The magnetoresistance in GdNi: Magnetic-polaronic-like effect near Curie temperature and low temperature sign reversal
报道了在4.2 ~ 300 K温度范围内GdNi的磁电阻（$Δρ/ρ$）测量结果。在居里温度（Tc= 70 K）以上，$Δρ/ρ$的符号为负，在80 kOe的磁场中，其大小随温度的降低而增大，在Tc以下，其峰值约为-20%.这些功能，定性类似于巨磁电阻系统（锰酸盐），归因于由Gd诱导的某种磁极化子的形成。在低于12 K时，磁电阻改变了符号，这归因于细微的能带结构效应.
1998-12-04 cond-mat.str-el
Change in the order of magnetic transition in HoRhGe as probed by magnetoresistance and magnetocaloric studies
研究了HoRhGe多晶的磁电阻和磁热性质。该化合物具有反铁磁性，Neel温度（TN）为5.5 K，并在2 K时经历一级变磁转变。它示出了一个大的负磁阻的25%，在TN，为50千奥斯特的字段。而在2K和较低磁场下，磁电阻为正，约为12%，这归因于一级变磁转变。该化合物在其Neel温度附近也显示出大的磁热效应。磁熵变的场依赖性也反映了磁场增加时磁相变性质的变化。当磁场变化为50 kOe时，磁熵变（-ΔSM）为11.1 J/kg K。磁电阻和磁热效应的场依赖性清楚地表明了随着场的增加，变磁转变顺序的变化。
2013-01-25 cond-mat.str-el
Colossal magnetoresistance over a wide temperature range in Eu0.99La0.01TiO3
我们报道了在轻掺杂反铁磁顺电EuTiO 3中发生的大磁阻效应。稀土钛酸盐（RTiO 3氧化物）的磁电阻的报告是非常罕见的，因为它们在低温下是高度绝缘的。EuTiO_3在2.5 K时为绝缘体，La ~（3+）掺杂1%可使其电阻率降低5个数量级以上。结果表明，Eu0.99La0.01TiO3在T= 5.43 K以下呈反铁磁性，在较宽的温度范围内表现出较大的磁电阻。在2.5 K时，H = 6 kOe时的磁电阻为-42%，H = 7 T时的磁电阻增加到-75%.即使在比尼尔温度高十倍的50 K下，磁电阻也非常显着（H = 7 T时为-20%）。结果表明，Eu ~（2+）离子的4f自旋与Ti-3d带的掺杂电子通过f-d相互作用发生强交换耦合，场致4f自旋涨落的抑制降低了3d电子的自旋无序散射.鉴于我们的研究结果，这将是有趣的研究其他稀土钛酸盐的磁电阻。
2016-12-29 cond-mat.str-el
Magnetization reversal, giant exchange bias effect and magnetoresistance in oxygen vacancy ordered Sr$_{4}$Fe$_{3}$CoO$_{11}$
本文报道了Sr $_{4}$ Fe $_{3}$ CoO $_{11}$的结构、磁性、交换偏置和磁输运效应。该材料在正交$\textit{Cmmm}$空间群中结晶。它显示出反铁磁（G型）转变（T $_{N}$ = 255 K）以及有趣的温度诱导磁化反转（T $_{Comp.}$ = 47 K，在100 Oe测量）。考虑到Co替代增加的磁晶各向异性，可以阐明磁反转。磁电阻测量显示了一个有趣的交叉从负到正侧在$\sim$ 100 K。在25K、7T磁场下，负磁电阻达到80PDMATHABMT.在T $_{N}$以下的场冷条件下观察到巨交换偏置效应。该样品中的负磁电阻和巨交换偏置的起源可以归因于磁阻挫。
2019-07-09 cond-mat.str-el
A Unified Theory of Unusual Anisotropic Magnetoresistance and Unidirectional Magnetoresistance in Nanoscale Bilayers
本文提出统一理论，证明纳米磁性双层膜中的UAMR和UMR均源于磁化矢量、热梯度与界面内建电场共同作用下的电子输运，并成功解释电流方向、磁化取向、膜厚及磁场强度等关键实验依赖关系。
2025-05-05 cond-mat.str-el
Giant hysteretic magnetoresistance accompanying the Mott transition and spin-glass state in organic metal
