Interface-related magnetic and vibrational properties in Fe/MgO heterostructures from nuclear resonant spectroscopy and first-principles calculations
我们结合$^{57}$ Fe穆斯堡尔谱和$^{57}$ Fe核共振非弹性X射线散射（NRIXS）在纳米级多晶[bcc-$^{57}$ Fe/MgO]多层膜中，具有不同的Fe层厚度和基于层分辨密度泛函理论（DFT）的（001）取向[Fe（8 ML）/MgO（8 ML）]（001）异质结构的第一性原理计算来解开界面-多层膜系统的相关原子振动特性。在理论和实验中，我们观察到一贯增强的超精细磁场相比，散装这是与Fe/MgO界面层。NRIXS和DFT都揭示了一个强烈的纵向声学（LA）声子峰的降低，结合低能量振动态密度（VDOS）的增强，这表明界面的存在和相关的层分辨磁矩的增加导致Fe部分VDOS的剧烈变化。从实验和计算的VDOS，振动热力学性质已被确定为Fe厚度的函数，并被发现是非常好的协议。
2020-01-30 cond-mat.mtrl-sci
A 4-fold-symmetry hexagonal ruthenium for magnetic heterostructures exhibiting enhanced perpendicular magnetic anisotropy and tunnel magnetoresistance
本文报道了MgO/Ru/Co_2FeAl/MgO异质结中出现的一种不寻常的具有四重对称性的六方Ru晶体取向，其中近似Ru（02-23）的生长归因于MgO、Ru和Co_2FeAl之间的晶格匹配。与Cr（001）层相比，Co2 FeAl/MgO界面的垂直各向异性显著增强。采用这种结构的MTJ产生了最大的隧道磁阻的垂直MTJ使用低阻尼Heusler合金。四重对称的六方Ru来自于具有空前高的晶体指数的外延生长，为立方和四方铁磁合金的垂直各向异性膜的发展开辟了独特的途径。
2014-08-16 cond-mat.mtrl-sci
Single-band tight-binding parameters for Fe-MgO-Fe magnetic heterostructures
本文提出了一个计算效率高的可转移的单能带紧束缚模型（SBTB），用于研究异质结中自旋极化输运的能带结构效应。作为一个例子，我们应用它来研究通过Fe-MgO-Fe（100）磁性隧道结器件的输运。我们提出了一种新的方法来提取合适的紧束缚参数的材料，通过使用能量分辨的传输作为基准，这固有的带结构效应在二维横向布里渊区。首先提出了体心立方Fe（100）四个对称带的SBTB参数，并与MgO隧道势垒的Delta_1和Delta_5带的可转移紧束缚参数进行了补充。非平衡格林函数的形式主义，然后用于计算的运输。的特征，如I-V特性，电压依赖性和势垒宽度依赖性的隧道磁阻比被定量捕获的趋势与从头计算方法观察到的相匹配。
2009-02-24 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
Local and non-local electron dynamics of Au/Fe/MgO(001) heterostructures analyzed by time-resolved two-photon photoemission spectroscopy
采用飞秒激光脉冲前后泵浦Au/Fe/MgO（001），结合双光子光电子发射光谱检测，分析了在费米能级以上0.6 ~ 2.0 eV处，埋层Fe中激发电子的局域弛豫动力学、穿过Fe-Au界面注入Au以及穿过Au层的电子输运.通过分析作为Au膜厚度的函数，我们获得了体Au和Fe的电子寿命，并区分异质结构的组分中的弛豫。我们还表明，激发的电子传播通过金在一个superdiffusive制度，并得出结论，进一步的电子注入整个外延界面进行弹道电子波包传播。
2020-03-20 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
Current driven asymmetric magnetization switching in perpendicularly magnetized CoFeB/MgO heterostructures
由于体效应和界面效应，面内电流通过双磁性异质结构可以引起磁化翻转或畴壁成核。在磁性层内，电流可以通过自旋转移力矩（STT）产生磁不稳定性。在界面处，由相邻层中的自旋霍尔效应产生的自旋电流可以对磁矩施加转矩，称为自旋霍尔转矩。在这里，我们研究了电流感应磁化翻转垂直磁化CoFeB/MgO异质结构与重金属（HM）底层。根据HM底层的厚度，我们发现在阈值开关电流的面内场依赖性的明显差异。STT很可能是负责较薄的底层膜的磁化反转，而自旋霍尔转矩导致较厚的底层膜的切换。对于后者，我们发现在开关电流的正，负电流和初始磁化方向的差异。我们发现，在薄膜沉积过程中的生长过程中引入了一个各向异性，打破了系统的对称性，并导致非对称开关。这种对称性破坏各向异性的存在使得能够在零外部场下实现确定性磁化切换。
2015-03-17 cond-mat.mtrl-sci
Interface-driven magnetic anisotropy in relaxed La$_{0.7}$Sr$_{0.3}$CrO$_3$/La$_{0.7}$Sr$_{0.3}$MnO$_3$ heterostructures on MgO
研究了用分子束外延法在（001）取向MgO上生长的La $_{0.7}$ Sr $_{0.3}$ CrO $_3$（LSCO）/La $_{0.7}$ Sr $_{0.3}$ MnO $_3$（LSMO）异质结的结构和磁性。由于大的薄膜-衬底晶格失配，应变弛豫被发现发生在第一个2-3个单位晶胞（uc）的薄膜，证明了反射高能电子衍射和高分辨率同步辐射X射线倒易空间映射。我们发现，存在的LSCO间隔层和帽层导致铁磁性的超薄LSMO层的厚度为2 μ c的顺序与磁易轴取向的膜平面。用SQUID磁强计测量了[2 uc LSCO/ 2 uc LSMO]和[2 uc LSCO/ 4 uc LSMO]超晶格的净磁矩分别为1.4和2.4 $μ_B$ /Mn。放松[2 μ c LSCO/ 4 μ c LSMO]异质结构的有效磁各向异性被发现是一个数量级高于散装LSMO突出的界面磁交换相互作用的关键作用，在复杂的氧化物界面的磁各向异性调谐。
2020-10-14 cond-mat.mtrl-sci
Dynamics of optical excitations in a Fe/MgO(001) heterostructure from time-dependent density functional theory
在实时含时密度泛函理论（RT-TDDFT）的框架下，我们研究了（Fe）$_1$ /（MgO）$_3$（001）多层膜体系在低于体相MgO带隙的光激发下的电子结构的层分辨动力学.大量的瞬态变化的电子结构，持续的脉冲的持续时间后，主要观察到的平面内偏振电场，对应于一个激光脉冲到达垂直的界面。虽然最强的电荷重新分布发生在Fe层中，但在所有层中都可以看到占用数随时间的变化，介导界面态的存在。层分辨的时间依赖性占据数的时间演化表明，随着平面内轨道的耗尽，轨道依赖性很强。例如，在一个实施例中，Fe的$d_{x^2-y^2}$）和平面外轨道中的积累（Fe的$d_{3z^2-r^2}$和顶端氧的$p_z$）。我们还观察到一个小的净电荷转移远离氧气对镁网站，即使是MgO层不直接与金属铁接触。
