Theory of Current-Induced Breakdown of the Quantum Hall Effect
通过使用冯诺伊曼晶格表示研究具有高注入电流值的稳态的量子霍尔效应，我们发现由于霍尔电场而发生扩展态带的加宽，并导致量子霍尔效应的击穿。霍尔电导同意一个拓扑不变量，是量子化的临界场以下，而不是量子化的临界场以上。临界场与$B^{3/2}$成比例，并且如果扩展态占据系统的一小部分，则临界场显著增强。
1998-11-13 cond-mat.mes-hall
Spatial gradient of dynamic nuclear spin polarization induced by breakdown of quantum Hall effect
研究了霍尔栅器件中量子霍尔效应击穿区动态核极化的空间分布。我们检测核磁共振（NMR）信号的极化核自旋通过测量霍尔电压$V_{xy}$使用三对电压探针连接到霍尔条的导电通道。我们发现，NMR信号的幅度取决于霍尔电压探针的位置，并且最大的NMR信号从离电子注入电极最远的探针对获得。结合抽运-探测实验结果，我们得出QHE击穿引起的DNP沿电子漂移方向发展的结论。
2010-12-20 cond-mat.mes-hall
Dynamic nuclear polarization and Knight shift measurements in a breakdown regime of integer quantum Hall effect
核自旋在奇整数量子霍尔效应（QHE）的击穿机制中被电极化。电子激发到具有相反自旋极性的上朗道子带，通过超精细相互作用翻转核自旋。极化核自旋降低了自旋分裂能，加速了QHE击穿。在射频磁场的照射过程中，也可以通过调整电子密度来测量核自旋的奈特位移。
2007-11-21 cond-mat.mes-hall
Unraveling quantum Hall breakdown in bilayer graphene with scanning gate microscopy
我们使用低温扫描门显微镜（SGM）调查的剥离双层石墨烯片的量子霍尔制度的崩溃。SGM的击穿过程中捕获的图像表现出复杂的模式的“热点”的电导是强烈影响的尖端的存在。我们的结果很好地描述了基于量子渗流的模型，该模型将高响应度的点与局部朗道能级之间的尖端诱导散射联系起来。
2012-01-19 cond-mat.mes-hall
Coherent manipulation of nuclear spins in the breakdown regime of integer quantum Hall states
我们提出了一种利用量子霍尔效应击穿引起的动态核极化对核自旋进行电操纵的新方法。通过GaAs/AlGaAs单异质结界面处的二维电子系统与核自旋系统的超精细相互作用，实现了核自旋的极化和探测。通过测量导体的纵向电压，观察到核自旋量子态之间的相干振荡。
2008-08-29 cond-mat.mes-hall
Quantum Breakdown of the Quantized Hall Insulator
我们提出了一个解析标度理论的本地化在一个二维的分层网络模型，旨在代表相位相干电子输运的量子霍尔制度。标度表达式的纵向和霍尔磁阻。与最近的数值研究一致，我们发现霍尔电阻率在金属相是量子化的，但在绝缘相发散。这表明量子化霍尔绝缘体的特性只能在强退相机制存在的情况下发生。
2001-01-29 cond-mat.mes-hall
Spatially resolved breakdown in reentrant quantum Hall states
可重入整数量子霍尔（RIQH）态被认为是相关的电子固相，尽管它们的微观描述仍然不清楚。随着偏置电流的增加，这些状态的纵向和霍尔电阻率测量表现出多个尖锐的击穿转变，RIQH状态特有的签名。我们提出了RIQH击穿的空间分辨测量，表明这些击穿签名可以归因于击穿和未击穿区域之间的相边界，从源极和漏极接触作为偏置电流和通过电压探针的函数一个接一个地手性传播。扩散的手征意义不是由边缘态本身的手征性设定的，而是取决于RIQH态的类电子或类空穴特性。
2016-01-18 cond-mat.mes-hall
Non-equilibrium breakdown of quantum Hall state in graphene
在这份报告中，我们通过注入高电流密度（$\sim$ 1 A/m），实验探测单层石墨烯中量子霍尔态的非平衡击穿。在整数填充因子附近测得的无耗散输运的临界电流显示填充因子的依赖性。的击穿可以理解的朗道能级（LL）之间的散射，从不同的LL的波函数的混合。为了进一步研究横向电场的影响，我们测量了不同偏置电流下$ν=2$到$ν=6$平台跃迁之间的横向电阻，并观察到一个不变点。