National Research University Higher School of Economics（国立高等经济大学）；Institute of Solid State Physics RAS（俄罗斯科学院固体物理研究所）
有机金属中莫特相变和自旋玻璃态导致巨磁阻效应，通过电荷-自旋纠缠提出新磁阻机制。
2025-12-15 cond-mat.str-el
Large magnetoresistance effect due to spin-injection into a non-magnetic semiconductor
本文提出了一种新的磁电阻效应，它是由自旋极化电子流从稀磁半导体注入到非磁半导体中引起的。该效应是由于抑制了非磁性半导体中的自旋通道，并且当非磁性半导体中的自旋翻转长度足够大时，理论上可以产生100%的正磁阻。实验上，我们的设备表现出高达25%的磁阻。
2001-08-30 cond-mat.mes-hall cond-mat.str-el
Magnetic and magnetoresistance behavior of Tb7Rh3, an intermetallic compound with a negative temperature coefficient of electrical resistivity in the paramagnetic state, and Paramagnetic Giant Magnetoresistance Phenomenon
直流磁化，电和磁电阻和热容量测量（2-300 K）的结果Tb 7 Rh 3，在Th 7 Fe 3型六方结构结晶，报告。在这种化合物中，磁有序集在约90 K，在低温下具有额外的转变，并且电阻率（R）的温度系数dR/dT在顺磁状态下在很宽的温度范围内为负。磁化结果表明，该化合物在磁场-温度相图中具有丰富的特征。主要强调的一点是，顺磁状态下的dR/dT的符号可以通过施加磁场而逐渐改变。结果，除了在磁有序状态下的巨磁阻行为之外，磁阻（MR）的幅度即使在室温附近（远高于磁有序温度）也相当大。与该系列的其他重稀土元素类似，这类化合物可以被归类为顺磁性巨磁阻系统。一种新的理论方法是必要的，以了解这一现象。
2006-09-10 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Fourfold oscillations and anomalous magnetic irreversibility of magnetoresistance in the non-metallic regime of Pr1.85Ce0.15CuO4
利用磁阻测量作为外加磁场及其应用方向的函数，我们提出了尖锐的角度依赖的磁阻振荡的电子掺杂铜氧化物在其低温非金属制度。磁阻测量中的不可逆性的存在以及对于不同的面内磁场取向的场依赖性的相关强各向异性表明磁畴对于确定电子性质起重要作用。这些域可能与先前报道的空穴掺杂铜酸盐中的条纹相有关。
2003-09-05 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Negative Magnetoresistance in Dirac Semimetal Cd3As2
在平行磁场和电场配置的拓扑半金属中，作为非平凡拓扑性质的结果，预期有大的负磁阻。负磁电阻被认为是证明手征异常，一个长期寻求的高能物理效应，在固态系统。最近的实验表明，Cd 3As 2是一种Dirac拓扑半金属，在正交磁场和电场组态下具有最高的迁移率和正线性磁电阻。然而，在平行的磁场和电场配置的负磁阻仍然没有揭开。在这里，我们报告的观察到的负磁阻在Cd 3As 2微带中的平行磁场和电场配置高达66%，在50 K，甚至在室温下可见。所观察到的负磁阻对磁场和电场之间的角度敏感，对温度具有鲁棒性，并且依赖于载流子密度。我们发现，Cd 3As 2样品的载流子密度服从阿耳忒修斯定律，从300 K时的3.0 × 10^17 cm^-3下降到50 K以下的2.2 × 10^16 cm^-3。低的载流子密度导致大的负磁电阻值。因此，我们将观察到的负磁阻的手征异常。此外，在垂直磁场和电场的配置也观察到一个积极的非饱和线性磁阻高达1670%，在14 T和2 K。这项工作表明了拓扑半金属在磁性器件中的潜在应用。
2015-07-23 cond-mat.mes-hall cond-mat.str-el
Colossal Magnetoresistance Manganites and Related Prototype Devices
