果中可以发现出现在微分电导-磁幅度特性G（H）或微分电导-直流电压特性G（V_{dc}）中的峰之间的距离可以小于\hbar Ω的可能性。
2012-12-13 cond-mat.mes-hall cond-mat.str-el
Electrical Transport Model of Silicene as a Channel of Field Effect Transistor
本文提出了场效应晶体管结构中作为沟道的硅烯（Silicene）的电输运解析模型。虽然硅烯的载流子浓度表现出与石墨烯相似的行为，但在电导行为方面存在一些差异。所提出的模型显示，在总的载流子和电导的增量与预期的传统半导体的温度只影响在中性点的栅极电压。最小电导随温度的升高而增大，但在简并区保持稳定。所提出的解析模型与基于非平衡格林函数方法和密度泛函理论的数值电导计算结果吻合较好。
2014-05-29 cond-mat.mes-hall
Electrically Tunable Quasi-Flat Bands, Conductance and Field Effect Transistor in Phosphorene
磷烯是近年来分离得到的一种蜂窝状结构的黑磷。基于紧束缚模型研究了磷烯纳米带的电学性质。一个突出的特点是存在准平坦的边缘带完全脱离散装带。我们探索的准平坦带的出现的机制解析和数值从已知的石墨烯的蜂窝晶格的连续变形的平坦带。准平坦带可以通过施加垂直于带方向的面内电场来控制。电导在临界电场以上被切断，其充当场效应晶体管。临界电场与纳米尺度的宽度成反比。这一结果将为基于磷烯的纳米电子学铺平道路。
2014-04-23 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
Symmetry fingerprints of a benzene single-electron transistor
库仑相互作用和轨道对称性之间的相互作用在分子单电子晶体管（SET）中产生了特定的输运特性，这些特性可以被认为是接触分子的指纹。具体来说，我们预测，苯SET，选择性电导抑制和外观的负微分电导时，改变接触从对位到Meta配置。这两种效应都起源于轨道简并态输运中的相消干涉。
2008-01-18 cond-mat.mes-hall
Direct Imaging of Nanoscale Conductance Evolution in Ion-Gel-Gated Oxide Transistors
本文利用低温微波阻抗显微镜对超薄离子凝胶门控的ZnO双电层晶体管进行亚表面成像，实现了金属-绝缘体转变过程中沟道电导纳米尺度空间演化与局域涨落的直接观测，为研究EDLTs局域输运和介观电子性质提供了新方法。
2015-06-11 cond-mat.mes-hall
Effect of back-gate on contact resistance and on channel conductance in graphene-based field-effect transistors
研究了单层和双层石墨烯背栅场效应晶体管的接触电阻和传输特性。我们分别测量了Ni和Ti的约7kohm* um 2和约30kohm* um 2的比接触电阻率。我们发现，接触电阻是一个显着的贡献者的总源漏电阻，它是调制的背栅电压。我们测量的传输特性，显示双浸功能，我们解释为掺杂的影响，由于从接触引起的最小状态密度的接触下，在不同的栅极电压的沟道中的石墨烯的电荷转移。
2012-10-09 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
From the Kondo Regime to the Mixed-Valence Regime in a Single-Electron Transistor
我们表明，通过单电子晶体管在低温下的电导是在定量协议与平衡安德森模型的预测。当未成对电子局域在晶体管中时，观察到近藤效应。将未成对电子的能量调整到附近引线的费米能级，会在近藤和安德森模型的混合价态之间产生交叉。
1998-07-15 cond-mat.mes-hall cond-mat.str-el
Topological field-effect transistor with quantized ON/OFF conductance of helical/chiral dislocation states
