Atomic scale visualization of the p-d hybridization in III-V semiconductors doped with transition metal impurities
半导体主体中过渡金属杂质的p-d杂化是耦合价带电子和定域自旋的机制。我们利用扫描隧道显微镜和光谱学结合密度泛函理论在原子尺度上研究了Cr单杂质与GaAs基质的杂化。结合Cr在GaAs（110）表面的空间态密度映射和带隙态谱，我们给出了Cr在GaAs（110）表面强各向异性波函数的空间扩展和电子结构的详细图像.第一性原理计算可以识别每个状态的电子特征和起源，并表明实验观察到的III-V族半导体中3d金属杂质的主共振峰和具有“滴眼”波瓣的波函数是p-d杂交的直接局部证据。
2022-05-17 cond-mat.mtrl-sci
Tunnelling anisotropic magnetoresistance of Fe/GaAs/Ag(001) junctions from first principles: Effect of hybridized interface resonances
对Fe/GaAs/Ag（001）外延隧道结的第一性原理计算结果表明，在两个界面处形成的界面共振杂化可以增强系统的隧穿各向异性磁电阻（TAMR）。这种机制表现为一个非单调依赖的TAMR效应的隧道势垒的厚度，最大的中间厚度。在二维布里渊区的k分辨传输的详细扫描证明了一些杂交诱导的热点和从附近的伽玛棒点的隧道效应的贡献之间的相互作用。这种解释是支持一个简单的紧束缚模型的交界处，再现定性的第一性原理理论的大部分功能的计算属性。
2012-06-04 cond-mat.mtrl-sci
Atom-by-Atom Substitution of Mn in GaAs and Visualization of their Hole-Mediated Interactions
Mn掺杂GaAs中铁磁性的发现[1]激发了人们对基于电子自旋的半导体技术发展的兴趣，并导致了几种概念验证自旋电子器件[2-4]。（Ga，Mn）As或其他稀磁半导体的实际应用的主要障碍仍然是它们低于室温的铁磁转变温度。增强半导体中的铁磁性需要理解磁性掺杂剂（如Mn）之间相互作用的机制，并确定铁磁性相互作用最大化的情况[5]。在这里，我们报告使用一种新的原子原子取代技术与扫描隧道显微镜（STM）进行第一次控制原子尺度的研究隔离Mn受体介导的GaAs的电子态之间的相互作用。高分辨率STM测量用于可视化GaAs的电子状态，参与Mn-Mn相互作用和量化的相互作用强度作为相对位置和取向的函数。我们的实验结果，这可以解释使用紧束缚模型计算，揭示了强烈的依赖铁磁相互作用的晶体取向。这种各向异性的相互作用可以潜在地利用生长取向的Ga 1-xMnxAs结构，以提高铁磁转变温度超过随机掺杂的样品中实现的。我们的实验方法还提供了一种现实的方法来创建精确的安排单自旋耦合量子位的内存或信息处理的目的。
2006-07-28 cond-mat.mtrl-sci
Imaging of the [Mn2+(3d5) + hole] complex in GaAs by Cross-sectional Scanning Tunneling Microscopy
我们提出的结果上的直接空间映射的束缚在GaAs中的Mn受体的空穴的波函数。为了研究单个Mn掺杂剂在原子尺度上的电离和中性配置，我们使用了室温横截面扫描隧道显微镜（X-STM）。我们发现，在中性配置锰表现出作为一个各向异性的交叉样功能。我们将此特征归因于空穴与Mn离子弱结合形成[Mn 2+（3d 5）+空穴]络合物。
2003-08-12 cond-mat.mtrl-sci
Electronic structure and magnetic properties of Mn and Fe impurities near GaAs (110) surface
结合密度泛函理论计算和微观紧束缚模型，我们从理论上研究了位于GaAs（110）面附近的单个替位过渡金属杂质（Mn和Fe）的电子和磁性.对于$[\rm Mn^{2+}]^0$+受体空穴（h）复合物的情况，明确包括杂质$d$ -电子的紧束缚模型的结果与将杂质自旋视为有效经典矢量的方法非常一致。对于铁的情况下，中性等电子$[\rm Fe^{3+}]^0$和电离的$[\rm Fe^{2+}]^-$状态是相关的地址扫描隧道显微镜（STM）实验，列入$d$ -轨道是必不可少的。我们发现，在间隙中的电子结构的Fe杂质是显着修改的表面效应。对于中性受主态$[{\rm Fe}^{2+}, h]^0$，磁各向异性对杂质子层的依赖性类似于$[{\rm Mn}^{2+}, h]^0$的情况。相比之下，对于$[{\rm Fe}^{3+}]^{0}$电子配置，磁各向异性表现不同，它是相当小的。对于这种状态，我们预测，它是可能的操纵Fe的时刻，例如，通过外部磁场，可检测的后果，在STM探测的状态的局部密度。
