TiTe2在大气与电子束暴露下的晶体和电子相变
Crystallographic and Electronic Phase Changes in TiTe2 via Atmospheric and Electron Beam Exposure
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中文总结 AI 辅助
本研究通过STM/STS、XRD和TEM等手段，发现TiTe2在空气和电子束暴露下发生表面金属-半导体转变及从单晶六方相经单斜相到多晶态的相变，并可能形成非化学计量比的表面层。
中文摘要 AI 辅助
在本研究中，我们考察了采用高压化学气相输运（CVT）技术生长的过渡金属二硫族化物TiTe2的表面敏感性，并研究了样品暴露于空气后的表面变化以及其在电子束照射下的晶体学性质。我们利用扫描隧道显微镜/扫描隧道谱（STM/STS）对机械剥离样品表面在暴露前后的局域态密度（LDOS）进行了检测，发现表面发生了金属到半导体的转变。STM分析显示表面粗糙度有明显变化，表明样品表面形成了吸附层。通过X射线衍射（XRD）和透射电子显微镜（TEM）对晶体结构进行了检测，结果表明晶体从单晶六方相经畸变的单斜相转变为多晶态。此外，可能存在的超晶格表明暴露层表面存在非化学计量比的TixTey。
英文摘要
In this study, we examine the surface sensitivity of a transition metal dichalcogenide (TiTe2) grown using the Chemical Vapor Transport (CVT) technique at high pressure and study the surface changes in the sample upon exposure to air as well as its crystallographic properties upon e-beam exposure. We examine the local density of States (LDOS) of the mechanically exfoliated sample surface before and after exposure using Scanning Tunneling Microscopy/Spectroscopy (STM/STS) and find a metal-to-semiconductor transition at the surface. The STM analysis shows a clear change in surface roughness which indicates the formation of an adlayer on the surface of the sample. The crystal structure was examined using X-ray Diffraction (XRD) and Transmission Electron Microscopy (TEM), indicating a phase transition from a single-crystalline hexagonal phase to a polycrystalline state via a distorted monoclinic phase. Furthermore, the presence of a possible superlattice suggests non-stoichiometric TixTey at the surface of the exposed layer.
发表机构
- Oklahoma State University（俄克拉荷马州立大学）
- Pittsburg State University（皮茨堡州立大学）
- Cornell University（康奈尔大学）
- Scienta-Omicron Inc（Scienta-Omicron公司）
机构由 AI 辅助整理，请以论文原文为准。