2009-08-01 cond-mat.mes-hall
Induced currents, frozen charges and the quantum Hall effect breakdown
本文介绍了在量子霍尔效应（QHE）范围内用转矩磁力仪得到的令人困惑的结果，并提出了一种理论解释。磁矩饱和，这是通常归因于QHE击穿，被证明是有关的电荷重新分布在整个样品。
2003-10-14 cond-mat.mes-hall
Puddle-induced resistance oscillations in the breakdown of the graphene quantum Hall effect
我们报告的稳定性的量子霍尔平台宽霍尔酒吧从化学门控石墨烯薄膜生长在SiC。$ν=2$量化平台从场$B \simeq 5$ T出现并持续到$B \simeq 80$ T。在高电流密度下，在击穿制度，纵向电阻振荡的$1/B$周期性和异常的阶段，我们涉及到额外的电子水库的存在。高场实验数据表明，这些水库诱导的载流子密度的连续增加到最高的可用磁场，从而扩大了量子平台。这些面内不均匀性以高载流子密度石墨烯袋的形式调制量子霍尔效应击穿并降低击穿电流。
2016-11-24 cond-mat.mes-hall
Electron-Hole Asymmetric Chiral Breakdown of Reentrant Quantum Hall States
可重入整数量子霍尔（RIQH）态被认为是相关的电子固相，尽管它们的微观描述仍然不清楚。随着偏置电流的增加，这些状态的纵向和霍尔电阻率测量表现出多个尖锐的击穿转变，RIQH状态特有的签名。RIQH击穿特性在多个电压探针的比较表明，这些签名可以归因于击穿和未断开的区域之间的相边界，从源极和漏极接触作为偏置电流和通过电压探针一个接一个的函数手性传播。扩散的手征意义不是由边缘态本身的手征性设定的，而是取决于RIQH态的类电子或类空穴特性。
2016-10-02 cond-mat.mes-hall
Solitary Waves of Planar Ferromagnets and the Breakdown of the Spin-Polarized Quantum Hall Effect
确定了平面铁磁体中均匀传播孤立波的一个分支。作为守恒动量的函数，确定了各向同性铁磁体的孤立波的能量色散和结构。随着动量的增加，它们的结构经历了从类似于自旋波液滴的形式到Skyrmion/anti-Skyrmion对的转变。这些孤立波的形成的不稳定性被证明提供了一个机制的电场诱导击穿的自旋极化量子霍尔效应。
1998-01-15 cond-mat.mes-hall
Landau velocity for collective quantum Hall breakdown in bilayer graphene
量子霍尔效应（QHE）的击穿通常与接近朗道能级间（LL）齐纳场的电场、朗道带隙与回旋半径的比值相关联。在半导体异质结构中，尽管进行了广泛的研究，但本文使用高迁移率双层石墨烯和高频电流噪声报道了固有齐纳极限。我们表明，电子-电子相互作用所产生的集体激发是必不可少的。在无噪声弹道QHE机制之外，大的超泊松散粒噪声通过LL间散射发出击穿信号。在声子和杂质散射被淬灭的情况下，击穿最终受到集体激发的限制。其破裂机制与超流体的Roton机制有很强的相似性，可用Landau临界速度来描述。
2018-05-15 cond-mat.mes-hall
Two-step breakdown of a local v = 1 quantum Hall state
本文报道了AlGaAs/GaAs异质结中体材料v_bulk = 2系统中局域填充因子v_local = 1态的量子霍尔效应击穿。当有限的源极-漏极偏置施加在局部系统上时，击穿分两步发生。在低偏压下，通过v_local = 1系统的量子化电导由于边缘间电子隧穿而击穿。在高偏置下，v_local = 1系统的不可压缩性被打破，因为自旋能隙关闭。这两个步骤是解决相结合的测量，连续检测的核磁共振和散粒噪声，它允许一个评估电子自旋极化在本地系统和自旋相关的电荷输运通过系统，分别。
2019-07-18 cond-mat.mes-hall
Spontaneous Breakdown of Translational Symmetry in Quantum Hall Systems: Crystalline Order in High Landau Levels
