Drude电导率下降时空穴-空穴相互作用的重正化

颗粒体系的Drude电导率

Drude Conductivity of a Granular System

我们提出了一个完整的推导颗粒模拟德鲁德电导率使用图解法。当改变动量和频率求和的阶数时所产生的收敛问题比均匀情况下更严重。这是因为现在有两个动量和，而不是一个，由于在隧道事件的晶粒内的动量混乱。通过对频率和的仔细解析延拓，并利用分部积分，我们证明了系统处于正常（非超导）状态，并从爱因斯坦关系式和费米黄金律中推导出颗粒Drude电导率的公式。我们还表明，天真地执行的动量和第一次给出正确的结果，只要我们解释一个发散的频率和解析延拓使用赫维茨zeta函数。

弗洛凯-德鲁德电导率

Floquet-Drude conductivity

这封信提出了一个概括的德鲁德电导率的系统，暴露于周期性的驱动。探针偏置处理微扰使用久保公式，而外部驱动包括非微扰使用Floquet理论。使用一种新型的四次格林函数的无序接近图解，产生一个完全解析的Floquet-Drude电导率的表达式。此外，将Floquet费米黄金法则推广到$tt'$ -Floquet态，将Floquet-Dyson系列与Floquet态的散射理论联系起来。我们的形式主义允许直接应用到许多系统，例如石墨烯或自旋轨道系统。

无序二维系统中量子干涉对Drude电导率的巨抑制

Giant suppression of the Drude conductivity due to quantum interference in disordered two-dimensional systems

研究了重掺杂、强无序二维量子阱结构GaAs/In $_x$ Ga $_{1-x}$ As/GaAs在宽电导率和温度范围内电导率的温度和磁场依赖性。研究了随着温度的降低，当相位断裂长度$L_ϕ$与局域化长度$ξ\sim l\exp{(πk_Fl/2)}$相交时，干涉在电子输运中的作用，其中$k_F$和$l$分别为费米准动量和平均自由程.结果表明，所有的实验数据都可以在离域态电导率的简单模型的框架内理解。该模型不同于传统的弱局域化模型的$k_Fl\gg 1$和$L_ϕ\llξ$的一点：量子干涉贡献的电导率的值不仅受到相位断裂长度$L_ϕ$，但由局域化长度$ξ$以及。我们发现，只是数量$(τ_ϕ^\ast)^{-1}=τ_ϕ^{-1}+τ_ξ^{-1}$，而不是$τ_ϕ^{-1}$，其中$τ_ϕ\propto T^{-1}$是失相时间和$τ_ξ\simτ\exp(πk_F l)$，是负责的温度和磁场的依赖性的电导率在宽范围的温度和无序强度下的顺序$10^{-2} e^2/h$的导电性。

二维电子气中温度相关的Drude输运

Temperature-dependent Drude transport in a two-dimensional electron gas

我们考虑了温度在费米温度和德拜温度之间的稀二维电子的输运。在这种情况下，电子形成非简并等离子体，其迁移率受到潜在无序的限制。不同种类的杂质通过能量依赖性散射为所得到的温度依赖性德鲁德电导率贡献了独特的签名。这开辟了一种表征样品无序组成的方法。特别是，中性杂质导致电导率随温度缓慢下降，而带电杂质导致电导率随温度的平方根增长。这一观察结果作为一个预防措施，从字面上解释金属或绝缘电导率的依赖性，因为两者都可以在一个经典的金属系统中找到。

Anti-Drude Metal of Bosons

In the absence of frustration, interacting bosons in the ground state exist either in the superfluid or insulating phases. Superfluidity corresponds to frictionless flow of the matter field, and in optical conductivity is revealed through a distinct $δ$-functional peak at zero frequency with the amplitude known as the Drude weight. This characteristic low-frequency feature is instead absent in insulating phases, defined by zero static optical conductivity. Here we demonstrate that bosonic particles in disordered one dimensional, $d=1$, systems can also exist in a conducting, non-superfluid, ph…

Dyakonov-Perel自旋弛豫在金属-绝缘体转变附近和跳跃输运中的应用

Dyakonov-Perel spin relaxation near metal-insulator transition and in hopping transport

在具有弱自旋-轨道相互作用的重杂质半导体中，Dyakonov-Perel自旋弛豫速率已知与Drude电导率成比例。我们认为，在弱自旋轨道相互作用的情况下，这种比例超出了德鲁德机制：它保持有效的通过金属-绝缘体过渡和指数小的跳跃电导率的范围内。