发表机构
Univ Rennes, INSA Rennes; CNRS, Institut FOTON – UMR 6082; IES, University of Montpellier; CNRS; Univ Rennes, CNRS, IPR (Institut de Physique de Rennes)–UMR 6251; C2N, University of Paris Saclay; CNRS, UMR 9001（雷恩大学，雷恩国立应用科学学院; 法国国家科学研究中心，FOTON研究所; 蒙彼利埃大学，生态系统与可持续发展研究所; 法国国家科学研究中心; 雷恩大学，法国国家科学研究中心，雷恩物理研究所; 巴黎萨克雷大学，纳米科学中心; 法国国家科学研究中心）
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本文批判性回顾III-V/IV族异质外延研究，提出反相边界形成新描述，证明其非由单原子台阶边缘产生，为III-V族在IV族平台集成提供新见解。
AI 中文摘要
我们批判性地回顾了近年来关于III-V族半导体在IV族衬底上进行价态和结构失配异质外延的实验和理论进展。我们考察了关键方面，包括润湿行为、异质界面处的原子构型、衬底钝化以及反相边界（APBs）的稳定性。通过将这些发现与开创性研究相结合，我们提出了对反相边界形成的精细化描述。我们的分析表明，异质界面的形成由衬底台阶重构所决定，证明APBs并非在单原子台阶边缘处产生。这一广义的III-V/IV族生长框架为III-V族半导体在IV族平台上的集成，以及更广泛地，为价态失配异质外延提供了新的见解。
英文摘要
We critically review recent experimental and theoretical advances on the valence- and structure-mismatched heteroepitaxy of III-V semiconductors on group-IV substrates. We examine key aspects including wetting behavior, atomic configurations at the hetero-interface, substrate passivation, and the stability of antiphase boundaries (APBs). By synthesizing these findings with pioneering studies, we propose a refined description of antiphase boundaries formation. Our analysis shows that hetero-interface formation is dictated by substrate terrace reconstruction, demonstrating that APBs are not generated at monoatomic step edges. This generalized III-V/IV growth framework provides new insights for the integration of III-V semiconductors on group-IV platforms and, more broadly, for valence-mismatched heteroepitaxy.