我们报告的结果系统的二维电子气系统的数值研究受到一个垂直的磁场，高朗道水平部分填充的电子。我们的结果强烈暗示了平移对称性的破坏和在基态中存在晶体有序。这与最低和第一激发朗道能级的物理形成鲜明对比，并且与早期的Hartree-Fock研究定性一致。我们的研究结果的实验意义进行了讨论。
2001-01-16 cond-mat.mes-hall
Part-per-million quantization and current-induced breakdown of the quantum anomalous Hall effect
在量子反常霍尔效应中，量子化霍尔电阻和消失的纵向电阻率被预测是由于存在无耗散的手性边缘态和绝缘的2D体，而不需要外部磁场。在这里，我们探讨了这种效应在磁性拓扑绝缘体薄膜的磁性应用的潜力。使用低温电流比较器系统，我们测量的霍尔电阻的量化到百万分之一和纵向电阻率下10米$Ω$每平方在零磁场。增加电流密度超过一个临界值导致击穿的量子化，低耗散状态，我们归因于电子加热体电流。我们进一步调查的预击穿制度，通过测量运输依赖于温度，电流和几何形状，并找到大量耗散的证据，包括热激活和可能的可变范围跳跃。
2017-10-05 cond-mat.mes-hall
Non-ohmic to ohmic crossover in the breakdown of the quantum Hall states in graphene under broadband excitations
本研究通过高迁移率石墨烯Corbino器件在宽带激发下的实验，发现量子霍尔态击穿由非欧姆变程跳跃到欧姆焦耳热主导的交叉控制，并利用VRH测温区分冷热电子区域。
2025-10-09 cond-mat.mes-hall
Phase-space for the breakdown of the quantum Hall effect in epitaxial graphene
我们报道了由聚合物栅控外延石墨烯在SiC（SiC/G）上的量子霍尔效应击穿所定义的相空间作为温度、电流、载流子密度和磁场的函数，最高可达30 T。在2K击穿电流（$I_c$）几乎两个数量级以上的GaAs器件进行观察。无耗散态（$ρ_{xx}=0$）的相边界显示出（1- $(T/T_c)^2$）依赖性，并且在29 T下持续到$T_c>45K$。在磁场下，发现$I_c$增加$\propto B^{3/2}$和$T_c \propto B^{1.88}$。当费米能接近狄拉克点时，由于载流子密度的强磁场依赖性，$ν=2$量子化霍尔平台从低至1 T直到至少19 T连续出现。
2013-04-17 cond-mat.mes-hall
Magneto-exciton limit of quantum Hall breakdown in graphene
本文在单层石墨烯中重现了量子霍尔击穿实验，发现磁激子不稳定性机制在击穿速度上具有相对论特征，并基于理论计算证明多普勒诱导的不稳定性由霍尔电导设定的ME电导率普适值决定。
2023-03-10 cond-mat.mes-hall
Breakdown of the quantum anomalous Hall effect under microwave drives
II. Physikalisches Institut, Universität zu Köln（科隆大学第二物理研究所）；Institute of Theoretical Physics, Universität zu Köln（科隆大学理论物理研究所）
本文研究了微波场（1-25 GHz）下量子反常霍尔效应零电阻态的击穿现象，通过测量V掺杂(Bi,Sb)$_2$Te$_3$器件的纵向电阻增加，揭示了微波辐射下电子-空穴坑加热促进跳跃输运的机制，为GHz范围QAH应用提供关键见解。
2025-05-29 cond-mat.mes-hall
Visualizing the breakdown of the quantum anomalous Hall effect
本研究结合磁成像与电学输运测量，可视化了磁性掺杂拓扑绝缘体中量子反常霍尔效应的电流诱导击穿，发现其完全由电子加热主导，为诊断拓扑材料能量弛豫和实现稳健拓扑保护提供了框架。
2025-03-04 cond-mat.mes-hall
Observation of finite excess noise in the voltage-biased quantum Hall regime as a precursor for breakdown
我们在二维电子气中进行了噪声测量以研究非平衡量子霍尔效应（QHE）态。虽然过量噪声在零偏置QHE状态周围被完美地抑制，反映了QHE状态的无耗散电子输运，但在QHE的击穿机制中观察到相当大的有限过量噪声。由过量噪声导出的噪声温度与最高占有朗道能级和最低空能级之间的能隙具有相同的量级。此外，意外的有限过量噪声观察到在一个有限的源漏偏置电压小于QHE击穿的起始电压，这表明在QHE状态的有限耗散，并可能与预击穿的QHE。