本文综述了单相锰氧化物的庞磁电阻效应与场敏自旋电荷相互作用和相分离的关系，锰氧化物/Nb：SrTiO 3 pn结的整流特性和正负磁电阻效应与特殊的界面电子结构的关系，锰氧化物/铁电结构中的磁电耦合效应与应变、载流子密度和磁场敏感性的关系，锰氧化物/铁电结构中的磁电阻效应与磁电阻效应的关系，锰氧化物/Nb：SrTiO 3 pn结中的磁电阻效应与磁电阻效应的关系，锰氧化物/铁电结构中的磁电阻效应与磁电阻效应的关系。利用锰氧化物的完全自旋极化性质在具有电介质、铁电体和有机半导体间隔物的隧道结中的隧穿磁阻;以及锰氧化物纳米颗粒中颗粒尺寸对磁性质的影响
2013-09-14 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Linear nonsaturating magnetoresistance in the Nowotny chimney ladder compound Ru$_2$Sn$_3$
我们提出了在高品质的单晶的诺沃特尼烟囱梯化合物Ru $_2$ Sn $_3$的磁阻测量。我们发现线性和非饱和的磁阻高达20 T。在小磁场下，磁阻随磁场取向从正曲率到负曲率而变化。在5 T以上，对于任何测量的角度，磁阻在高达20 T时都没有显示出饱和的迹象。磁电阻的各向异性形状随温度的升高而保持不变，并服从科勒规则。我们关联的线性和非饱和磁阻的一个小费米表面的热点，可能形成的结构转变的结果。我们讨论了磁场下的电子-电子相互作用的相关性和方面的拓扑非平凡的性能预期在Ru $_2$ Sn $_3$。
2020-05-10 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Huge linear magnetoresistance due to open orbits in $γ$-PtBi$_2$
某些单晶材料的电阻率在室温和低温之间在零磁场下降低，如在良好的金属中，并且在低温下随着磁场的施加而切换到几乎类似超导的行为。通常，这是伴随着一个巨大的和非饱和的线性磁阻仍然难以解释。本文系统地研究了$γ$ $_2$单晶的磁电阻效应。我们观察到，磁场和结晶$c$轴之间的角度从根本上改变了磁阻，从饱和到非饱和磁场依赖性。在这两者之间，有一个特定的角度，其中磁阻与磁场完全线性。我们发现非饱和磁电阻的线性依赖性是由于在$γ$ -PtBi $_2$的费米面中形成了开轨道。
2020-05-04 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Simultaneous achievement of record-breaking colossal magnetoresistance and angular magnetoresistance in an antiferromagnetic semiconductor EuSe2
本研究在反铁磁半导体 EuSe2 中同时实现了破纪录的场诱导庞磁阻和角度磁阻，该现象源于强磁各向异性及磁场诱导的反铁磁-铁磁相变导致的带隙闭合，为角度敏感自旋电子器件提供了潜在材料。
2024-12-23 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Magnetic quantum oscillations of in-plane Hall conductivity and magnetoresistance tensor in quasi-two-dimensional metals
本文建立准二维金属磁阻振荡理论，利用Kubo-Streda公式推导磁量子振荡与慢振荡的振幅和相位解析表达式，并讨论温度和不均匀性对振荡的平均化效应，为实验数据分析提供理论工具。
2024-06-07 cond-mat.mes-hall cond-mat.str-el
Nonresonant microwave absorption in epitaxial La-Sr-Mn-O films and its relation to colossal magnetoresistance
我们研究了La $_{0.7}$ Sr $_{0.3}$ MnO $_{3}$薄膜的磁场依赖的非共振微波吸收和色散，并表明它源于庞磁电阻。建立了倾斜磁场中铁磁薄膜的磁电阻模型。该模型相当好地解释了我们的实验结果，以及其他研究人员的结果。我们证明了非共振微波吸收是一种强大的技术，允许非接触测量的磁性能的薄膜，包括磁阻，各向异性场和矫顽场。