2019-04-10 cond-mat.mtrl-sci
Enhanced spin-orbit torque via interface engineering in Pt/CoFeB/MgO heterostructures
自旋-轨道力矩通过垂直磁化的重金属/铁磁体异质结构中的面内电流促进有效的磁化切换。自旋-轨道-转矩诱导的切换的效率由体或界面自旋-轨道相互作用或两者引起的电荷到自旋的转换决定。在这里，我们表明，自旋轨道扭矩和由此产生的开关效率在Pt/CoFeB系统中显着增强的界面改性，涉及Ti插入之间的Pt和CoFeB层。自旋泵和X射线磁性圆二色性实验表明，这种增强是由于额外的界面产生的自旋电流的的Pt/SiO2界面和/或改善自旋透明度通过抑制在Pt层中的邻近诱导的时刻实现。我们的研究结果表明，界面工程提供了一种有效的方法来提高自旋轨道扭矩，从而磁化转换效率。
2018-03-19 cond-mat.mtrl-sci
Ab-initio investigation of the interfacial structural, electronic, and magnetic properties of Co$_{2}$MnAl/X (X = MgO and GaAs) heterostructures
本文利用第一性原理计算系统研究了Co2MnAl/MgO和Co2MnAl/GaAs异质结构的界面稳定性、电子和磁性质，发现Co端接界面更稳定但呈金属性，而MnAl端接界面保持近半金属性，为自旋电子学器件优化提供理论指导。
2025-08-22 cond-mat.mtrl-sci
The current-induced spin-orbit torque and field-free switching from Mo-based magnetic heterostructures
Mo/CoFeB/MgO磁性异质结构具有很强的垂直磁各向异性和热稳定性。通过电流感生磁滞回线位移的测量，我们发现Mo/CoFeB/MgO异质结构的类阻尼自旋轨道矩（SOT）效率为$ξ_{DL}\approx -0.003\pm 0.001$，并且在300 $^\circ$ ~ 400 $^\circ$ C范围内与退火温度无关。虽然$|ξ_{DL}|$与Ta或W基异质结构相比很小，但仍然可以实现热稳定的Mo/CoFeB/MgO异质结构的可逆电流诱导SOT开关。此外，我们观察到无场电流诱导开关从Mo/CoFeB/MgO结构与Mo层被楔形沉积。我们的研究结果表明，即使是一个弱的自旋轨道相互作用的4d过渡金属，如钼，它仍然有可能产生足够的自旋电流为传统的SOT开关和实现无场电流感应开关的结构工程。
2018-08-24 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
Ultrafast transport and energy relaxation of hot electrons in Au/Fe/MgO(001) heterostructures analyzed by linear time-resolved photoelectron spectroscopy
在凝聚态物质中，散射过程决定了载流子的输运。在异质结构的情况下，界面决定了许多动态特性，如电荷转移和传输以及自旋电流动力学。在这里，我们讨论光激发电子动力学和它们的传播通过晶格匹配，金属-金属界面的单晶质量。利用飞秒时间分辨线性光电子能谱学对异质结构的不同组分进行光泵浦，我们建立了一种同时探测电子传输及其能量弛豫的技术。在我们的方法中，近红外泵浦脉冲直接激发电子在外延Au/Fe/MgO（001）异质结的Au层或Fe层，而瞬态光电子能谱是由Au表面上的紫外探测脉冲测量。飞秒激光激发后，我们分析的相对变化的电子分布接近费米能量和分配的时间依赖性的电子分布的特性功能的热和非热化的电子从Fe层到Au表面的运输，反之亦然。从所测得的瞬态电子分布，我们确定的过剩能量，我们比较基于两个温度模型的计算，并考虑到扩散电子输运。在此基础上，我们确定了从超扩散到扩散输运机制的转变发生的Au层厚度为20-30纳米。
2022-09-02 cond-mat.mtrl-sci
Spin orbit effects in CoFeB/MgO hetereostructures with heavy metal underlayers
我们研究了CoFeB/MgO异质结构中重金属（HM）底层的强自旋轨道耦合效应。研究了在CoFeB/MgO界面处的垂直磁各向异性、重金属层的自旋霍尔角、电流感生转矩和HM/CoFeB界面处的Dzyaloshinskiii-Moriya相互作用.我们展示了HM层的选择如何影响这些复杂的自旋轨道效应，这些效应出现在大体积和异质结构的界面处。
2016-10-24 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
Anomalous temperature dependence of current induced torques in CoFeB|MgO heterostructures with Ta based underlayers
研究了CoFeB中电流感生有效场的底层厚度和温度依赖关系|具有Ta基底层的MgO异质结构。有效场饱和的底层厚度在有效场的两个正交分量之间被发现是不同的，即类阻尼项倾向于在比类场项更小的底层厚度处饱和。对于大的底层厚度的薄膜中的有效场饱和，我们发现，温度显着影响的有效场的大小。一个显着的差异被发现在两个组件的温度依赖性：类阻尼项减少，而类场项增加，随着温度的升高。使用一个简单的自旋扩散-自旋转移模型，我们发现，所有这些结果可以解释提供的有效自旋混合电导的实部和虚部是负的。这些结果意味着，无论是在这个系统中的自旋输运是不同于传统的金属界面或影响其他自旋扩散到磁性层需要考虑，以准确地模拟系统。
2014-02-26 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
Strong perpendicular magnetic anisotropy energy density at Fe alloy/HfO2 interfaces
研究了重金属（HM）/ Fe合金/MgO薄膜异质结构在Fe合金和MgO之间插入一层HfO 2钝化层后的垂直磁各向异性（PMA）行为。这是通过在随后的MgO层的射频溅射沉积之前在Fe合金上沉积一到两个Hf原子层来实现的。该Hf层在MgO层的后续沉积期间被完全氧化，如通过X射线光电子能谱学测量所证实的。结果，可以在没有任何制造后退火处理的情况下实现强的界面垂直各向异性能量密度，例如Ta/Fe 60 Co20 B20/HfO 2/MgO异质结构的1.7 erg/cm ^2。根据HM，PMA的进一步增强可以通过热退火到至少400 C来实现。我们发现，超薄HfO 2层提供了一系列的选择，用于增强磁异质结的磁性能的自旋电子学应用。
2017-01-14 cond-mat.mtrl-sci
Spin and orbital moments of nanoscale Fe3O4 epitaxial thin film on MgO/GaAs(100)
在MgO/GaAs（100）自旋电子异质结上制备了纳米Fe 3 O 4外延薄膜，并用X射线磁性圆二色性（XMCD）对其进行了研究。我们观测到总磁矩为（3.32 ± 0.1）uB/f. u.，保留83%的体积值。非猝灭轨道矩为（0.47 ± 0.05）uB/f.u.通过仔细应用求和规则得到了证实。这些结果为Fe 3 O 4/MgO/GaAs（100）异质结构的体状总磁矩和大的轨道磁矩提供了直接的实验证据，对自旋电子学的应用具有重要意义.
