量子动态随机存取存储器（Q-DRAM）的展望
Prospects for a Quantum Dynamic Random Access Memory (Q-DRAM)
摘要：
与量子逻辑门相比，量子存储器受到的关注要少得多。在这里，我们探讨了一个固态的，可扩展的量子动态随机存取存储器（Q-DRAM），其中的量子位是由交换解耦量子点中的单量子的自旋取向编码的预后。我们解决，特别是，实现刷新周期的各种可能性。
英文摘要：
Compared to quantum logic gates, quantum memory has received far less attention. Here, we explore the prognosis for a solid-state, scalable quantum dynamic random access memory (Q-DRAM), where the qubits are encoded by the spin orientations of single quantons in exchange-decoupled quantum dots. We address, in particular, various possibilities for implementing refresh cycles.
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