A key to room-temperature ferromagnetism in Fe-doped ZnO: Cu
报道了室温铁磁半导体Zn $_{1-x}$ Fe $_{x}$ O的成功合成。在实现室温铁磁性的本体Zn $_{1-x}$ Fe $_{x}$ O的基本成分被发现是额外的Cu掺杂。在Zn $_{0.94}$ Fe $_{0.05}$ Cu $_{0.01}$ O中获得了高达550 K的转变温度;室温下的饱和磁化强度达到了每Fe $0.75 μ_{\rm B}$的值。在低于$100 $ K时也观察到了大的磁电阻。
2002-08-21 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Magnetic critical behavior of the van der Waals Fe5GeTe2 crystal with near room temperature ferromagnetism
范德华铁磁体Fe 5GeTe 2具有约270 K的居里温度TC，其可以通过调节Fe缺陷含量而升高到室温以上。为了深入了解其铁磁交换，我们通过测量大块Fe 5GeTe 2晶体中铁磁到顺磁相变周围的磁化强度来研究其临界行为。通过采用各种技术包括修改的Arrott图、Kouvel-Fisher图和临界等温线分析来分析磁化强度，获得了一组可靠的临界指数，其中TC = 273.7 K，β = 0.3457，γ = 1.40617，和δ = 5.021，这表明存在一个三维磁交换，其距离衰减为J（r）~（r）$^-4.916，这与具有长程磁耦合的三维海森堡模型的结果接近.
2020-03-15 cond-mat.str-el
Cationic vacancy induced room-temperature ferromagnetism in transparent conducting anatase Ti_{1-x}Ta_xO_2 (x~0.05) thin films
报道了用脉冲激光沉积法在LaAlO 3衬底上生长的高导电透明Ti 1-xTaxO 2（x~0.05）薄膜的室温铁磁性。卢瑟福背散射光谱（RBS），X射线衍射（XRD），质子诱导的X射线发射（PIXE），X射线吸收光谱（XAS）和飞行时间二次离子质谱（TOF-SIMS）表明在膜中的磁性污染物可以忽略不计。伴随着大的载流子密度的铁磁性的存在下确定的超导量子干涉仪（SQUID）的磁强计，电传输测量，软X射线磁圆二色性（SXMCD），XAS，和光学磁圆二色性（OMCD）的组合，并支持第一原理计算。SXMCD和XAS测量显示，Ti离子对铁磁性的贡献率为90%，O离子的贡献率为10%。RBS/沟道测量显示完全的Ta取代的Ti网站，虽然载流子激活只有50%，在5%的Ta浓度意味着补偿阳离子缺陷。通过X射线吸收光谱（XAS）和X射线光电子能谱（XPS）分别研究了Ti空位和Ti ~（3+）的作用。结果表明，在强铁磁性薄膜中，Ti空位信号较强，而Ti ~（3+）信号不存在。我们建议（在没有任何明显的交换机制），本地化的磁矩，钛空位，铁磁有序巡回载体。在没有磁性元素的宽带隙半导体氧化物中，阳离子缺陷感生磁性是铁磁性的替代途径。
2012-07-13 cond-mat.str-el
Reversible room-temperature ferromagnetism in Nb-doped SrTiO3 single crystals
氧化物室温铁磁性的研究一直是凝聚态物理的圣杯之一。室温下观察到的铌掺杂钛酸锶单晶铁磁性报道在这个快速通信。铁磁性可以通过空气退火（使样品主要是抗磁性的）消除，并可以通过随后的真空退火恢复。磁矩的温度依赖性与载流子密度的温度依赖性相似，表明磁性与自由载流子密切相关。结果表明，铁磁性是由氧空位引起的。此外，在平行于电流的磁场下，观察到滞后磁阻，表明磁矩在样品的平面内。进行了X射线光电子能谱、静态飞行时间和动态二次离子质谱以及质子诱导X射线发射测量来检查磁性杂质，表明观察到的铁磁性不太可能是由于任何磁性污染物造成的。
2013-06-19 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Room temperature soft ferromagnetism in the nanocrystalline form of YCo2 - a well-known bulk Pauli paramagnet