2007-09-02 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Colossal Positive Magnetoresistance in a Doped Nearly Magnetic Semiconductor
本文报道了FeSb $_{2}$金属化诱导的正巨磁电阻效应。讨论了轨道磁共振和量子干涉对增强电阻率磁场响应的贡献。
2008-01-09 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Effect of Interlayer Spin-Flip Tunneling for Interlayer Magnetoresistance in Multilayer Massless Dirac Fermion Systems
本文研究了α-（BEDT-TTF）_2I_3中层间自旋翻转隧穿对磁场作用下层间磁电阻的影响。与层间库仑相互作用相关的自旋翻转关联的平均场使层间自旋翻转隧穿成为可能。在非垂直层间自旋翻转隧穿的假设下，利用Kubo公式计算了层间磁电阻。层间磁电阻由正向负转变的交叉磁场被塞曼能量移动，与实验符合得很好。
2015-02-23 cond-mat.mes-hall cond-mat.str-el
Weak localization and magnetoresistance in a two-leg ladder model
在强退相条件下，分析了无自旋两腿梯形模型电导率的弱局域化修正，特别是考虑了磁场的存在，这导致了非常规的磁电阻行为.我们发现，磁场导致三种不同的效果：（i）负的磁阻由于定期弱本地化校正（ii）有效的解耦的两个链，导致正的磁阻和（iii）振荡的磁阻起源于低能集体激发的性质。所有这三种效应都可以根据参数范围观察到，但事实证明，大的磁场总是使链解耦，从而导致磁场增强局部化的奇怪效应。
2012-07-26 cond-mat.mes-hall cond-mat.str-el
Large negative magnetoresistance in thiospinel CuCrZrS4
本文报道了在铁磁硫尖晶石化合物CuCrZrS $_{4}$中观察到的大的负磁电阻效应。电阻率随着温度的降低而增加，根据形式成正比于$\textrm{exp}(T_{0}/T)^{1/2} $，来自可变范围跳跃与强电子-电子相互作用。磁场作用下的电阻率用同样的形式表示，特征温度T0随磁场的增大而减小。当H=90 kOe时，磁电阻比$ρ(T,0)/ρ(T,H)$在100 K时为1.5，随着温度的降低，磁电阻比逐渐增大，在16 K时达到80。磁化测量的结果也被提出。讨论了大磁电阻效应的可能机制。
2004-06-21 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Revealing Controllable Anisotropic Magnetoresistance in Spin Orbit Coupled Antiferromagnet Sr2IrO4
反铁磁自旋电子学积极地引入了磁存储的新原理，其中最基本的自旋相关现象，即各向异性磁阻效应，由反铁磁体而不是铁磁体控制。反铁磁各向异性磁电阻效应的一般情况主要源于与自旋轨道耦合有关的磁晶各向异性。本文研究了磁场驱动下的反铁磁Sr 2 IrO 4/SrTiO 3（001）薄膜的四重各向异性磁电阻的轮廓旋转，该薄膜具有强自旋轨道耦合的Jeff=1/2 Mott态.同时，一个有趣的最小磁阻出现。通过第一性原理计算，揭示了由Ir等自旋旋转引起的带隙工程是导致这些涌现现象的原因，这与传统的沿磁易轴施加磁场时通常获得相对更导电的状态的情况不同.我们的研究结果表明，一个新的有效的途径，即通过新的杰夫=1/2状态，实现可控的各向异性磁电阻在反铁磁材料。
2018-05-07 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Magnetoresistance of a 2D electron gas caused by electron interactions in the transition from the diffusive to the ballistic regime
在强磁场（omega_{c} tau > 1）中，我们在高迁移率二维电子气上观察到了由电子-电子相互作用引起的抛物线负磁阻，其范围为k_{B} T tau / hbar ~ 1，这是从扩散区到弹道区的转变。从磁阻的温度依赖性出发，得到了长程涨落势和强磁场条件下对电导率δ sigma_{xx} ^{ee}（T）的相互作用修正。结果进行了比较与预测的新理论的相互作用引起的磁阻。