2014-04-17 cond-mat.mtrl-sci
Magnetic-field driven hybridization of heavy- and light-hole Rydberg excitons in GaAs quantum wells
Universidad Autónoma de Madrid（马德里自治大学）；Condensed Matter Physics Center (IFIMAC)（凝聚态物理中心（IFIMAC））；CNR Nanotec, Institute of Nanotechnology（意大利国家研究委员会纳米技术研究所）；School of Physics and Astronomy, Monash University（莫纳什大学物理与天文学院）
基于Luttinger哈密顿量的多带激子模型，结合极化分辨磁反射测量，研究了法拉第几何下宽GaAs量子阱中里德堡激子态的磁场驱动价带杂化及其对激发态性质的影响。
2026-06-03 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
Charge manipulation and imaging of the Mn acceptor state in GaAs by Cross-sectional Scanning Tunneling Microscopy
在GaAs中的一个单独的Mn受体映射的横截面扫描隧道显微镜（X-STM）在室温下观察到一个强烈的各向异性形状的受体状态。受体状态表现为一个十字形的功能，我们归因于弱结合到锰离子形成的（Mn $^{2+}3d^5+hole$）复合物的价空穴。我们建议，所观察到的Mn受体波函数的各向异性是由于d-波存在于受体基态。
2004-06-06 cond-mat.mtrl-sci
Plumbene on a magnetic substrate: a combined STM and DFT study
作为石墨烯的重质类似物，铅烯是一种具有强自旋轨道耦合效应的二维材料。利用扫描隧道显微镜（STM），我们观察到Pb在Ir（111）上的Fe单层上形成了一个扁平的蜂窝晶格。相反，在没有Fe层的情况下，发现Pb在Ir（111）上的c（2x4）结构，我们使用密度泛函理论（DFT）计算来合理化这些发现，并分析杂化对铅烯能带结构的影响。在未被占用的状态下的狄拉克锥的分裂的自旋轨道相互作用被清楚地观察到，而在被占领的状态下的独立的铅，我们发现一个带反转，导致形成一个拓扑非平凡的差距。通过与Fe层的强杂化介导的交换分裂驱动量子自旋霍尔到量子反常霍尔态跃迁。
2020-06-25 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Structural and magnetic properties of Mn-doped GaAs(110) surface
利用第一性原理总能量赝势方法研究了Mn掺杂GaAs（110）截面的STM图像。我们专注于配置与Mn间隙在最上层的表面层。特别是，我们已经发现，Mn杂质，周围的Ga或As原子，在这两种情况下引入强烈的局部扭曲的GaAs（110）表面，键长变化高达8%的表面和不可忽略的弛豫效应传播到第三次表面层。在这两种情况下，间隙Mn诱导其最近的邻居上的自旋极化，从而产生铁磁Mn-As和反铁磁Mn-Ga配置。
2005-10-03 cond-mat.mtrl-sci
Cross-sectional scanning tunneling microscopy of InAs/GaAs(001) submonolayer quantum dots
利用截面扫描隧道显微镜（X-STM）研究了在（2X 4）和c（4X 4）表面重构条件下生长在掺Si GaAs（001）衬底上的InAs亚单层量子点（SMLQD）的结构。多层在不同条件下生长，以研究其对SMLQD的形成，形态和局部组成的影响。通过填充和空态成像观察SMLQD的形态和组成变化。通过用标准偏析模型拟合局部铟浓度分布来描述SMLQD层中铟偏析的详细分析。观察并报道了砷通量对SMLQD形成和铟掺入的强烈影响。我们研究了InGaAs量子阱（QW）中形成SMLQD的阱宽波动。的单层波动的井宽度是可以忽略不计相比，在所有层中的更明显的成分波动。关键词：亚单层量子点，表面重构，X-STM，铟分凝