Laves相化合物YCo2是一种著名的交换增强泡利顺磁体。我们在这里报告说，在纳米晶形式，这种化合物有趣的是在室温下是一个巡回的铁磁体与低磁感应场。饱和磁矩的大小（每分子式单位约1个玻尔磁子）大到足以推断铁磁性不是这些纳米晶体中的表面现象。由于这些铁磁纳米晶很容易在空气中以稳定的形式合成，因此可以探索应用，特别是在滞后是缺点的情况下。
2008-06-12 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Oxygen vacancy enhanced room temperature ferromagnetism in Al-doped MgO nanoparticles
我们已经研究了室温铁磁秩序，开发铝取代氧化镁，Mg（Al）O，纳米粒子与Al分数高达5原子%。所有样品，包括未掺杂的MgO纳米颗粒，都表现出室温铁磁性，饱和磁化强度在2at.%时达到最大值0.023 emu/g。X-射线光电子能谱学确定了掺杂和未掺杂MgO纳米颗粒中氧空位的存在，真空退火后Mg（Al）O的空位浓度增加，导致饱和磁化强度增加2倍。Al掺杂的MgO。我们的研究结果表明，氧空位在很大程度上负责在MgO的室温铁磁性。
2013-01-30 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Room Temperature d$^0$ Ferromagnetism in Carbon Doped LaH$_3$: Insights From Density Functional Theory Simulations
采用最先进的密度泛函理论与GGA和杂化HSE 06功能以及自旋轨道耦合的合并，我们已经设计了稳定的室温铁磁性的非磁性LaH $_3$通过C取代在八面体和四面体H位，其中诱导的磁矩主要是由C原子的2p轨道贡献。有趣的是，磁性特征在杂质浓度低至1.04原子%且磁矩为每个杂质$\approx$ 1.0 $μ_B$的情况下被接通，其中C的2p态的局域化行为以及显著的交换分裂能可以归因于所诱导的磁矩的起源。在材料中的斯通纳标准的验证进一步证实了铁磁性的系统中的发病，和计算的居里温度被发现是远高于室温。降低的形成能和较低杂质浓度的要求确保了自旋电子器件的实际可行性，其中从非磁性主体和掺杂剂建立室温铁磁性。
2023-02-11 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Room temperature magneto-optics of ferromagnetic transition-metal doped ZnO thin films
磁光研究表明，与过渡金属Co，Mn，V和Ti掺杂的ZnO在室温下的ZnO带边的一个显着的磁圆二色性（MCD），连同相关的色散法拉第旋转。对于每种掺杂剂，发生类似的光谱，这意味着铁磁性是本体ZnO晶格的固有性质。在10 K的额外的顺磁贡献的MCD观察到，但高于约150 K，MCD信号的幅度是由铁磁性为主，几乎是温度无关的。在ZnO带边的MCD显示室温滞后行为。
2006-04-12 cond-mat.str-el
Electrically tunable room-temperature ferromagnetism in CrBr$_3$
本研究基于第一性原理海森堡XXZ模型，发现通过栅极诱导的载流子掺杂可调控单层CrBr₃的磁有序至室温，空穴掺杂可增强铁磁性，电子掺杂可改变磁易轴，为电控二维自旋电子等器件提供新可能。
2021-08-02 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Carrier-induced ferromagnetism in n-type ZnMnAlO and ZnCoAlO thin films at room temperature
实现在室温以上具有铁磁性的半导体将可能导致新一代具有革命性电学和光学特性的自旋电子器件。掺杂ZnO的转变温度很高，但特别是Mn掺杂，报道的时刻很小。我们表明，通过仔细控制缺氧和铝掺杂的n型ZnMnO和ZnCoO在室温下测得的铁磁矩分别接近理想值5mB和3mB。此外，每个过渡金属离子的磁化强度和载流子的数目与过渡金属供体的数目的比率之间的明确相关性被建立，如对于Mn和Co掺杂的膜两者的载流子诱导的铁磁性所预期的。磁化强度对载流子密度的依赖性类似于稀磁半导体的转变温度的预测，其中过渡金属离子之间的交换是通过自由载流子。