本研究提出一种基于三维拓扑绝缘体螺位错态的新型拓扑场效应晶体管，通过局域磁场调控实现开/关态均为量子化电导的可逆切换，并验证BaBiO₃为候选材料，为高保真拓扑量子器件提供新思路。
2022-11-21 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
Gating a single-molecule transistor with individual atoms
晶体管，无论其尺寸如何，都依赖于电栅极来控制源极和漏极触点之间的电导。在原子尺度的晶体管中，这种电导对通过单个轨道跳跃的单个电子非常敏感。分子晶体管中的单电子输运先前已经使用自上而下的方法进行了研究，例如光刻和断开结。但是，原子级精确的栅极控制--这对晶体管在最小尺寸尺度上的动作至关重要--在这些方法中是不可能的。在这里，我们使用单个带电原子，通过扫描隧道显微镜操纵，为单分子晶体管创建电子门。这种程度的控制使我们能够将分子调整到顺序单电子隧穿的状态，尽管电导间隙比以前观察到的大一个数量级以上。这种意想不到的行为是由于分子存在两种不同的取向构象，这取决于其电荷状态。我们的研究结果表明，这些电荷和构象自由度之间的强耦合导致新的行为超出了原子级晶体管中的单电子输运的既定图片。
2016-03-02 cond-mat.mes-hall
Quantum transport through a deformable molecular transistor
对具有电子-电子和电子-声子相互作用的模型分子晶体管的线性输运性质进行了解析和数值研究。该模型考虑到声子调制的电子能级和分子和电极之间的隧穿势垒。当这两种效应都存在时，它们导致电导对栅极电压的依赖性不对称。在电子-声子相互作用的存在下观察到近藤效应。在弱耦合和强耦合的情况下，存在重要的质的差异。在第一种情况下，出现由自旋涨落驱动的标准近藤效应。在第二种情况下，它由电荷波动驱动。电子-声子相互作用改变了分子的光谱密度与其电荷之间的费米-液体关系。值得注意的是，零温电导和电荷之间的关系保持不变。因此，当分子中的平均电子数为奇数时，在所有状态下都有完美的透射。
2004-09-01 cond-mat.mes-hall cond-mat.str-el
Insulating behavior in ultra-thin bismuth selenide field effect transistors
用机械剥离法在300 nm SiO2/Si衬底上制备了拓扑绝缘体Bi 2Se 3的超薄（~3层）场效应晶体管（FET）。温度和栅极电压依赖的电导测量表明，Bi 2Se 3 FET的n型，并有一个明确的关断状态，在负栅极电压，激活温度依赖的电导和能量障碍高达250毫电子伏。
2012-01-18 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
Ballistic spin field-effect transistors: Multichannel effects
我们研究了弹道自旋场效应晶体管（SFET）的多沟道效应问题。的SFET的电导调制作为Rashba自旋轨道耦合强度的函数进行了数值研究的通道数从几个到接近100。即使在理想的自旋注入器和收集器，电导调制比，定义为最大和最小电导之间的比率，迅速衰减，并与通道数的增加接近1。事实证明，当Rashba自旋轨道耦合较大时，衰变速度明显加快。电子相干性的影响也被检查在多通道制度，它被发现，在多通道制度的相干Fabry-Perot-like干涉引起的嵌套峰结构。对于一个非理想的自旋注入器/集电极结构，这是由一个传统的金属铁磁薄绝缘体2DEG异质结构，Rashba耦合诱导的电导调制强烈的影响所产生的电子约束效应的绝缘体的大共振峰。最后，散射效应进行了简要说明，它被发现，在弱扩散制度，共振峰的位置波动，使电导调制信号样品依赖。
2011-10-11 cond-mat.mes-hall
Quantum Criticality in Ferromagnetic Single-Electron Transistors