2020-08-26 cond-mat.mtrl-sci physics.app-ph
Observation of the symmetry of core states of a single Fe impurity in GaAs
我们报告的直接观察到两个中间的间隙核心d-状态的不同对称性的一个单一的铁原子嵌入GaAs。这些状态通过它们与周围主体电子结构的杂化强度来区分。不通过σ键合杂交的Fe的中间带隙状态强烈地定位于Fe原子，而另一个，这是扩展的，并且在尺寸上与其他受体状态相当。紧束缚计算这些中间的间隙状态同意与测量的波函数的空间结构，并说明，这样的测量可以确定通过π键的杂质d-状态的杂化程度。这些单掺杂剂的中间间隙状态具有强d-字符，这是内在的自旋轨道纠缠，提供了一个机会，探测和操纵本地磁性，并可能用于高速电控制单自旋。
2015-01-28 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
Influence of sample momentum space features on scanning tunnelling microscope measurements
扫描隧道显微镜（STM）测量的理论理解涉及STM针尖和被测样品的电子结构细节。传统上，焦点一直在样品的电子状态模拟的准确性上，而STM尖端电子状态通常近似为简单的球对称$ s $轨道。这种广泛使用的$ s $轨道近似在最近的STM研究中失败了，其中硅中的次表面杂质波函数的测量STM图像需要STM尖端电子状态的详细描述。在这项工作中，我们表明，失败的$ s $轨道近似是由于间接带隙的样品材料硅（Si），这引起复杂的谷干扰的动量空间中的杂质波函数。基于直接（GaAs）和间接（Si）带隙材料中杂质波函数的数百万原子电子结构计算的STM图像的直接比较，我们的结果建立，虽然STM尖端轨道的选择对于直接带隙GaAs材料仅起次要的定性作用，但是STM测量被间接带隙Si材料的动量空间特征显著地修改，从而需要STM尖端轨道构型的定量表示。我们的工作提供了新的见解，以了解未来的STM研究的半导体材料的动量空间的基础上，这将是重要的设计和实施的新兴技术领域的量子计算，光子学，自旋电子学和谷电子学。
2021-07-26 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci physics.app-ph
Adsorption, Segregation and Magnetization of a Single Mn Adatom on the GaAs (110) Surface
用密度泛函方法研究了Mn单体在GaAs（110）上的吸附、分凝和磁化。Mn吸附原子沿GaAs（110）上的沟槽相当移动，具有0.56 eV的能垒。然而，跨沟槽的偏析的能量势垒非常高，为1.67eV。态密度图显示在多数自旋通道中有较宽的能隙，而在少数自旋通道中有大量的金属诱导能隙态。在扫描隧道显微镜（STM）图像中，由于定向p-d杂化，Mn原子可能在小偏压下不可见。例如，尽管系统中只有一个Mn吸附原子，但在Mn/GaAs（110）上更可能看到两个亮点。
2005-03-21 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.stat-mech
Multiband tight-binding model of local magnetism in GaMnAs
我们给出了GaAs中单个锰杂质和两个附近锰杂质的自旋和轨道分辨局域态密度（LDOS）。GaAs基质用sp^3紧束缚哈密顿量描述，Mn杂质用局域p-d杂化和在位势描述。价带内的局部自旋极化共振显著增强了带边附近的LDOS。对于两个附近的平行Mn时刻的受体状态杂交和分裂的能量。因此，扫描隧道光谱可以直接测量Mn-Mn相互作用作为距离的函数。
2004-01-27 cond-mat.mtrl-sci
Surface acoustic wave modes in two-dimensional shallow void inclusion phononic crystals on GaAs
本文用有限元法计算了二维声子晶体中的声表面波，声子晶体由一个正方形排列的浅的、2 ~ 3微米深的圆柱形空隙夹杂组成。在（001）GaAs半空间上，[110]方向的瑞利波模式、与层状衬底相关的Sezawa和Lamb模式、高频纵向表面波和体波表现出混杂和模式相互作用。纵向，垂直和水平剪切体波色散被观察到的表面声波在一个浅的声子晶体上的重要阈值。这导致衰减和表面有界性特性的急剧变化，使得超声模式在其他大部分体波辐射色散分支连续模式中具有减小的衰减。