2006-05-26 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Unconventional carrier-mediated ferromagnetism above room temperature in ion-implanted (Ga, Mn)P:C
离子注入Mn离子到空穴掺杂的GaP已被用来诱导高于室温的铁磁行为的最佳Mn浓度接近3at.%。当Mn剂量从3at.%增加或减少时，磁性被抑制。值，或者当使用n型GaP衬底时。在低温下，饱和磁矩大约是一个玻尔磁子的数量级，根据布洛赫定律T^3/2磁化强度的依赖关系推断出的自旋波刚度提供了居里温度的估计值Tc = 385 K，超过了实验值Tc = 270 K。铁磁团簇和滞后的存在下，至少330 K的温度是由于无序和接近金属绝缘过渡。
2002-01-26 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Evidence for Carrier-Induced High-Tc Ferromagnetism in Mn-doped GaN film
采用分子束外延技术生长了Mn掺杂量为8.2%的GAN薄膜。磁化强度测量表明，这种高度Mn掺杂的GAN薄膜在室温以上具有铁磁性。它还揭示了高温铁磁态显着抑制低于10 K，伴随着随着温度的降低电阻率的增加。这一观察清楚地表明了Mn掺杂GAN薄膜中具有极高Tc的铁磁性与载流子输运之间的密切关系。
2006-04-28 cond-mat.str-el
Microscopic Origin Of Room Temperature Ferromagnetism in a Double Perovskite Sr$_2$FeReO$_6$: a first principle and model Hamiltonian study
在双钙钛矿（A $_2$ BB $'$ O $_6$）中令人困惑的室温铁磁性观察，尽管具有被非磁性B $'$ -离子稀释的B-离子的磁晶格，已经对Sr $_2$ FeReO $_6$进行了检查。利用{ \it Ab-initio}自旋螺旋电子结构计算方法，在倒易空间中确定了进入扩展海森堡模型的交换相互作用，然后用Monte Carlo模拟经典求解，确定了铁磁转变温度T $_c$ .我们发现，必须考虑现场库仑相互作用在pH 6 Re网站（$U$），以获得T $_c$接近实验值。对$ab$ - $initio$电子结构的分析以及适当的模型哈密顿量追踪了T $_c$与$U$的增强的起源，即在这些位点引入的增强的交换分裂。这反过来又使反铁磁交换通道不稳定，从而增强T $_c$。通过与Sr $_2$ FeMoO $_6$的情况进行对比，检查在非磁性网站的占用的作用。
2022-02-02 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Metal-Free Room-Temperature Ferromagnetism
针对纯有机二维晶体室温铁磁性的挑战，提出混合拓扑设计策略，通过连接不同亚晶格拓扑的自由基单体打破反转对称性，实现无金属铁磁性，设计的材料居里温度超550 K，为柔性磁体开发提供新原则。
2025-08-24 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
A route to room temperature ferromagnetic ultrathin SrRuO$_3$ films
尽管基于密度泛函理论（DFT）和DFT+U的期望，但迄今为止稳定过渡金属氧化物薄膜铁磁性的实验努力都失败了。在这里，我们调查的最有前途的材料之一，SrRuO $_3$，并包括超越DFT的相关效应通过动力学平均场论。与实验结果一致，我们发现SrRuO $_3$薄膜中金属铁磁性存在一个本征厚度限制。事实上，我们证明，实现的铁磁薄膜是遥不可及的标准薄膜技术。提出载流子掺杂作为一种新的方法来操纵薄膜，我们预测室温铁磁性的电子掺杂SrRuO $_3$超薄膜。
2015-03-02 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Tunability of Room Temperature Ferromagnetism in Spintronic Semiconductors through Non-magnetic Atoms