大量的证据表明，传统的量子临界点理论（QCP）是失败的，这表明需要引入新的激发。近藤纠缠的破坏和伴随的临界近藤效应可能是重费米子金属中这些涌现激发的基础-量子临界的原型系统-但这种效应仍然知之甚少。在这里，我们展示了如何铁磁单电子晶体管可以用来研究这种效果。我们从理论上证明了栅电压引起的量子相变。临界近藤效应表现为电导对温度的分数幂律依赖性（$T$）。交流电导和热噪声频谱具有相关的幂律频率依赖性（$ω$），此外，还显示出$ω/T$标度。我们的研究结果意味着，铁磁纳米结构构成了一个现实的模型系统，以阐明磁量子临界性，这是重费米子和其他大块材料与非费米液体行为的核心。
2005-12-17 cond-mat.mes-hall cond-mat.str-el
Three-terminal devices to examine single molecule conductance switching
我们报告的单分子晶体管器件的电子输运测量，将联吡啶-二硝基低聚亚苯基-亚乙炔基二硫醇（BPDN-DT），一个已知的分子表现出电导切换在其他测量配置。我们观察到滞后电导开关在8%的设备与可测量的电流，并发现，开关特性对栅极电压的依赖性是罕见的相比，其他单分子晶体管器件。这表明极化子的形成不太可能是这些器件中开关的原因。我们讨论这一点和替代开关机制。
2006-07-14 cond-mat.mes-hall
Phonon effects in molecular transistors
速率方程的形式主义是用来确定电子-声子耦合的影响上的电导的分子。声子诱导的量子点上的态密度重整化和声子诱导的点-铅耦合的重整化之间的相互作用被发现是重要的。声子是否能够在与电子通过点的渡越时间相比迅速的时间内平衡被发现影响电导。声子平衡的观察签名。
2003-02-08 cond-mat.mes-hall
Analysis of the two dimensional Datta-Das Spin Field Effect Transistor
本文导出了弹道式二维自旋场效应晶体管（SPINFET）电导调制随栅电压变化的解析表达式。使用这个表达式，我们表明，最近观察到的电导调制的二维SPINFET结构不匹配的理论预期的结果很好。这使人们对SPINFET所声称的演示提出了质疑，并强调了进一步仔细调查的必要性。
2010-01-20 cond-mat.mes-hall cond-mat.other
Interplay of Vibration and Coulomb Effects in Transport of Spin-Polarized Electrons in a Single-Molecule Transistor
研究了在外加磁场中相互作用的自旋极化电子通过单能级振动量子点的隧穿输运。利用密度矩阵方法计算了单电子晶体管的电流-电压特性和电导随温度的变化关系。我们发现在外加磁场中库仑阻塞的解除是分阶段发生的。由于电子输运中的两个塞曼分裂能级的贡献，在我们的情况下，与非弹性电子隧穿相关的Franck-Condon步骤增加了一倍。在库仑相互作用的存在下，也可以观察到步骤的加倍。对于强电子-振子相互作用，电导的温度依赖性是非单调的，电导最大值的反常增长弱依赖于库仑强度和外加磁场.
2021-03-22 cond-mat.mes-hall
Resonant tunnelling and negative differential conductance in graphene transistors
石墨烯和其他独立的二维晶体的化学稳定性意味着它们可以以不同的组合堆叠，以产生一类新的功能材料，专为特定的设备应用而设计。在这里，我们报告了狄拉克费米子通过氮化硼屏障的共振隧穿，几个原子层厚，夹在两个石墨烯电极之间。当两个电极的电子光谱对齐时，器件特性中的谐振峰出现。由此产生的负微分电导持续到室温，并且由于石墨烯独特的Dirac样光谱而可调节栅极电压。传统的共振隧穿器件包括夹在两个隧道势垒之间的量子阱，厚度为数十纳米，而我们器件中的隧穿载流子仅穿过几个原子层，提供了超快渡越时间的前景。这一特性，结合器件特性的多值形式，具有在高频和逻辑器件中应用的潜力。
2013-05-01 cond-mat.mes-hall
Single-dopant resonance in a single-electron transistor
半导体纳米结构中的单一掺杂剂最近已经被详细研究，因为它们是量子比特的良好候选者，只要它们被耦合到检测器。在这里，我们报告一个单一的作为施主原子的单电子晶体管（SET）的硅纳米线场效应晶体管的耦合。实现电容和隧道耦合，后者导致通过SET的电导急剧增加，高达一个数量级。与实验同步发展的速率方程理论很好地解释了实验结果。
