全硅独立双栅增益单元存储器中的内存内AM解调，其泄漏电流低于$10^{-22}$ A（由单电子计数确定）
In-Memory AM Demodulation Using an All-Silicon Independent-Dual-Gate Gain-Cell Memory with $<10^{-22}$ A Leakage Determined by Single-Electron Counting
- Institute for Multidisciplinary Sciences, Yokohama National University（横滨国立大学多学科科学研究所）
- Basic Research Laboratories, NTT Inc.（日本电信电话株式会社基础实验室）
- Research Center for Integrated Quantum Electronics, Hokkaido University（北海道大学综合量子电子学研究中心）
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AI总结：
本文提出一种全硅独立双栅增益单元存储器，泄漏电流低于10^-22 A，保持时间超1000秒，利用亚阈值非线性实现内存内AM解调，为超低功耗信号处理提供CMOS兼容平台。
AI中文摘要：
超低泄漏存储器在内存内传感和计算领域正引起越来越多的关注。然而，由于存取晶体管的泄漏，在硅存储器中实现足够长的保持时间以用于模拟信号处理仍然具有挑战性。在这项工作中，我们展示了一种全硅独立双栅存储器，其泄漏电流（根据单电子计数统计推断）低于$10^{-22}$ A，测得的保持时间超过1000秒。由于极低的泄漏，存取晶体管的亚阈值非线性可以在不干扰存储电荷的情况下被利用，从而实现内存内幅度调制（AM）解调。所提出的存储器为超低功耗信号处理和内存内传感提供了一个CMOS兼容的平台。
英文摘要：
Ultra-low-leakage memories are attracting increasing attention for in-memory sensing and computing. However, achieving sufficiently long retention in silicon memories for analog signal processing remains challenging because of leakage through the access transistor. In this work, we demonstrate an all-silicon independent-dual-gate memory whose leakage current, inferred from single-electron counting statistics, is below $10^{-22}$ A, giving a measured retention time exceeding 1000 s. Owing to the extremely low leakage, the subthreshold nonlinearity of the access transistor can be exploited without disturbing the stored charge, enabling in-memory amplitude-modulation (AM) demodulation. The proposed memory provides a CMOS-compatible platform for ultra-low-power signal processing and in-memory sensing.