2013-04-24 cond-mat.mes-hall
Dynamic Nuclear Polarization in a Quantum Hall Corbino Disk
研究了在量子霍尔效应（QHE）击穿状态下，Corbino盘中核自旋的电极化。由于在Corbino盘中完全不存在边缘沟道，我们得出结论，量子霍尔导体的体沟道中流动的电流与动态核极化（DNP）有关。泵浦和探针测量表明，DNP出现在QHE击穿的临界电压附近。DNP的起始电压与QHE击穿的起始电压的一致性表明DNP的潜在起源与QHE击穿的起源密切相关。
2007-12-20 cond-mat.mes-hall
Electronic Processes at the Breakdown of the Quantum Hall Effect
在填充因子为偶数的情况下，从理论上研究了二维电子系统在长程势涨落中量子霍尔效应击穿时的能量增益和损失的微观过程.在朗道能级加宽的情况下，库仑散射产生增益，声子散射产生损耗。能量平衡方程表明，在低临界电场E_{c1}以上，电子温度Te和对角电导率sigma_{xx}呈现双稳态。E_{c1}以及T_e和sigma_{xx}在E_{c1}处的计算值与观测值在数量级上是一致的。
2000-06-30 cond-mat.mes-hall
Local breakdown of the quantum Hall effect in narrow single layer graphene Hall devices
我们已经分析了由剥离的单层石墨烯转移到SiOx上制造的1微米宽的霍尔器件中的量子霍尔效应的击穿。我们已经观察到，霍尔电阻从其量化值的偏差是弱依赖于纵向电阻率高达5 A/m的电流密度，其中霍尔电阻保持量化，即使当纵向电阻随电流单调增加。然后，在纵向电阻保持其逐渐增加的同时，量子化电阻发生崩溃。相对于电流的电导率的指数增加表明杂质介导的朗道能级间散射作为击穿的机制。结果被解释为整个样品的击穿行为的强烈变化，由于随机分布的散射中心介导的击穿。
2013-02-19 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
Hydrodynamic Equation for the Breakdown of the Quantum Hall Effect in a Uniform Current
从Boltzmann方程出发，考虑电子-电子和电子-声子散射，导出了均匀电流密度j下，填充因子为偶数的量子霍尔效应击穿时电子温度Te随时间和空间变化的流体力学方程.导出的方程中有一个漂移项，它与j和T_e的一阶空间导数成正比。应用于宽度沿电流方向突变的样品中T_e的空间演化，该方程给出了与电流方向的明显关系以及临界弛豫，与最近的实验结果一致。
2001-04-24 cond-mat.mes-hall
Second Harmonic Hall Response in Insulators: Inter-band Quantum Geometry and Breakdown of Kleinman's Conjecture
State Key Laboratory of Quantum Functional Materials, School of Physical Science and Technology, ShanghaiTech University（上海科技大学物理科学与技术学院量子功能材料国家重点实验室）；Department of Physics, Hong Kong University of Science and Technology（香港科技大学物理系）
研究揭示了绝缘体中带间量子几何主导的二次谐波Hall响应，并发现其频率色散现象与Kleinman猜想的失效有关，同时预测了双层石墨烯中的巨SHH磁化率。
2025-12-11 cond-mat.mes-hall
Probing breakdown of topological protection: Filling-factor-dependent evolution of robust quantum Hall incompressible phases
