过渡金属二硫属化物单层中的光电流效应
Photogalvanic effect in monolayers of transition metal dichalcogenides
查看机构详情
- Ioffe Institute（约费研究所）
机构由 AI 辅助整理，请以论文原文为准。
浏览论文内容
中文总结 AI 辅助
本文理论研究了过渡金属二硫属化物单层中由线偏振光直接跃迁产生的光电流，发展了考虑库仑吸引的弹道与位移贡献微观理论，发现库仑关联使弹道贡献占主导。
中文摘要 AI 辅助
我们提出了对过渡金属二硫属化物单层中由线偏振辐射诱导的直接光学跃迁所产生的光电流的理论研究。我们发展了一种微观理论，涵盖光电流的弹道贡献和位移贡献，该理论考虑了光激发电子与空穴之间的库仑吸引。研究表明，在典型的二维半导体中，库仑关联导致弹道贡献主导位移光电流。
英文摘要
We present a theoretical study of photocurrents generated by direct optical transitions induced by linearly polarized radiation in monolayers of transition metal dichalcogenides. A microscopic theory of both the ballistic and shift contributions to the photocurrent is developed that accounts for Coulomb attraction between photoexcited electrons and holes. It is demonstrated that, in typical 2D semiconductors, the Coulomb correlation causes the ballistic contribution to dominate over the shift photocurrent.