2015-03-26 cond-mat.mtrl-sci
On the origin of field-like spin-orbit torques in heavy metal-ferromagnet-oxide thin film heterostructures
我们测量了不同重金属（HM）/普通金属（NM）间隔层/铁磁体（FM）/氧化物（MgO和HfOx/MgO）异质结构中电流诱导的自旋轨道矩，特别是类场（FL）分量的厚度和温度（T）依赖性。这些样品中的FL扭矩源自由HM中的自旋霍尔效应（SHE）产生的自旋电流。对于足够薄的FM层，该自旋电流的大部分可以到达FM/氧化物界面，T相关的自旋散射可以产生强FL扭矩，在某些情况下，与NM/FM界面处施加的扭矩符号相反。
2016-08-16 cond-mat.mtrl-sci
Electronic and magnetic structure of epitaxial NiO/Fe$_3$O$_4$(001) heterostructures grown on MgO(001) and Nb-doped SrTiO$_3$(001)
我们研究了一些磁铁矿基薄膜的基本化学，电子和磁性。主要研究了MgO（001）和Nb-SrTiO $_3$（001）衬底上生长的NiO/Fe $_3$ O $_4$（001）双层薄膜。我们比较的结果与纯Fe $_3$ O $_4$（001）薄膜。结果发现，磁铁矿层被氧化，Fe $^{3+}$占主导地位的表面由于磁赤铁矿（$γ$ -Fe $_2$ O $_3$）的形成，这减少了磁铁矿层的厚度。从约20 nm的层厚度上的阳离子分布接近于化学计量的Fe $_3$ O $_4$。在NiO和Fe $_3$ O $_4$之间的界面处，我们发现Ni处于二价态，在Ni 2 p核心水平X射线光电子能谱中具有NiO典型的明确的光谱特征。通过XMCD可以排除明显的NiFe $_2$ O $_4$中间层的形成。磁光克尔效应测量揭示了显着更高的矫顽场相比，MgO（001）和45 $^{\circ}$旋转磁易轴上生长的磁铁矿薄膜。我们讨论了磁性层的自旋磁矩，发现磁矩随薄膜厚度的增加而增加。在较低的厚度下，在Nb-SrTiO $_3$上生长的NiO/Fe $_3$ O $_4$薄膜的自旋磁矩显著降低。20 nm或更高的厚度导致自旋磁矩接近块状磁铁矿的自旋磁矩。
2016-02-18 cond-mat.mtrl-sci
Electronic and vibrational spectroscopy of miscible MgO-ZnO ternary alloys
MgO-ZnO合金系统的有序结构是一种具有广泛应用前景的可调谐光学材料。然而，MgO-ZnO的等价和同构合金组合物通常在环境条件下不稳定。利用最先进的\textit{ab initio}演化模拟，我们预测和研究MgO-ZnO稳定相的性质。我们通过声子谱和拉曼光谱建立了预测的晶体结构的动力学稳定性。对两种最稳定结构的详细分析揭示了高度可调的性质，可以用于光子和光学应用。
2020-02-25 cond-mat.mtrl-sci
Ab-initio study of electronic and magnetic properties of Mn$_2$RuZ/MgO (001) heterojunctions (Z= Al, Ga, Si, Ge)
采用第一性原理计算方法，研究了Mn $_2$ RuZ（Z=Al，Ga，Si，Ge）及其与MgO沿（001）方向的异质结.这些合金均具有Hg $_2$ CuTi型反Heusler合金结构和亚铁磁基态。我们的研究揭示了半金属电子结构与高度自旋极化的$Δ_1$带，这是强大的原子无序。接下来我们研究了Mn $_2$ RuAl/MgO和Mn $_2$ RuGe/MgO异质结的电子结构。我们发现，MnAl-或MnGe-终止的接口是积极更有利的MnRu-终止的接口相比。在Mn $_2$ RuGe/MgO结中，界面态出现在少数自旋能隙的费米能级上。我们讨论了这些界面态的起源在每个组成原子周围的局部环境。另一方面，在Mn $_2$ RuAl/MgO结中，体Mn $_2$ RuAl的高自旋极化独立于其终止而被保持。
2020-10-14 cond-mat.mtrl-sci
Structural, chemical and electronic properties of the Co2MnSi(001)/MgO interface
先进的磁性隧道结的铁磁（FM）电极和MgO作为绝缘屏障建立的性能决定性地取决于FM/绝缘体界面的属性。本文利用俄歇电子能谱、低能电子衍射和低能光电子能谱研究了半金属化合物Co_2MnSi（CMS）与MgO之间的界面形成。进行研究，为不同的退火温度TA和MgO层覆盖率（4，6，10，20和50 ML）。薄MgO顶层（t_MgO<=10 ML）显示出明显的表面结晶畸变，其只能通过退火部分地愈合，并且在MgO表面暴露于空气后进一步导致明显的碳物种吸附。对于t_MgO> 10 ML，MgO层表面表现出明显改善的晶体结构，因此只有少量的吸附物。我们将这些发现归因于界面处发生的MgO错配位错，在整个MgO层中诱导进一步的缺陷，最多可达至少10 ML。此外，自旋极化光电子能谱的CMS/MgO界面获得MgO覆盖率高达20 ML，在所有情况下，费米能附近显示出明确的正自旋极化。
2012-09-24 cond-mat.mtrl-sci
Microscopic non-equilibrium energy transfer dynamics in a photoexcited metal/insulator heterostructure
软X射线光谱的元素特异性使其成为分析金属-绝缘体异质结构中局域光激发引起的超快动力学微观起源的理想工具。使用[Fe/MgO] $_n$作为模型系统，我们进行紫外泵浦/软X射线探测实验，这是敏感的所有成分，这些异质结构，探测电子和晶格激发。互补的超快电子衍射实验独立地分析了Fe组分的晶格动力学，并与从头计算一起产生全面的洞察微观过程，导致局部弛豫在一个单一的成分或两个成分之间的非局部弛豫。除了在Fe L $_3$吸收边监测的Fe中的电子激发和通过电子-声子耦合在1 ps内弛豫之外，软X射线分析确定了在MgO层的氧K吸收边发生在0.5 ps内的变化。这种跨越Fe-MgO界面的超快能量转移是由高频界面振动模式介导的，所述高频界面振动模式由Fe中的热电子激发并以模式选择性非热方式耦合到MgO中的振动。第二，较慢的时间尺度被确定在氧K前边缘和铁L $_3$边缘。较慢的过程代表了声学声子的能量转移，并有助于整个异质结构的热化。因此，我们发现界面能量转移与声子系统中的非平衡行为有关。由于我们的实验缺乏跨界面电荷转移的特征，因此我们得出结论，在这些非局域、非平衡动力学中，声子介导的过程主导了电子和晶格激发的竞争。