整数量子霍尔（QH）效应的特点是拓扑量子化和非耗散输运是由一个电绝缘的不可压缩相，防止手性金属通道之间的背散射。我们探讨了不可压缩的区域容易发生故障的拓扑保护使用扫描门技术结合非平衡输运。所得到的图案揭示了填充因子（$ν$）依赖的演变的微观不可压缩结构位于沿边缘和在散装区域。我们发现，这些特定的结构，分别归因于不可压缩的边缘带和散装本地化，表现出良好的协议，在$ν$依赖的演化与平衡QH不可压缩相的计算，表明在非平衡条件下的QH不可压缩相的鲁棒性。此外，我们发现，$ν$依赖的不可压缩模式，反过来，破坏了一个大的施加电流在深QH效应击穿。这些结果表明，我们的方法的能力，图像的微观输运性质的拓扑二维系统。
2019-12-02 cond-mat.mes-hall
Strong, Ultra-narrow Peaks of Longitudinal and Hall Resistances in the Regime of Breakdown of the Quantum Hall Effect
在异常缓慢和高分辨率的磁场扫描下，在量子霍尔效应的击穿状态下观察到强的超窄（宽度低至$100 {\rm μT}$）电阻峰。峰值取决于方向，甚至取决于磁场扫描的历史，表明涉及一个非常缓慢的物理过程。然而，这样的过程和尖锐的峰值并没有被现有的理论所预测。我们还发现了电阻峰和核自旋极化之间的明确联系。
2000-02-17 cond-mat.mes-hall cond-mat.str-el
Electrical coherent control of nuclear spins in a breakdown regime of quantum Hall effect
使用传统的霍尔杆几何形状的表面上的微金属条，我们证明了在AlGaAs/GaAs半导体异质结的核自旋的电相干控制。利用整数量子霍尔（QH）效应的一个击穿来动态地描述核自旋。在金属片上施加脉冲射频磁场，核自旋的量子态出现拉比振荡，并通过测量QH导体的纵向电压来检测。
2007-09-27 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
Comment on "Electrostatics-induced breakdown of the integer quantum Hall effect in cavity QED''
Université Paris Cité, CNRS, Matériaux et Phénomènes Quantiques（巴黎西岱大学，法国国家科学研究中心，物质与现象量子研究所）
本文对安多林纳等人关于腔量子电动力学中静电诱导整数量子霍尔效应破坏的研究进行了评论。
2026-01-21 cond-mat.mes-hall cond-mat.other quant-ph
High-frequency breakdown of the integer QHE in GaAs/AlGaAs heterojunctions
整数量子霍尔效应是在低于约100 Hz的频率下被充分研究的现象。实验证明，高频霍尔电导率的平台可保持高达33 GHz，但在更高频率下的行为在很大程度上仍未被探索。利用连续波太赫兹光谱技术，在69-1100 GHz范围内研究了GaAs/AlGaAs异质结的复霍尔电导。在100 GHz以上，量子平台被强烈地涂抹掉，并被电导率实部中的弱量子振荡所取代。振荡的振幅随着频率的增加而减小。在1 THz附近，霍尔电导率没有揭示与朗道能级填充相关的任何特征。在虚部也观察到类似的振荡，这种效应在零频率下没有类似性。这一实验结果与现有的高频量子霍尔效应的理论观点不一致。
2018-11-21 cond-mat.mes-hall
Propagation, dissipation and breakdown in quantum anomalous Hall edge states probed by microwave edge plasmons
本研究探讨了V掺杂拓扑绝缘体薄膜中量子反常霍尔边缘态的微波边缘等离激元耗散，发现与电荷势阱的相互作用是耗散的主要来源，为改进基于QAH的技术提供了关键见解。
2024-05-30 cond-mat.mes-hall
Breakdown of topological protection due to non-magnetic edge disorder in two-dimensional materials in the Quantum Spin Hall phase
本研究针对二维量子自旋霍尔系统中普遍存在的边缘无序问题，结合电子相互作用分析，揭示了局域磁矩破坏拓扑保护的机制，并通过多种理论方法验证了不同长度样品的电导变化规律。
2022-10-07 cond-mat.mes-hall
Fractional charge and fractional statistics in the quantum Hall effects
