面向与先进CMOS工艺三维集成的12英寸晶圆LGAD传感器技术开发
Development of LGAD Sensor Technology on 12 inch Wafers for 3D Integration with advanced CMOS processes
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中文总结 AI 辅助
本文报告了在12英寸晶圆上采用65纳米CMOS工艺制造的LGAD传感器的设计、仿真与初步测试，旨在展示与28纳米ROIC的全晶圆混合键合，涵盖标准、AC耦合和深结LGAD等类型。
中文摘要 AI 辅助
我们报告了在12英寸晶圆上采用65纳米CMOS技术制造的低增益雪崩二极管（LGAD）传感器的设计、仿真和初步测试。这些传感器是作为展示传感器与28纳米读出集成电路（ROIC）全晶圆混合键合项目的一部分而开发的。传感器提交和测试包括标准（贯通型）LGAD、交流耦合LGAD和深结LGAD以及各种测试结构。
英文摘要
We report on the design, simulation, and initial testing of Low Gain Avalanche Diode (LGAD) sensors fabricated in 65 nm CMOS technology on 12 inch wafers. These sensors were developed as part of a project to demonstrate full wafer to wafer hybrid bonding of sensors and 28 nm Readout Integrated Circuits (ROICs). The sensor submission and test included standard (reach-through) LGADs, AC coupled LGADs, and Deep Junction LGADs as well as various test structures.
发表机构
- Fermilab（费米国家加速器实验室）
- SLAC National Accelerator Laboratory（斯坦福直线加速器中心）
- Optronics Technology AS
- Emergence Quantum
- Global Foundries（格罗方德半导体）
- Lawrence Livermore National Laboratory（劳伦斯利弗莫尔国家实验室）
机构由 AI 辅助整理，请以论文原文为准。
