Site-selective ion beam synthesis and optical properties of individual CdSe nanocrystal quantum dots in a SiO2 matrix
硒化镉纳米晶体量子点（NC-QD）是通过亚微米孔径在SiO2基质中顺序离子束注入硒和镉离子，然后进行快速热退火步骤，从而定点合成的。量子点的尺寸、面密度和光发射能量由注入过程中的离子注量和注入孔径控制。对于低能量密度和小孔径，这些光学活性发射器的发射与体材料的发射相比由于量子限制而蓝移$>100\,{\rm meV}$。的发射表现出光谱扩散和闪烁的第二个时间尺度上建立也为溶液合成的NC-QD。
2022-12-12 cond-mat.mes-hall
Voltage-Selective Bi-directional Polarization and Coherent Rotation of Nuclear Spins in Quantum Dots
我们提出并证明了GaAs双量子点中主晶格的核自旋可以在两个相反方向中的任何一个方向上被强极化，即平行于或反平行于外磁场。通过调整器件的直流源极-漏极电压，可以简单地选择方向。这种核极化通过在泡利自旋封锁状态下重复控制的电子-核自旋散射来表现。极化核也可通过核磁共振（NMR）进行相干控制。这项工作证实了量子点中的核自旋确实是长寿命的量子态，其相干时间高达1 ms，并且可能是用于量子信息处理的有前途的资源，例如用于电子自旋量子比特的量子存储器。
2011-04-19 cond-mat.mes-hall
Fast and selective phonon-assisted state preparation of a quantum dot by adiabatic undressing
我们从理论上研究了非共振光激发下量子点的时间行为，目标是快速制备声学声子辅助态。我们证明，在由短激光脉冲驱动的制备过程中，可以确定三个过程：在激光脉冲的开关期间的状态的敷料，随后的声子诱导的弛豫和在脉冲结束时的解敷料。通过分析不同脉冲形状的激发方案，我们强调了短脉冲协议中绝热脱衣服对最终状态的决定性影响。此外，我们还发现在激子-双激子系统中，可以利用激光的脉冲失谐量、脉冲长度和双激子结合能等激光特性来选择目标量子点态。
2016-01-28 cond-mat.mes-hall
Spin-selective optical absorption of singly charged excitons in a quantum dot
研究了场效应结构中InGaAs/GaAs自组装量子点的高分辨激光吸收光谱。我们的实验表明，带间光吸收的单电荷激子的下塞曼分支强烈抑制由于自旋（泡利）封锁的光学跃迁。在高磁场下，对上塞曼分支的光吸收主导吸收光谱。然而，我们发现，自旋封锁是不完全的，10%的泄漏仍然在高磁场。施加一个栅极电压，清空其驻留电子的点，关闭自旋封锁。这种效应在1.5 K和高达9特斯拉时观察到。
2005-09-06 cond-mat.mes-hall
Periodic magnetoconductance fluctuations in triangular quantum dots in the absence of selective probing
我们已经研究了具有三角形对称性和面积小至0.2平方微米的量子点的磁导，在高迁移率的二维电子气嵌入在GaAs-AlGaAs异质结。半经典模拟表明，在所测量的磁导的总功能是由弹道效应。低于1 K，我们观察到一个强大的周期振荡，这可能是解释在Aharanov-Bohm通量量子化通过一个单一的经典周期轨道的面积。从一个数值和分析的可能轨迹在硬壁和软壁的潜力，我们确定这个周期性的轨道作为内接三角形。与其他最近的实验相反，这个轨道是无法通过经典的过程来进入准直光束。
1998-07-14 cond-mat.mes-hall
Selective tuning of spin-orbital Kondo contributions in parallel-coupled quantum dots
我们使用共隧穿光谱研究自旋，轨道，和自旋轨道近藤输运在一个强约束系统的InAs双量子点（QD）平行耦合到源极和漏极。在单电子输运体系中，高对称性的自旋轨道近藤效应在轨道简并和无外磁场时表现出来。然后，我们继续表明，个人近藤贡献可以被隔离和单独研究，无论是通过轨道失谐的情况下，自旋近藤运输，或自旋分裂的情况下，轨道近藤运输。通过改变点间隧道耦合，我们表明，提升的自旋简并是确认存在的轨道简并的关键，并检测到一个小的轨道杂化间隙。最后，在双电子体系中，我们证明了自旋三重态基态的存在导致了零磁场下的自旋近藤输运。