2010-12-26 cond-mat.mes-hall cond-mat.str-el
Hysteresis of Electronic Transport in Graphene Transistors
石墨烯场效应晶体管通常包括位于SiO2表面上的石墨烯薄片。依赖于栅极电压的电导示出了依赖于栅极扫描速率/范围的滞后。它示出在这里，晶体管表现出两种不同类型的滞后在其电特性。电荷转移引起最小电导的栅极电压的正向偏移，而电容选通可以引起电导相对于栅极电压的负向偏移。正滞后现象随着石墨烯片层数的增加而衰减。氦气氛中的自加热显著地去除了吸附物并减少了正滞后。我们还观察到石墨烯器件在低温下的负滞后。研究还发现，石墨烯上/下的冰层具有比水层强得多的偶极矩。电解质栅极中的移动离子和铁电栅极中的极性切换也可能导致石墨烯晶体管中的负滞后。这些发现提高了我们对石墨烯对其周围环境的电响应的理解。石墨烯对环境的独特敏感性及其相关现象值得在非易失性存储器、静电检测和化学驱动应用方面进行进一步研究。
2011-01-18 cond-mat.mes-hall
Quantum transport properties in Datta-Das tuned opacity spin-transistors
我们研究了自旋相关的量子输运性质，使用一个简单的建模的Datta-Das自旋晶体管。我们完善以前的结果，通过会计传播介质的不透明度的变化，感受到巡回电子，当栅极电压被打开，并通过横向能级失配建模。监测拓扑依赖的电导，我们能够确定设备的工作点。当入射电子能量接近偏置诱导势垒高度时，自旋分辨电导振荡变得明显。在零温度的图片，我们的计算的自旋依赖电导的电场的函数在栅电极下面的区域建议的可行性建模设备。虽然我们证明了相位时间可能不是自旋分辨的，但我们的模拟使我们能够评估电子经历自旋翻转过程所需的时间，从而使自旋弛豫时间的数量级低于典型值。
2015-07-09 cond-mat.mes-hall
Violation of the Wiedemann-Franz Law in a Single-Electron Transistor
研究了库仑相互作用对金属单电子晶体管热电输运系数的影响。通过进行微扰膨胀到第二阶的隧道势垒电导，我们包括顺序和cotunneling过程，以及量子涨落，重新正规化的充电能量和隧道电导。我们发现，库仑相互作用导致强烈违反的Wiedemann-Franz定律：洛伦兹比成为栅电压依赖的顺序隧穿，并增加了9/5的系数在cotunneling制度。最后，我们提出了一个实验实现的测量方案。
2008-04-04 cond-mat.mes-hall
Terahertz response of carbon nanotube transistors
本文提出了一种基于自洽非平衡格林函数的含时量子输运方法。该技术被应用到弹道碳纳米管晶体管的存在下，在栅极的时间谐波信号。在ON状态下，动态电导在太赫兹频率处表现出等离子体共振峰。这些在OFF状态下消失，动态电导显示出平滑的振荡，这是单粒子量子效应的特征。我们发现，纳米管的动力学电感起着至关重要的作用，在高频行为。
2009-06-16 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
Electric-field control of interfering transport pathways in a single-molecule anthraquinone transistor
应当理解，分子共轭在通过单分子结的电荷传输中起重要作用。在这里，我们研究电子输运通过蒽醌基单分子三端器件。通过使用由栅电极诱导的电场，分子被还原，导致非谐振微分电导增加十倍。理论计算将微分电导的变化与还原诱导的共轭变化联系起来，从而解除了运输途径的相消干涉。
2015-07-31 cond-mat.mes-hall
Magnetic topological transistor exploiting layer-selective transport
