布线设定相位盲量子存储器的间隙，权重限制其相干性
The wiring sets a phase-blind quantum memory's gap, the weight caps its coherence
- Shenzhen University of Advanced Technology（深圳先进技术大学）
- Guangdong Provincial Key Laboratory of Computility Microelectronics（广东省算力微电子重点实验室）
- Pengxin Quantum Technology (Shenzhen) Co., Ltd.（鹏心量子技术（深圳）有限公司）
- Stanford University（斯坦福大学）
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AI总结：
本文研究相位盲量子存储器的间隙与相干性，发现布线决定间隙时间而相位速率不变，并揭示对比度衰减的极限及两分支泵浦的突破方案。
AI中文摘要：
工程耗散纠正错误，但存储器的相位仍会衰减。存储器间隙所衡量的内容尚未定论。这里我们证明，当每次跳变重置一个基态时，布线可以设定间隙时间，而相位保持其速率。在退相干作用下，间隙时间在不同布线间跨越两个数量级；相位则不然。在此类中，两个或更多量子比特上的对比度衰减速度快于任何距离下的裸量子比特；没有此类泵浦功率可以替代。上限是量子比特上对比度跨越的两倍。两分支泵浦可以在距离三处逃脱该上限；一个双时钟测试基于已发表数据运行。
英文摘要：
Engineered dissipation corrects errors, yet a memory's phase decays. What the memory's gap measures is not settled. Here we show that when each jump resets one basis state, the wiring can set the gap time while the phase keeps its rate. Under dephasing the gap time spans two orders across wirings; the phase does not. In this class, a contrast on two or more qubits fades faster than a bare qubit at any distance; no such pump power substitutes. The ceiling is two over the qubits the contrast spans. A two-branch pump can escape it at distance three; a two-clock test runs on published data.