通过在半导体晶格中添加磁性原子来实现和控制室温铁磁性（RTFM）是近十年来固态物理中最重要的问题之一。在这里，我们报告的第一次，据我们所知，在机制上，允许RTFM被调谐的列入\emph{non-magnetic}铝镍铁氧体。这种材料，NiFe $_{2-x}$ Al $_x$ O $_4$（x=0，0.5，1.5），已经显示出磁性半导体技术的前景，我们能够增加其多功能性的技术可行性与我们的结果。Fe原子（Fe $^{3+}$ T $_d$、Fe $^{2+}$ O $_h$和Fe $^{3+}$ O $_h$）的位置占有率和价态可以通过包含铝而有系统地控制。利用铝强烈偏好3+八面体环境的事实，我们可以选择性地用铝原子填充铁位点，从而专门调整每个铁位点的磁性贡献，因此也调整了块体材料的磁性贡献。有趣的是，铝对电子结构（补充材料）的影响很弱，允许人们在保持理想的电子特性的同时实现理想的磁特性。
2019-08-07 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Nearly room temperature ferromagnetism in pressure-induced correlated metallic state of van der Waals insulator CrGeTe$_3$
二维vanderWaals（vdW）材料中库仑排斥、自旋轨道耦合和Hund耦合能等不同能量尺度之间的复杂相互作用产生了新的新兴物理状态。例如，vdW电荷转移绝缘体CrGeTe $_3$中的铁磁性提供了一个有前途的平台，以使用几层厚的材料同时操纵潜在器件实现的磁和电特性。在这里，我们展示了一个连续调谐的磁和电性能的CrGeTe $_3$单晶使用压力。随着压力的施加，CrGeTe $_3$从室温下居里温度为$T_{\rm{C}} \sim $ 66 K的FM绝缘体转变为相关的2D费米金属，$T_{\rm{C}}$超过$\sim$ 250 K。值得注意的是，在绝缘体-金属转变（IMT）中没有伴随的结构畸变表明，电子基态的压力引起的修改是由电子相关驱动的，这提供了vdW材料中带宽控制IMT的罕见示例。
2021-07-22 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Room-Temperature Metallic 2D Ferromagnetism Stabilized by Quantum Metric
The Hong Kong University of Science and Technology (Guangzhou)（香港科技大学（广州））
本研究提出量子度量稳定室温二维金属铁磁序的机制，通过ARPES测量与理论分析，发现层状电子化物YCl的金属二维骰子晶格可产生高于室温的居里温度，为量子几何的基础意义及磁存储器应用提供了新实例。
2026-10-16 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Weak Antilocalization Effect up to ~ 120 K in the van der Waals Crystal Fe5-xGeTe2 with Near Room Temperature Ferromagnetism
弱反定域效应是对经典电导率的量子修正，在二维磁体中从未出现过。在本工作中，我们报道了在居里温度Tc ~ 270 K，甚至可以高达~ 120 K的范德华铁磁体Fe 5-xGeTe 2中观察到的WAL效应。Hikami-Larkin-Nagaoka和Maekawa-Fukuyama理论可以很好地描述强自旋轨道耦合（SOC）下的WAL效应。此外，通过角分辨光电子能谱测量和第一性原理计算发现，在60 K附近，样品的磁电阻和磁电导都出现了峰谷交叉现象，这是一个罕见的温度驱动的Lifshitz转变.反射磁性圆二色性测量表明，在120 K以上，可能存在自旋重取向，从而消除WAL效应。我们的研究结果提出了一个罕见的WAL效应的例子在二维铁磁体，也是一个磁输运指纹的强SOC在Fe 5-xGeTe 2。这些结果对于理解这种高Tc巡游铁磁性的相互作用哈密顿量以及设计下一代室温自旋电子或双电子器件具有指导意义。
2021-09-05 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Model for vacancy-induced d$^0$ ferromagnetism in oxide compounds