提出了一种基于MnBi $_{2}$ Te $_{4}$的磁拓扑晶体管，通过改变两端结内相邻电场的相对方向（平行与反平行），可以很容易地实现导通状态（量子化电导）和截止状态（零电导）的切换.我们解释说，拟议的磁性拓扑晶体管依赖于一种新的机制，由于拓扑结构，磁性，和层的自由度在MnBi $_{2}$ Te $_{4}$的相互作用。它的性能主要取决于薄膜的厚度和磁序的类型。我们表明，“开”和“关”状态的晶体管是强大的，对无序由于拓扑性质的表面状态。我们的工作为基于拓扑范德华反铁磁体MnBi $_{2}$ Te $_{4}$的层选择输运的应用开辟了一条途径。
2023-03-15 cond-mat.mes-hall
Independently switchable atomic quantum transistors by reversible contact reconstruction
迄今为止，可主动切换的原子级器件（特别是晶体管）的受控制造仍然难以捉摸。在这里，我们解释了一个原子级的三端设备的操作通过一个新的开关机制的电，自稳定重建的电极接触在原子水平：虽然该设备是由电化学沉积制造，它完全操作的基础上的机械效应的固液界面。我们在实验和原子模拟中分析了机械和热稳定的金属结，预定义的量子化电导为1- 5G_0。结构和电导特性的原子模型阐明了作为设备的基本机制的双电极重构。两个晶体管在低电压下的独立室温操作展示了原子尺度上量子电子学和逻辑学的有趣前景。
2009-04-06 cond-mat.mes-hall
Investigation of coupling geometry and dimerization effects on thermoelectric properties of a C60 molecular transistor
本文用格林函数方法研究了线性响应区C_（60）分子晶体管的热电特性。紧束缚模型被用来调查的二聚化和耦合的电导，热电势和品质因数的几何形状的效果。增加分子与电极间的连接点，由于干涉效应，导致电导峰的数目减少。此外，热电势的振荡通过增加连接点来减少。还观察到，参与能量传输的载流子的种类取决于耦合几何形状。结果表明，连接点的增加会导致优值的降低。
2013-07-03 cond-mat.mes-hall
Kondo Shuttling in Nanoelectromechanical Single-Electron Transistor
从理论上研究了纳机电单电子晶体管（NEM-SET）中的机械辅助近藤效应和电荷穿梭。结果表明，机械运动的中心岛（一个小的金属粒子）的自旋的结果在时间相关的隧道宽度，导致有效的提高近藤温度。含时振荡近藤温度T_K（t）改变了微分电导的标度行为，导致强耦合区输运的抑制和弱耦合区输运的增强。讨论了Abrikosov-Suhl共振的微调条件和近藤穿梭的可能实验实现。
2006-04-06 cond-mat.mes-hall cond-mat.str-el
Uncovering edge states and electrical inhomogeneity in MoS2 field-effect transistors
理解原子薄过渡金属二硫属化物（TMD）中的各种类型的无序，包括边缘处的悬挂键、本体中的硫属元素缺陷以及衬底中的电荷，对于它们在电子学和光子学中的应用具有根本重要性。由于这些缺陷，在这些二维（2D）晶体上移动的电子经历空间非均匀的库仑环境，其对电荷输运的影响尚未进行微观研究。在这里，我们报告的介观电导映射在单层和少层二硫化钼场效应晶体管（FET）的微波阻抗显微镜（MIM）。绝缘体到金属的过渡的空间演化被清楚地解决。有趣的是，随着晶体管逐渐导通，在出现在大量二硫化钼薄片中之前，导电最初出现在边缘，这可以通过我们的第一性原理计算来解释。结果明确地证实，边缘状态的沟道电导的贡献是显着的阈值电压下，但可以忽略不计，一旦大部分的TMD设备变得导电。在MIM图像中还观察到与2D片中的无序势的波动相关的强电导不均匀性，为未来改进器件性能提供了指导。
2016-07-22 cond-mat.mes-hall
Resonant microwave properties of a voltage-biased single-Cooper-pair transistor
本文研究了电压偏置单库珀对晶体管的微波动力学和输运特性。的动态被示出强烈的影响多个微波诱导的能级间跃迁之间的干扰。因此，直流约瑟夫森电流的大小和方向对偏置电压的微小变化和微波场频率的变化极其敏感。
2003-07-23 cond-mat.mes-hall