2019-07-30 cond-mat.mtrl-sci
Atomic and Electronic Structures of Unreconstructed Polar MgO(111) Thin Film on Ag(111)
利用反射高能电子衍射（RHEED）、俄歇电子能谱（AES）、电子能量损失谱（EELS）和紫外光电子能谱（UPS）研究了MgO在Ag（111）表面形成的极性表面的原子和电子结构。通过Mg和O $_{2}$在Ag（111）上的交替吸附，可以生长出一个相当平坦的未重构的极性MgO（111）1 $\times$ 1表面.从Ag和Mg原子在界面上的相互作用以及表面原子的电荷状态讨论了MgO（111）表面的稳定性。该表面的EELS没有显示出带隙区，并且在UPS中费米能级处出现有限态密度。这些结果表明，极性MgO（111）表面不是绝缘表面，而是半导体或金属表面。
2003-07-14 cond-mat.mtrl-sci
Band structure of the epitaxial Fe/MgO/GaAs(001) tunnel junction studied by X-ray and ultraviolet photoelectron spectroscopy
用X射线和紫外光电子能谱学研究了外延Fe/MgO/GaAs（001）隧道结的电子能带结构。Fe在MgO/GaAs异质结上的肖特基势垒高度（SBH）为3.3 ± 0.1eV，使Fe的费米能级高于GaAs的价带最大值0.3eV。该SBH也与从Fe在MgO单晶上测量的SBH完全相同。在MgO和GaAs底层中，Fe沉积后没有观察到能带弯曲的变化。相反，Au和Al沉积导致MgO和GaAs层中的能带弯曲的明显变化。这种效应被分析为在MgO/GaAs界面的缺陷状态的指纹。
2020-04-07 cond-mat.mtrl-sci
DFT study of structural, electronic and optical properties of 2D MgO monolayer under bi-axial mechanical strain
本文基于第一性原理计算，研究了双轴机械应变下二维MgO单层的结构、电子和光学性质，发现其保持间接带隙半导体特性并准确定量了各项光学参数。
2024-05-30 cond-mat.mtrl-sci
Structural and electronic properties of MgO nanotube clusters
有限的氧化镁纳米管进行了研究。在局域密度近似下，用赝势密度泛函理论研究了四个平行正方形、六边形、八边形和十边形的堆积。优化的结构是轻微扭曲的多边形堆叠。这些集群是绝缘体和8.5 eV的带隙是恒定的堆叠的多边形环的直径的调查范围内。利用L“owdin布居分析，估算出MgO纳米管中向氧原子的电荷转移为1.4，这表明所研究的MgO纳米管中存在混合离子共价键。
2004-05-16 cond-mat.mtrl-sci
MgO thickness-induced spin reorientation transition in Co0.9Fe0.1/MgO/Co0.9Fe0.1 structure
在室温下研究了Mo/Au/Co_（0.9）Fe_（0.1）/Au/MgO（0.7 - 3 nm）/Au/Co_（0.9）Fe_（0.1）/Au异质结的磁各向异性（MA）随MgO层厚度（tMgO）的变化.我们的研究表明，虽然MA的顶层不改变其字符tMgO的变化后，单轴出平面MA的底部经历了自旋重取向过渡tMgO约0.8 nm，切换到该制度的共存和出平面磁化排列观察。磁各向异性常数的大小已确定从铁磁共振和直流磁力测量。MA演变的起源已被归因于通过薄MgO膜的Co0.9Fe0.1层之间的层间交换耦合（IEC）的存在。
2017-08-24 cond-mat.mtrl-sci
Effect of Oxygen Vacancy Defects on Electronic and Optical Properties of $MgO$ Monolayers: First Principles Study
用密度泛函理论的混合水平研究了MgO（111）单分子膜中氧空位缺陷引起的光电性质。HSE计算表明，由于引入氧空位，MgO单层的电子带隙显着减少。原始单分子膜具有宽带隙（4.84 eV，间接）半导体行为，当氧空位缺陷浓度分别增加6.25%和12.5%时，带隙分别变为2.97 eV（间接）和2.28 eV（直接）。因此，氧空位的存在导致能量红移的观察到的光学现象与原始单层。最重要的是，具有两个连续空位的双空位系统显示出最强的光学吸收，并且在电磁波谱中从可见光到紫外区域的光谱范围内也变得光学响应。因此，在MgO单层中产生氧钒可能是获得合适的太阳能材料的富有成效的技术。
2022-04-19 cond-mat.mtrl-sci
Enhanced orbital magnetic moments in magnetic heterostructures with interface perpendicular magnetic anisotropy
我们研究了磁性异质结构中轨道磁矩对磁性层厚度的依赖性，以确定界面的贡献。三种不同的异质结构，Ta/CoFeB/MgO，Pt/Co/AlO $_x$和Pt/Co/Pt，具有显着的界面贡献的垂直磁各向异性，作为模型系统进行了研究。X射线磁性圆二色光谱用于评估构成异质结构的磁性元素的相对轨道矩，即轨道矩与自旋矩的比率。我们发现，Pt/Co/Pt中Co的相对轨道矩相对于其厚度保持不变，而Pt/Co/AlO $_x$中Co的相对轨道矩随Co层厚度的减小而增大，表明后者系统存在非零的界面轨道矩.对于Ta/CoFeB/MgO，只有Fe存在非零的界面轨道矩。X射线吸收谱表明，Pt/Co/AlO $_x$中存在一种特殊的Co氧化态，这种氧化态可能引起该体系的界面轨道矩。这些结果显示了元素特定的贡献，界面轨道磁矩在磁性异质结构。
2015-10-16 cond-mat.mtrl-sci
Memristive switching of MgO based magnetic tunnel junctions