2018-08-31 cond-mat.mtrl-sci physics.app-ph
Mapping the wavefunction of transition metal acceptor states in the GaAs surface
我们利用单原子替代技术与扫描隧道显微镜（STM）中的光谱成像可视化的磁性和非磁性过渡金属受体态在GaAs（110）表面的各向异性空间结构。缺陷态的性质在半导体的性质中起着关键作用，状态的局部化影响诸如金属-绝缘体转变的开始，以及在稀磁半导体中导致铁磁性出现的磁相互作用的机制和强度。我们研究了GaAs表面中的这些状态，发现Mn、Fe、Co和Zn掺杂剂的受主状态波函数的形状之间的显著相似性，其由GaAs主体确定并且通常通过体GaAs中Mn的紧束缚计算再现[Tang，J.M. & Flatte，M.E.，物理修订信函92，047201（2004）]。的相似性源于受体状态的反键性质，所产生的杂质d-能级与主机的杂交。第二个更深的间隙状态也观察到Fe和Co，可以解释的对称性破缺的表面。
2009-07-27 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
Spatial corrugation and bonding of single layer graphene on Rh(111)
在Rh（111）表面上外延单层石墨烯的形貌扫描隧道显微镜（STM）图像显示，大规模地产生扩展的单晶石墨烯畴而没有任何缺陷。高分辨率成像显示，由Rh（111）衬底和石墨烯之间的晶格失配引起的莫尔结构是高度波纹状的，与先前报道的Ir（111）上的石墨烯或Ru（0001）上的石墨烯相比，莫尔超晶胞中包含额外的空间调制区域。对应于莫尔结构的“桥”区域的这些区域在STM图像中表现为凹陷，表明石墨烯层和金属基底之间的强轨道杂化。价带光电发射证实了石墨烯和Rh（111）之间的强杂化，这导致石墨烯层的显著的非晶化。我们的研究结果强调了在石墨烯基纳米级系统的设计中考虑外延生长的石墨烯层中的衬底效应的重要性。
2010-10-07 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
Magnetic properties of substitutional Mn in (110) GaAs surface and subsurface layers
受最近的STM实验的启发，我们提出了一个理论研究的Mn诱导的受主能级的电子和磁性的GaAs（110）表面层或在表面以下的原子层之一，通过取代一个单一的Ga原子。我们采用动力学交换紧束缚模型，其中（110）面的弛豫被考虑在内。受主波函数在空间上具有很强的各向异性，其详细特征取决于Mn原子所在的亚层的深度。当Mn原子位于表面更下方时，与受主能级相关的（110）表面上的局域态密度（LDOS）对Mn磁矩的方向更敏感。我们表明，系统的总磁各向异性能量几乎完全是由于受主能级能量对Mn自旋取向的依赖性，并且这个量强烈依赖于Mn原子的深度。
2009-07-29 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
Long-Range Surface-Assisted Molecule-Molecule Hybridization
金属酞菁配合物是一类功能性强、用途广泛的分子配合物，其性质可以通过改变其官能团和中心金属原子来调节。利用低温扫描隧道显微镜（STM）和光谱学（STS）、非接触原子力显微镜（ncAFM）和密度泛函理论（DFT）研究了吸附在Ag（100）表面的酞菁镁（MgPc）的电子结构.单一的，孤立的MgPc的表现出平坦的，四重旋转对称的形态，双简并，部分填充（由于表面到分子的电子转移）最低未占分子轨道（LUMO）。相比之下，MgPc与邻近的分子在附近进行升降机的LUMO简并，与近费米局域态密度与减少的双重旋转对称性，指示的长程吸引力的分子间相互作用。后者被分配到一个表面介导的两步电子杂交过程。首先，LUMO与Ag（100）传导电子相互作用，形成具有增强的空间延伸的混合分子-表面轨道。然后，这些离域的分子表面状态进一步与相邻分子的那些杂交。这项工作突出了分子吸附物的电子结构-包括轨道简并性和对称性-可以通过表面介导的分子间杂交显着改变，在扩展的距离（超过3 nm），具有重要的意义的分子为基础的固态技术的前景。
2020-11-13 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