2002-07-27 cond-mat.mes-hall cond-mat.str-el
Unconventional magnetoresistance in long InSb nanowires
研究了2.3 - 300 K温度范围内，石棉基简并半导体InSb长相关纳米线（线径约5 nm，长0.1 - 1 mm）的磁电阻效应。在零磁场下，这种导线的电导$G$和电流-电压特性服从幂律$G\propto T^α$、$I\propto V^β$，这是一维电子系统所期望的。磁场效应对应于在H=10 T时指数$α$、$β$增长20%。所观察到的磁电阻是由磁场诱导的自旋-电荷分离的破坏引起的，代表了一种新的磁电阻机制。
2002-12-30 cond-mat.mes-hall cond-mat.str-el
Infinite magnetoresistance of magnetic multilayers
我们研究了电流垂直于平面的磁性超晶格的输运性质。在相裂和自旋翻转散射长度大于系统尺寸的限制下，采用多重散射方法计算了四探针电导。我们表明，通过调整放置在电流和电压探针之间的隧道势垒的强度，可以实现任意强度和大小的巨磁阻比。
1999-01-07 cond-mat.mes-hall cond-mat.str-el
Magnetoresistance of semi-metals: the case of antimony
大的不饱和磁电阻最近已被报道在许多半金属。它们中的许多具有拓扑非平凡的带色散，例如Weyl节点或线。在这里，我们表明，元素锑显示最大的高场磁电阻在所有已知的半金属。我们提出了一个详细的研究的角度依赖的磁电阻，并使用一个半经典的框架调用各向异性迁移率张量来拟合数据。在研究的整个温度窗口中，在任意磁场强度和方向上，需要与完美补偿略有偏差和迁移率张量分量随磁场的适度变化来实现完美拟合。我们的研究结果表明，大的轨道磁电阻是一个不可避免的后果，低载流子浓度和次二次磁电阻在许多半金属可以归因于场依赖的迁移率，预期每当无序长度尺度超过费米波长。
2018-03-02 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Quasilinear quantum magnetoresistance in pressure-induced nonsymmorphic superconductor CrAs
在传统金属中，电子轨迹在磁场下的改变会产生在低场下呈二次变化的磁电阻，然后在高场下费米表面上的闭合轨道饱和。偏离传统的行为，例如观察到的线性磁阻，或非饱和磁阻，已被归因于外来电子散射机制。近年来，在电子-电子关联相对较弱的狄拉克材料中观察到了线性磁电阻效应。强关联螺旋磁CrAs在压力下发生量子相变，成为超导体.在磁不稳定性附近，我们观察到一个大的和非饱和的准线性磁电阻从上临界场到14 T在低温下。我们表明，准线性磁电阻产生于一个复杂的相互作用之间的非平凡带交叉保护的非对称晶体对称性和强磁场波动
2016-12-22 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Magnetoresistance and Scaling Laws in Type-II Weyl Semimetal WP_2
具有极大磁阻的拓扑材料表现出电阻率导通行为的预测特征。当施加高于阈值的外部磁场时，电阻率的温度依赖性从金属特性改变为半导体特性时，会发生这种情况。在这里，我们研究的磁输运性质的II型外尔半金属WP 2。我们发现，半经典理论的磁阻是一致的，我们的数据，而不需要调用拓扑表面状态。我们的研究结果在这项工作中提供了一个替代的基础，以了解在拓扑材料的磁电阻的温度依赖性。
2021-08-31 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci cond-mat.other
Positive magnetoresistance induced by hydrodynamic fluctuations in chiral media
分析了在背景磁场存在下手征介质中流体动力学涨落和手征磁效应的联合作用。基于最近发展的非平衡有效场论，我们发现涨落对磁电阻的正贡献与CME有关，而早期的研究没有考虑涨落的情况下发现CME的负磁电阻。在零轴向弛豫速率下，涨落不仅对纵向电导率有贡献，而且对横向电导率也有贡献。
2021-09-23 cond-mat.str-el hep-ph hep-th