2020-03-17 cond-mat.mes-hall
Selective optical manipulation of the spin state of a single magnetic impurity in a semiconductor quantum dot
研究了自组装量子点中单个磁性杂质的光学性质。我们表明，使用共振泵浦可以解决和操纵选择性的磁性杂质的个别自旋态。量子点中单个杂质的共振光偏振机制涉及各向异性交换相互作用，与稀释半导体中的不同。Mn杂质可以充当量子位。量子比特操纵的限制因素是电子-空穴交换相互作用和有限温度。
2004-07-27 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
Gate-defined graphene double quantum dot and excited state spectroscopy
双量子点使用三个顶栅形成在石墨烯纳米晶体管器件中。这些门独立地改变每个点上的电子数量并调整点间耦合。通过激发态的输运被观察到在弱耦合双点制度。我们从测量中提取双点系统的所有相关电容，以及量化的电平间距。
2009-12-11 cond-mat.mes-hall
Valley-selective energy transfer between quantum dots in atomically thin semiconductors
在过渡金属二硫属化物的单层中，有效介电屏蔽的非局域性质导致激子的大结合能。额外的横向限制引起量子点中的激子局域化。通过假设电子和空穴都受抛物约束，我们导出了电子-空穴对相对运动和质心运动的模型波函数，并从理论上研究了两个相邻量子点中激子之间的共振能量转移.我们通过假设两个量子点之间的相互作用由库仑势描述来量化直接带隙跃迁的能量转移的概率，这使得我们能够包括相互作用的所有相关多极项。我们证明了量子点之间的谷选择性能量转移的结构控制。
2020-08-05 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
Spin-selective electron transfer in quantum dot array
我们提出了一种硅量子点阵列中的自旋选择性相干电子转移。振荡磁场和时间控制的栅极电压被用来根据自旋状态将电子波函数分离成不同的量子点。我们介绍了非绝热和绝热协议，提供快速的电子转移和控制场脉冲区域的误差的鲁棒性，分别。我们还研究了一个捷径到绝热协议，这两个协议的妥协。我们表明，该方案可以直接扩展到多电子系统，并用于非本地操纵的电子。
2017-11-20 cond-mat.mes-hall quant-ph
Selective electron transfer between the quantum dots under the resonant pulse
从理论上研究了共振电磁脉冲作用下量子点环结构中电子的相干量子动力学。论证了任意两个点之间选择性电子转移的可能性。计算了作为脉冲和点参数的函数的转移概率。结果表明，这种概率可以接近于1。讨论了实际系统中降低转移概率的因素。所获得的结果可用于工程的新型纳米电子器件的量子比特处理。
2004-11-03 cond-mat.mes-hall cond-mat.other
Synthesis and systematic optical investigation of selective area droplet epitaxy of InAs/InP quantum dots assisted by block copolymer lithography
我们报告的光学特性的选择性生长的量子点增益材料的嵌段共聚物光刻辅助下的有源光学器件中的工作波长范围约为1.55 μ m及以上的潜在应用的系统调查。研究了一种新型的嵌段共聚物PS-b-PDMS（polystyrene-block-polydimethylsiloxane）用于制备用于选择区域外延InAs/InP量子点的碳氧化硅硬掩模。通过液滴外延选择性生长InAs/InP量子点阵列。我们的量子点在10-300 K的温度范围内的载流子动力学的详细调查表明，在量子点附近的InP带隙内的状态密度的存在。这些缺陷对量子点的光学性质具有实质性的影响。