Externally-triggerable optical pump-probe scanning tunneling microscopy with a time resolution of tens-picosecond
纳米结构的光致载流子动力学在开发先进材料的新功能方面起着至关重要的作用。光学泵浦-探测扫描隧道显微镜（OPP-STM）代表了具有纳米级空间分辨率的这种载流子动力学的真实空间成像的独特能力。然而，将超快脉冲激光器的先进技术与STM相结合以实现稳定的时间分辨测量仍然具有挑战性。最近的OPP-STM系统，其激光脉冲定时由外部触发器电控制，大大简化了这种组合，但由于纳秒时间分辨率限制了其应用。在这里，我们报告了一个外部可重复的OPP-STM系统的时间分辨率在十皮秒范围内。我们还实现了稳定的激光照射的尖端样品交界处放置一个位置可移动的非球面透镜驱动的压电致动器直接在STM平台上，并通过采用光束稳定系统。我们展示了GaAs（110）表面的OPP-STM测量，观察到载流子动力学与$\sim170$ ps的衰减时间，并揭示了本地载流子动力学的功能，包括一个台阶边缘和纳米级缺陷。稳定的OPP-STM测量与几十皮秒分辨率的电控制的激光脉冲突出了该系统的潜在能力，用于研究纳米级载体动力学的广泛的功能材料。
2023-01-27 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Selective Hybridization of a Terpyridine-Based Molecule with a Noble Metal
金属-分子界面的电子性质原则上可以通过分子设计和自组装来控制，这为未来的纳米和光电技术带来了巨大的潜力。然而，分子轨道和表面的电子状态之间的耦合可以显着影响分子状态。特别是，被设计用于创建金属有机自组装网络的分子具有必要地被设计为与金属强烈相互作用的官能团。本文采用低温扫描隧道显微镜（STM）和光谱学（STS）结合密度泛函理论（DFT）研究了三联吡啶（tpy）分子在贵金属Ag（111）表面的吸附相互作用.通过比较裸Ag（111）表面上的分子和通过NaCl双层膜与底层金属解耦的分子的STS获得的局域态密度（DOS）信息，我们发现，热定域轨道与金属基底强烈杂化。与此同时，与连接两个末端tpy基团的苯环相关的那些受与表面的相互作用的影响较小。tpy基团的选择性杂化提供了官能团和贵金属表面之间强的轨道特异性电子耦合的实例，其可以改变相互作用的预期平衡和分子-金属界面的所得电子行为。
2023-03-28 cond-mat.mtrl-sci physics.chem-ph
Imaging Hydrogen Bond in Real Space
氢键通常被认为是缺电子氢原子和高电子密度区域之间的纯静电相互作用。本文首次利用双势垒模式下的共振隧穿效应，利用室温扫描隧道显微镜（STM）对实空间中的氢键进行了直接成像。STM观察表明，C=O：HO氢键在金属表面上的抬升高度为几埃，呈现梭形结构，在单个氢键的氧原子和氢原子连接方向上有明显的反差.峰的偏离中心位置和氢键出现高度随扫描偏压的变化表明，C=O：HO氢键中所涉及的氧原子和氢原子的电子轨道之间存在一定的杂化。
2013-02-27 cond-mat.mtrl-sci physics.chem-ph
Co atoms on Bi$_{2}$Se$_{3}$ revealing a coverage dependent spin reorientation transition
我们通过扫描隧道显微镜和光谱[STM/STS]、X射线吸收光谱[XAS]、X射线磁二色性[XMCD]和密度泛函理论[DFT]计算研究了Bi $_{2}$ Se $_{3}$上的Co纳米结构。在单吸附原子制度，我们发现两个不同的吸附位点的STM。我们的计算表明，这些是fcc和hcp的衬底空心网站。STS示出了一个明显的峰，只有一个物种的钴吸附原子表明不同的电子性质的两种类型。这些都解释了我们的DFT计算的基础上，通过不同的杂交基板。使用XMCD，我们发现一个覆盖依赖于自旋重取向过渡从易平面到出平面。我们认为集群是这种观察的主要原因。
2013-11-18 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
Scanning tunneling microscopy and Raman evidences of silicene nanosheets intercalated into graphite surface at room temperature
