发表机构
Research Center for Materials Nanoarchitectonics, National Institute for Materials Science（物质纳米结构研究中心，日本国立物质材料研究所）
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本研究通过掺杂Kanamori-Hubbard模型中的轨道简并反铁磁绝缘体，发现带隙内出现轨道选择性的电子模式，其源于不同自旋激发并构成轨道选择性莫特转变的本质特征。
AI 中文摘要
轨道选择性莫特转变（OSMT）的本质仍难以捉摸。本研究表明，在Kanamori-Hubbard模型中，对轨道简并的自旋-1反铁磁绝缘体进行掺杂时，电子模式以轨道选择性的方式在带隙中出现，并展现出动量移动的自旋模式色散关系。源于常规自旋激发（包括低能激发）的电子模式出现在掺杂轨道中，而源于轨道间自旋激发的电子模式则出现在未掺杂轨道中。这些涌现模式构成了OSMT的一个本质特征。
英文摘要
The nature of the orbital-selective Mott transition (OSMT) remains elusive. This study shows that, by doping an orbitally degenerate spin-1 antiferromagnetic insulator in the Kanamori-Hubbard model, electronic modes emerge in the band gap in an orbital-selective manner, exhibiting momentum-shifted spin-mode dispersion relations. Electronic modes originating from conventional spin excitations, including the low-energy one, appear in the doped orbital, while those from inter-orbital spin excitations appear in the undoped orbital. These emergent modes constitute an essential feature of the OSMT.
Comments5 pages, 3 figures