2018-11-12 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci quant-ph
Transport through graphene double dots
我们提出了在石墨烯双点系统中的库仑阻塞测量。点到引线的耦合以及点之间的耦合可以通过石墨烯平面内栅极来调谐。耦合是栅极电压的非单调函数。使用一个纯粹的电容模型，我们提取所有相关的能量尺度的双点系统。
2009-05-05 cond-mat.mes-hall
Spin-selective AC Stark shifts in a charged quantum dot
强的远失谐激光可以通过AC斯塔克效应移动光学活性量子系统的能级。我们证明了激光的偏振导致带电量子点的能量结构的自旋选择性修改，移动一个自旋流形而不是其他。由于核自旋的奥弗豪泽场，会发生额外的位移，这些核自旋被泵入部分极化状态。这种机制提供了一个潜在的快速，可逆的，和一致的控制的能量结构和极化选择规则的带电量子点。
2018-12-18 cond-mat.mes-hall quant-ph
Few-hole double quantum dot in an undoped GaAs/AlGaAs heterostructure
我们在未掺杂的GaAs/AlGaAs异质结中发现了空穴双量子点。点间耦合可以在很宽的范围内调谐，从形成一个大的单点到两个隔离良好的量子点。使用电荷传感，我们展示了完全清空孔的点和控制在少孔制度中的电荷占据的能力。该装置应允许控制GaAs中的单量子点和双量子点中的单个空穴自旋。
2013-12-06 cond-mat.mes-hall
Computer-automated tuning of semiconductor double quantum dots into the single-electron regime
我们报道了GaAs异质结构中栅定义半导体双量子点的计算机自动调谐。我们通过在四个量子点的线性阵列内创建三个双量子点来对算法进行基准测试。该算法为所有栅极设置正确的栅极电压，以将双量子点调谐到单电子状态。该算法只需要（1）门设计的先验知识和（2）由所有量子点共享的单个门$T$的夹断值。这项工作大大简化了用户调谐多个量子点设备所需的工作。
2016-03-07 cond-mat.mes-hall
Double quantum dot as a probe of nonequilibrium charge fluctuations at the quantum point contact
通过量子点接触产生的能量量子的吸收导致通过放置在附近的双量子点的非弹性电流。与单量子点相比，双量子点的非弹性电流对量子点接触传输的能量依赖性敏感，这可以解释实验观察到的特征。我们计算的非弹性电流作为电路的微观参数的函数。
2008-12-02 cond-mat.mes-hall
Mechanically probing coherent tunnelling in a double quantum dot
我们从理论上研究了一个少电子双量子点和一个电容耦合的AFM悬臂梁，在最近的几个实验中实现的设置之间的相互作用的电荷动力学。我们证明，点引起的频率偏移和阻尼的悬臂梁可以被用来作为一个敏感的探针相干点间隧穿，这些效果可以用来定量提取的相干点间隧穿的大小和（在某些情况下）的值的双点T_1时间。我们还展示了如何绝热调制的双点本征态的悬臂梁运动导致新的效果相比，单点的情况。
2011-11-09 cond-mat.mes-hall
Cotunneling effects in GaAs vertical double quantum dot
在稀释冰箱温度为10 mK时，我们观察到了低势垒GaAs垂直双量子点中库仑阻塞的解除，这是由共隧穿机制引起的.与单点情况相比，观察到了几个明显的特征，并给出了相应的解释
2010-11-17 cond-mat.mes-hall
Nonlinear Transport through Coupled Double Quantum Dot Systems
结合简单的微观量子限制模型和Mott-Hubbard型关联模型，研究了半导体双量子点结构中的序贯隧穿输运.我们非微扰地计算了库仑阻塞振荡随点间势垒电导的演化，从弱耦合的单个点到强耦合的相干双点分子系统，在整个隧穿区得到了与实验数据很好的定性一致.
