理解具有强复合平面的宽禁带半导体器件中的理想因子
Understanding Ideality Factor in Wide-Band Gap Semiconductor Devices with Strong Recombination Planes
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本研究探讨宽禁带半导体二极管中理想因子与耗尽区最大复合平面位置的关系，提出模型并与GaN p-i-n二极管实验数据吻合良好。
中文摘要 AI 辅助
二极管的理想因子将取决于其耗尽区内最大复合平面的位置。该因子最小值为1，但根据平面的位置可变化至无穷大。本研究分析的案例表明，与基于GaN的p-i-n二极管实验数据具有更好的一致性。
英文摘要
Ideality factor of a diode will depend on the location of the plane of maximum recombination within the diode's depletion region. It will have a minimum of one, but can range up to infinity depending on placement of the plane. Case studies analyzed in this work demonstrate better agreement with experimental data from GaN-based p-i-n diodes.
发表机构
- University of California, Santa Barbara（加州大学圣塔芭芭拉分校）
- National Taiwan University（台湾大学）
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