在这里，我们表明，隧道磁阻（TMR）和电阻开关（RS），可以同时观察到在纳米尺度的磁性隧道结。该器械的双极RS为6%，TMR率约为100%。对于每个磁状态，根据偏置历史产生多个电阻状态，这为多位数据存储和逻辑提供了一种方法。在忆阻系统的框架下讨论了电子输运测量。比较了制备的MgO阻挡层，以深入了解开关机制。
2009-07-21 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.other
Large perpendicular magnetic anisotropy in Ta/CoFeB/MgO on full coverage monolayer MoS2 and first principle study of its electronic structure
具有高居里温度的超导磁化自旋注入器是研制室温零磁场工作的二维材料自旋光电子器件的前提。在这里，我们报告的Ta/CoFeB/MgO结构的生长与一个大的垂直磁各向异性（PMA）的全覆盖单层（ML）二硫化钼。在CoFeB/MgO界面处获得了0.975mJ/m ~ 2的大的垂直界面各向异性能，与在磁性隧道结系统中观察到的相当。研究发现，在铁磁金属（FM）和二维材料之间插入MgO可以有效地阻止FM原子向二维材料中的扩散。此外，MoS 2 ML有利于MgO（001）织构，并对建立大PMA起关键作用。对类似Fe/MgO/MoS 2结构的第一性原理计算表明，MgO厚度可以改变MoS 2的能带结构，从7 ML-MgO的间接带隙改变为3 ML-MgO的直接带隙。Fe的邻近效应导致3 ML-MgO结构的价带在Γ点产生10 meV的分裂，而7 ML-MgO结构的邻近效应可以忽略不计。这些结果为在二维过渡金属二硫属化合物材料上开发RT自旋光电子器件奠定了基础。
2021-06-18 cond-mat.mtrl-sci
Ultrafast electron dynamics in Au/Fe/MgO(001) analyzed by Au- and Fe-selective pumping in time-resolved two-photon photoemission spectroscopy: Separation of excitations in adjacent metallic layers
利用飞秒时间分辨双光子光电子发射谱（2 PPE）研究了Au/Fe/MgO（001）外延薄膜中光激发超热电子在异质结构中的输运。我们比较的时间演变的2 PPE强度光泵浦Fe或Au，而探测发生在Au表面上。在铁侧泵浦的情况下，假设在Fe和Au层中的独立弛豫，我们通过分析所观察到的异质结构中的有效电子寿命的Au层厚度依赖性来确定在这些单独层中的热电子弛豫时间。此外，我们还表明，这种系统的分析失败的情况下，金侧泵浦由于空间分布的光激发密度，这与金层厚度。这项工作扩展了以前的研究[Beyazit等人，物理修订版信函125，076803（2020）]通过新的数据导致所确定的寿命中的误差条减小，并且通过Au厚度相关数据分析中的非线性项，其有助于相似的Fe和Au膜厚度。
2022-12-14 cond-mat.mtrl-sci
Interface control of the magnetic chirality in TaN|CoFeB|MgO heterosctructures
最近的进展，在理解自旋轨道效应的双磁性异质结构开辟了新的范例，以控制磁矩电。据说Dzyaloshinskiii-Moriya相互作用（Dzyaloshinskiii-Moriya interaction，Dzyaloshinskii-Moriya interaction）在形成Neel型畴壁中起关键作用，该畴壁可以由自旋霍尔扭矩驱动，自旋霍尔扭矩是由相邻非磁性层中经由自旋霍尔效应产生的自旋电流产生的扭矩。在这里，我们表明，的符号，这决定了畴壁与电流移动的方向，可以通过修改相邻的非磁性层改变。我们发现当Ta底层掺杂氮时，在Ta |CoFeB| MgO异质结构中畴壁螺旋的旋转方向是相反的。Ta和氮掺杂的Ta底层的自旋霍尔角具有相同的符号，这表明在界面处限定了自旋霍尔角的符号。取决于旋转的方向，自旋转移力矩和自旋霍尔力矩可以相互竞争或相互帮助，从而影响用电流移动畴壁的效率。
2013-08-08 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
Pressure dependent electronic properties of MgO polymorphs: A first-principles study of Compton profiles and autocorrelation functions
在密度泛函理论的框架下，采用第一性原理周期线性组合原子轨道方法，在CRYSTAL 06程序中实现，研究了压力对MgO的康普顿轮廓和自相关函数的影响.对MgO的B1、B2、B3、B4、B8_1和h-MgO多晶型物进行计算以计算晶格常数和体积模量。等温焓计算结果表明，B_4 → B_8_1、h-MgO → B_8_1、B_3 → B_2、B_4 → B_2和h-MgO → B_2的转变分别发生在2，9，37，42和64 GPa。发现B8_1到B2和B1到B2的高压转变分别发生在340和410 GPa。压力依赖性的变化主要是观察到的价电子康普顿配置文件，而核心配置文件几乎是独立的压力在所有的MgO多晶型。压力的增加导致价态康普顿分布的加宽。在所有结构中，康普顿分布的二阶导数的主极大值都向高动量侧移动。在B1到B2结构相变中动量密度的重组在转变压力之前和之后的一阶和二阶导数中可见。自相关函数的特征随着压力的增加而向低r侧移动。
2012-04-30 cond-mat.mtrl-sci
Enhanced interface perpendicular magnetic anisotropy in Ta|CoFeB|MgO using nitrogen doped Ta underlayers
我们发现，Ta |CoFeB| MgO磁性异质结构的磁特性的强烈影响，通过掺杂的Ta底层与氮。特别地，饱和磁化强度在掺杂Ta底层时下降，表明掺杂的底层充当硼扩散阻挡层。此外，磁死层的厚度随着氮掺杂的增加而减小。令人惊讶的是，当向Ta底层引入最佳量的氮时，界面磁各向异性增加至~1.8 erg/cm 2。这些结果表明，氮掺杂的Ta作为一个很好的底层自旋电子学应用，包括磁隧道结和畴壁器件。