1996-11-26 cond-mat.mes-hall
Quantum manipulation of two-electron spin states in metastable double quantum dots
我们实验研究了所谓的亚稳双量子点中两个反平行电子自旋之间的交换相互作用的动力学，其中与电子库的耦合可以忽略。我们证明，这种双点的控制水平高于传统的双点。特别是，它允许耦合相干两个电子自旋在一个有效的方式以下的计划最初提出的损失和Dijuenzo。本研究表明，亚稳态量子点是增加相干耦合量子点数量的一种可能途径。
2014-11-25 cond-mat.mes-hall
Ion implanted Si:P double-dot with gate tuneable interdot coupling
本文报道了磷离子注入硅双点系统的毫开尔文电荷传感测量。铝单电子晶体管（SET）是电容耦合到每个注入点，使充电行为的双点系统进行研究独立的电流传输。使用静电门，点间耦合可以从弱耦合调谐到强耦合。在弱的点间耦合区域，系统表现出明确的双点充电行为。相比之下，在强点间耦合制度，系统表现为一个单点。
2006-02-23 cond-mat.mes-hall
Electrostically defined few-electron double quantum dot in silicon
采用金属氧化物半导体（MOS）兼容工艺制备了一种少电子双量子点，通过低温输运测量研究了该器件的能谱.双点结构是电可调的，使得点间耦合能够在宽范围内调整，如在电荷稳定性图中所观察到的。在偏置光谱测量中清楚地观察到了双点基态和激发态的共振单电子隧穿。
2009-04-02 cond-mat.mes-hall
Electron transport through double quantum dots
综述了串联耦合的两个横向量子点的电子输运实验。介绍了电荷稳定性图的两个点的电化学电位。共振隧穿实验表明，双点几何结构允许在量子点中的离散能量状态的本征寿命的准确测定。研究了离散能级在磁场中的演化。该分辨率允许分辨量子点的光谱中的避免的交叉。利用微波光谱，可以探测双点人工分子中从离子键合（对于弱的点间隧道耦合）到共价键合（对于强的点间隧道耦合）的转变。本文综述了双量子点的实验研究现状，并指出了它们与实现固态量子比特的关系。
2002-05-21 cond-mat.mes-hall
Spectroscopy of double quantum dot two-spin states by tuning the inter-dot barrier
双量子点中双自旋态的输运谱可以通过一个交流电场来实现。然而，当状态之间的转变率较小时，就会出现问题，因此AC感应电流会被抑制。在这里，我们表明，如果AC场调谐的点间隧道势垒，然后为大失谐的过渡率急剧增加，导致高电流。多光子共振增强了几个数量级。我们的研究为快速双自旋跃迁提供了一种有效的方法。
2019-02-05 cond-mat.mes-hall
Theory of a double-dot charge detector
采用极小模型分析了一个库仑耦合于待测电子，另一个受随时间变化的柱塞电压调制的双量子点电荷探测器。探测器的信号和噪声由标准主方程和麦克唐纳公式技术计算。我们发现在噪声频谱中的双拉比频率的双点，定义的带宽可用于检测运动中的电荷下降。
2008-02-12 cond-mat.mes-hall
Single Photoelectron Detection after Selective Excitation of Electron-Heavy Hole and Electron-Light Hole Pairs in Double Quantum Dots
我们演示了在AlGaAs/GaAs/AlGaAs量子阱中制作的两个不同的横向双量子点中的单个光生电子的实时检测，所述量子阱具有薄的或厚的AlGaAs势垒层。所观察到的入射激光功率和光子能量的依赖性的光电子检测效率都表明，被捕获的光电子，薄的屏障样品，主要是光生的缓冲层，然后隧穿到两个点之一，而厚的屏障样品，他们直接光生的井。对于后者，单光电子检测后，选择性激发的重，轻空穴状态的点是很好地解决。这保证了我们的基于量子阱的量子点系统对于从单光子极化到单电子自旋态的相干转移的适用性。
2014-01-19 cond-mat.mes-hall quant-ph
Statistical electron excitation in a double quantum dot induced by two independent quantum point contacts
实验研究了电流通过两个独立的量子点接触对GaAs-AlGaAs异质结中邻近的双量子点的影响。观察到的电流通过双量子点可以解释耦合到玻色子浴。浴的温度取决于通过量子点接触的电流所产生的功率。我们确定了双量子点中的主要吸收和发射机制为与声学声子的相互作用。实验排除了双量子点与由量子点接触产生的散粒噪声的耦合作为主导机制。
2009-02-12 cond-mat.mes-hall
