发表机构
The Affiliated Institute of ETRI（ETRI附属研究所）
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本文提出一种可推广至任意有限域的高斯消元量子电路，实现无垃圾比特构造，并保持已知最优的渐近Toffoli深度。
AI 中文摘要
本工作开发了一种用于高斯消元法的量子电路。此前高斯消元法的量子实现仅限于$\mathrm{GF}(2)$，而所提出的设计可推广到任意有限域。与先前在$\mathrm{GF}(2)$中的工作相比，所开发的电路实现了无垃圾比特的构造，同时保持了已知最佳的渐近Toffoli深度（至多相差对数因子）。
英文摘要
A quantum circuit for Gaussian elimination is developed in this work. While previous quantum implementations of Gaussian elimination were restricted to $\mathrm{GF}(2)$, the proposed design is generalized to any finite field. Compared with previous works in $\mathrm{GF}(2)$, the developed circuit achieves garbage-free construction while retaining the best known asymptotic Toffoli depth up to logarithmic factors.