具有分数电荷和分数统计的准粒子是分数量子霍尔效应的关键特征。我们将详细讨论分数电荷和统计的定义，以及这些性质可能被观察到的方式。除了理论基础之外，我们还回顾了该领域的实验现状。我们还讨论了非阿贝尔统计的概念，并试图找到非阿贝尔准粒子在某些量子霍尔系统中存在的实验证据。
2021-05-19 cond-mat.mes-hall
Breakdown of the Wiedemann-Franz law in an interacting quantum Hall metamaterial
Université Paris-Saclay, CEA, CNRS, SPEC（巴黎萨克雷大学）；Laboratoire de Physique de l’Ecole normale supérieure, ENS, Université PSL, CNRS, Sorbonne Université, Université Paris Cité（巴黎高等师范学院物理实验室）
研究探讨了相互作用量子反磁超材料中量子输运特性，发现中性传输模式导致反磁流定律被违反，其洛伦兹比与链长平方根成正比。
2026-05-12 cond-mat.mes-hall
On the ground state of fractional quantum Hall effect
这篇论文已被作者撤回。
1998-11-12 cond-mat.mes-hall
The Fractional Quantum Hall Effect
简要介绍了1998年获得诺贝尔奖的分数阶量子霍尔效应现象。我们还解释了把分数量子霍尔效应描述为复合费米子的整数量子霍尔效应的复合费米子图像。
1999-02-22 cond-mat.mes-hall
Fractional Quantization and Fractional Quantum Hall Effect
提出了一种二维空间的分数阶量化方法。利用多层黎曼曲面上的边界条件，将二维电子的角动量量子化为分数。给出了不可压缩量子流体态的扩展波函数，并给出了凝聚能和激发能。
1998-11-02 cond-mat.mes-hall
Topological excitation in the Fractional Quantum Hall system
在Ginzburg-Landau理论框架下研究了涡旋和Skyrmions两种拓扑激发。我们得到了分数量子霍尔系统的拓扑激发与序参量之间的严格关系。我们还讨论了分数量子霍尔系统中涡旋的演化。
2001-11-01 cond-mat.mes-hall
Heating process in the pre-Breakdown regime of the Quantum Hall Efect : a size dependent effect
我们的研究提出了实验测量的接触和纵向电压降在霍尔酒吧，作为电流幅度的函数。我们感兴趣的是在量子霍尔效应击穿之前发生的加热现象，即预击穿区。在低温（4.2和1.5K）和高磁场（高达13 T）下研究了两种类型的样品。霍尔条有几种不同的宽度，我们的观察清楚地表明，样品的大小影响加热现象。通过测量的临界电流的接触和纵向电压，作为填充因子（周围$i=2$）的函数，我们突出了一个高的电场域附近的源极接触，这是可观察到的，只有在样品的宽度小于400微米。
2003-07-29 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
Bias-induced breakdown of electron solids in the second Landau level
可重入整数量子霍尔（RIQH）态被认为是相关的电子固相，尽管它们的微观描述仍然不清楚。随着偏置电流的增加，这些状态的纵向和霍尔电阻率测量表现出多个尖锐的击穿转变，RIQH状态特有的签名。RIQH击穿特性在多个电压探针的比较表明，这些签名可以归因于击穿和未断开的区域之间的相边界，从源极和漏极接触作为偏置电流和通过电压探针一个接一个的函数手性传播。扩散的手征意义不是由边缘态本身的手征性设定的，而是取决于RIQH态的类电子或类空穴特性。
2016-05-28 cond-mat.mes-hall
Conductance fluctuations at the fractional quantum Hall plateau transitions
我们得到了一个“平均场”标度流的纵向和霍尔电导率在分数量子霍尔制度。利用复合费米子图像，假设复合费米子遵循整数量子霍尔效应的Khmelnitskii-Pruisken标度流，确定了决定不同分数量子霍尔态之间跃迁的不稳定不动点.得到了临界纵向电导率和临界霍尔电导率在不稳定不动点处的分布，并讨论了这些结果对介观量子霍尔系统实验的意义.