Charge State Measurement and Persistent Current in a Double-Dot Aharonov Bohm Ring
这篇论文由于一个重大错误而被作者撤回。
2006-06-15 cond-mat.mes-hall
Probing level renormalization by sequential transport through double quantum dots
我们研究了串联双量子点的电子输运。离散点能级与外部引线的隧道耦合导致它们的能量转移。这种能量重整化影响的输运特性，即使在弱的点-铅耦合的限制，当顺序运输占主导地位。我们提出了一个实验装置，它揭示了重整化效应的电流-电压特性或稳定性图。
2005-08-19 cond-mat.mes-hall
Phase readout of a charge qubit capacitively coupled to an open double quantum dot
研究了电荷量子比特与开放双量子点的电容耦合动力学。取决于量子位状态，通过开放量子点的传输可以是谐振的或非谐振的，使得量子位影响通过开放双点的电流。我们将初始量子比特状态与出现的瞬态电流峰值的大小相关联。这些量之间的关系使得不仅能够读出电荷，而且能够读出量子位的相位。
2010-03-08 cond-mat.mes-hall
Large voltage-tunable spin valve based on a double quantum dot
研究了基于双量子点的自旋阀的自旋相关输运性质。假设每个量子点与其自身的铁磁铅强耦合，而量子点之间的耦合相对较弱。通过系统的电流是在点之间的跳跃微扰理论内确定的，而量子点-铁磁铅子系统的光谱是通过数值重整化群方法确定的。铁磁体和量子点之间自旋相关的电荷涨落产生了一个有效的交换场，使双量子点能级分裂。对于每个量子点，可以通过栅极电压或通过改变外部引线的磁配置来单独地控制这样的场。我们证明，所考虑的双量子点自旋阀设置具有增强的磁阻特性，包括正常和反向隧道磁阻。我们还表明，该系统允许产生高自旋极化电流，这可以通过纯电气手段控制。所考虑的双量子点与铁磁接触，因此可以作为一个有效的电压可调的自旋阀，其特征在于高输出参数。
2021-03-30 cond-mat.mes-hall
Top-gate defined double quantum dots in InAs nanowires
本文介绍了金属有机物气相外延生长的InAs纳米线中双量子点的低温输运测量。两个点串联创建光刻定义的顶栅的过程中，不涉及额外的绝缘层。我们证明了从强到弱耦合点之间的完整的可调谐性。耦合的量子力学性质导致在两个点上延伸的分子状态的形成。单个点的激发光谱可通过它们在非线性输运中的特征来观察。
2006-09-19 cond-mat.mes-hall
Molecular states in carbon nanotube double quantum dots
我们报告通过半导体单壁碳纳米管（SWNT）与三个额外的顶栅的电输运测量。在低温下，该系统充当具有大的点间隧道耦合的双量子点，允许观察在整个双点系统上延伸的隧道耦合分子态。我们精确地提取了隧道耦合，并通过微分电导中共振的顺序隧穿线形来识别分子态。
2006-03-14 cond-mat.mes-hall
Compact silicon double and triple dots realized with only two gates
我们报告电子输运硅双和三重点创建优化数量的两个门。使用氮化硅间隔物，在与硅纳米线重叠的两个顶栅下方创建串联的两个点。点之间的耦合由栅极电压控制。第三个点是由栅极电压或局部掺杂的组合作用，这取决于间隔物的长度。对三点稳定图的主要特征进行了定量拟合。
2010-05-31 cond-mat.mes-hall
Spin-polarized currents in double and triple quantum dots driven by ac magnetic fields
我们分析了交叉直流和交流磁场存在下，通过双量子点和三量子点的非均匀塞曼分裂的输运。我们发现，通过调节量子点塞曼分裂能级的相对能量，可以获得强自旋极化电流：根据能级的失谐量，双量子点可以作为自旋上滤波器或自旋下滤波器工作.我们证明了三重量子点在交、直流磁场作用下不仅可以作为自旋过滤器，而且可以作为自旋反转器。
2010-11-27 cond-mat.mes-hall
Site-selective quantum control in an isotopically enriched 28Si/SiGe quadruple quantum dot
硅自旋量子比特是一种有前途的量子计算平台，提供长的相干时间、小的器件尺寸以及与工业支持的器件制造技术的兼容性。近年来，高保真度的单量子比特和双量子比特操作已经在Si中得到了证实。在这里，我们展示了相干自旋控制的四重量子点使用同位素富集28 Si制造。我们调整的基态电荷配置的四重点下降到单电子制度，并展示了可调interdot隧道耦合高达20 GHz，这使得交换为基础的两个量子位门操作。在磁场梯度中使用电偶极自旋共振实现了位点选择性单自旋旋转。我们在270 ns内在两个相邻自旋之间执行谐振CNOT门。