2013-05-29 cond-mat.mtrl-sci
Revealing the spin and symmetry properties of the buried Co2MnSi/MgO interface by low energy spin-resolved photoemission
本文提出了一种利用低能自旋分辨光电子能谱研究埋层界面自旋和对称电子性质的新方法。结果表明，该方法对埋于20 ML（~ 4 nm）MgO以下的界面非常敏感，为自旋电子学界面的非破坏性表征提供了有力的工具。作为示范，我们应用这种技术来表征Co2 MnSi/MgO界面，一个基本的积木的国家的最先进的磁性隧道结的基础上Heusler化合物。我们发现，在Co2 MnSi（100）/MgO界面处，一个具有Δ1对称性和少数自旋特征的表面态被淬灭，该表面态主导了裸Co2 MnSi（100）表面的电子结构.因此，界面自旋相关的电子结构类似于理论上预期的Co2 MnSi体能带结构，具有Δ1和Δ5对称性的大多数自旋电子态。此外，我们发现在少数沟道中有额外的热诱导贡献，反映了多数沟道的Δ1/Δ5不对称性。
2012-09-19 cond-mat.mtrl-sci
Positive electron affinity of interfacial region in Polyethylene-MgO nanocomposite dielectric
聚合物基纳米复合材料有望成为未来几代高压电气绝缘的关键。然而，其性能背后的物理原理尚未被理解。在这里，我们研究了氧化镁-聚乙烯纳米复合材料的界面区域的电子性质。我们用密度泛函理论计算了MgO（100）和羟基化MgO（111）与聚乙烯界面的态密度。我们评估了硅基纳米粒子表面改性在电子水平上的作用，并提出了一个新的理论，在纳米复合材料中的电荷捕获。
2016-07-28 cond-mat.mtrl-sci
Interface control of the magnetic chirality in CoFeB|MgO heterosctructures with heavy metal underlayers
最近的进展，在理解自旋轨道效应的双磁性异质结构开辟了新的范例，以控制磁矩电。据说Dzyaloshinskiii-Moriya相互作用（Dzyaloshinskiii-Moriya interaction，Dzyaloshinskii-Moriya interaction）在形成Neel型畴壁中起关键作用，该畴壁可以由自旋霍尔扭矩驱动，自旋霍尔扭矩是由相邻非磁性层中经由自旋霍尔效应产生的自旋电流产生的扭矩。在这里，我们表明，在垂直磁化的X |CoFeB| MgO异质结构中，通过改变相邻的重金属底层（X），可以改变重金属的强度和符号。尽管具有相同的自旋霍尔角，但取决于底层，畴壁沿着或逆着电子流移动。我们发现，当底层由Hf变为W时，畴壁螺旋的旋转方向是相反的，并且畴壁螺旋的强度随重金属层的5d电子数的变化而变化。甚至可以通过向底层中添加氮来调节磁性，从而允许磁性异质结构中的磁性织构的界面工程。
2014-01-15 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
Creation of a Chiral Bobber Lattice in Helimagnet-Multilayer Heterostructures
手性浮子是一种局部三维磁化结构，以奇点为终端。手征波子与手征磁铁中的磁性skyrmion共存，使它们自身成为新型的skyrmion互补信息位。然而，按需创建的浮子，以及他们的直接观察仍然难以捉摸。在这里，我们介绍了一种新的机制，通过两个具有可比大小的skyrmion物种的接近，创造一个稳定的手性bobber晶格态。实验证明了这种效应在Cu $_2$ OSeO $_3$ /[Ta/CoFeB/MgO] $_4$异质结构中，其中在Cu $_2$ OSeO $_3$的相图中出现外来的bobber晶格态。为了明确揭示手性bobber晶格态的存在，我们开发了一种新的表征技术，磁截断棒分析，这是基于共振弹性x射线散射。
2020-12-20 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.other
Electronic and crystalline structures of zero band-gap PdLuBi thin films grown epitaxially on MgO(100)
采用PdBi 2和Lu靶共溅射法在Ta-Mo缓冲MgO（100）衬底上制备了具有C1 b结构的拓扑绝缘体PdLuBi的薄膜。高质量的PdLuBi薄膜的外延生长证实了X射线光谱和反射高能电子衍射。的均方根粗糙度的薄膜是低至1.45 nm，虽然薄膜是在高温下沉积。薄膜成分接近理想的化学计量比。硬X射线光电子能谱学观察到的PdLuBi薄膜的价带谱与从头算计算的态密度完全对应。
2012-09-25 cond-mat.mtrl-sci
Electric field modulation of the non-linear areal magnetic anisotropy energy
研究了具有重金属衬底的CoFeB/MgO栅异质结中压控磁各向异性（VCMA）与铁磁层厚度的关系。当有效CoFeB厚度小于~1 nm时，Ta/CoFeB/MgO异质结构的VCMA效率随着CoFeB厚度的减小而显著降低。我们发现，一个高阶的唯象项，用来描述的厚度依赖性的面积磁各向异性能量也可以占面积VCMA效率的变化。在这种结构中，高阶项与常见的界面VCMA竞争，从而降低了在较低CoFeB厚度下的效率。面积VCMA效率即使在有效CoFeB厚度超过约lnm时也不饱和。我们认为高阶项与CoFeB/MgO界面处的应变有关：由于CoFeB层的平均应变随其厚度变化，CoFeB/MgO界面的电子结构变化，导致区域磁各向异性能和VCMA效率的变化。
2017-01-16 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
Magnetic and Electronic Structure study of Fe/MgO/Fe/Co Multilayer Stack Deposited by E-Beam Evaporation
