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用CdZnTe阵列研究~(113)Cd β衰变谱

An Investigation into the 113-Cd Beta Decay Spectrum using a CdZnTe Array

J. V. Dawson, C. Reeve, J. R. Wilson, K. Zuber, M. Junker, C. Gössling, T. Köttig, D. Münstermann, S. Rajek, O. Schulz

摘要:

我们提出了11个独立的测量半衰期和光谱形状的4倍禁止β衰变的113-镉使用CdZnTe半导体与总的组合寿命为6.58公斤天。我们的总体结果给出半衰期为(8.00 +/- 0.11(stat)+/- 0.24(sys))x 10^15年,Q值为322.2 +/- 0.3(stat)+/- 0.9(sys)keV。这是第一次用具有统计学代表性的独立测量样本推断出半衰期远超过10^10年。

英文摘要:

We present 11 independent measurements of the half-life and spectral shape of the 4-fold forbidden beta decay of 113-Cd using CdZnTe semiconductors with a total combined lifetime of 6.58 kg days. Our overall result gives a half-life of (8.00 +/- 0.11(stat) +/- 0.24(sys)) x 10^15 years and a Q value of 322.2 +/- 0.3(stat) +/- 0.9(sys) keV. For the first time half-lives well beyond 10^10 years have been deduced with a statistically representative sample of independent measurements.

机构、总结、中文摘要均由AI分析而来,可能存在错误,请以论文正文为准。

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