LHCb VELO传感器在LHC Run 1-2数据采集期间的漏电流演化
Leakage current evolution in LHCb VELO sensors during Run 1-2 LHC data taking period
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研究LHCb VELO硅探测器在Run 1-2期间因辐射导致漏电流上升的演化过程。
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在现代高能物理实验严酷的混合强子辐射环境中运行的硅探测器会遭受渐进性的体损伤，宏观上表现为漏电流的持续上升。
英文摘要
Silicon detectors operating in the harsh mixed-hadron radiation environment of modern high-energy physics experiments suffer progressive bulk damage, manifesting macroscopically as a steady rise in leakage current.
发表机构
- AGH University of Krakow（克拉科夫AGH科技大学）
- Nikhef National Institute for Subatomic Physics（尼霍夫国家亚原子物理研究所）
- College of Science and Engineering, Edinburgh（爱丁堡科学与工程学院）
- University of Manchester（曼彻斯特大学）
- University of Liverpool（利物浦大学）
- European Organization for Nuclear Research (CERN)（欧洲核子研究组织（CERN））
- Institute of High Energy Physics (IHEP), Chinese Academy of Sciences（中国科学院高能物理研究所）
- Universita degli Studi di Cagliari（卡利亚里大学）
- Uppsala Universitet（乌普萨拉大学）
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