我们提出了一个模型与几个参数，空位诱导的铁磁性的基础上的相关模型的阴离子（氧轨道）与随机电位，代表阳离子空位。有一个范围内的潜在的力量，时刻出现在邻近的空位的氧网站。通过使用能使我们精确处理随机性的技术，我们计算了空位周围的总磁矩、居里温度和动力学关联之间的磁耦合，它们是空位势的有效强度、掺杂性质、空位密度以及相关性和主体带宽的函数。对于物理上合理的参数，这预测居里温度远高于室温的小浓度的空位和适当的参数。我们讨论了我们的结果与实验中提出的稳定性和再现性问题。为了规避控制本征缺陷的困难，我们提出了特定的非磁性主体掺杂，其可以例如取代HfO $_2$或ZrO $_2$中的阳离子。
2006-05-20 cond-mat.str-el
Theory of Room Temperature Ferromagnet V(TCNE)_x (1.5 < x < 2): Role of Hidden Flat Bands
本文对过渡金属配合物V（TCNE）_x（1.5<x<2）的室温铁磁性（晶化后为铁磁性）的可能来源进行了理论研究。对于这个家族，由于样品质量的原因，到目前为止还没有明确的晶体结构，尽管V的有效化合价接近+2。提出了一种新的晶体结构的化学计量的情况下，x=2，其中每个TCNE分子的化合价是-1和电阻率显示绝缘行为，在相邻的V原子上的d-电子之间的交换相互作用已经估计的基础上与3个钒原子和一个TCNE分子的簇。结果表明，由于杂化作用，相同V原子内d轨道之间的Hund耦合以及d轨道与TCNE的LUMO（桥接V原子）之间的反铁磁耦合导致了整体铁磁性（准确地说，亚铁磁性）。这种基于局域化电子的观点得到了能带图的补充，能带图表明存在一个平带，预期会导致铁磁性，这也与局域化观点一致。偏离化学计量比的情况（x<2），仍然表现出铁磁性，但半导体输运性质，已被分析为由于安德森局域化。
2010-01-21 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Co-doped Ceria: Tendency towards ferromagnetism driven by oxygen vacancies
我们进行了电子结构的研究，氧化铈的钴杂质掺杂，重点是氧空位和结构弛豫所发挥的作用。通过全势从头算方法，我们探讨了最近实验中观察到的铁磁性的可能性。我们的研究结果表明，氧空位似乎是至关重要的Co杂质之间的铁磁性对齐的外观，获得铁磁性的增加的趋势，随着空位浓度的增加。然而，估计的耦合不能解释实验观察到的室温铁磁性。在这项系统的研究中，我们得出相关的结论，有关的位置的氧空位和磁耦合。特别地，我们发现氧空位倾向于在Co杂质附近成核，并且我们得到Co原子和Ce^{3+}相邻离子之间的显著强的铁磁耦合。计算出的每个细胞的磁矩取决于减少的程度，这可以解释在实验中观察到的磁化值的广泛传播。
2009-11-10 cond-mat.str-el
Prediction of novel two-dimensional rare-earth material with room-temperature ferromagnetism and large perpendicular magnetic anisotropy
具有高居里温度和大垂直磁各向异性的新型二维铁磁体在现代自旋电子学中有着广阔的应用前景，但同时具有高居里温度和大垂直磁各向异性的二维铁磁体却鲜有报道。基于密度泛函理论（DFT），预测了一种新的二维铁磁材料GdB 2N 2，它具有大磁矩、高居里温度（335 K）和大的垂直磁各向异性（10.38 meV/f. u.）.在-0.5%至5%的双轴应变范围内，施加不同浓度的电荷载流子掺杂，以揭示居里温度和磁各向异性能（MAE）的影响。此外，GdB_2N_2的磁耦合过程符合Ruderman-Kittel-Kasuya-Yosida（RKKY）机制。综上所述，我们的工作预示了一种新型的二维稀土材料GdB 2N 2，它不仅丰富了二维室温铁磁体的种类，而且提出了将传统二维材料与稀土材料相结合以获得更有趣的磁性的新可能性，最终为下一代自旋电子器件和传感器开辟了道路。
2022-03-18 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Tuning the Room Temperature Ferromagnetism in Fe5GeTe2 by Arsenic Substitution