2019-03-14 cond-mat.mes-hall quant-ph
Cooper pair tunnelling and quasiparticle poisoning in a galvanically isolated superconducting double dot
我们通过将超导双点与任何电极电隔离来增加超导双点与其环境的隔离。我们探测它使用高频反射技术，发现2e周期性的行为，并计算其电荷态的能量结构。通过模拟的设备的响应，我们确定的准粒子中毒率显着恶化比一个未隔离的双点，并得出结论，准粒子之间的点和引线的交换是一个重要的松弛机制。
2017-10-12 cond-mat.mes-hall
Zero temperature conductance of parallel T-shape double quantum dots
分析了平行T型双量子点系统的零温电导。我们提出了一个解析表达式的电导的系统中的两个量子点的电子总数。我们的研究结果证实，系统的电导是强烈的影响，这是不直接连接到引线的点。我们讨论了我们的研究结果与文献中报道的类似结果。
2007-08-14 cond-mat.mes-hall
Double quantum dot as detector of spin bias
提出了利用双量子点作为自旋偏置探测器的设想。从理论上研究了在与量子点接触的两个导电引线上施加纯自旋偏压时电子通过双量子点的输运。研究发现，当量子点内能级位于自旋偏置窗口内时，左右量子点的自旋极化可以自发地产生，并打破了两个量子点的左右对称性.结果，产生了一股巨大的电流。对于开放的外部电路，将在平衡中感应电荷偏置而不是充电电流，这被认为是根据当前纳米技术可测量的。该方法可以通过测量双量子点中的电荷偏置或电流来检测自旋偏置（或自旋电流），为自旋偏置（或自旋电流）的检测提供了一种实用的全电学方法。
2008-08-06 cond-mat.mes-hall
Optimal tunneling enhances quantum photovoltaic effect in double quantum dots
利用非平衡量子主方程研究了双量子点中的量子光伏效应。在开路电压附近观察到光伏电流的急剧抑制，这导致大的填充因子。我们发现，总是存在一个最佳的点间隧穿，显着提高光伏电流。最大输出功率也将在最佳点间隧穿附近获得。此外，开路电压近似表现为本征能级间隙和卡诺效率的乘积。这些结果表明双量子点作为高效光伏器件具有巨大的潜力。
2013-10-22 cond-mat.mes-hall
Fast sensing of double-dot charge arrangement and spin state with an rf sensor quantum dot
报道了双量子点的电荷排列和自旋态的单次测量，测量时间可达~ 100 ns。感测使用在库仑阻塞状态中的近端量子点的射频反射测量。该传感器的量子点比同类量子点接触传感器灵敏30倍，在射频单次测量中信噪比提高3倍。数值模拟与实验定性一致，表明量子点传感器灵敏度的提高是由于减少了屏蔽和寿命展宽。
2010-04-26 cond-mat.mes-hall
Surface Acoustic Wave induced Transport in a Double Quantum Dot
我们报道了在片上产生的表面声波的照射下通过双量子点的非绝热输运。在低激发功率下，观察到单个和多个声子的吸收和发射。在较高的功率下，连续的声子辅助隧穿过程激发处于高度非平衡态的双点。该系统对于研究压电耦合下的电子-声子相互作用具有重要意义。
2006-01-09 cond-mat.mes-hall
Low energy excitations of double quantum dots in the lowest Landau level regime
利用精确对角化技术，在填充因子接近2的情况下，研究了N=6和N=7电子系统中不同的跳跃参数和塞曼参数下双量子点在最低朗道能级下的光谱和磁性.我们比较了我们的结果与双量子层和单量子点。本文还讨论了Kohn定理。
2003-01-17 cond-mat.mes-hall
Determining the electronic triplet-singlet transition probability in double quantum dots: Analogy with the double slit experiment
我们采用初等测量方法计算了双量子点中由超精细相互作用引起的电子三重态-单重态跃迁。我们展示了超精细相互作用和核反作用过程（触发器）的局部特征是如何消除三重态-单重态跃迁几率的相消干涉的。正是这种抵消作用将超精细相互作用与混合三重态和单重态本征态的各向异性磁场区分开来。
2010-02-22 cond-mat.mes-hall