本文研究了用电子束蒸发方法在Si（100）衬底上生长的MgO/Fe/MgO/Fe/Co/Au多层膜的磁性和电子结构。X射线衍射研究描绘了多晶性质的多层膜。从振动样品磁强计（VSM）和近边X射线吸收精细结构谱（NEXAFS）在Fe & Co L-和Mg & O K-边缘获得的结果被应用于了解该堆栈的磁性和电子特性及其界面特性。表面灵敏总电子产额（TEY）模式记录的Fe L边光谱的光谱特征表明在Fe/MgO界面形成了FeOx，体敏总荧光产额（TFY）模式记录的Fe L边光谱的光谱特征表明Fe为金属性质。Co L边光谱揭示了在TEY和TFY模式中钴的金属性质的存在。上述结果与X射线反射法有很好的相关性。
2013-05-13 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.soft cond-mat.str-el
Flexible MgO barrier magnetic tunnel junctions
柔性电子器件需要将多个关键部件集成在柔性基板上以实现其功能。特别地，存储器设备是柔性电子设备中用于数据存储和处理的基本组件。在这里，我们提出了灵活的MgO势垒磁性隧道结（MTJ）器件制造使用转印工艺，表现出可靠和稳定的操作下的设备基板的大幅变形。此外，柔性MTJ器件产生约300%的显著增强的隧穿磁阻（TMR）和改进的切换灵敏度，因为在转移过程期间释放了由制造过程引起的MTJ结构中的残余应变。这种方法对于需要高性能存储器组件的广泛的柔性电子系统可能是有用的。
2016-03-12 cond-mat.mtrl-sci
IrCrMnZ (Z=Al, Ga, Si, Ge) Heusler alloys as electrode materials for MgO-based magnetic tunneling junctions: A first-principles study
从IrCrMnZ（Z=Al，Ga，Si，Ge）系统作为MgO基MTJ电极材料的应用角度出发，采用第一性原理计算对其进行了研究。这些材料具有部分占据$Δ_1$带的高自旋极化传导电子，这对于平行磁化配置中的相干隧穿是重要的。IrCrMnAl和IrCrMnGa的居里温度很高（1300 K以上），从平均场近似预测。研究了有序相对各种反位无序的稳定性。本文讨论了自旋轨道耦合对费米能级附近电子结构的影响。进一步研究了IrCrMnZ/MgO异质结沿（001）方向的电子结构。IrCrMnAl/MgO和IrCrMnGa/MgO即使在MgO界面处也保持半金属性，在少数自旋通道中的费米能级处或附近没有界面态。通过对平行磁化结构的弹道自旋输运性质的计算，报道了IrCrMnAl/MgO/IrCrMnAl和IrCrMnGa/MgO/IrCrMnGa的大多数自旋电导。我们建议IrCrMnAl/MgO/IrCrMnAl和IrCrMnGa/MgO/IrCrMnGa作为有前途的MTJ的隧穿磁电阻比的温度依赖性较弱，由于其非常高的居里温度。
2021-08-19 cond-mat.mtrl-sci
Resonant electronic states and I-V curves of Fe/MgO/Fe(100) tunnel junctions
采用非平衡格林函数方法和密度泛函理论相结合的全自洽方法，对Fe/MgO/Fe隧道结的隧道磁电阻效应（TMR）与偏压的关系进行了理论研究.在小于20毫伏的电压下，I-V特性和TMR由通过少数自旋带中的窄界面态的共振输运主导。在平行配置中，这种贡献被与界面态的能量宽度相当的电压淬灭，而在反平行配置中，它在所有电压下都持续存在。在高偏压下，铁电极中的$Δ_1$带边的相对位置决定了铁电极的输运，从而导致TMR的降低。
2008-08-06 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
Tuning the electronic and chemisorption properties of hexagonal MgO nanotubes by doping - Theoretical study
氧化物材料提供了广泛的有趣的物理和化学性质。在纳米尺度上，氧化物的行为更加多样化，使这些材料有资格用于许多应用。在本研究中，我们使用密度泛函理论计算来研究不同长度的六角氧化镁纳米管的物理和化学性质。我们分析了Li、B、C、N和F掺杂对纳米管性能的影响。我们发现，所有的掺杂剂有利于边缘位置时，纳入纳米管。掺杂导致净磁化强度，其值取决于杂质的类型。以CO分子为探针，研究了未掺杂和掺杂MgO纳米管的吸附性能。我们的研究结果表明，掺杂剂的网站也显着改变化学反应性的中心。虽然原始的MgO纳米管吸附CO弱，非常强的吸附在掺杂剂的网站（B-，C-和N-掺杂的纳米管）或相邻的边缘原子（F-和Li-掺杂的纳米管）观察。我们的研究结果表明，氧化物材料中的杂质工程可能是一个有前途的战略，为开发新的材料，可能用作选择性吸附剂或催化剂。
2018-06-21 cond-mat.mtrl-sci
First principles study of the adsorption of MgO molecules on a clean Fe(001) surface
用密度泛函理论和投影缀加波方法研究了MgO分子在Fe（001）表面的吸附.确定了考虑不同吸附位点的能量最有利的配置。最优选的吸附几何形状是当MgO分子平行于表面时，其中Mg在间隙位点中并且O在Fe原子的顶部。在随后的MgO分子吸附在这种几何形状，一个尖锐的，非氧化界面之间的MgO吸附层和Fe（001）表面形成。垂直于表面的MgO的吸附，与氧结合在最上面的Fe层是不太可能的，但可能会导致FeO层的形成时，稳定与过量的氧原子。两种界面类型的结构，电子和磁性的MgO覆盖率从1/9到1单层（ML）进行了检查。电子和磁性的MgO覆盖敏感。对于较低的覆盖率的MgO，明确的杂交之间的Fe 3d和O 2 p状态。表面Fe原子的平均磁矩随着覆盖度而降低，对于1 ML MgO，达到2.78 $μ_{\rm B}$。
2015-12-09 cond-mat.mtrl-sci
Enhanced voltage-controlled magnetic anisotropy via magneto-elasticity in FePt/MgO(001)