为了调节可分裂高居里温度铁磁体Fe $_{5-x}$ GeTe $_2$的磁性能，研究了通过砷替代增加电子计数的效果。少量添加砷（2.5%和5%）似乎增强铁磁秩序的多晶样品淬火波动的三个磁性亚晶格之一，而较大的As浓度降低铁磁居里温度（$T_{\rm C}$）和饱和磁化强度。这项工作还描述了生长和表征的Fe $_{4.8}$ AsTe $_2$单晶体，其结构类似于Fe $_{5-x}$ GeTe $_2$，但具有一些相稳定性的并发症。磁化强度测量表明$_{4.8}$ As-Te-$_2$具有主要的反铁磁行为，Néel温度为$T_{\rm N}$ $\approx$ 42 K.低于$T_{\rm N}$的场致自旋触发器导致从负到正的磁阻的切换，其中显著的滞后引起蝶形电阻环。除了报告的性质Fe $_{4.8}$作为Te $_2$，这项工作显示的重要性，操纵个人的磁性亚晶格在Fe $_{5-x}$ GeTe $_2$和激励进一步努力，以控制相关材料的磁性的费米能量或晶体化学的微调。
2021-11-11 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Robust room temperature ferromagnetism in an itinerant van der Waals antiferromagnet
本文发现巡游型范德瓦尔斯反铁磁体 (Fe0.56Co0.44)5GeTe2 在剥离至单层时仍保持至室温的铁磁序，并展现奇偶层数效应及低温偶数层稳健铁磁性。
2023-11-03 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el quant-ph
Uncovering the lowest thickness limit for room-temperature ferromagnetism of Cr$_{1.6}$Te$_{2}$
该研究利用脉冲激光沉积实现 Cr$_{1.6}$Te$_{2}$ 的逐层生长控制，确定其保持室温铁磁有序的最小临界厚度，并结合实验与理论揭示其强面内磁各向异性及嵌入调控意义。
2024-06-07 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Weak Ferromagnetism in LaCo1-xRhxO3: Anomalous Magnetism Emerging between Two Nonmagnetic End Phases
测量了LaCo_（1-x）Rh_xO_3（0 { \leq } x { \leq } 0.9）多晶样品的磁化强度，以研究LaCo_（1-x）O_3和LaRh_3两个双端相固溶体的磁感应。据发现，铁磁转变是观察到低于15 K的范围内的x从0.1到0.4。在室温附近，由磁化率的温度依赖性计算的有效玻尔磁矩与x无关，0 < x < 0.5（每个公式单位约3 μB），在x = 0.5以上迅速减小。在详细的磁化强度测量的基础上，讨论了LaCo_（1-x）Rh_xO_3的自旋态和磁有序性。
2011-07-25 cond-mat.str-el
Exceedingly Small Moment Itinerant Ferromagnetism of Single Crystalline La$_{5}$Co$_{2}$Ge$_{3}$
采用自助熔剂法生长了单斜晶系La $_{5}$ Co $_{2}$ Ge $_{3}$单晶，并通过室温粉末X射线衍射、各向异性温度和场相关磁化强度、温度相关电阻率、比热和μ子自旋旋转对其进行了表征。La $_{5}$ Co $_{2}$ Ge $_{3}$的居里温度（$T_\mathrm{C}$）为3.8~K，磁化强度和$μSR$数据显示出明显的铁磁性特征，电阻率数据显示出明显的自旋无序散射损失和明显的比热异常。与La $_{5}$ Co $_{2}$ Ge $_{3}$相关的磁性是流动的，在$T_\mathrm {C}$处的熵变化为每摩尔Co 0.05 R ln 2，并且具有$\sim 0.1 μ_\mathrm B$ /Co的低场饱和磁矩，使其成为稀有的、流动的、小磁矩、低$T_\mathrm C$化合物。
2020-02-25 cond-mat.str-el
Origin and tuning of room-temperature multiferroicity in Fe doped BaTiO$_3$
Fe掺杂BaTiO $_3$（BTO）中室温铁磁性和铁电性的同时存在是令人感兴趣的，因为Fe掺杂到室温铁电性（FE）的四元BTO中，导致其六方多晶型的稳定化，其仅在低于$\sim$ 80 K时为FE。在这里，我们调查它的起源，并表明，Fe掺杂的BTO具有混合相的室温多铁性，其中铁磁性来自大多数六方相和少数四方相引起所观察到的弱铁电性。为了实现大部分的四方相（负责室温-T铁电性）在Fe掺杂的BTO，我们调查的作用，主要控制的PE六方相稳定性的FE四方酮，并确定三个主要因素，即，离子尺寸的影响，Jahn-Teller（J-T）扭曲和氧空位（OVs），主要负责。离子尺寸的影响，它可以定性地表示使用Goldschmidt的公差（GT）的因素似乎是六方相稳定性的主要决定因素。对这些因素的理解不仅使我们能够控制它们，而且，获得合适的共掺杂的BTO化合物，具有增强的室温-T多铁性。