Tunable capacitive inter-dot coupling in a bilayer graphene double quantum dot
我们报道了一个双量子点，它是在一个宽度调制的蚀刻双层石墨烯纳米管形成。许多横向石墨烯门使我们能够在很宽的能量范围内调整器件的量子点能级和隧道势垒。电荷稳定性图，特别是单独的三相点对允许研究可调电容点间耦合能量以及多个单独的三相点上的电子激发态的光谱。我们提取的互电容点间耦合的范围为2 - 6 meV和点间隧道耦合的数量级为1.5 μeV。
2011-10-26 cond-mat.mes-hall
Quantum Photovoltaic Effect in Double Quantum Dots
我们分析了通过耦合到高质量驱动微波谐振器的双量子点系统的光伏电流。即使在双量子点系统的引线上的零偏压下，谐振器中的光子到电子激发的转换也产生电流。我们证明，由于谐振器中的电磁场的量子性质，光伏电流表现出双峰依赖于外部微波源的频率$ω$。峰之间的距离由共振器中的光子与双量子点中的电子之间的相互作用的强度确定。随着弛豫过程强度的增加，双峰结构消失，当微波频率等于谐振器频率时，恢复了最大电流的简单经典条件。
2013-01-16 cond-mat.mes-hall
A new mechanism of electric dipole spin resonance: hyperfine coupling in quantum dots
对最近发现的一种由超精细相互作用介导的电偶极自旋共振机制进行了实验和理论研究。利用GaAs双量子点的自旋选择跃迁研究了这种效应。共振频率对瞬时超精细有效场敏感，揭示了驱动共振产生的核极化。一种包含微磁体的装置在点之间表现出磁场差异，允许选择性地寻址任一点中的电子。一个无法解释的额外的信号在谐振频率的一半。
2008-12-31 cond-mat.mes-hall
Geometrical pumping in spin coupled double quantum dots
基于量子主方程（QME），解析地研究了双量子点系统的非平衡泵浦，其中双量子点通过自旋耦合与两个外引线相连.每个引线都有两个可调参数，温度和化学势。利用QME方法，我们得到了QME本征态的类Berry-like相位在参数空间中的解析表达式。我们证明了Berry-like曲率在参数空间的整个区域内都是非零的。我们还证明了在单个量子点和两个孤立量子点的情况下，类Berry曲率为零。
2013-02-27 cond-mat.mes-hall
Electron Transport in Double Quantum Dot governed by Nuclear Magnetic Field
本文从理论上研究了受核磁场支配的双点电子转移：这是最近在实验上实现的。我们展示了如何部分补偿核磁场来恢复自旋封锁。
2005-07-28 cond-mat.mes-hall
Kondo Physics and Exact Solvability of Double Dots Systems
我们研究两个双点系统，一个与点在平行，一个与点在串联，并认为他们承认一个精确的解决方案，通过贝特anomaly。在平行点的情况下，我们利用精确解来提取线性响应电导的行为。平行点系统的线性响应电导具有多重近藤效应，包括由非微扰反铁磁RKKY相互作用增强的近藤效应，在混合价区具有电导零点，并服从非平凡形式的Friedel和规则.
2007-07-24 cond-mat.mes-hall
Pauli spin-blockade in an InAs nanowire double quantum dot
我们测量了有限偏压下通过InAs纳米线中顶栅形成的双量子点的输运。泡利自旋波卡德被证实与几个电子在点。这是预期的，因为InAs中的小交换相互作用和大的单重态-三重态分裂，这可以通过栅极电压来测量和调节。
2007-09-20 cond-mat.mes-hall
Resonant tunneling spectroscopy of valley eigenstates on a hybrid double quantum dot
我们报道了通过由施主和量子点组成的硅混合双量子点的电子输运测量。输运谱显示了涉及不同谷态的共振隧穿峰，这说明了Si/SiO2界面上量子点的谷分裂。双点输运的详细栅极偏压依赖性允许首次直接观察量子点中的谷分裂，其在160-240 μ eV之间可控，电场依赖性为1.2 ± 0.2 meV/（MV/m）。大的谷分裂是在硅量子点中实现物理电子自旋量子比特的基本要求。
2016-04-14 cond-mat.mes-hall
Kondo effect in side coupled double quantum-dot molecule
研究了近藤机制下电子隧穿双量子点分子与量子线的相互作用。平均场有限U从玻色子形式主义被用来获得问题的解决方案。我们发现当侧边附着的双量子点的分子能量与费米能相交时，会出现电导抵消现象。我们研究了多体分子近藤态随系统参数的变化。
2004-11-25 cond-mat.mes-hall