在压控磁各向异性（VCMA）的背景下，研究了磁电（ME）和磁弹性（MEL）之间的相互作用。应变不仅改变了晶格常数，而且还改变了异质结构中的内部电场。作为一个原型，FePt/MgO（001）访问，其中两个界面的行为是截然不同的：一个表现出切换，另一个没有。无论外部电场（$E_{ext}$）是否存在，我们发现VCMA系数大于1 pJ/V $\cdot$ m，作为响应于外部电场的$m=\pm1$和$\pm2$的$d$轨道重排的结果。此外，磁晶各向异性（MA）的分析与应变，其中的非线性特征，只负责调用二阶MEL。
2020-01-06 cond-mat.mtrl-sci
Spin-current mediated exchange coupling in MgO-based magnetic tunnel junctions
异质结构是由铁磁层组成的，这些铁磁层通过磁隔离层相互作用，是磁传感器和存储器器件的核心。在本研究中，层分辨铁磁共振被用来研究Co/MgO/坡莫合金磁性隧道结的磁性层之间的耦合。两个磁共振峰，观察到两个磁性层，在Co和Ni L3的X-射线吸收边探测，显示出强的层间相互作用，通过绝缘MgO屏障。基于Landau-Lifshitz-Gilbert-Slonczewski方程建立了一个理论模型，考虑了磁性层之间的交换耦合和自旋抽运。拟合的实验数据进行了，无论有和没有一个自旋泵项，并使用似然比检验的拟合优度进行了比较。这种严格的统计方法提供了一个明确的证明存在的层间耦合介导的自旋泵。
2021-01-20 cond-mat.mtrl-sci
Large perpendicular magnetic anisotropy in epitaxial Fe/MgAl2O4(001) heterostructures
研究了电子束蒸发外延Fe（0.7 nm）/MgAl 2 O 4（001）异质结构的垂直磁各向异性（PMA）及相关性质。使用优化的结构，我们在室温下获得了大的PMA能量~1 MJ/m3，与超薄Fe/MgO（001）异质结构相当。PMA能量和饱和磁化强度都表现出较弱的温度依赖性，保证了应用中较宽的工作温度范围。利用时间分辨磁光克尔效应测得0.7 nm Fe层的有效磁阻尼常数为~0.02。本研究证实了Fe/MgAl 2 O 4异质结用于垂直磁性隧道结的能力，并且与理论预测很好地吻合。
2018-04-19 cond-mat.mtrl-sci
Unveiling the role of Co-O-Mg bond in magnetic anisotropy of Pt/Co/MgO using atomically controlled deposition and in-situ electrical measurement
尽管界面垂直磁各向异性在Co（Fe）/MgO基磁性隧道结中起着至关重要的作用，但其内在机制仍存在争议。本文报道了在真空系统中，通过重复的原位反常霍尔效应测量、控制氧暴露和Mg沉积，对氧和Mg对Pt/Co双层膜的影响进行了解剖学研究。我们发现，化学吸附的氧不仅淬灭了Co表面层的有效磁矩，而且软化了其磁各向异性。然而，随后在氧预暴露的Pt/Co表面上的Mg粉化可以恢复磁各向异性。对费米能级附近的交换劈裂和轨道杂化的从头计算给出了清晰的物理解释。结果表明，Co（Fe）-O-M键在实现Co（Fe）/MgO异质结界面垂直磁各向异性中起着比Co（Fe）-O键更重要的作用.
2017-02-25 cond-mat.mtrl-sci
Growth and spin-resolved photoelectron spectroscopy of the MgO/Fe(110) system
利用自旋分辨光电子能谱学、俄歇电子能谱和低能电子衍射研究了室温下在Fe（110）薄膜上外延生长的MgO层的电子和结构性质。Fe（110）薄膜费米能级处的自旋极化随MgO层厚度的增加而急剧下降，当MgO层厚度达到7 μ m时，Fe（110）薄膜的费米能级处的自旋极化随MgO层厚度的增加而急剧下降。这是由于在MgO（111）/Fe（110）界面处形成了一层薄的FeO层，从而减弱了本征自旋极化。
2004-04-18 cond-mat.mtrl-sci
Tailoring tunnel magnetoresistance by ultrathin Cr and Co interlayers: A first-principles investigation of Fe/MgO/Fe junctions
本文系统地研究了Fe（001）/MgO/Fe（001）磁性隧道结中Co和Cr中间层的电子结构和输运性质随中间层厚度的变化。自旋相关的弹道输运计算的结果显示选项，具体操纵隧道磁阻比。电阻面积积和隧道磁电阻比随Cr厚度的变化呈现单调的趋势，并有明显的振荡。这些调制直接解决和解释的Cr膜中的磁结构和复杂的能带结构的影响。嵌入式Co夹层的特性是相当大的影响，由本地电子结构分析的界面共振。
2010-01-13 cond-mat.mtrl-sci
The Energetics and Electronic Structure of Defective and Irregular Surfaces on MgO
基于密度泛函赝势方法的从头计算方法研究了MgO表面（001）台阶、台阶、转角和反角的全弛豫结构、电子分布和电子态密度，以及这些表面特征处的F心.计算证实了较早的预测的放松结构的表面不规则性的基础上简单的相互作用模型。在表面处发现带隙的实质性变窄，对于台阶和台阶，这是由于导带底部的表面态，但是对于拐角和反向拐角，也是由于价带顶部的表面态。F-中心形成能随着氧位的配位减少而稳定降低。F心能级的能量随着其位置配位的降低而有向价带顶靠近的趋势。
1995-05-01 cond-mat.mtrl-sci mtrl-th
Interfacial Control of Dzyaloshinskii Moriya Interaction in Heavy Metal_Ferromagnetic Metal Thin Film Heterostructures
双磁性薄膜异质结构中的界面DzyaloshinskiiMoriya相互作用（DzyaloshinskiiMoriya Interaction，简称DzYM）为在介观尺度上控制自旋织构提供了一种新的途径。本文利用布里渊光散射研究了Ta_CoFeB_Pt（wedge）_MgO薄膜中Pt楔插入层对界面极化常数D的影响。通过插入少于一个单层的Pt，实现了D的连续调谐超过三倍。这些观测结果为设计磁性薄膜异质结构提供了新的见解，这些异质结构具有定制的D以控制Skyrmion和磁畴壁手性和动力学。
2016-11-05 cond-mat.mtrl-sci