2020-01-01 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Ferromagnetism and Curie temperature of Vanadium-doped Nitrides
利用KKR-LSDA-CPA研究了钒掺杂氮化物（AlN、GAN和InN）的电子结构、磁性离子间的交换作用机制和居里温度。结果表明，在低浓度时，铁磁超交换作用机制占主导地位，但在足够高的浓度（x > 0.10）时，反铁磁超交换作用出现，降低了铁磁性的稳定性，特别是对于掺钒AlN和掺钒GAN.平均场近似下的居里温度的估计表明，钒掺杂的氮化物的居里温度超过室温与钒的几个成分。
2005-04-14 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Ferromagnetism in 2D Vanadium Diselenide
二维（2D）范德华铁磁体承载着最终微型自旋电子学和信息存储设备的希望。在新发现的二维铁磁体中，所有的铁磁体都继承了它们的大块祖先的磁序。本文报道了一种新的室温下二维铁磁半导体，2H相二硒化钒（VSe 2），它只在二维表现出铁磁性。这种独特的二维铁磁半导体表现出增强的磁有序性，由于在二维极限的结构各向异性。
2021-04-16 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Ferromagnetism and transport properties of the Kondo system Ce4Sb1.5Ge1.5
铁磁有序与一个小的磁矩被发现低于14 K的SQUID测量的化合物Ce4Sb1.5Ge1.5。在室温下测量了Ce_4Sb_（3-x）Tx（T = Ge，Si，Sn，Pb，Al）体系的输运特性，其中Ce_4Sb_（1.5）Ge_（1.5）体系的Seebeck系数最高。它的传输性能（电阻率，热导率，热电功率）的实验研究详细到低温。发现了电阻率的近藤晶格行为及其在有序点处的反常现象，并与Wiedemann-Franz定律进行了比较。
2014-03-29 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
High temperature ferromagnetism of Li-doped vanadium oxide nanotubes
Krusin-Elbaum等人早先报道的掺杂混合价钒氧化物纳米管的令人困惑的高温铁磁性的性质，Nature 431（2004）672，已经通过静态磁化、μ子自旋弛豫、核磁和电子自旋共振光谱技术来解决。通过电化学嵌锂实现了对电荷掺杂的精确控制。我们发现，它提供了多余的电子，从而增加了相互作用的磁性钒网站的数量，并在一定的掺杂水平，产生持续到室温的铁磁响应。因此，我们证实了令人惊讶的先前的结果，通过完全不同的插层方法制备的样品。此外，我们的光谱数据提供了第一个充分的证据，大规模的性质的影响。特别是，他们使一个结论，锂成核超顺磁性纳米尺寸的自旋团簇周围的嵌入网站负责不寻常的高温铁磁性的钒氧化物纳米管。
2009-12-07 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Dynamical mean-field study of Vanadium diselenide monolayer ferromagnetism
为了理解VSe $_2$的磁性，本文采用了传统的密度泛函理论和动力学平均场论相结合的方法.这种更高层次的计算方法使我们能够解决理论和实验之间存在的许多争议和矛盾。首先，这种新的方法被证明是正确的VSe $_2$的块和二维极限的磁性，这表明它的优越性，传统的方法。结果表明，无电荷密度波的单层VSe $_2$是有序温度为250 K的铁磁体。从直接模拟的温度依赖的磁化率和有序矩，它表明，它的铁磁性是明确的二维性质。此外，它表明，这种铁磁秩序是容易受到额外的电荷掺杂，这提供了重要的见解，以阐明最近的实验争议。
2020-06-18 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