高取向热解石墨（HOPG）是一种具有蜂窝结构的惰性基底，非常适合于二维硅烯层的生长。报道了室温下硅原子沉积在HOPG表面时，它们以两种构型排列：硅烯纳米片和三维团簇。在这项工作中，我们证明，通过使用扫描隧道显微镜（STM）和拉曼光谱，第三种配置稳定的形式的Si 2D纳米片插入下面的第一个顶层的碳原子。拉曼光谱揭示了位于538 cm $^{-1}$处的结构，我们将其归因于sp $^2$ Si杂化的存在。此外，硅沉积诱导石墨D和G拉曼模式的几个修改，我们解释为硅烯纳米片的插入的实验证据。室温下的Si原子嵌入发生在HOPG台阶边缘处，并且它仅分离最外面的石墨烯层，从而引起主要集中在硅烯纳米片的边缘上的强拉伸应变。硅烯纳米片的结构和能量活力，最外层石墨烯层上的应变分布及其对拉曼共振的影响的理论计算支持STM和拉曼观测。
2019-10-04 cond-mat.mtrl-sci
Microscopic Theory of the Single Impurity Surface Kondo Resonance
本文发展了金属表面单杂质近藤效应的微观理论。我们计算了磁性杂质与表面态和体态相互作用的Anderson哈密顿量的杂化能，并表明，与体中杂质的近藤效应相反，杂化矩阵元强烈依赖于费米面周围的动量。此外，通过计算扫描隧道显微镜（STM）的隧穿电导，我们表明，当磁性杂质位于表面的近藤效应可以发生与体和表面状态之间的强度相等。我们比较了我们的结果与最近的实验Co杂质在Cu（111）和Cu（100）表面，发现良好的定量协议。
2004-11-11 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Cross-over behavior of the localized to itinerant transition of 5f electrons in the antiferromagnetic Kondo lattice USb2
在铀基重费米子系统中，5 f电子呈现出介于部分定域和部分巡游之间的中间性质，这使得近藤问题更加复杂。在这里，我们使用扫描隧道显微镜/光谱研究近藤晶格反铁磁体USb 2的（001）表面。从4.7 K到140 K的随温度变化的dI/dV谱揭示了费米能级附近的几个峰结构。两个明显的峰起源于导电和5 f电子之间的杂化。我们没有观察到45 K时电子态的神秘突变，这是另一个STM小组先前报道的，并归因于一个新的一级类似的转变。相反，我们只观察到dI/dV谱随温度的连续演化。此外，在某些扫描区域，我们发现显着的Sb原子失踪的顶层，这给了我们机会，以调查的U-终止表面的电子结构。对于U端表面，出现了一个额外的尖锐峰，这与磁序密切相关。
2021-11-16 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Tunneling anisotropic magnetoresistance of Pb and Bi adatoms and dimers on Mn/W(110): A first-principles study
我们发现，铅和铋吸附原子和二聚体有一个大的隧道各向异性磁电阻（TAMR）的高达60%的磁性过渡金属表面吸附时，由于强的自旋轨道耦合和杂化的6p轨道与3d态的磁性层。本文用密度泛函理论研究了Pb和Bi吸附原子及二聚体吸附在W（110）表面Mn单分子膜上的TAMR效应。该表面表现出非共线的摆线自旋螺旋基态，相邻自旋之间的角度为173 $^\circ$，这允许准连续地旋转吸附原子或二聚体的自旋量子化轴，并且非常适合于使用扫描隧道显微镜（STM）探索TAMR的角度依赖性。我们发现Pb和Bi吸附原子和二聚体的感生磁矩很小，但局域态密度（LDOS）的自旋极化仍然很大。由真空LDOS各向异性得到的吸附原子的TAMR高达50- 60%.对于二聚体的TAMR敏感地依赖于相对于表面的结晶方向的二聚体取向，由于与Mn表面原子和自旋轨道耦合诱导混合的对称性的吸附原子之间的键的形成。沿着Mn单层的自旋螺旋方向取向的二聚体显示出最大的60%的TAMR，这是由于二聚体和Mn层的混合6p-3d态
2019-07-09 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
Engineering Quantum Wire States for Atom Scale Circuitry
本研究通过低温STM/STS和DFT表征硅悬挂键原子线构型，发现二聚体和宽线具有带隙中间态及更高透射率，适用于原子尺度电路。
2025-10-15 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