1997-11-18 cond-mat.mes-hall
Interplay between the coherent and incoherent transport in quantum Hall bilayers
我们系统地研究了在$ν_{tot}=1/2+1/2$中GaAs双层膜中形成的激子BCS凝聚体中的相干输运（约瑟夫森隧穿和逆流电流）及其击穿导致的非相干电荷流。三种不同层间距样品的约瑟夫森电流相差四个数量级。相反，$ν_{tot}=1$量子霍尔态的击穿阈值是相当的。此外，在Corbino环的库仑阻力揭示了相干逆流电流与耗散电荷输运共存。
2014-06-02 cond-mat.mes-hall
Two-Roton Bound State in the Fractional Quantum Hall Effect
分数量子霍尔效应的最低能量、长波长中性激发的真实性质一直是一个悬而未决的问题。在这封信中，我们确定它是一个两轮束缚态。
2000-04-27 cond-mat.mes-hall
Magnetic Induction Dependence of Hall Resistance in Fractional Quantum Hall Effect
通过分析[J. P. Eisenstein和H. L. Stormer，{Science} { \bf 248}，1510（1990）]。该公式是作为磁感应强度、化学势和温度的函数给出的。霍尔电阻函数包含一个单电子能谱，它具有三个可调参数的唯象微扰项。该公式产生了与实验一致的12个平台。这些扰动可以解释为三维空间中朗道轨道的岁差或章动。
2018-01-12 cond-mat.mes-hall
Topologically induced fractional Hall steps in the integer quantum Hall regime of $MoS_2$
利用线性响应理论推导了二硫化钼单层膜的量子磁输运性质。特别分析了拓扑项对纵向电导率和霍尔电导率的影响。霍尔电导率在整数量子霍尔区呈现分数阶跃。进一步完整的自旋和谷极化的纵向电导率被认为是在这些拓扑条款的存在。最后，舒布尼科夫-德哈斯振荡被抑制或增强的这些拓扑项的符号。
2016-07-14 cond-mat.mes-hall
Exclusonic Quasiparticles and Thermodynamics of Fractional Quantum Hall Liquids
分数量子霍尔液体中的准电子和准空穴服从分数（包括非平凡）互斥统计。它们的统计矩阵可以从几种可能的状态计数方案中确定，涉及对统计相关性的不同假设。在广义理想气体近似下，研究了分数量子霍尔液体在填充物$1/m$（$m$ odd）附近的准粒子对的热激活和低温下的热力学性质.分数量子霍尔效应中的分级态的存在被证明是相关准粒子的排斥性质的一种表现。对于磁性，顺磁性-抗磁性转变似乎是可能的，在有限的温度。
1997-06-04 cond-mat.mes-hall
Interaction-Driven Asymmetry in the Breakdown of the $ν$ = 1 Quantum Hall State
本文通过实时探测铁磁 $ν$ = 1 整数量子霍尔态的输运响应，发现 $ν>1$ 和 $ν<1$ 时的不对称击穿由相互作用效应主导，揭示了电子-电子相互作用在整数量子霍尔相中的重要性及其多体纠缠基础。
2025-09-13 cond-mat.mes-hall cond-mat.str-el
Non-Linear hydrodynamics and Fractionally Quantized Solitons at Fractional Quantum Hall Edge
我们认为，无隙分数量子霍尔边缘态的动力学本质上是非线性的，它的特点是分数量子孤子沿边缘传播。孤子的观测将是分数电荷的直接证据。我们证明了Laughlin的量子态的非线性动力学是由量子Benjamin-Ono方程。无带隙边缘态的非线性动力学是由BohOH液体中的带隙模决定的。边缘模的色散可追溯到双边界层。
2012-01-14 cond-mat.mes-hall
High field fractional quantum Hall effect in optical lattices
我们考虑了在模拟的大磁场作用下光晶格中相互作用玻色子原子。我们发展了一个类似于双层分数量子霍尔系统的模型，该模型在每个晶格单元的磁通量量子数的简单有理数附近有效。然后，我们计算了它的基态，磁长度，分数填充，并发现意想不到的符号变化的霍尔电流。最后，我们研究通过散粒噪声和霍尔电流测量检测这些新功能的方法。
2006-04-26 cond-mat.mes-hall
Activation energies for spin-reversed excitations in the fractional quantum Hall effect
在分数霍尔制度的运输实验中测得的活化能对应于所需的能量，以创建一个远分离的粒子空穴对。我们计算了几个分数量子霍尔态，激发复合费米子反转其自旋量子数的激发能隙。我们的研究结果表明，这种自旋反转激发可能是相关的实验可访问的制度。
2002-07-25 cond-mat.mes-hall
Paired fractional quantum Hall states and the nu=5/2 puzzle
本文综述了$ν=5/2$分数量子霍尔态的研究工作，重点介绍了有关成对态的最新进展。
2000-11-24 cond-mat.mes-hall
Fractional quantum Hall effect without energy gap
在分数量子霍尔效应下，我们测量了门控GaAs/Al $_{x}$ Ga $_{1-x}$ As异质结中二维电子系统（2DES）的对角（$ρ_{xx}$）和霍尔（$ρ_{xy}$）磁阻张量分量，以及2DES与门极之间的电容.我们在相当低的磁场下观察到了1/3和2/3分数量子霍尔效应，此时相应的量子态密度的分数极小值已经消失，表明准粒子能隙被完全抑制。
2006-03-31 cond-mat.mes-hall
